JPS5821804B2 - Atsumakubarista youdenkiyokuzairiyo - Google Patents

Atsumakubarista youdenkiyokuzairiyo

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JPS5821804B2
JPS5821804B2 JP50152605A JP15260575A JPS5821804B2 JP S5821804 B2 JPS5821804 B2 JP S5821804B2 JP 50152605 A JP50152605 A JP 50152605A JP 15260575 A JP15260575 A JP 15260575A JP S5821804 B2 JPS5821804 B2 JP S5821804B2
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weight
varistor
electrode
oxide
thick film
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青木正樹
前田禎造
大谷光弘
田中伸一
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/28Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
    • H01C17/281Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals by thick film techniques
    • H01C17/283Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/285Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits applied to zinc or cadmium oxide resistors

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は酸化亜鉛に酸化ニッケル、酸化モリブデン、酸
化マグネシウム、酸化バリウム、酸化チタンを添加した
ものを焼成し、その後これを粉砕した粉末と、この粉末
を固着するためのガラスフリットからなる厚膜バリスタ
に使用する電極材料に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention involves baking zinc oxide to which nickel oxide, molybdenum oxide, magnesium oxide, barium oxide, and titanium oxide are added, and then pulverizing the resulting powder and a method for fixing this powder. This invention relates to an electrode material used in a thick film varistor made of glass frit.

従来から実用されている電圧非直線抵抗器(以下単にバ
リスタと呼ぶ)としては、SiCバリスタあるいはセレ
ン、Siバリスタなどかあり過電圧保護用として用いら
れている。
BACKGROUND ART Conventionally used voltage nonlinear resistors (hereinafter simply referred to as varistors) include SiC varistors, selenium, and Si varistors, and are used for overvoltage protection.

現在使用されているダイオード、トランジスタ、サイリ
スク等の半導体素子は、一般の電気機器にくらべて過電
圧耐量が著しく小さいため、これらを過電圧から保護す
るためのバリスタには、制限電圧比が低く、しかも電圧
非直線性ができるだけ大きいことが望まれる。
Semiconductor elements currently in use, such as diodes, transistors, and SIRISK, have significantly lower overvoltage withstand capability than general electrical equipment, so varistors used to protect these devices from overvoltage have low limiting voltage ratios and It is desired that the nonlinearity be as large as possible.

しかし、上記SiCバリスタは、SiC粒子を高温で焼
き固めたものでもつとも広く用いられているが、その構
造は、100μ前後の粒子を使用しているため、0.5
mm以下の厚さのものは製造が困難であり、電圧非直線
性があまり大きくなく、制限電圧が高いという欠点を有
していた。
However, the SiC varistor mentioned above is widely used because it is made of SiC particles baked and hardened at high temperature, but its structure uses particles of around 100μ, so
Those having a thickness of less than mm are difficult to manufacture and have the drawbacks of not having very large voltage nonlinearity and having a high limiting voltage.

またGeやSiのP−n接合を利用したバリスタは、原
理的に言ってGeが約0.3V、Siが約0.7Vと限
定されているために所定の特性値を得るために多数個の
素子を直列につなぐ必要があり、装置の大型化およびコ
スト高の原因となっている。
In addition, in principle, varistors using P-n junctions of Ge or Si are limited to about 0.3V for Ge and about 0.7V for Si, so in order to obtain predetermined characteristic values, a large number of varistors are used. It is necessary to connect these elements in series, which increases the size and cost of the device.

セレンや亜酸化銅整流器も同様の欠点を持っている。Selenium and cuprous oxide rectifiers have similar drawbacks.

また最近開発された酸化亜鉛系バリスタもSiCバリス
タと同様に成形により製造するものであり、0.5mm
以下のごとき厚さのバリスタを作ることがむつかしい。
In addition, the recently developed zinc oxide varistor is manufactured by molding in the same way as the SiC varistor, and is 0.5 mm thick.
It is difficult to make a varistor with the following thickness.

これらの欠点をなくするためには、酸化亜鉛粉末とそれ
を結合するガラスフリット粉末からなる厚膜バリスタが
適当である。
In order to eliminate these drawbacks, a thick film varistor consisting of zinc oxide powder and glass frit powder bonded thereto is suitable.

これは、厚膜バリスタであれば、スクリーン印刷法等に
より厚膜がo、 i〜100μ程度のものが可能であり
、バリスタの形状を任意に変えることにより任意の立ち
上り電圧が得られ上記のSiCやSiバリスタ、セレン
整流器などの欠点をおきなうことができるからである。
This is because if it is a thick film varistor, it is possible to make a thick film of about 100 μm by screen printing, etc., and by arbitrarily changing the shape of the varistor, any desired rise voltage can be obtained. This is because it may cause disadvantages of Si varistors, selenium rectifiers, etc.

しかし、従来より厚膜バリスタ用電極材料として使用さ
れてきたAg、Ag−Pd電極には、カラスフリットが
含まれているため、電極中のガラスがバリスタ膜中に拡
散し負荷によるバリスタ電圧の変化を大きくするという
欠点を有・していた。
However, since Ag and Ag-Pd electrodes, which have traditionally been used as electrode materials for thick-film varistors, contain glass frit, the glass in the electrodes diffuses into the varistor film, causing changes in varistor voltage due to load. It had the disadvantage of increasing the

本発明は上記のような厚膜バリスタ用電極の欠点を解決
するため、電極材料として銀(Ag)、クロム(Cr
)、酸化ビスマス(Bi203)から成る組成を用い、
負荷によるバリスタ電圧の変化を少なくする厚膜バリス
タを提供するものである。
In order to solve the above-mentioned drawbacks of electrodes for thick film varistors, the present invention uses silver (Ag) and chromium (Cr) as electrode materials.
), using a composition consisting of bismuth oxide (Bi203),
The present invention provides a thick film varistor that reduces changes in varistor voltage due to load.

以下本発明を図面により説明する。The present invention will be explained below with reference to the drawings.

図において1は電気絶縁性を有する基板、2と2′は電
極、3は酸化亜鉛粉末、4は結合剤ガラスである。
In the figure, 1 is an electrically insulating substrate, 2 and 2' are electrodes, 3 is zinc oxide powder, and 4 is a binder glass.

5は上記酸化亜鉛粉末3と結合剤ガラス4を含み、これ
をバリスタ膜と称する。
5 includes the zinc oxide powder 3 and binder glass 4, and this is called a varistor film.

又、図に示すバリスタはサンドインチタイプのものであ
り、バリスタ膜5に関して電極が両側にある構造を有す
る。
Further, the varistor shown in the figure is of a sand inch type, and has a structure in which electrodes are provided on both sides of the varistor film 5.

周知のようにバリスタのI −V特性は次式で示される
As is well known, the IV characteristic of a varistor is expressed by the following equation.

すなわち、 I−(で)α ここで ■は電流(アンペア)Vは電圧(ボルト)αは
非直線指数Cは定数を示す。
That is, I-(at)α where ① is the current (ampere) V is the voltage (volt) α is the nonlinear index C is a constant.

またI。I again.

ミリアンペアの電流を流した時の電圧をvoとすれば、
voは電流■。
If the voltage when a milliampere current flows is vo, then
vo is electric current ■.

ミリアンペアにおけるバリスタ電圧と定義される。Defined as the varistor voltage in milliamps.

次に本発明の詳細な説明すると、本発明は銀(Ag)6
5重量%〜99.2重量%、クロム(Cr)0.3〜1
5重量%、酸化ビスマス(Bi203)0.5〜20重
量%からなる電極材料をエチルセルローズを10重量%
含むターピネオールと混練し電極インキとなし、これを
スクリーン印刷により磁器基板上に印刷し、乾燥後84
0℃にて焼成し下部電極とする。
Next, to explain the present invention in detail, the present invention is based on silver (Ag) 6
5% to 99.2% by weight, chromium (Cr) 0.3 to 1
Electrode material consisting of 5% by weight and 0.5 to 20% by weight of bismuth oxide (Bi203) and 10% by weight of ethyl cellulose.
This was kneaded with terpineol containing terpineol to form an electrode ink, which was printed on a porcelain substrate by screen printing, and after drying,
It is fired at 0°C to form a lower electrode.

次に酸化亜鉛に酸化バリウム0.1モル六酸化チタン0
.5モル%、酸化ニッケル1.0モル%、酸化モリブデ
ン061モル%、酸化マグネシウム0.5モル%添加し
たものを1350℃にて1時間焼成した粉末40〜95
重量%と、これを固着するためのガラスフリット粉末(
BaOとB2O3モル比が1対2となる組成)5〜60
重量%およびエチルセルローズ10重量%含むターピネ
オールとを混練しバリスタペーストとなし、これをスク
リーン印刷法により電極上に印刷し、乾燥後840℃に
て焼成しバリスタ膜とする。
Next, barium oxide 0.1 mol titanium hexoxide 0 to zinc oxide
.. 5 mol%, nickel oxide 1.0 mol%, molybdenum oxide 061 mol%, magnesium oxide 0.5 mol% added and calcined at 1350°C for 1 hour Powder 40-95
Weight% and glass frit powder to fix it (
Composition where the molar ratio of BaO and B2O3 is 1:2) 5 to 60
% by weight and terpineol containing 10% by weight of ethyl cellulose are kneaded to form a varistor paste, which is printed on an electrode by screen printing, dried and then fired at 840°C to form a varistor film.

このバリスタ膜上に上記の電極インキをスクリーン印刷
し乾燥後760℃にて焼成しサンドインチタイプの厚膜
バリスタを形成する。
The above electrode ink is screen printed on this varistor film, dried and then fired at 760°C to form a sandwich type thick film varistor.

本発明において厚膜バリスタ用電極材料およびバリスタ
ペーストの組成範囲を上記のごとく限定した理由を述べ
る。
The reason why the composition ranges of the thick-film varistor electrode material and varistor paste are limited as described above in the present invention will be described.

銀(Ag)を65重量%〜99.2重量%に限定したの
は、65重量%以下になると半田が電極上に付着しにく
くなるので好ましくなく、また99.2重量%以上にな
ると負荷を改良する効果が薄いためである。
The reason why silver (Ag) is limited to 65% to 99.2% by weight is that if it is less than 65% by weight, it becomes difficult for the solder to adhere to the electrode, so it is not preferable, and if it is more than 99.2% by weight, the load is This is because the improvement effect is weak.

クロム(Cr)を0.3〜15重量%に限定したのは、
0.3%以下では負荷特性を改良する効果が少なく、1
5重量%以上になると電極の抵抗値が増大し好ましくな
いのである。
The reason why chromium (Cr) is limited to 0.3 to 15% by weight is that
If it is less than 0.3%, the effect of improving load characteristics is small;
If it exceeds 5% by weight, the resistance value of the electrode will increase, which is undesirable.

酸化ビスマス(Bi203)を0.5〜20重量%に限
定したのは、0゜5重量%以下では負荷特性を改良する
効果が少なく、20重量%以上になると電極およびハl
Jスタ厚の抵抗値が増大し好ましくないためである。
The reason why bismuth oxide (Bi203) is limited to 0.5 to 20% by weight is that below 0.5% by weight there is little effect in improving the load characteristics, and when it exceeds 20% by weight, the electrode and hull
This is because the resistance value of the J star thickness increases, which is undesirable.

なお、本発明に直接関係はしないが、酸化亜鉛粉末を4
0〜95重量%に限定したのは、40重量%以下では、
バリスタ膜の抵抗値が増大し好ましくない。
Although not directly related to the present invention, zinc oxide powder was
The reason why it is limited to 0 to 95% by weight is that below 40% by weight,
This is undesirable because the resistance value of the varistor film increases.

又95重量%以上になるとガラス成分が少なくなりピン
ホールができやすくなり好ましくないためである。
Moreover, if it exceeds 95% by weight, the glass component will decrease and pinholes will easily form, which is undesirable.

以下、さらに具体的に実施例をあげて発明の内容をのべ
る。
Hereinafter, the content of the invention will be described in more detail by giving examples.

実施例 1 97.8モル%の酸化亜鉛(ZnO)に0.1モル%の
酸化モリブデン(MoO2)と0.5モル%の酸化チタ
ン(T i02 ) 0.5モル%の酸化マグネシウム
、1.0モル%の酸化ニッケル、および0.1モル%の
酸化バリウムを添加し、よく混合してこの粉末を100
5の圧力で形成し、1350℃の温度で1時間焼成した
Example 1 97.8 mol% zinc oxide (ZnO), 0.1 mol% molybdenum oxide (MoO2), 0.5 mol% titanium oxide (T i02 ), 0.5 mol% magnesium oxide, 1. Add 0 mol% nickel oxide and 0.1 mol% barium oxide and mix well to reduce the powder to 100%
It was formed at a pressure of 5° C. and fired at a temperature of 1350° C. for 1 hour.

得られた焼結体を粗粉砕し、つづいてボールミルで微粉
砕し、平均粒径4ミクロンのものとする。
The obtained sintered body is coarsely ground and then finely ground in a ball mill to give an average particle size of 4 microns.

結合剤ガラスとしては、モル比に換算して酸化バリウム
(BaO)と酸化硼素(B203)が1:2になる組成
のものを1200℃で熔解し、水中に急冷して粗粉砕の
後ボールミルを用いて平均粒径3ミクロンを有するガラ
スフリットを作る。
As the binder glass, one with a composition of barium oxide (BaO) and boron oxide (B203) of 1:2 in terms of molar ratio was melted at 1200°C, rapidly cooled in water, coarsely pulverized, and then passed through a ball mill. to make a glass frit with an average particle size of 3 microns.

次に添加物として77重量%の酸化ビスマス(B120
3)12.7重量%の酸化コバルト、4.0重量%の酸
化マグネシウム、6.3重量%の酸化マンガンからなる
組成物をよく混合し平均粒径4ミクロンにする。
Next, as an additive, 77% by weight of bismuth oxide (B120
3) A composition consisting of 12.7% by weight cobalt oxide, 4.0% by weight magnesium oxide, and 6.3% by weight manganese oxide is thoroughly mixed to an average particle size of 4 microns.

上記の酸化亜鉛粉末60重量%、ガラスフリット24重
量%、添加物16重量%を含む固形分80重量%とエチ
ルセルローズを10重量%を含む溶剤20重量%を加え
て三段ローラーでよく混練してバリスタペーストとする
A solid content of 80% by weight containing 60% by weight of the above zinc oxide powder, 24% by weight of glass frit, and 16% by weight of additives, and 20% by weight of a solvent containing 10% by weight of ethyl cellulose were added and kneaded well with a three-stage roller. Make barista paste.

電極材料として銀(Ag ) 65重量%、クロム(C
r)15重量%、酸化ビスマス(B12O3) 20重
量%からなる粉体80重量%とエチルセルローズを10
重量%を含む溶剤20重量%を加えて三段ローラーでよ
く混練して電極ペーストとする。
Silver (Ag) 65% by weight, chromium (C
r) 80% by weight of powder consisting of 15% by weight, 20% by weight of bismuth oxide (B12O3) and 10% by weight of ethyl cellulose.
Add 20% by weight of a solvent containing % by weight and knead well with a three-stage roller to obtain an electrode paste.

この電極ペーストを先ずアルミナ基板上にスクリーン印
刷法により塗布し乾燥後840℃で10分間保持するト
ンネル炉を通して、空気中で焼成する。
This electrode paste is first applied onto an alumina substrate by screen printing, dried, and then fired in air through a tunnel furnace maintained at 840° C. for 10 minutes.

その後バリスタペーストを電極上にスクリーン印刷し、
乾燥後840℃で焼成した。
Then screen print the barista paste onto the electrodes,
After drying, it was fired at 840°C.

得られたバリスタ膜の厚さは、25μであった。The thickness of the obtained varistor film was 25μ.

つづいて同じ電極ペーストを1×1dの電極面積をもっ
て塗布し、同様の方法で焼成する。
Subsequently, the same electrode paste is applied to an electrode area of 1×1 d and fired in the same manner.

得られたサンドインチ形厚膜バリスタ(図面参照)の電
気特性(vo非直線指数α。
The electrical characteristics (vo nonlinear index α) of the obtained sandwich-inch thick film varistor (see drawing).

負荷)を第1表の実施例1に示す。Load) is shown in Example 1 of Table 1.

ここでαは電流が01〜mA〜1mAの間における電圧
を用いて計算した。
Here, α was calculated using the voltage when the current was between 01 mA and 1 mA.

またV。は電流1mAの所の電圧を以って表わした。V again. is expressed by the voltage at a current of 1 mA.

また負荷は1.OWを印加し500時間後のV。Also, the load is 1. V after 500 hours of applying OW.

(1mA)の変化率をもって表わしている。(1 mA).

実施例 2 酸化亜鉛粉末、ガラスフリットは、実施例1と同様であ
る。
Example 2 Zinc oxide powder and glass frit were the same as in Example 1.

電極ペーストとして、Ag75重量%、Cr 10重量
%、B i20315重量%からなる組成を使用し以下
実施例1と同様にしてサンドインチ形厚膜バリスタを作
製しその電気特性(Vo、α負荷を第1表の実施例2に
示す。
A sandwich-type thick film varistor was prepared in the same manner as in Example 1 using a composition consisting of 75% by weight of Ag, 10% by weight of Cr, and 15% by weight of Bi as an electrode paste. It is shown in Example 2 in Table 1.

実施例 3 酸化亜鉛粉末、ガラスフリットは、実施例1と同様であ
る。
Example 3 The zinc oxide powder and glass frit were the same as in Example 1.

電極ペーストとして、Ag90重量%、Fe5重量9
s B t 2035重量%からなる組成を使用し以下
実施例1と同様にしてサンドインチ形厚膜バリスタを作
製し、その電気特性(Vo。
As an electrode paste, 90% by weight of Ag, 9% by weight of Fe5
A sandwich-type thick film varistor was produced in the same manner as in Example 1 using a composition consisting of 2035% by weight of s B t , and its electrical characteristics (Vo.

α、負荷)を第1表の実施例3に示す。α, load) are shown in Example 3 in Table 1.

実施例 4 酸化亜鉛粉末、ガラスフリットは、実施例1と同様であ
る。
Example 4 Zinc oxide powder and glass frit were the same as in Example 1.

電極ペーストとしてAg99.2重量%、Cr0.3重
量% 、B t 2030.5重量%からなる組成を使
用し、以下実施例1と同様にしてサンドインチ形厚膜バ
リスタを作製しその電気特性(Vo、α、負負荷を第1
表の実施例4に示す。
Using a composition of 99.2% by weight of Ag, 0.3% by weight of Cr, and 2030.5% by weight of Bt as an electrode paste, a sandwich-type thick film varistor was prepared in the same manner as in Example 1, and its electrical properties ( Vo, α, negative load first
It is shown in Example 4 of the table.

比較例 1 酸化亜鉛粉末、ガラスフリットは、実施例1と同様であ
る。
Comparative Example 1 Zinc oxide powder and glass frit were the same as in Example 1.

電極ペーストとして、Ag99.5重量%、CrO2重
量%、B l 2030.25重量%からなる組成を使
用し、以下実施例1と同様にしてサンドインチ形厚膜バ
リスタを作製しその電気特性(V、、α、負荷)を第2
表の比較例1に示す。
Using a composition consisting of 99.5% by weight of Ag, 2% by weight of CrO, and 2030.25% by weight of Bl as an electrode paste, a sandwich-type thick film varistor was prepared in the same manner as in Example 1, and its electrical characteristics (V ,,α, load) as the second
It is shown in Comparative Example 1 in the table.

比較例 2 酸化亜鉛粉末、ガラスフリットは、実施例1と同様であ
る。
Comparative Example 2 Zinc oxide powder and glass frit were the same as in Example 1.

電極ペーストとして、Ag55重量%、 Cr 22゜
5重量%p B 120322.5重量%からなる組成
を使用し、以下実施例1と同様にしてサンドインチ形厚
膜バリスタを作製しその電気特性(Vo、α、負荷)を
第2表の比較例2に示す。
A sandwich-type thick film varistor was prepared in the same manner as in Example 1 using a composition of 55% by weight of Ag, 22.5% by weight of Cr, and 22.5% by weight of PB as an electrode paste, and its electrical characteristics (Vo , α, load) are shown in Comparative Example 2 in Table 2.

比較例 3 酸化亜鉛粉末、ガラスフリットは、実施例1と同様であ
る。
Comparative Example 3 Zinc oxide powder and glass frit were the same as in Example 1.

電極ペーストとして、Ag−ガラス系(Ag 90重量
%、PbO−B203−Bi203系ガラスニガラス1
0だし、P bO、B2O3,B 1203の重量比は
60対20対10である)からなる電極ペーストを使用
し、以下実施例1と同様にしてサンドインチ形厚膜バリ
スタを作製しその電気特性(Vo、α、負負荷を第2表
の比較例3に示す。
As an electrode paste, Ag-glass type (Ag 90% by weight, PbO-B203-Bi203 type glass 1
A sandwich-type thick film varistor was prepared in the same manner as in Example 1 using an electrode paste consisting of PbO, B2O3, and B1203 (the weight ratio of which was 60:20:10), and its electrical properties were determined. (Vo, α, and negative load are shown in Comparative Example 3 in Table 2.

上記の第1、第2表から明らかなように、厚膜バリスタ
用電極材料として、銀(Ag )が65〜99.2重量
%、クロム(Cr)が03〜20重量%、酸化ビスマス
(B 1203 )が0.5〜20重量%からなる範囲
の本発明による電極材料を使用することにより負荷によ
るV。
As is clear from Tables 1 and 2 above, as electrode materials for thick film varistors, silver (Ag) is 65 to 99.2% by weight, chromium (Cr) is 03 to 20% by weight, and bismuth oxide (B 1203) by loading by using an electrode material according to the invention in the range of 0.5 to 20% by weight.

の変化が、従来のAg−ガラス系電極よりも大幅改良さ
れる。
change is significantly improved over conventional Ag-glass based electrodes.

又非直線指数αも改良され従来にないすぐれた特性をも
つ厚膜バリスタ用電極を提供することが可能となる。
Furthermore, the nonlinearity index α is also improved, making it possible to provide an electrode for a thick film varistor with unprecedented characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図面は本発明の電極材料を用いたサントイフチ形厚膜バ
リスタの断面図である。 1・・・・・・電包絶縁基板、2,2′・・・・・・電
極、3・・・・・・酸化亜鉛粉末、4・・・・・・結合
剤ガラス、5・・・・・・バリスタ膜。
The drawing is a cross-sectional view of a thick-film varistor using the electrode material of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Capacity insulating substrate, 2, 2'... Electrode, 3... Zinc oxide powder, 4... Binder glass, 5... ...Ballista membrane.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 銀が65〜99.2重量%、クロムが0.3〜15
重量%および酸化ビスマスが0,5〜20重量%からな
ることを特徴とする厚膜バリスタ用電極材料。
1 Silver: 65-99.2% by weight, chromium: 0.3-15%
An electrode material for a thick film varistor, characterized in that the content of bismuth oxide is 0.5 to 20% by weight.
JP50152605A 1975-12-19 1975-12-19 Atsumakubarista youdenkiyokuzairiyo Expired JPS5821804B2 (en)

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