JPS5821825A - フォトレジスト現像液及びその製造方法 - Google Patents
フォトレジスト現像液及びその製造方法Info
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- JPS5821825A JPS5821825A JP12071681A JP12071681A JPS5821825A JP S5821825 A JPS5821825 A JP S5821825A JP 12071681 A JP12071681 A JP 12071681A JP 12071681 A JP12071681 A JP 12071681A JP S5821825 A JPS5821825 A JP S5821825A
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- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体処理用コリン水溶液の製造方法に関し
、さらに詳しくは半導体処理剤として、高純度でありか
つ作業上及び保存上の安定性が極めて優れたコリン水溶
液の製造方法に関する。
、さらに詳しくは半導体処理剤として、高純度でありか
つ作業上及び保存上の安定性が極めて優れたコリン水溶
液の製造方法に関する。
半導体表面の洗浄、食刻、感光性樹脂の現像等の半導体
処理剤として、強い塩基性を有する水酸化第四アンモニ
ウムが有用であることは既に知られている（特公昭５５
−４０１８１号、特公昭５５−４０１８３号、特公昭５
５−４．１５２９号公報参照）。大部分の水酸化第四ア
ンモニウムの製造方法は、先ず第四アンモニウム塩基の
ハロゲン化塩、硫酸塩、その他の酸根との塩を得たのち
、その塩に銀、バリウム、その他の金属の酸化物、水酸
化物等を作用させて、酸根を水酸基に置換するか、或は
その塩を隔膜電解法により処理するかして製造するのが
、従来から一般的に行われてきた方法である。ところが
酸根を水酸基に置換する方法においては、溶解度積以下
の金属イオンが不純物として混入するのは避けられない
し、また隔膜電解法においては、陽極の溶解物が混入す
るおそれがある。
処理剤として、強い塩基性を有する水酸化第四アンモニ
ウムが有用であることは既に知られている（特公昭５５
−４０１８１号、特公昭５５−４０１８３号、特公昭５
５−４．１５２９号公報参照）。大部分の水酸化第四ア
ンモニウムの製造方法は、先ず第四アンモニウム塩基の
ハロゲン化塩、硫酸塩、その他の酸根との塩を得たのち
、その塩に銀、バリウム、その他の金属の酸化物、水酸
化物等を作用させて、酸根を水酸基に置換するか、或は
その塩を隔膜電解法により処理するかして製造するのが
、従来から一般的に行われてきた方法である。ところが
酸根を水酸基に置換する方法においては、溶解度積以下
の金属イオンが不純物として混入するのは避けられない
し、また隔膜電解法においては、陽極の溶解物が混入す
るおそれがある。
しかるに、半導体処理剤にとっては、々るべく不純物が
少ないととが望寸しく、就中無機元素が皆無に近いこと
が重要な条件である。この点コリン（水酸化２−オキシ
エチルトリメチルアンモニウム、 ＣＨＯＣＩ−ｈ−Ｃ
Ｈ２−ＮζＣＨ３）３ 〕ＯＨ−）は、トリメチルアミ
ン水溶液にエチレンオキシドラ気体、液体又は水溶液の
状態で加えることにより容易に製造することができ、上
記原料も高純度のものが得られるから、Ｎａ、 Ｃｕ、
、 Ａｇ等の不純物が椅めて少ない半導体処理剤が得ら
れるという利点がある。
少ないととが望寸しく、就中無機元素が皆無に近いこと
が重要な条件である。この点コリン（水酸化２−オキシ
エチルトリメチルアンモニウム、 ＣＨＯＣＩ−ｈ−Ｃ
Ｈ２−ＮζＣＨ３）３ 〕ＯＨ−）は、トリメチルアミ
ン水溶液にエチレンオキシドラ気体、液体又は水溶液の
状態で加えることにより容易に製造することができ、上
記原料も高純度のものが得られるから、Ｎａ、 Ｃｕ、
、 Ａｇ等の不純物が椅めて少ない半導体処理剤が得ら
れるという利点がある。
加えて、コリンの０．５重量係水溶液のｐＨは１２．８
であって、苛性ソーダ０．５重量係水溶液のｐＴ−１１
２，７よりも更に強い塩基性を有する。このように、半
導体処理剤としてコリン水溶液が特に賞月できることも
既に知られている（特公昭５３−２０３７６号、特公昭
５３−２０３７７号公報参照）。
であって、苛性ソーダ０．５重量係水溶液のｐＴ−１１
２，７よりも更に強い塩基性を有する。このように、半
導体処理剤としてコリン水溶液が特に賞月できることも
既に知られている（特公昭５３−２０３７６号、特公昭
５３−２０３７７号公報参照）。
しかしながら、上記のように製造されたコリン水溶液を
希釈調整し、コリン濃度を一定にして、半導体表面の洗
浄、食刻、感光性樹脂の現像等に用いた場合に、コリン
の製造口、１・毎に食刻速度や現像速度等のバラツキが
あり、半導体処理剤として作業上捷だ保存」二の安定性
に欠けるという問題があった。
希釈調整し、コリン濃度を一定にして、半導体表面の洗
浄、食刻、感光性樹脂の現像等に用いた場合に、コリン
の製造口、１・毎に食刻速度や現像速度等のバラツキが
あり、半導体処理剤として作業上捷だ保存」二の安定性
に欠けるという問題があった。
従って、本発明の目的は、半導体処理剤としてのコリン
水溶液が、金属イオン等の有害な不純物を含ま々いこと
は勿論、半導体処理剤として一定の条件下で一定の食刻
速度、現像速度が得られるようなコリン水溶液を簡単で
安価に製造する方法を提供することにある。
水溶液が、金属イオン等の有害な不純物を含ま々いこと
は勿論、半導体処理剤として一定の条件下で一定の食刻
速度、現像速度が得られるようなコリン水溶液を簡単で
安価に製造する方法を提供することにある。
本発明者らは、この問題について種々検削したＭｊ果、
ｌ−リメヂルアミンとエチレンオキシトドの反応は、次
式（Ｉ）の主反応と次式（ＩＴ）及び（ＩＩＩ）の副反
応からなるものと考え、 （ＴＩＤ ｎ ＣＨ２−ＣＨ２＋ｌ−Ｉ２０−＋ＨＯ
（ＣＨ２ＣＨ，、−０−）−Ｈ＼０′
。
ｌ−リメヂルアミンとエチレンオキシトドの反応は、次
式（Ｉ）の主反応と次式（ＩＴ）及び（ＩＩＩ）の副反
応からなるものと考え、 （ＴＩＤ ｎ ＣＨ２−ＣＨ２＋ｌ−Ｉ２０−＋ＨＯ
（ＣＨ２ＣＨ，、−０−）−Ｈ＼０′
。
コリン水溶液中の溶質全体に対するコリン含量を高める
とともに、副反応生成物を減少安定させるには、両反応
原液を反応器中に一度に投入し、速やかに均一に混合す
ること、またエチレンオキシドに対してトリメチルアミ
ンを過剰量で反応させるということが、半導体処理剤と
しての力価を予期せぬ程に安定々レベルに寸で上げるこ
とを見出して本発明を外すに至った。
とともに、副反応生成物を減少安定させるには、両反応
原液を反応器中に一度に投入し、速やかに均一に混合す
ること、またエチレンオキシドに対してトリメチルアミ
ンを過剰量で反応させるということが、半導体処理剤と
しての力価を予期せぬ程に安定々レベルに寸で上げるこ
とを見出して本発明を外すに至った。
即ち、本発明は、エチレンオキシド１モルに対し１モル
以上のトリメチルアミンを含有するトリ３− メチルアミン水溶液と、エチレンオキシド水溶液又は液
状エチレンオキシドの両液を、反応器中に一度に投入し
、速やかに均一分散状態となるように混合して反応させ
ることを特徴とする半導体処理液の製造方法である。
以上のトリメチルアミンを含有するトリ３− メチルアミン水溶液と、エチレンオキシド水溶液又は液
状エチレンオキシドの両液を、反応器中に一度に投入し
、速やかに均一分散状態となるように混合して反応させ
ることを特徴とする半導体処理液の製造方法である。
コリン生成反応に使用するトリメチルアミンは水溶液と
して用いる。その濃度は制御波されないが、１５〜３５
重量％の濃度のものを用いて十分目的を達成することが
できる。同様にエチレンオキシド水溶液の濃度にも制限
がなく、１０〜２０重量％の濃度のものを用いることが
できる。エチレンオキシドの沸点は１０．７°Ｃであり
、液状のエチレンオキシドも支障なく用いることができ
る。
して用いる。その濃度は制御波されないが、１５〜３５
重量％の濃度のものを用いて十分目的を達成することが
できる。同様にエチレンオキシド水溶液の濃度にも制限
がなく、１０〜２０重量％の濃度のものを用いることが
できる。エチレンオキシドの沸点は１０．７°Ｃであり
、液状のエチレンオキシドも支障なく用いることができ
る。
トリメチルアミン水溶液とエチレンオキシドの反応液と
は、両液を反応器中に一度に投入することが必要である
。その意味は、一方の反応液を他方の反応液に時間をか
けて滴下したり、一方の反応液に他方の反応液の一部を
投入して反応後、他方の反応液の残部を投入して反応さ
せては々らないというものである。また、反応器中に投
入され４− た両液は速やかに均一分散状態となるように混合しなけ
ればならない。均一分散状態とは通常の意味で、例えば
トレーサ溶液が実質的に均一に分布する状態の意味で用
いている。速やかにその状態にするとは、混合反応の最
高温度（通常は常温の両液を混合して３０〜６０°Ｃと
なるが）に達するまでの時間の１１５の時間以内である
ことが好ましく、その時間はできるだけ短かいのがよい
。
は、両液を反応器中に一度に投入することが必要である
。その意味は、一方の反応液を他方の反応液に時間をか
けて滴下したり、一方の反応液に他方の反応液の一部を
投入して反応後、他方の反応液の残部を投入して反応さ
せては々らないというものである。また、反応器中に投
入され４− た両液は速やかに均一分散状態となるように混合しなけ
ればならない。均一分散状態とは通常の意味で、例えば
トレーサ溶液が実質的に均一に分布する状態の意味で用
いている。速やかにその状態にするとは、混合反応の最
高温度（通常は常温の両液を混合して３０〜６０°Ｃと
なるが）に達するまでの時間の１１５の時間以内である
ことが好ましく、その時間はできるだけ短かいのがよい
。
そのような速やかな混合状態は、低粘度用邪魔板付プロ
ペラ式撹拌機によって容易にその状態にすることができ
、丑た筒状のスタティックスターラに両液夫々の流入口
を設け、所定の割合で流入混合させれば、瞬時に目的の
混合状態にすることができる。
ペラ式撹拌機によって容易にその状態にすることができ
、丑た筒状のスタティックスターラに両液夫々の流入口
を設け、所定の割合で流入混合させれば、瞬時に目的の
混合状態にすることができる。
以上の投入混合法について具体的に述べれば、１７．２
重量係濃度のトリメチルアミン水溶液と１１．６重量係
濃度のエチレンオキシド水溶液とを、エチレンオキシド
１モルに対しトリメチルアミン１．１０モルの割合で、
両液を邪魔板付撹拌機を設けた反応器又はスクティ、ッ
クスターラを用い、第１表の条件で投入混合し、反応し
たコリンの溶質に対する重量百分率を求めた。
重量係濃度のトリメチルアミン水溶液と１１．６重量係
濃度のエチレンオキシド水溶液とを、エチレンオキシド
１モルに対しトリメチルアミン１．１０モルの割合で、
両液を邪魔板付撹拌機を設けた反応器又はスクティ、ッ
クスターラを用い、第１表の条件で投入混合し、反応し
たコリンの溶質に対する重量百分率を求めた。
第１表
１トリメチルアミン（ＭＡ）に ９９．６７１±０．０
３ ４０±０．５エチレンオキシド（ＥＯ）を 一度に投入撹拌 ２ ＥＯにＭＡを一度に投入 ９９．６２±０．０４
４０＋０．５撹拌 ３ ＭＡＫＥＯを滴下撹拌 ９４．３−４−２．５
３７±３．０４、 ＥＯにＭＡを滴下撹拌 ８２
．８±８．９ ２０±３．０５ ＭＡとＥＯをスタテ
ィッ９９．６５±０．０３ ４．０士帆５クミキザーで
連続投入 混合 ６ ＥＯにＭＡを一度に投入 ９５．９±０．５ ２
４±２．２無撹拌 （註）表の数値はｎ−＝４の平均と２σの値である。
３ ４０±０．５エチレンオキシド（ＥＯ）を 一度に投入撹拌 ２ ＥＯにＭＡを一度に投入 ９９．６２±０．０４
４０＋０．５撹拌 ３ ＭＡＫＥＯを滴下撹拌 ９４．３−４−２．５
３７±３．０４、 ＥＯにＭＡを滴下撹拌 ８２
．８±８．９ ２０±３．０５ ＭＡとＥＯをスタテ
ィッ９９．６５±０．０３ ４．０士帆５クミキザーで
連続投入 混合 ６ ＥＯにＭＡを一度に投入 ９５．９±０．５ ２
４±２．２無撹拌 （註）表の数値はｎ−＝４の平均と２σの値である。
第１表にみるように、両液を一度に投入し速やかに混合
することによって、コリンの溶質中に占める割合が９９
．６ ％以上という極めて高純度で、バラツギの少々い
安定な水溶液を得ることができる。しかも半導体処理剤
としての力価であるレジスト現像時間は、第１表にみる
ように、撹拌が不十分な場合や、滴下撹拌した場合に、
現像時間が大きく変動するのに対し、一度に投入し速や
かに混合して得られた反応液はいずれも４０士帆５秒と
いう安定した性能を示した。現像時間は反応液の過剰な
トリメチルアミンを加熱吸引して除去したのち、コリン
濃度を４．６重量係になるように稀釈調整して現像液と
し、石炭酸ホルマリン縮合物にスルホン基を介してキノ
ンアザイドが結合した型のレジストを用いて測定したも
のである。
することによって、コリンの溶質中に占める割合が９９
．６ ％以上という極めて高純度で、バラツギの少々い
安定な水溶液を得ることができる。しかも半導体処理剤
としての力価であるレジスト現像時間は、第１表にみる
ように、撹拌が不十分な場合や、滴下撹拌した場合に、
現像時間が大きく変動するのに対し、一度に投入し速や
かに混合して得られた反応液はいずれも４０士帆５秒と
いう安定した性能を示した。現像時間は反応液の過剰な
トリメチルアミンを加熱吸引して除去したのち、コリン
濃度を４．６重量係になるように稀釈調整して現像液と
し、石炭酸ホルマリン縮合物にスルホン基を介してキノ
ンアザイドが結合した型のレジストを用いて測定したも
のである。
次にコリン含量が高く副反応生成物を減少安定さぜ、半
導体処理剤として力価が安定したものは、エチレンオキ
シド１モルに対してトリメチルアミン１．０５〜１．１
０モルの割合で混合反応させて得ることができる。エチ
レンオキシドがトリメチルアミンに対して過剰にあると
エチレングリコールの生成が不安定に高まる。一方トリ
メチルアミンの過剰量は、反応終了後、液を４０〜７０
°Ｃに保ち、７− 吸引しなからＮ２ガスを吹き込むと、容易に揮発除去す
ることができ、より安定な半導体処理剤が得られるとい
う利点がある。なお、反応に用いるエチレンオキシド水
溶液は、エチレングリコールが徐々に生成するので、調
製後１時間以内に用いるのがよい。第２表にトリメチル
アミンの過剰量と反応液（コリン４．６重量製水溶液に
調整）の溶質中のコリン重量百分率及び現像時間との関
係を示す。
導体処理剤として力価が安定したものは、エチレンオキ
シド１モルに対してトリメチルアミン１．０５〜１．１
０モルの割合で混合反応させて得ることができる。エチ
レンオキシドがトリメチルアミンに対して過剰にあると
エチレングリコールの生成が不安定に高まる。一方トリ
メチルアミンの過剰量は、反応終了後、液を４０〜７０
°Ｃに保ち、７− 吸引しなからＮ２ガスを吹き込むと、容易に揮発除去す
ることができ、より安定な半導体処理剤が得られるとい
う利点がある。なお、反応に用いるエチレンオキシド水
溶液は、エチレングリコールが徐々に生成するので、調
製後１時間以内に用いるのがよい。第２表にトリメチル
アミンの過剰量と反応液（コリン４．６重量製水溶液に
調整）の溶質中のコリン重量百分率及び現像時間との関
係を示す。
第２表
重量百分率（係） （ｓｅｃ）７
１．４，０ ９９゜７５丁１０．０２
４１．５±０．５８ １、、］、Ｏ０９９，６
３±０．０３ ４０ ±０．５９ １．０５
９９．５６±０．０１３９ ±０，５１．０
１．．０２ ９９．３５±０．１４． ３７
±１．０１１、 ０．９５ ９６．３９
±０．５８ ２５ ±２．０（註）表の数値はｎ
＝ ４の平均と２σの値である。
１．４，０ ９９゜７５丁１０．０２
４１．５±０．５８ １、、］、Ｏ０９９，６
３±０．０３ ４０ ±０．５９ １．０５
９９．５６±０．０１３９ ±０，５１．０
１．．０２ ９９．３５±０．１４． ３７
±１．０１１、 ０．９５ ９６．３９
±０．５８ ２５ ±２．０（註）表の数値はｎ
＝ ４の平均と２σの値である。
８−
第２表にみるように、トリメチルアミンをエチレンオキ
シド１モルに対し１．０５〜１．１０モルの割合で混合
した場合には、コリンの含量が９９．５ ％以上の高純
度のものが得られ、しかも現像時間が±０．５秒の範囲
にあり安定している。しかしトリメチルアミン１．０５
未満の割合に力ると、エチレングリコール量が増し現像
時間も増大する。特にＪ。００モル未満の場合に力ると
現像時間のバラツキは急激に増大する。またトリメチル
アミンが９９．７％以上に上がるが、現像時間のバラツ
キは１．０５〜１゜１０モルの割合の場合と変らず、か
えっごとヒｒ↓１１ て大過剰のトリメチルアミンを除去すｔ写１了ｒ生産と
して無意味である。
シド１モルに対し１．０５〜１．１０モルの割合で混合
した場合には、コリンの含量が９９．５ ％以上の高純
度のものが得られ、しかも現像時間が±０．５秒の範囲
にあり安定している。しかしトリメチルアミン１．０５
未満の割合に力ると、エチレングリコール量が増し現像
時間も増大する。特にＪ。００モル未満の場合に力ると
現像時間のバラツキは急激に増大する。またトリメチル
アミンが９９．７％以上に上がるが、現像時間のバラツ
キは１．０５〜１゜１０モルの割合の場合と変らず、か
えっごとヒｒ↓１１ て大過剰のトリメチルアミンを除去すｔ写１了ｒ生産と
して無意味である。
なお、本発明の製造方法により得られた４、６％コリン
水溶液に含まれる有害金属イオンは、銀、カドミウムが
帆００５ ｐｐｍ以下、銅、カル７ウム、カリウム、マ
グネシウム、鉛が０．００１． ｐｐｍ以下、鉄が０．
Ｏ５ｐｐｍ以下、ナトリウム、亜鉛が０．ｌｐｐｍ以下
と極めて少なかった。
水溶液に含まれる有害金属イオンは、銀、カドミウムが
帆００５ ｐｐｍ以下、銅、カル７ウム、カリウム、マ
グネシウム、鉛が０．００１． ｐｐｍ以下、鉄が０．
Ｏ５ｐｐｍ以下、ナトリウム、亜鉛が０．ｌｐｐｍ以下
と極めて少なかった。
以」二説明したように、本発明によれば、半導体にとっ
て有害な金属イオン等を含まず、半導体処理剤として安
定した食刻速度、現像速度が得られるようなコリン水溶
液が、簡単で安価な方法で得られ、半導体装置製造上は
かり知れないほどの効果を及ぼすことができる。
て有害な金属イオン等を含まず、半導体処理剤として安
定した食刻速度、現像速度が得られるようなコリン水溶
液が、簡単で安価な方法で得られ、半導体装置製造上は
かり知れないほどの効果を及ぼすことができる。
特許出願人 東京芝浦電気株式会社
同 多摩化学工業株式会社
代理人 弁理士 諸田英二
手続補正書（自発）
昭和５６年？月２Ｔ目
特許庁長官 島 １）春 樹 殿
１ 事件の表示 昭和５６年特許願第１２０７１６号２
発明の名称 半導体処理液の製造方法３ 補正をする
者 特許出願人 神奈川県用崎市幸区堀用町７２番地 （３０７） 東京芝浦電気株式会社 代表者佐 波 正 − 特許出願人 東京都大田区南六郷２丁目３１番１０号多摩化学工業株
式会社 代表者 長 連 英 ４ 代理人 東京部品用置市品用５丁目１４番１８−１．００６号（
南品用マンション） （８４０６） 弁理士 諸 １）英 二１１− ５ 補正命令の日付 自発補正６ 補正によ
り増加する発明の数 ０７ 補正の対象
明細書の発明の詳細な説明の欄及び委任状 ８ 補正の内容 （１）明細書第４頁第３〜５行の「コリンの・・・塩基
性を有する。」を「コリン０．Ｉ Ｎ水溶液の２５°Ｃ
におけるｐＨは１２．８であって、苛性ソーダ帆ＩＮ水
溶液の２５°Ｃにおける。Ｈとほぼ同程度の塩基性を有
する。」と補正する。
発明の名称 半導体処理液の製造方法３ 補正をする
者 特許出願人 神奈川県用崎市幸区堀用町７２番地 （３０７） 東京芝浦電気株式会社 代表者佐 波 正 − 特許出願人 東京都大田区南六郷２丁目３１番１０号多摩化学工業株
式会社 代表者 長 連 英 ４ 代理人 東京部品用置市品用５丁目１４番１８−１．００６号（
南品用マンション） （８４０６） 弁理士 諸 １）英 二１１− ５ 補正命令の日付 自発補正６ 補正によ
り増加する発明の数 ０７ 補正の対象
明細書の発明の詳細な説明の欄及び委任状 ８ 補正の内容 （１）明細書第４頁第３〜５行の「コリンの・・・塩基
性を有する。」を「コリン０．Ｉ Ｎ水溶液の２５°Ｃ
におけるｐＨは１２．８であって、苛性ソーダ帆ＩＮ水
溶液の２５°Ｃにおける。Ｈとほぼ同程度の塩基性を有
する。」と補正する。
（２）明細書第６頁第１１行及び最終行の「スタティノ
クスターラ」を「スタティックミキサー」と補正する。
クスターラ」を「スタティックミキサー」と補正する。
１１
（３）明細書第７頁の第１表を下記の第１表と差換える
。
。
第１表
３ ＭＡＫＥＯを滴下撹拌 ９４．３±２．５ ４
吐１２．。
吐１２．。
４ ＥＯにＭＡを滴下撹拌 ８２．８±８．９
４．０±１５．０（註）表の数値はｎ＝４の平均と２σ
の値であ（４）明細書第９頁の第２表を下記の第２表と
差換える。
４．０±１５．０（註）表の数値はｎ＝４の平均と２σ
の値であ（４）明細書第９頁の第２表を下記の第２表と
差換える。
第２表
８ １．１０ ９９．６３±０．０３ ４０±
０．５９ １．０５ ９９．５６±０．０４
４．０±０．５１．０ １．０２ ９９．３５±
０．１４ ４叶３．０（註）表の数値はツアー４の
平均と２σの値である。
０．５９ １．０５ ９９．５６±０．０４
４．０±０．５１．０ １．０２ ９９．３５±
０．１４ ４叶３．０（註）表の数値はツアー４の
平均と２σの値である。
（５） 明細書第１０頁第７行の１現像時間」を「現
像時間のバラツキ」と補正する。
像時間のバラツキ」と補正する。
（６）明細書第１０頁下から第５行〜最終行の「銀、・
・・０．１ ｐｐｍ以下」を「銀、カドミウム、銅、カ
ルシウム、カリウム、マグネシウム、鉛が０．００５
ｐｐｍ以下、鉄、ナトリウム、亜鉛が０．０．１．、ｐ
ｐｒｎ以下」と補正する。
・・０．１ ｐｐｍ以下」を「銀、カドミウム、銅、カ
ルシウム、カリウム、マグネシウム、鉛が０．００５
ｐｐｍ以下、鉄、ナトリウム、亜鉛が０．０．１．、ｐ
ｐｒｎ以下」と補正する。
９ 添付書類の目録
（１）委任状（委任者：多摩化学工業株式会社） １通
４− １２１−
４− １２１−
Claims (1)
- １ エチレンオキシド１モルに対し１モル以上のトリメ
チルアミンを含有するトリメチルアミン水溶液と、エチ
レンオキシド水溶液又は液状エチレンオキシドの両液を
、反応器中に一度に投入し、速やかに均一分散状態とな
るように混合して反応させることを特徴とする半導体処
理液の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12071681A JPS5821825A (ja) | 1981-08-03 | 1981-08-03 | フォトレジスト現像液及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12071681A JPS5821825A (ja) | 1981-08-03 | 1981-08-03 | フォトレジスト現像液及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27996888A Division JPH0234858A (ja) | 1988-11-05 | 1988-11-05 | フォトレジスト現像液の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821825A true JPS5821825A (ja) | 1983-02-08 |
| JPS632427B2 JPS632427B2 (ja) | 1988-01-19 |
Family
ID=14793227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12071681A Granted JPS5821825A (ja) | 1981-08-03 | 1981-08-03 | フォトレジスト現像液及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821825A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61186352A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-20 | Nisso Yuka Kogyo Kk | ２−ヒドロキシエチル−ポリ（オキシエチル）トリアルキルアンモニウムハイドロオキサイドの製造方法 |
| JPH02275631A (ja) * | 1989-01-11 | 1990-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の洗浄処理方法及びその装置 |
| JP2015503543A (ja) * | 2011-12-29 | 2015-02-02 | タミンコ | 水酸化コリンの製造方法 |
| KR20160004266A (ko) * | 2013-04-11 | 2016-01-12 | 타민코 | 수산화콜린을 제조하기 위한 개선된 과정 |
Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
| JP2022132995A (ja) | 2021-03-01 | 2022-09-13 | 信越半導体株式会社 | 原料融液の表面の状態の検出方法、単結晶の製造方法、及びｃｚ単結晶製造装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5351971A (en) * | 1976-10-21 | 1978-05-11 | Toshiba Corp | Manufacture for semiconductor |
-
1981
- 1981-08-03 JP JP12071681A patent/JPS5821825A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5351971A (en) * | 1976-10-21 | 1978-05-11 | Toshiba Corp | Manufacture for semiconductor |
Cited By (6)
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| JP2015503543A (ja) * | 2011-12-29 | 2015-02-02 | タミンコ | 水酸化コリンの製造方法 |
| KR20160004266A (ko) * | 2013-04-11 | 2016-01-12 | 타민코 | 수산화콜린을 제조하기 위한 개선된 과정 |
| JP2016516759A (ja) * | 2013-04-11 | 2016-06-09 | タミンコ | コリン水酸化物を製造するための改良した方法 |
| US9527799B2 (en) | 2013-04-11 | 2016-12-27 | Taminco | Process for choline hydroxide |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS632427B2 (ja) | 1988-01-19 |
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