JPS58217448A - 気相軸付法による光フアイバ−用多孔質母材の製造方法ならびに装置 - Google Patents
気相軸付法による光フアイバ−用多孔質母材の製造方法ならびに装置Info
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- JPS58217448A JPS58217448A JP10034482A JP10034482A JPS58217448A JP S58217448 A JPS58217448 A JP S58217448A JP 10034482 A JP10034482 A JP 10034482A JP 10034482 A JP10034482 A JP 10034482A JP S58217448 A JPS58217448 A JP S58217448A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/46—Comprising performance enhancing means, e.g. electrostatic charge or built-in heater
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明に気相軸付−法（ＶＡＤ法）による光フアイバー
用多孔質母材の製造における、すす付けの収率を向上さ
せる方法ならびに装置に係わるものである。
用多孔質母材の製造における、すす付けの収率を向上さ
せる方法ならびに装置に係わるものである。
従来のＶＡＤ法により、光フアイバー用多孔質母材を製
造するには、酸水素バニナーを用いて、原料ガス、例え
ば、５ｉＣＩ４またにＳｉ（、＋４にドーパント材Ｇｅ
Ｑ １４、ＢＢｒ３、ＰＯ（’１Ｂ、等を含んだものを
水素、酸素等の加水分解反応により、これより生じるＳ
＋０２、ＧｅＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ３等の微粒子を
回転する石英棒等のターゲツト材の先端に吹き付ける方
法を採っている。この際の前記酸化物（以下すすと称す
る）の収率は低く、これを向上させることが重要な課題
であった。
造するには、酸水素バニナーを用いて、原料ガス、例え
ば、５ｉＣＩ４またにＳｉ（、＋４にドーパント材Ｇｅ
Ｑ １４、ＢＢｒ３、ＰＯ（’１Ｂ、等を含んだものを
水素、酸素等の加水分解反応により、これより生じるＳ
＋０２、ＧｅＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ３等の微粒子を
回転する石英棒等のターゲツト材の先端に吹き付ける方
法を採っている。この際の前記酸化物（以下すすと称す
る）の収率は低く、これを向上させることが重要な課題
であった。
この斥め、バーナの角度、位置を変えたり、堆積される
多孔質母材との間隙、すす付は温度等につき、種々改善
を施してきた。しかし、いまだ満足できる状態には至っ
ておらず、本発明はその改善を目的としてなされたもの
である。
多孔質母材との間隙、すす付は温度等につき、種々改善
を施してきた。しかし、いまだ満足できる状態には至っ
ておらず、本発明はその改善を目的としてなされたもの
である。
改善のため、°本発明はＶＡＤ法により多孔質母材のす
す付は中に、その成長面のすくなくとも一部が電界面に
入るようにし、成長面に電荷を帯びさせた状態で、すす
付けを行うことを特徴セする製造方法ならびに製造装置
を提供しようとするものである。
す付は中に、その成長面のすくなくとも一部が電界面に
入るようにし、成長面に電荷を帯びさせた状態で、すす
付けを行うことを特徴セする製造方法ならびに製造装置
を提供しようとするものである。
以下図面に実施例により、本発明の方法ならびに装置を
説明する。
説明する。
第１図において、２はターゲツト材で例えば石英ガラス
捧等であり、すす付は作業中、回転するように保持され
、後述の多孔性母材１の成長ととも引上げられるように
保持される。このターゲツト材２により、適当長さの金
属線條電極５が支持され、その金属線條電極５の下端は
絶縁物６、例えば石英、セラミック、碍子等に固定され
、前記絶縁物６は回転駆動装置７よりの駆動力により、
ターゲツト材２の回転に同期して回転するように保持さ
れている。なお絶縁物６の支持位置はターゲツト材２の
上下に伴って上下するような構成とする。前記金属線條
電極５の材質としては、白金線が最適である。
捧等であり、すす付は作業中、回転するように保持され
、後述の多孔性母材１の成長ととも引上げられるように
保持される。このターゲツト材２により、適当長さの金
属線條電極５が支持され、その金属線條電極５の下端は
絶縁物６、例えば石英、セラミック、碍子等に固定され
、前記絶縁物６は回転駆動装置７よりの駆動力により、
ターゲツト材２の回転に同期して回転するように保持さ
れている。なお絶縁物６の支持位置はターゲツト材２の
上下に伴って上下するような構成とする。前記金属線條
電極５の材質としては、白金線が最適である。
前記金属線條電極５に対し、すす付けが進行する多孔質
母材１の成長面を含むように、前記金属線條電極５に対
向して電極８を多孔質母材Ｉの外側に配置する。
母材１の成長面を含むように、前記金属線條電極５に対
向して電極８を多孔質母材Ｉの外側に配置する。
このように配置された中心の金属線條電極５にはターゲ
ツト材２を介し、電極８には直接、直流電源を接続Ｊれ
ば、金属線條電極５と電極８点の間に直流電界を発生す
る。この電界は電源の極性変更により、電界の極性を変
更することができる。
ツト材２を介し、電極８には直接、直流電源を接続Ｊれ
ば、金属線條電極５と電極８点の間に直流電界を発生す
る。この電界は電源の極性変更により、電界の極性を変
更することができる。
なお図においては電極８に正電位が与えられている。こ
の極性変更に、すすを含む火焔のイオンの極性によって
変更される。また印加電源は電圧が可変のものさする。
の極性変更に、すすを含む火焔のイオンの極性によって
変更される。また印加電源は電圧が可変のものさする。
そして、すす付けにより成長が進行している多孔質母材
１の成長面は、ターゲット２の上方向への制御により、
常時、すくなくともその一部が前記両電極によって形成
される電界中にあるような位置を維持している。
１の成長面は、ターゲット２の上方向への制御により、
常時、すくなくともその一部が前記両電極によって形成
される電界中にあるような位置を維持している。
従って、図の位置において、電極８が正電位に維持され
ているとすれば、前記成長面表面は負に帯電する。
ているとすれば、前記成長面表面は負に帯電する。
これに対し、別途配置される多重心構造の酸水素バーナ
−３の吹出方向は、前記多孔質母材１．の成長面方向を
指向し、前記酸水素バーナ−３による微粒酸化物を含む
火焔４は成長面に当る。
−３の吹出方向は、前記多孔質母材１．の成長面方向を
指向し、前記酸水素バーナ−３による微粒酸化物を含む
火焔４は成長面に当る。
このような火焔１−ｔすでに説明したように、原料ガス
、例えば５ｉｌ１４または５ｉ（ｉ１４にドーパント材
ｃｆｅＣ１４、ＢＢｒＢ、ｐｏ６１ａ等を含んだものを
水素、酸素等の加水分解反応により、これより生じる５
ｉ０２、ＧｅＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ３等の微粒酸化物
を含んだものであり、火焔先端においては、５ｉ０２等
の正イオンを含んでいるため、回転中にある成長面に吸
着され、すすは堆積する。すすの堆積により多孔質母材
ｌが引き上げられ、常時すくなくとも多孔質母材１の一
部が前記両電極の作る電極中に一定の位置であるように
構成されているから、多孔質母材］の回転および引上げ
にともなって、多孔質母材１は金属線條電極５を囲んで
、軸線方向に成長して行く。
、例えば５ｉｌ１４または５ｉ（ｉ１４にドーパント材
ｃｆｅＣ１４、ＢＢｒＢ、ｐｏ６１ａ等を含んだものを
水素、酸素等の加水分解反応により、これより生じる５
ｉ０２、ＧｅＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ３等の微粒酸化物
を含んだものであり、火焔先端においては、５ｉ０２等
の正イオンを含んでいるため、回転中にある成長面に吸
着され、すすは堆積する。すすの堆積により多孔質母材
ｌが引き上げられ、常時すくなくとも多孔質母材１の一
部が前記両電極の作る電極中に一定の位置であるように
構成されているから、多孔質母材］の回転および引上げ
にともなって、多孔質母材１は金属線條電極５を囲んで
、軸線方向に成長して行く。
多孔質母材Ｉが一定寸法となったとき、これをはずし、
金属線條電極Ｉを引き抜く。金属線條電極１の引き抜き
は、次工程の焼線工程で行ってもよいが、これら引抜き
のため、ターゲツト材２での白金線の取付けは、取りは
ずしできるようにして置くと好都合である。
金属線條電極Ｉを引き抜く。金属線條電極１の引き抜き
は、次工程の焼線工程で行ってもよいが、これら引抜き
のため、ターゲツト材２での白金線の取付けは、取りは
ずしできるようにして置くと好都合である。
以上本発明の一実施例について説明したが、用いられる
外側の電極８についてに、その形状を平板、°線状、円
筒筒切片等種々の形状のものを用いることができる。
外側の電極８についてに、その形状を平板、°線状、円
筒筒切片等種々の形状のものを用いることができる。
本発明によれば、電極間の印加電圧を変更することによ
って、ＳｉＯ’２等微粒酸化物の多孔質母材やターゲッ
トへの堆積速度を制御することができ、酸化物微粒子の
多孔質母材の成長面への付着量の収率も向上する。
って、ＳｉＯ’２等微粒酸化物の多孔質母材やターゲッ
トへの堆積速度を制御することができ、酸化物微粒子の
多孔質母材の成長面への付着量の収率も向上する。
第１図は本発明の一実施例を示す。
１・・・多孔質母材、２・ターゲツト材、３・・・多重
心バーナー、４ ・微粒酸化物を含む火焔、５・・・金
。 属線條電極、６・・絶縁体、７・・回転駆動装置、８・
・外側の電極。 第１図
心バーナー、４ ・微粒酸化物を含む火焔、５・・・金
。 属線條電極、６・・絶縁体、７・・回転駆動装置、８・
・外側の電極。 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１１ 気相軸付法による光フアイバー用多孔質母材
の製造において、回転中のターゲツト材もしくは成長中
の多孔質母材の成長面のすくなくとも一部を電界に入る
ようにし、火焔により生成した５ｉ０２等を主体とする
微粒酸化物を前記ターゲツト材もしくは多孔質母材の成
長面上に吸着させることを特徴とする気組軸付法による
光フアイバー用多孔質母材の製造方法。 （２） すくなくとも、ターゲツト材、多孔質母材を
回転させる装置、前記ターゲツト材に支持される電極と
これに対向する電極、多孔質母材の成長面にすす付けす
る多重合酸水素バーナーを備え、前記両電極の作る直流
電界にすくなくとも前記ターゲツト材、多孔質母材の成
長面を維持する構成を有することを特徴とする気相軸付
法による光フアイバー用多孔質母材の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10034482A JPH0235697B2 (ja) | 1982-06-10 | 1982-06-10 | Kisojikutsukihonyoruhikarifuaibaayotakoshitsubozainoseizohohonarabinisochi |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10034482A JPH0235697B2 (ja) | 1982-06-10 | 1982-06-10 | Kisojikutsukihonyoruhikarifuaibaayotakoshitsubozainoseizohohonarabinisochi |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58217448A true JPS58217448A (ja) | 1983-12-17 |
| JPH0235697B2 JPH0235697B2 (ja) | 1990-08-13 |
Family
ID=14271495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10034482A Expired - Lifetime JPH0235697B2 (ja) | 1982-06-10 | 1982-06-10 | Kisojikutsukihonyoruhikarifuaibaayotakoshitsubozainoseizohohonarabinisochi |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0235697B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6003342A (en) * | 1991-10-25 | 1999-12-21 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Apparatus for production of optical fiber preform |
| US6830781B2 (en) * | 2000-11-08 | 2004-12-14 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Method for producing an SiO2 blank and apparatus for performing said method |
-
1982
- 1982-06-10 JP JP10034482A patent/JPH0235697B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6003342A (en) * | 1991-10-25 | 1999-12-21 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Apparatus for production of optical fiber preform |
| US6830781B2 (en) * | 2000-11-08 | 2004-12-14 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Method for producing an SiO2 blank and apparatus for performing said method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0235697B2 (ja) | 1990-08-13 |
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