JPH0570166A - 光フアイバ用多孔質母材の製造装置 - Google Patents
光フアイバ用多孔質母材の製造装置Info
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- JPH0570166A JPH0570166A JP23777591A JP23777591A JPH0570166A JP H0570166 A JPH0570166 A JP H0570166A JP 23777591 A JP23777591 A JP 23777591A JP 23777591 A JP23777591 A JP 23777591A JP H0570166 A JPH0570166 A JP H0570166A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
- C03B37/0142—Reactant deposition burners
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/46—Comprising performance enhancing means, e.g. electrostatic charge or built-in heater
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ガラス微粒子の付着効率を上げることができる
光ファイバ用多孔質母材の製造装置を提供する。 【構成】バーナの先端に形成される火炎８の周囲に、こ
れを包囲して２対の正負の電極１１Ａ，１１Ｂを配置す
る。これら正負の電極１１Ａ，１１Ｂは、高周波電源１
２に接続する。
光ファイバ用多孔質母材の製造装置を提供する。 【構成】バーナの先端に形成される火炎８の周囲に、こ
れを包囲して２対の正負の電極１１Ａ，１１Ｂを配置す
る。これら正負の電極１１Ａ，１１Ｂは、高周波電源１
２に接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、火炎の中で合成したガ
ラス微粒子を対象物に堆積させて光ファイバ用多孔質母
材を製造する光ファイバ用多孔質母材の製造装置に関す
るものである。
ラス微粒子を対象物に堆積させて光ファイバ用多孔質母
材を製造する光ファイバ用多孔質母材の製造装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】外付け法による従来の光ファイバ用多孔
質母材の製造装置は、図４に示すように、チャンバー１
内に配置した棒状のコア材２の両端をそれぞれチャック
３を介して両側のシャフト４に支持させ、これらシャフ
ト４を孔５から回転自在及び摺動自在にチャンバー１の
外に出し、該コア材２に対して直交する向きで対向する
ようにチャンバー１内にクラッドバーナ６を配置し、該
クラッドバーナ６に対しコア材２を介して反対側のチャ
ンバー１の部分に排気管７を接続した構造になってい
た。
質母材の製造装置は、図４に示すように、チャンバー１
内に配置した棒状のコア材２の両端をそれぞれチャック
３を介して両側のシャフト４に支持させ、これらシャフ
ト４を孔５から回転自在及び摺動自在にチャンバー１の
外に出し、該コア材２に対して直交する向きで対向する
ようにチャンバー１内にクラッドバーナ６を配置し、該
クラッドバーナ６に対しコア材２を介して反対側のチャ
ンバー１の部分に排気管７を接続した構造になってい
た。
【０００３】このような装置では、シャフト４を図示し
ない手段により回転することによりコア材２をその軸心
の回りに回転し、また該シャフト４を図示しない手段に
より往復移動させることによりコア材２をその軸心方向
に往復移動させつつ、クラッドバーナ６の火炎８中で合
成したガラス微粒子をコア材２の外周に堆積させクラッ
ドスート層９の形成を行い、光ファイバ用多孔質母材１
０を製造していた。
ない手段により回転することによりコア材２をその軸心
の回りに回転し、また該シャフト４を図示しない手段に
より往復移動させることによりコア材２をその軸心方向
に往復移動させつつ、クラッドバーナ６の火炎８中で合
成したガラス微粒子をコア材２の外周に堆積させクラッ
ドスート層９の形成を行い、光ファイバ用多孔質母材１
０を製造していた。
【０００４】この場合、クラッドバーナ６では原料ガス
（ＳｉＣｌ4 ）が火炎８の中でＳｉＯ2 粒子となり、こ
れが対象物であるコア材２に付着し、クラッドスート層
９が形成される。火炎８内の温度は1000℃以上である
が、スート層９の表面温度は低い。スート層９の表面の
温度は、火炎８の当っている面でも800 ℃位である。こ
の温度差によるサーモホリシス効果よって、ＳｉＯ2 粒
子がスート層９に付着する。
（ＳｉＣｌ4 ）が火炎８の中でＳｉＯ2 粒子となり、こ
れが対象物であるコア材２に付着し、クラッドスート層
９が形成される。火炎８内の温度は1000℃以上である
が、スート層９の表面温度は低い。スート層９の表面の
温度は、火炎８の当っている面でも800 ℃位である。こ
の温度差によるサーモホリシス効果よって、ＳｉＯ2 粒
子がスート層９に付着する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の光ファイバ用多孔質母材の製造装置では、コ
ア材２又はクラッドスート層９よりなる堆積対象物と火
炎８との温度差が決まってしまうので、ガラス微粒子の
付着効率を上げることができない問題点があった。
うな従来の光ファイバ用多孔質母材の製造装置では、コ
ア材２又はクラッドスート層９よりなる堆積対象物と火
炎８との温度差が決まってしまうので、ガラス微粒子の
付着効率を上げることができない問題点があった。
【０００６】本発明の目的は、堆積対象物に対するガラ
ス微粒子の付着効率を上げることができる光ファイバ用
多孔質母材の製造装置を提供することにある。
ス微粒子の付着効率を上げることができる光ファイバ用
多孔質母材の製造装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明の構成を説明すると、本発明は燃料ガスと原料ガス
が供給されるバーナが形成する火炎の中でガラス微粒子
を合成し、該ガラス微粒子を対象物に堆積させて光ファ
イバ用多孔質母材を製造する光ファイバ用多孔質母材の
製造装置において、前記火炎の周囲に正負の電極が配置
され、前記正負の電極は高周波電源に接続されているこ
とを特徴とする。
発明の構成を説明すると、本発明は燃料ガスと原料ガス
が供給されるバーナが形成する火炎の中でガラス微粒子
を合成し、該ガラス微粒子を対象物に堆積させて光ファ
イバ用多孔質母材を製造する光ファイバ用多孔質母材の
製造装置において、前記火炎の周囲に正負の電極が配置
され、前記正負の電極は高周波電源に接続されているこ
とを特徴とする。
【０００８】
【作用】このように火炎の周囲に配置した正負の電極に
高周波を印加すると、電極間に高周波電界場が作られ
る。この高周波電界場に火炎が通ると、該火炎中のガラ
ス微粒子は該高周波電界場によって径方向の中心側に集
束され、対象物に堆積される。従って、対象物に対する
ガラス微粒子の付着効率を従来より上げることができ
る。
高周波を印加すると、電極間に高周波電界場が作られ
る。この高周波電界場に火炎が通ると、該火炎中のガラ
ス微粒子は該高周波電界場によって径方向の中心側に集
束され、対象物に堆積される。従って、対象物に対する
ガラス微粒子の付着効率を従来より上げることができ
る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図を参照して詳細に
説明する。なお、前述した図４と対応する部分には、同
一符号を付けて示している。
説明する。なお、前述した図４と対応する部分には、同
一符号を付けて示している。
【００１０】図１乃至図３は、本発明の一実施例を示し
たものである。本実施例の光ファイバ用多孔質母材の製
造装置においては、バーナ６の先端に形成される火炎８
の周囲にこれを包囲して２対の正負の電極１１Ａ，１１
Ｂが配置されている。これら正負の電極１１Ａ，１１Ｂ
は、高周波電源１２に接続されている。これら正負の電
極１１Ａ，１１Ｂの群によりガラス微粒子集束器１３が
構成されている。
たものである。本実施例の光ファイバ用多孔質母材の製
造装置においては、バーナ６の先端に形成される火炎８
の周囲にこれを包囲して２対の正負の電極１１Ａ，１１
Ｂが配置されている。これら正負の電極１１Ａ，１１Ｂ
は、高周波電源１２に接続されている。これら正負の電
極１１Ａ，１１Ｂの群によりガラス微粒子集束器１３が
構成されている。
【００１１】このような光ファイバ用多孔質母材の製造
装置においては、バーナ６の先端の火炎８中で原料ガス
である気相のＳｉＣｌ4 が化学反応により固相のＳｉＯ
2 微粒子（ガラス微粒子）に変化するときに正負いずか
に帯電する。正負いずかに帯電したＳｉＯ2 微粒子は、
高周波電界場に置かれると、その中央に集束される力が
働く。従って、ＳｉＯ2 微粒子（ガラス微粒子）は集束
された状態で、堆積対象物であるコア材２又はクラッド
スート層９に堆積されることになる。このため、コア材
２又はクラッドスート層９に対するガラス微粒子の付着
効率を従来より上げることができる。
装置においては、バーナ６の先端の火炎８中で原料ガス
である気相のＳｉＣｌ4 が化学反応により固相のＳｉＯ
2 微粒子（ガラス微粒子）に変化するときに正負いずか
に帯電する。正負いずかに帯電したＳｉＯ2 微粒子は、
高周波電界場に置かれると、その中央に集束される力が
働く。従って、ＳｉＯ2 微粒子（ガラス微粒子）は集束
された状態で、堆積対象物であるコア材２又はクラッド
スート層９に堆積されることになる。このため、コア材
２又はクラッドスート層９に対するガラス微粒子の付着
効率を従来より上げることができる。
【００１２】実験例 電極は半円形で長さが５cmのものを４極用い、正電極間
の距離を18cm、負電極間の距離を18cmとした。これら正
負の電極に高周波（電圧：６〜８Ｖ，周波数：300 〜40
0 Ｈｚ）を印加した。また、火炎の直径は10cm以下とし
た。火炎によって電極が加熱されるので、各電極は水冷
構造にした。
の距離を18cm、負電極間の距離を18cmとした。これら正
負の電極に高周波（電圧：６〜８Ｖ，周波数：300 〜40
0 Ｈｚ）を印加した。また、火炎の直径は10cm以下とし
た。火炎によって電極が加熱されるので、各電極は水冷
構造にした。
【００１３】このような条件で直径12mmのコア材の外周
に直径220mm になるまでクラッドスート層を堆積させ
た。
に直径220mm になるまでクラッドスート層を堆積させ
た。
【００１４】この場合、従来の装置でのクラッドスート
層の堆積時間は６時間であったが、本発明の装置の場合
にはクラッドスート層の堆積時間は３時間以内になっ
た。
層の堆積時間は６時間であったが、本発明の装置の場合
にはクラッドスート層の堆積時間は３時間以内になっ
た。
【００１５】なお、高周波電圧はコロナ電圧（約20KV）
以下が好ましい。電圧は低くても効果がある。電圧の最
適値は、火炎内のガスの流量によって決る。また、周波
数は200 〜100 Ｈｚでもよい。電極は６個でも８個でも
よい。即ち、電極の数は偶数で４個以上であればよい。
高周波として３相交流を用いる場合には、電極は３の倍
数個とすればよい。
以下が好ましい。電圧は低くても効果がある。電圧の最
適値は、火炎内のガスの流量によって決る。また、周波
数は200 〜100 Ｈｚでもよい。電極は６個でも８個でも
よい。即ち、電極の数は偶数で４個以上であればよい。
高周波として３相交流を用いる場合には、電極は３の倍
数個とすればよい。
【００１６】火炎としては、酸水素火炎をよく用いる
が、メタン，エタンなどの火炎でもよい。
が、メタン，エタンなどの火炎でもよい。
【００１７】また、電極を光ファイバ用多孔質母材に近
付けすぎると、該光ファイバ用多孔質母材に当たった火
炎の逆流を受けるので、電極は光ファイバ用多孔質母材
から少し離した方がよい。
付けすぎると、該光ファイバ用多孔質母材に当たった火
炎の逆流を受けるので、電極は光ファイバ用多孔質母材
から少し離した方がよい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る光ファ
イバ用多孔質母材の製造装置においては、火炎の周囲に
正負の電極を配置し、これら正負の電極に高周波を印加
するので、電極間に高周波電界場が形成され、該高周波
電界場に火炎が通ることにより、該火炎中のガラス微粒
子が該高周波電界場によって径方向の中心側に集束され
対象物に堆積されることになる。従って、本発明によれ
ば、対象物に対するガラス微粒子の付着効率を従来より
上げることができ、光ファイバ用多孔質母材の生産速度
を上げることができる。また、本発明によれば、対象物
に付着しない未付着粒子量が従来より減少するので、廃
棄物の処理量を低減することができる。
イバ用多孔質母材の製造装置においては、火炎の周囲に
正負の電極を配置し、これら正負の電極に高周波を印加
するので、電極間に高周波電界場が形成され、該高周波
電界場に火炎が通ることにより、該火炎中のガラス微粒
子が該高周波電界場によって径方向の中心側に集束され
対象物に堆積されることになる。従って、本発明によれ
ば、対象物に対するガラス微粒子の付着効率を従来より
上げることができ、光ファイバ用多孔質母材の生産速度
を上げることができる。また、本発明によれば、対象物
に付着しない未付着粒子量が従来より減少するので、廃
棄物の処理量を低減することができる。
【図１】本発明に係る光ファイバ用多孔質母材の製造装
置の一実施例の要部の電極の配置と配線の構成を示す回
路図である。
置の一実施例の要部の電極の配置と配線の構成を示す回
路図である。
【図２】本発明に係る光ファイバ用多孔質母材の製造装
置の一実施例の横断面図である。
置の一実施例の横断面図である。
【図３】本発明に係る光ファイバ用多孔質母材の製造装
置の一実施例の縦断面図である。
置の一実施例の縦断面図である。
【図４】従来の光ファイバ用多孔質母材の製造装置の縦
断面図である。
断面図である。
１…チャンバー、２…コア材、３…チャック、４…シャ
フト、５…孔、６…クラッドバーナ、７…排気管、８…
火炎、９…クラッドスート層、１０…光ファイバ用多孔
質母材、１１Ａ，１１Ｂ…電極、１２…高周波電源、１
３…ガラス微粒子集束器。
フト、５…孔、６…クラッドバーナ、７…排気管、８…
火炎、９…クラッドスート層、１０…光ファイバ用多孔
質母材、１１Ａ，１１Ｂ…電極、１２…高周波電源、１
３…ガラス微粒子集束器。
Claims (1)
- 【請求項１】 燃料ガスと原料ガスが供給されるバーナ
が形成する火炎の中でガラス微粒子を合成し、該ガラス
微粒子を対象物に堆積させて光ファイバ用多孔質母材を
製造する光ファイバ用多孔質母材の製造装置において、 前記火炎の周囲に正負の電極が配置され、前記正負の電
極は高周波電源に接続されていることを特徴とする光フ
ァイバ用多孔質母材の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23777591A JPH0570166A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 光フアイバ用多孔質母材の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23777591A JPH0570166A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 光フアイバ用多孔質母材の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0570166A true JPH0570166A (ja) | 1993-03-23 |
Family
ID=17020252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23777591A Pending JPH0570166A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 光フアイバ用多孔質母材の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0570166A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6003342A (en) * | 1991-10-25 | 1999-12-21 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Apparatus for production of optical fiber preform |
| KR20030047616A (ko) * | 2001-12-11 | 2003-06-18 | 천호식 | 플라스틱 광섬유 제조방법 및 그 제조장치 |
| US7670065B2 (en) * | 2007-02-07 | 2010-03-02 | 3Sae Technologies, Inc. | Multi-electrode system |
| JP2010520045A (ja) * | 2007-02-28 | 2010-06-10 | コーニング インコーポレイテッド | 静電的に堆積する粒子のためのシステムおよび方法 |
| US7985029B2 (en) | 2007-02-07 | 2011-07-26 | 3Sae Technologies, Inc. | Multi-electrode system with vibrating electrodes |
| US8911161B2 (en) | 2011-01-14 | 2014-12-16 | 3Sae Technologies, Inc. | Thermal mechanical diffusion system and method |
| US9028158B2 (en) | 2007-02-07 | 2015-05-12 | 3Sae Technologies, Inc. | Multi-stage fiber processing system and method |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP23777591A patent/JPH0570166A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6003342A (en) * | 1991-10-25 | 1999-12-21 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Apparatus for production of optical fiber preform |
| KR20030047616A (ko) * | 2001-12-11 | 2003-06-18 | 천호식 | 플라스틱 광섬유 제조방법 및 그 제조장치 |
| US9086539B2 (en) | 2007-02-07 | 2015-07-21 | 3Sae Technologies, Inc. | Multi-electrode system with vibrating electrodes |
| US7922400B2 (en) | 2007-02-07 | 2011-04-12 | 3Sae Technologies, Inc. | Multi-electrode system |
| US7985029B2 (en) | 2007-02-07 | 2011-07-26 | 3Sae Technologies, Inc. | Multi-electrode system with vibrating electrodes |
| US8721196B2 (en) | 2007-02-07 | 2014-05-13 | 3Sae Technologies, Inc. | Multi-electrode system with vibrating electrodes |
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| US9377584B2 (en) | 2007-02-07 | 2016-06-28 | 3Sae Technologies, Inc. | Multi-electrode system with vibrating electrodes |
| US9632252B2 (en) | 2007-02-07 | 2017-04-25 | 3Sae Technologies, Inc. | Multi-electrode system with vibrating electrodes |
| US9952386B2 (en) | 2007-02-07 | 2018-04-24 | 3Sae Technologies, Inc. | Multi-electrode system with vibrating electrodes |
| JP2010520045A (ja) * | 2007-02-28 | 2010-06-10 | コーニング インコーポレイテッド | 静電的に堆積する粒子のためのシステムおよび方法 |
| US8911161B2 (en) | 2011-01-14 | 2014-12-16 | 3Sae Technologies, Inc. | Thermal mechanical diffusion system and method |
| US9526129B2 (en) | 2011-01-14 | 2016-12-20 | 3Sae Technologies, Inc. | Thermal mechanical diffusion system and method |
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