JPS5821875A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
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- JPS5821875A JPS5821875A JP56121118A JP12111881A JPS5821875A JP S5821875 A JPS5821875 A JP S5821875A JP 56121118 A JP56121118 A JP 56121118A JP 12111881 A JP12111881 A JP 12111881A JP S5821875 A JPS5821875 A JP S5821875A
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- image sensor
- amorphous silicon
- electrode
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- adjacent electrodes
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Links
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- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非晶質シリコンを光導電素子層として利用する
イメージセンサに関する。
イメージセンサに関する。
本発明の目的は光の感度特性が７ラツトで、しかも出力
信号のバラツキが小さいイメージセンサを得ることであ
る。
信号のバラツキが小さいイメージセンサを得ることであ
る。
従来ファクシミリ送信機の光電変換系には、ＣＣＤある
いはＭＯＳなどの工Ｃセンサが使用され２ている。
いはＭＯＳなどの工Ｃセンサが使用され２ている。
しかしセンサが小型・高密度であるためレンズ光学系に
よシ原稿を縮少させる必要があシ、装置の小型化が困難
でしかも高価格である欠点を有している。
よシ原稿を縮少させる必要があシ、装置の小型化が困難
でしかも高価格である欠点を有している。
そこで０（ｉｓを光検出素子として用い、導光用に集来
性光ファイバー素子を用いるイメージセンサの研究が進
められている。
性光ファイバー素子を用いるイメージセンサの研究が進
められている。
０ｃｉＥＩは感度が高く、大面積化が容易である反面、
膜の均一性が悪い、緑色から赤色の光に対する感度が低
い、光のオン・オフに対する応答速度が遅い、前件を有
する等種々の欠点を有する。
膜の均一性が悪い、緑色から赤色の光に対する感度が低
い、光のオン・オフに対する応答速度が遅い、前件を有
する等種々の欠点を有する。
本発明はかかる欠点を除去するもので、光導電素子層に
非晶質シリコンを用い、しかも隣接する電極間の間隙を
１０μｍ以上とすることによシ、低価格で特性の優れた
イメージセンサが得られた以下図面によυ本発明につい
て更に具体的に詳述する。
非晶質シリコンを用い、しかも隣接する電極間の間隙を
１０μｍ以上とすることによシ、低価格で特性の優れた
イメージセンサが得られた以下図面によυ本発明につい
て更に具体的に詳述する。
第１図はイメージセンサの基本構成を示す図で、ＲＩ
ｓ Ｒ２”””Ｒｎは共通電極、ａｌ 、０２°゛。
ｓ Ｒ２”””Ｒｎは共通電極、ａｌ 、０２°゛。
Ｃ工は個別電極、Ｄｌ 、Ｄ２・・・・・・Ｄ？ＦＬは
ダイオード、γ１、γ２・・・・・・γｍは光４電素子
、ＲＬは負荷抵抗、Ｅは電源である。
ダイオード、γ１、γ２・・・・・・γｍは光４電素子
、ＲＬは負荷抵抗、Ｅは電源である。
共通電極Ｒ，をＯＮし、個別型＆Ｃｘ、Ｃｚ・・・Ｃｔ
ｒ＞を順次ＯＮすることにより光導電素子γ１１ｒ２・
・・・・・γｍの抵抗変化が外部電流の変化として検出
される。
ｒ＞を順次ＯＮすることにより光導電素子γ１１ｒ２・
・・・・・γｍの抵抗変化が外部電流の変化として検出
される。
以下これを繰返し、１走査分の信号を得ていくなおここ
では配線数を減らすため上記の如くマトリクス駆動を示
したが、勿論共通電極を個別電極として駆動するスタテ
ィック駆動とすることも可能である。
では配線数を減らすため上記の如くマトリクス駆動を示
したが、勿論共通電極を個別電極として駆動するスタテ
ィック駆動とすることも可能である。
第２図はイメージセンサの具体的な構造を示す図で、２
１はガラス基板、２２は共通電極、２３ば非晶質シリコ
ン層、２４は個別電極、２５は基台、２６は絶縁フィル
ム、２７は力、＜−１２Ｂは共１１Ｊ−ド線、２９は上
部配線である。
１はガラス基板、２２は共通電極、２３ば非晶質シリコ
ン層、２４は個別電極、２５は基台、２６は絶縁フィル
ム、２７は力、＜−１２Ｂは共１１Ｊ−ド線、２９は上
部配線である。
その製造方法は、ガラス基板２１上に共通電極２．２と
して、Ａ ｌ ｌ ’Ｏｒ、 Ｏ％、 Ａ Ｂ、
Ｎ ｉ等の金属、又は８％０２％ 工？Ｌ２０３、■
ＴＯ等の酸化物を真空蒸着、スパッタリング、イオンブ
レーティング等の手段により形成し、次いでプラズマ０
ＶＤ１スパツタリング等の手段によシ光導電層としての
非晶質シリコン層２３を形成する。その後個別電極２４
を共通電極２２と同様にして形成し、その−Ｆに予め上
部配線２９を設けた絶縁フィルム２６を溶着する。
して、Ａ ｌ ｌ ’Ｏｒ、 Ｏ％、 Ａ Ｂ、
Ｎ ｉ等の金属、又は８％０２％ 工？Ｌ２０３、■
ＴＯ等の酸化物を真空蒸着、スパッタリング、イオンブ
レーティング等の手段により形成し、次いでプラズマ０
ＶＤ１スパツタリング等の手段によシ光導電層としての
非晶質シリコン層２３を形成する。その後個別電極２４
を共通電極２２と同様にして形成し、その−Ｆに予め上
部配線２９を設けた絶縁フィルム２６を溶着する。
第６図は従来のＣａＳを用いたイメージセンサと本発明
による非晶質シリコン層を用いたイメージセンサの分光
感度特性を比較する図である。
による非晶質シリコン層を用いたイメージセンサの分光
感度特性を比較する図である。
縦軸は相対感度Ｓ（％）を示し、横軸は波長人（λ）を
示す。
示す。
図中３１はＯｄＳ、３２は非晶質シリコンの場合を示す
。
。
図から明らかな如（ＣａＳは緑色〜赤色の光に対して急
激に感度が低下しているため光源に自ら制限を受けるが
、本発明の非晶質シリコンを用いた場合には可視光全般
に感度を有する為各種の光源が使用可能である。
激に感度が低下しているため光源に自ら制限を受けるが
、本発明の非晶質シリコンを用いた場合には可視光全般
に感度を有する為各種の光源が使用可能である。
又概光導電層の特性にバラツキを有する場合、出力信号
のバラツキが発生する為、±１０％以内におさえる必要
があるが、０（ＩＳではこの制御が難しく、一方弁晶質
シリコンでは比較的容易であり、量産性が優れる利点を
有する。
のバラツキが発生する為、±１０％以内におさえる必要
があるが、０（ＩＳではこの制御が難しく、一方弁晶質
シリコンでは比較的容易であり、量産性が優れる利点を
有する。
更に応答特性に関して、光照射後光電流が飽和値の８０
％に達するまでの立上り時間、及び光遮断後飽和値の２
０％まで減衰する減衰時間を比較すると、ＣｄＳの場合
１０７ｎｘで立上シ時間は２５〜５０００ ｍ ７、ｆ
’＋減衰時間は２０〜７００ｍ渡であるのに対して非晶
質シリコンの場合、立上り時間及び減衰時間とも数ｍ５
ｅｃ〜数１０ｍ５ｅｃとなり応答速度が１桁向上した。
％に達するまでの立上り時間、及び光遮断後飽和値の２
０％まで減衰する減衰時間を比較すると、ＣｄＳの場合
１０７ｎｘで立上シ時間は２５〜５０００ ｍ ７、ｆ
’＋減衰時間は２０〜７００ｍ渡であるのに対して非晶
質シリコンの場合、立上り時間及び減衰時間とも数ｍ５
ｅｃ〜数１０ｍ５ｅｃとなり応答速度が１桁向上した。
この為低速から高速のファクシミリまで充分使用可能で
ある。
ある。
更に解像度を向上させる目的に対しては、素子数が多い
程良好な画像が得られる−が、隣接する電極の間隙が１
０μｍ以下になるとき一つ電流が発生する為、逆に文字
のにじみ、画像のボケが発生する− 従って隣接する電極間の間隙は１０μ慨以上とする。
程良好な画像が得られる−が、隣接する電極の間隙が１
０μｍ以下になるとき一つ電流が発生する為、逆に文字
のにじみ、画像のボケが発生する− 従って隣接する電極間の間隙は１０μ慨以上とする。
以上詳述した如く本発明によれば小型で、応答速度が速
く、解像度の優れたイメージセンサが得られ、小型ファ
クシミリ等に極めて有効である。
く、解像度の優れたイメージセンサが得られ、小型ファ
クシミリ等に極めて有効である。
第１図はイメージセンサの基本構成を示す図である。
第２図はイメージセンサの具体的な構造を示す図である
。 第３図は従来のＯｄＳを光導電層に用いたイメージセン
サと非晶質シリコンを用いたイメージセンサの分光感度
特性を示す図である。 以上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 最 上 務
。 第３図は従来のＯｄＳを光導電層に用いたイメージセン
サと非晶質シリコンを用いたイメージセンサの分光感度
特性を示す図である。 以上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 最 上 務
Claims (2)
- （１）光導電素子の抵抗変化を利用するイメージセンサ
において、該光４電素子として非晶質シリコンを用いる
ことを特徴とするイメージセンサ。 - （２） 隣接する電極間の間隙を１０μｍ以上とする
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイメージ
センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121118A JPS5821875A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121118A JPS5821875A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821875A true JPS5821875A (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=14803325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56121118A Pending JPS5821875A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821875A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5670673A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-12 | Hitachi Ltd | Photoelectric converter |
| JPH071804A (ja) * | 1993-06-21 | 1995-01-06 | Atsusato Kitamura | インクリボン |
-
1981
- 1981-07-31 JP JP56121118A patent/JPS5821875A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5670673A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-12 | Hitachi Ltd | Photoelectric converter |
| JPH071804A (ja) * | 1993-06-21 | 1995-01-06 | Atsusato Kitamura | インクリボン |
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