JPS58216184A - Ｎ−アセチルフエニルグリシン誘導体およびその製法 - Google Patents
Ｎ−アセチルフエニルグリシン誘導体およびその製法Info
- Publication number
- JPS58216184A JPS58216184A JP9926482A JP9926482A JPS58216184A JP S58216184 A JPS58216184 A JP S58216184A JP 9926482 A JP9926482 A JP 9926482A JP 9926482 A JP9926482 A JP 9926482A JP S58216184 A JPS58216184 A JP S58216184A
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- Japan
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- hydroxy
- hydroxymethyl
- acetyl
- phenylglycine
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- Heterocyclic Compounds That Contain Two Or More Ring Oxygen Atoms (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、一般式
（式中、Ｒ１およびＲ２は同一でも異なってもよく。
水素原子、低級アルキル基、又はアリール基を示す。
Ｒ１とＲ２とは連なってアルキレン基を形成しても
よい）で表わされる新規なＮ−アセチルフェニルグリシ
ン誘導体およびその製法に関する。
Ｒ１とＲ２とは連なってアルキレン基を形成しても
よい）で表わされる新規なＮ−アセチルフェニルグリシ
ン誘導体およびその製法に関する。
本発明の化合物は、光学的に活性なＮ−アセチル−３−
ヒドロキシ−４−（ヒドロキシメチル）−Ｄ−フェニル
グリシンのラセミ化を行なう際の中間体として有用であ
る。
ヒドロキシ−４−（ヒドロキシメチル）−Ｄ−フェニル
グリシンのラセミ化を行なう際の中間体として有用であ
る。
先に本発明者等は、免疫賦活剤３−ヒドロキシ−４−（
ヒドロキシメチル）−Ｌ−フェニルグリシンの製造法と
して、Ｎ−アセチル−３−ヒドロキシ−４−（ヒドロキ
シメチル）−ＤＬ−フェニルグリシンをアミノアシラー
ゼの存在下。
ヒドロキシメチル）−Ｌ−フェニルグリシンの製造法と
して、Ｎ−アセチル−３−ヒドロキシ−４−（ヒドロキ
シメチル）−ＤＬ−フェニルグリシンをアミノアシラー
ゼの存在下。
Ｌ−異性体のみを不斉加水分解する方法を提供した（特
開昭５５−９’７３Ｂ ）。 この方法においてはＤ
−異性体は利用されないので、未利用のＤ−異性体をラ
セミ化させて、不斉加水分解の原料物質として再利用す
ることが急務であった。
開昭５５−９’７３Ｂ ）。 この方法においてはＤ
−異性体は利用されないので、未利用のＤ−異性体をラ
セミ化させて、不斉加水分解の原料物質として再利用す
ることが急務であった。
従来、光学活性なＮ−アシルフェニルグリシンは、アル
カリ水溶液中で加熱することによってラセミ化すること
が知られておシ、この場合適当な反応条件を選択するこ
とによって、副反応である脱アシル化が防止できること
も知られている（特公昭５４−３８６０ ）。 し
かしながら、Ｎ−アセチル−３−ヒドロキシ−４−（ヒ
ドロキシメチル）フェニルグリシンのようなフェノール
性アルコールを有する光学活性なＮ−アセチルフェニル
グリシン誘導体では、脱アシル化を起こすことなくラセ
ミ化反応のみを進行させることはできなかった。
カリ水溶液中で加熱することによってラセミ化すること
が知られておシ、この場合適当な反応条件を選択するこ
とによって、副反応である脱アシル化が防止できること
も知られている（特公昭５４−３８６０ ）。 し
かしながら、Ｎ−アセチル−３−ヒドロキシ−４−（ヒ
ドロキシメチル）フェニルグリシンのようなフェノール
性アルコールを有する光学活性なＮ−アセチルフェニル
グリシン誘導体では、脱アシル化を起こすことなくラセ
ミ化反応のみを進行させることはできなかった。
本発明者は、脱アセチル化を起こすことのない温和な条
件下にラセミ化反応が進行する。光学的に活性なＮ−ア
セチル−３−ヒドロキシ−４−（ヒドロキシメチル）フ
ェニルグリシン誘導体に関し、鋭意研究を行々つたとこ
ろ２式（Ｉ）で示される本発明の光学的に活性な化合物
が。
件下にラセミ化反応が進行する。光学的に活性なＮ−ア
セチル−３−ヒドロキシ−４−（ヒドロキシメチル）フ
ェニルグリシン誘導体に関し、鋭意研究を行々つたとこ
ろ２式（Ｉ）で示される本発明の光学的に活性な化合物
が。
極めて良好なラセミ化の基質となることを見出し。
本発明を完成した。
式（Ｉ）のＲ１およびＲ２で示される低級アルキル基は
炭素数１〜４の直鎖もしくは分枝のアルキル基を示し、
メチル基、エチル基、プロピル基。
炭素数１〜４の直鎖もしくは分枝のアルキル基を示し、
メチル基、エチル基、プロピル基。
インブチル基などが挙げられる。 アリール基として
はフェニル基、ナフチル基などが例示される。 また
Ｒ１とＲ２とが連なって形成するアルキレン基としては
、ブチレン基、ペンチレン基などが例示される。
はフェニル基、ナフチル基などが例示される。 また
Ｒ１とＲ２とが連なって形成するアルキレン基としては
、ブチレン基、ペンチレン基などが例示される。
式（Ｔ）で示される本発明の化合物は１式で表わされる
Ｎ−アセチル−３−ヒドロキシ−４−（ヒドロキシメチ
ル）フェニルグリシンニ。
Ｎ−アセチル−３−ヒドロキシ−４−（ヒドロキシメチ
ル）フェニルグリシンニ。
式
％式％（１）
（式中 Ｒ１およびＲ２は前記の意味を有す）で表わさ
れるカルボニル化合物もしくはそのアセタール誘導体を
作用させて製造される。 式（１）のカルボニル化合
物を用いる場合には９式（ＩＩ）のフェニルグリシン誘
導体を、塩酸＋ 硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸などの
酸触媒の存在下に過剰量の式（１）のカルボニル化合物
を溶媒として加熱するか、溶媒としてベンゼン、トルエ
ンなどを用いて共沸脱水下に反応させるか、あるいは前
記の酸触媒およびオルトエステルの存在下に過剰量の式
（１）のカルボニル化合物を溶媒として加熱反応させる
。 式（１１のカルボニル化合物のアセタール誘導体
を用いて式（ＩＩ）のフェニルクリシン誘導体との間で
アセタール交換を行なう場合には、ジメチルホルムア
ミド。
れるカルボニル化合物もしくはそのアセタール誘導体を
作用させて製造される。 式（１）のカルボニル化合
物を用いる場合には９式（ＩＩ）のフェニルグリシン誘
導体を、塩酸＋ 硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸などの
酸触媒の存在下に過剰量の式（１）のカルボニル化合物
を溶媒として加熱するか、溶媒としてベンゼン、トルエ
ンなどを用いて共沸脱水下に反応させるか、あるいは前
記の酸触媒およびオルトエステルの存在下に過剰量の式
（１）のカルボニル化合物を溶媒として加熱反応させる
。 式（１１のカルボニル化合物のアセタール誘導体
を用いて式（ＩＩ）のフェニルクリシン誘導体との間で
アセタール交換を行なう場合には、ジメチルホルムア
ミド。
テトラヒドロフラン、ジオキサン、塩化メチレン、クロ
ロホルム、ベンゼン、トルエンナトの反応に障害をおよ
ぼさない溶媒中で、前記の酸触媒の存在下に加熱反応さ
せる。 式（璽）のカルボニル化合物のアセタール誘
導体としては。
ロホルム、ベンゼン、トルエンナトの反応に障害をおよ
ぼさない溶媒中で、前記の酸触媒の存在下に加熱反応さ
せる。 式（璽）のカルボニル化合物のアセタール誘
導体としては。
ジメチルもしくはジエチルアセタールが使用される。
反応液から本発明の化合物の単離、精製は。
溶媒抽出、再結晶、あるいはカラムクロマトグラフィー
により行なわれる。 ラセミ化反応の中間体として
本発明化合物を利用する場合には特に単離精製すること
なく９反応混合物をそのままラセミ化反応の原料として
用いるのが有利である。
により行なわれる。 ラセミ化反応の中間体として
本発明化合物を利用する場合には特に単離精製すること
なく９反応混合物をそのままラセミ化反応の原料として
用いるのが有利である。
光学的に活性な式（Ｉ）の化合物のラセミ化反応は、１
当量以上の、好ましくは１，５〜３当量のアルカリ水溶
液中で加熱することによって行なわれる。 使用され
るアルカリとしては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム
などのアルカリ金属水酸化物、水酸化カルシウムや水酸
化バリウムなどのようなアルカリ土類金属水酸化物など
が挙げられる。 アルカリ水溶液の濃度は制限する必
要もかいが、１〜１０規定の濃度の水溶液が使用される
。 反応は室温では長時間を要するが、 ５０〜１０
０ｔｌ：に加熱するとすみやかに進行する。 この反
応条件下においては、脱アセチルなどの副反応は見られ
なかった。
当量以上の、好ましくは１，５〜３当量のアルカリ水溶
液中で加熱することによって行なわれる。 使用され
るアルカリとしては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム
などのアルカリ金属水酸化物、水酸化カルシウムや水酸
化バリウムなどのようなアルカリ土類金属水酸化物など
が挙げられる。 アルカリ水溶液の濃度は制限する必
要もかいが、１〜１０規定の濃度の水溶液が使用される
。 反応は室温では長時間を要するが、 ５０〜１０
０ｔｌ：に加熱するとすみやかに進行する。 この反
応条件下においては、脱アセチルなどの副反応は見られ
なかった。
う七ミ化反応液から目的化合物の単離は９反応液に酢酸
、塩酸、硫酸などの酸を加えて酸性とし、析出する目的
化合物を戸取するか、溶媒抽出することによって行なわ
れる。 また。
、塩酸、硫酸などの酸を加えて酸性とし、析出する目的
化合物を戸取するか、溶媒抽出することによって行なわ
れる。 また。
反応液を中和して、そのままＮ−アセチル−３−ヒドロ
キシ−４−（ヒドロキシメチル）−ＤＩＪ−フェニルグ
リシンの製造に用いることもできる。
キシ−４−（ヒドロキシメチル）−ＤＩＪ−フェニルグ
リシンの製造に用いることもできる。
式（Ｉ）の化合物は、水溶液を加熱することによって容
易にアセタールが除去され、Ｎ−アセチル−３−ヒドロ
キシ−４−（ヒドロキシメチル）フェニルグリシンが再
生スる。
易にアセタールが除去され、Ｎ−アセチル−３−ヒドロ
キシ−４−（ヒドロキシメチル）フェニルグリシンが再
生スる。
上記した方法を連続して実施することによシ。
光学的に活性なＮ−アセチル−３−ヒドロキシ−４−（
ヒドロキシメチル）−Ｄ−フェニルクリシンから光学的
に不活性なＮ−アセチル−３−ヒドロキシ−４−（ヒド
ロキシメチル）−ＤＬ−フェニルグリシンが高収率に製
造される。
ヒドロキシメチル）−Ｄ−フェニルクリシンから光学的
に不活性なＮ−アセチル−３−ヒドロキシ−４−（ヒド
ロキシメチル）−ＤＬ−フェニルグリシンが高収率に製
造される。
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
実施例１゜
Ｎ−アセチル−３−ヒドロキシ−４−（ヒドロキシメチ
ル）−Ｄ−フェニルグリシン２３．９０ｆ、７セトンジ
メチル７セターｋ ２０ ｍｌ、 ｐ −トルエンス
ルホン酸・ｌ水和物５０キおよびア晶を戸数すると、Ｎ
−アセチル−３−ヒドロキシ−４−（ヒドロキシメチル
）−Ｄ−フェニルグリシン アセトンアセクールが２２
．２Ｏｆ得られ。
ル）−Ｄ−フェニルグリシン２３．９０ｆ、７セトンジ
メチル７セターｋ ２０ ｍｌ、 ｐ −トルエンス
ルホン酸・ｌ水和物５０キおよびア晶を戸数すると、Ｎ
−アセチル−３−ヒドロキシ−４−（ヒドロキシメチル
）−Ｄ−フェニルグリシン アセトンアセクールが２２
．２Ｏｆ得られ。
更に母液から４．９５ｆ得られた（収率９′７％）。
このものを酢酸エチルから再結晶するとｍ、１゜１’７
０〜ｘｃ（分解）、〔α）Ｈ５−１６Ｓｏ（立１．０゜
０．１ Ｎ ＮａＯＨ）を示した。
０〜ｘｃ（分解）、〔α）Ｈ５−１６Ｓｏ（立１．０゜
０．１ Ｎ ＮａＯＨ）を示した。
工Ｒν”ｒｃｍ−１： ３３５０．１’ｉ’００，１６
２５，１５４０゜ｌ ｍａＸ １２８０ １２４５ ＮＭＲ（ＤＭ８０−（１６，ａｏＭｕｚ）δ：１．４５
（ｓ、ａＨ）。
２５，１５４０゜ｌ ｍａＸ １２８０ １２４５ ＮＭＲ（ＤＭ８０−（１６，ａｏＭｕｚ）δ：１．４５
（ｓ、ａＨ）。
１．８８（ａ、 ３Ｈ）、 ４．７８（ｓ、 ２Ｈ）、
５．２５９− （＋１． 、Ｔ＝７ Ｈ２，Ｌ Ｈ）、 ６．７〜７
．２ （ｍ、 ３Ｈ）。
５．２５９− （＋１． 、Ｔ＝７ Ｈ２，Ｌ Ｈ）、 ６．７〜７
．２ （ｍ、 ３Ｈ）。
８．４８ （ｄ、 、Ｔ＝７Ｈ２，ＬＨ）、 ７．５〜
１０（ｂｒ、 ＩＨ）Ｃ工４Ｈ工、、ＮＯ５としての元
素分析値（％）Ｇ ＨＮ 実験値 ５９．８５ ６．２２ ４．８９計算値
６０．２１ ６．１４ ５．０２実施例２゜ 実施例１におけるアセトンジメチルアセタール２０艷に
かえてオルトギ酸トリメチル１６．４ｔｄを使用し、同
様の操作を行なうとＮ−アセチル−３−ヒドロキシ−４
−（ヒドロキシメチル）−Ｄ−フェニルクリシン アセ
トンアセタール２５、Ｆ５Ｆ（収率９１％）が得られた
。
１０（ｂｒ、 ＩＨ）Ｃ工４Ｈ工、、ＮＯ５としての元
素分析値（％）Ｇ ＨＮ 実験値 ５９．８５ ６．２２ ４．８９計算値
６０．２１ ６．１４ ５．０２実施例２゜ 実施例１におけるアセトンジメチルアセタール２０艷に
かえてオルトギ酸トリメチル１６．４ｔｄを使用し、同
様の操作を行なうとＮ−アセチル−３−ヒドロキシ−４
−（ヒドロキシメチル）−Ｄ−フェニルクリシン アセ
トンアセタール２５、Ｆ５Ｆ（収率９１％）が得られた
。
実施例３゜
Ｎ−アセチル−３−ヒドロキシ−４−（ヒドロキシメチ
ル）−Ｄ−フェニルクリシン２．３９ ｆ。
ル）−Ｄ−フェニルクリシン２．３９ ｆ。
ｐ−）ルエンスルホン酸・１ 水和物１０ Ｉｖ、
ジメチルホルムアミド２−およびアセトン１〇−−１八 より成るケンダク液を１１時間攪拌加熱還流した。
ジメチルホルムアミド２−およびアセトン１〇−−１八 より成るケンダク液を１１時間攪拌加熱還流した。
反応液に酢酸ナトリウム２０■を加えてアセトンを留去
し、残留物に水を加えて酢酸エチル抽出した。 抽
出物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、酢
酸エチルにて溶離すると、Ｎ−アセチル−３−ヒドロキ
シ−４−（ヒドロキシメチル）−Ｄ−フェニルグリシン
アセトンアセタールｏ、７ａｒ（収率２７％）が得ら
れた。
し、残留物に水を加えて酢酸エチル抽出した。 抽
出物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、酢
酸エチルにて溶離すると、Ｎ−アセチル−３−ヒドロキ
シ−４−（ヒドロキシメチル）−Ｄ−フェニルグリシン
アセトンアセタールｏ、７ａｒ（収率２７％）が得ら
れた。
実施例４゜
Ｎ−７セチルー３−ヒドロキシ−４−（ヒドロキシメチ
ル）−Ｄ−フェニルグリシン４．’７Ｅｌ。
ル）−Ｄ−フェニルグリシン４．’７Ｅｌ。
シクロヘキサノンジメチルアセタール４．３２Ｆ。
ｐ−）ルエンスルホン酸・１水和物２０■および酢酸エ
チル２０ツからなる溶液を１時間３０分攪拌加熱還流し
た。 反応液を氷冷し、析出晶を戸数するとＮ−アセ
チル−３−ヒドロキシ−４−（ヒドロキシメチル）−Ｄ
−フェニルクリシン シクロヘキサノンアセタールカｔ
、ｓ３ｆ得られ、更に母液から１．０８ｆ得られた（収
率９２％）。
チル２０ツからなる溶液を１時間３０分攪拌加熱還流し
た。 反応液を氷冷し、析出晶を戸数するとＮ−アセ
チル−３−ヒドロキシ−４−（ヒドロキシメチル）−Ｄ
−フェニルクリシン シクロヘキサノンアセタールカｔ
、ｓ３ｆ得られ、更に母液から１．０８ｆ得られた（収
率９２％）。
このものは酢酸エチルから再結晶するとｍ、ｐ。
１５９−１６０ Ｃ，（α）；５−１５１’（ｃ １．
０．０．１Ｎ ＮａＯＨ）を示した。
０．０．１Ｎ ＮａＯＨ）を示した。
ＩＲ，ｖ：’、 ｃｍ−１： ３３１５．２９３０．
ｌ’７１０．１５８０゜１２４０ １１５５ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６．６ｏＭａｚ）δ： １．０〜
２．２（ｍ、 ＩＯＨ）、 １．８９ （８，３Ｈｌ、
３．２４ （ａ。
ｌ’７１０．１５８０゜１２４０ １１５５ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６．６ｏＭａｚ）δ： １．０〜
２．２（ｍ、 ＩＯＨ）、 １．８９ （８，３Ｈｌ、
３．２４ （ａ。
Ｊ＝８Ｈ２，ＩＨ）、 ４．７９ （ｓ、 ２Ｈ）、
６．７〜７．２ （ｍ、 ３Ｈ）、 ８．４＋７（ａ
、 Ｊ＝８Ｈ２，ＩＨ）。
６．７〜７．２ （ｍ、 ３Ｈ）、 ８．４＋７（ａ
、 Ｊ＝８Ｈ２，ＩＨ）。
８．８〜１３ （ｂｒ 、 １Ｈ）
Ｃよ’／Ｈ２１ＮＯ５としての元素分析値（％）ＯＨＮ
実験値 ６４．００ ６．８０ ４．３６計算値
６３．９４ 、６．６３ ４．３９実施例５゜ Ｎ−７セチルー３−ヒドロキシ−４−（ヒドロキシメチ
ル）−Ｄ−フェニルグリシン２．３９１Ｆ。
６３．９４ 、６．６３ ４．３９実施例５゜ Ｎ−７セチルー３−ヒドロキシ−４−（ヒドロキシメチ
ル）−Ｄ−フェニルグリシン２．３９１Ｆ。
ベンズアルデヒドジメチルアセタール２．２８９ｐ−）
ルエンスルホン酸１０■おヨヒ酢酸エチル２ｏ−からな
るケンダク液を４時間攪拌加熱還流した。 反応液を
冷却し、析出晶を戸数すると、Ｎ−アセチル−３−ヒド
ロキシ−４−（ヒドロキシメチル）−Ｄ−フェニルグリ
シンベンズアルデヒドアセタールカ３．Ｏｒ （収率９
２％）得られた。
ルエンスルホン酸１０■おヨヒ酢酸エチル２ｏ−からな
るケンダク液を４時間攪拌加熱還流した。 反応液を
冷却し、析出晶を戸数すると、Ｎ−アセチル−３−ヒド
ロキシ−４−（ヒドロキシメチル）−Ｄ−フェニルグリ
シンベンズアルデヒドアセタールカ３．Ｏｒ （収率９
２％）得られた。
このものは酢酸エチルから再結晶するとｒｍＪ’１Ｂ５
〜ｓｒ （分解） 、 〔ａ〕ｚ’−１４４°（ｃ
ｌ、ｏ。
〜ｓｒ （分解） 、 〔ａ〕ｚ’−１４４°（ｃ
ｌ、ｏ。
０、Ｉ Ｎ Ｎａ０Ｉｊ ）を示した。
工Ｒ，ｖｍａｘａｍ ： ３４００．１’７１０．１
３２５．１２６０゜１２００ ９８Ｏ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６．６０ＭＨｚ）δ： １．９０
（８，３Ｈ）。
３２５．１２６０゜１２００ ９８Ｏ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６．６０ＭＨｚ）δ： １．９０
（８，３Ｈ）。
５．０９ （ｑ 、、２Ｈ）、 ５．３０ （（１，Ｊ
＝７ Ｈ２，、ＩＨ）。
＝７ Ｈ２，、ＩＨ）。
６．１０ （Ｆ３． ＩＨ）、 ６．８〜７．８ （ｍ
、８Ｈ）、 ８．５５（ｄ、 Ｊ＝７ Ｈ２，ＩＨ）、
９．０〜１２．５ （ｂｒ、 ＩＨ）０１ａＨ１７Ｎ
Ｏ５としての元素分析値（％）ＯＨＮ 実験値 ６５．８’ｉ’ ５．２４ ４．１９計算
値 ６６．０５ ５．２３ ４．２８−１３＝ 実施例６゜ 光学的に活性なＮ−アセチル−３−ヒドロキシ−４−（
ヒドロキシメチル）−Ｄ−フェニルグリシン アセトン
アセタール２．’７９ｔを２規定水酸化ナトリウム１０
−中にて７０Ｃに４時間加熱した。 反応液を冷却し
て酢酸１．３コを加え、析出した結晶を戸数すると、光
学的に不活れた。
、８Ｈ）、 ８．５５（ｄ、 Ｊ＝７ Ｈ２，ＩＨ）、
９．０〜１２．５ （ｂｒ、 ＩＨ）０１ａＨ１７Ｎ
Ｏ５としての元素分析値（％）ＯＨＮ 実験値 ６５．８’ｉ’ ５．２４ ４．１９計算
値 ６６．０５ ５．２３ ４．２８−１３＝ 実施例６゜ 光学的に活性なＮ−アセチル−３−ヒドロキシ−４−（
ヒドロキシメチル）−Ｄ−フェニルグリシン アセトン
アセタール２．’７９ｔを２規定水酸化ナトリウム１０
−中にて７０Ｃに４時間加熱した。 反応液を冷却し
て酢酸１．３コを加え、析出した結晶を戸数すると、光
学的に不活れた。
このものは酢酸エチルから再結晶すると、 ｍ、ｐ。
１６０〜ｌｒ：（分解）、〔α〕も５０°（ｃ １．０
． ｏ、ＩＮ Ｎａ０Ｈ）を示し、 ＮＭＲは原料り一
異性体と同一であった。 ′ＩＲｖＫＢｒａｍ−
１： ３３．５０１’７’ＯＯ−１６２５１５４０１２
８０１２４５ 実施例７゜ 光学的に活性なＮ−アセチル−３−ヒドロキシ−４−（
ヒドロキシメチル）−Ｄ−フェニルグリシン シクロヘ
キサノンアセタール３．１９Ｆを用いて実施例６と同様
な操作を行ない、対応する光学的に不活性なりＬ−化合
物２．９９５！（収率９４％）が得られた。
． ｏ、ＩＮ Ｎａ０Ｈ）を示し、 ＮＭＲは原料り一
異性体と同一であった。 ′ＩＲｖＫＢｒａｍ−
１： ３３．５０１’７’ＯＯ−１６２５１５４０１２
８０１２４５ 実施例７゜ 光学的に活性なＮ−アセチル−３−ヒドロキシ−４−（
ヒドロキシメチル）−Ｄ−フェニルグリシン シクロヘ
キサノンアセタール３．１９Ｆを用いて実施例６と同様
な操作を行ない、対応する光学的に不活性なりＬ−化合
物２．９９５！（収率９４％）が得られた。
このものは酢酸エチルから再結晶すると＋ ｍ’１”１
６４〜５ Ｃ，（α）； Ｏｏ（ｃ １．ｏ 、 ０．
Ｉ Ｎ ＮａＯＨ）を示し、 ＮＭＲは原料り一異性体
と全く同一であった。
６４〜５ Ｃ，（α）； Ｏｏ（ｃ １．ｏ 、 ０．
Ｉ Ｎ ＮａＯＨ）を示し、 ＮＭＲは原料り一異性体
と全く同一であった。
ＩＲシＫＢｒｃｍ−１： ３２５’７２９３０１’７０
５１６１５１４３０ １２４５ １０８５ 実施例８゜ 光学的に活性なＮ−アセチル−３−ヒドロキシ−４−（
ヒドロキシメチル）−Ｄ−フェニルグリシン ベンズア
ルデヒドアセタール３．２’ｉ’ｆを用いて実施例６と
同様な操作を行ない、対応する光学的に不活性なりＬ−
化合物２．８”７ｔ（収率８８％）が得られた。
５１６１５１４３０ １２４５ １０８５ 実施例８゜ 光学的に活性なＮ−アセチル−３−ヒドロキシ−４−（
ヒドロキシメチル）−Ｄ−フェニルグリシン ベンズア
ルデヒドアセタール３．２’ｉ’ｆを用いて実施例６と
同様な操作を行ない、対応する光学的に不活性なりＬ−
化合物２．８”７ｔ（収率８８％）が得られた。
このものは酢酸エチルから再結晶するとｍ、ｐ。
２０１〜２Ｃ（分解）、〔６片５０°（０１，０，０，
ＩＮ Ｎａ０Ｈ）を示し、 ＮＭＲは原料り一異性体と
全く同一であつた。
ＩＮ Ｎａ０Ｈ）を示し、 ＮＭＲは原料り一異性体と
全く同一であつた。
ＩＲ，ｖ”：：； ｃｍ−１： ３３４０．１’７１０
．１５３３．１２５５゜０２０ 実施例９゜ グリシン２３、Ｇｌ、オルトギ酸トリメチル１６．４−
ｍ。
．１５３３．１２５５゜０２０ 実施例９゜ グリシン２３、Ｇｌ、オルトギ酸トリメチル１６．４−
ｍ。
ｒ−トルエンスルホン酸・ｌ水和物５０■オヨびアセト
ン１００−からなるケンダク液を１時間４０分攪拌加熱
還流してアセタール化を行なった。
ン１００−からなるケンダク液を１時間４０分攪拌加熱
還流してアセタール化を行なった。
反応液に酢酸ナトリウム８０■を加えた後溶媒を減圧留
去した。
去した。
残留したアセタール誘導体を２規定水酸化ナトリウム１
００−に溶かし、６８〜’７０ｔｌ’に４時間加熱して
ラセミ化を行なった。
００−に溶かし、６８〜’７０ｔｌ’に４時間加熱して
ラセミ化を行なった。
ラセミ化反応液に塩酸約２０ｍ１を加えてｐＨ２，０に
調整し、５０Ｃにて３時間加熱して、脱アセタール化を
行なった。 反応液を約半資に減圧濃縮して氷冷し、
析出晶をｐ取、水洗すると、 ｍ、ｐ、 １８５〜６
Ｃ（分解）、〔α１０（０１，０゜Ｄ
− ０、Ｉ Ｎ ＮａＯＨ）の光学的に不活性なＮ−アセチ
ル−３−ヒドロキシ−４−（ヒドロキシメチル）−ＤＬ
−フェニルグリシン２１．３ Ｆ （収率８９％）を得
た。
調整し、５０Ｃにて３時間加熱して、脱アセタール化を
行なった。 反応液を約半資に減圧濃縮して氷冷し、
析出晶をｐ取、水洗すると、 ｍ、ｐ、 １８５〜６
Ｃ（分解）、〔α１０（０１，０゜Ｄ
− ０、Ｉ Ｎ ＮａＯＨ）の光学的に不活性なＮ−アセチ
ル−３−ヒドロキシ−４−（ヒドロキシメチル）−ＤＬ
−フェニルグリシン２１．３ Ｆ （収率８９％）を得
た。
実施例１０゜
光学的に活性なＮ−アセチル−３−ヒドロキシ−４−（
ビトロキシメチル）一つ一フェニルグリシン９５．６ｒ
、 シクロヘキサノンジメチルアセタール９５ｒｐ−
）ルエンスルホン酸・１水和物１９０■および酢酸エチ
ル１００−からなるケンダク液を、１時間攪拌加熱還流
してアセタール化を行なった。
ビトロキシメチル）一つ一フェニルグリシン９５．６ｒ
、 シクロヘキサノンジメチルアセタール９５ｒｐ−
）ルエンスルホン酸・１水和物１９０■および酢酸エチ
ル１００−からなるケンダク液を、１時間攪拌加熱還流
してアセタール化を行なった。
反応液から溶媒を減圧留去し、残留物を２規定水酸化す
） ＩＪウム４００−に溶かして１００℃にて１時間加
熱し、ラセミ化反応を行なった。
） ＩＪウム４００−に溶かして１００℃にて１時間加
熱し、ラセミ化反応を行なった。
ラセミ化反応液に３規定塩酸約３００−を加えてｐＨ２
，０に調整し、９０Ｃにて５０分間加熱して脱アセター
ル化を行なった。 反応液を氷冷し。
，０に調整し、９０Ｃにて５０分間加熱して脱アセター
ル化を行なった。 反応液を氷冷し。
１７−
析出した結晶を戸数、水洗すると、Ｎ−アセチル−３−
ヒドロキシ−４−（ヒドロキシメチル）−ＤＬ−フェニ
ルグリシンが６’７．２１Ｆ得られ、母液より更に１３
．］Ｊ’得られた（収率８４％）。
ヒドロキシ−４−（ヒドロキシメチル）−ＤＬ−フェニ
ルグリシンが６’７．２１Ｆ得られ、母液より更に１３
．］Ｊ’得られた（収率８４％）。
特許出願人 萬有製薬株式会社
１９−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １一般式 （式中、Ｒ１およびＲ２は同一でも異なってもよく、水
素原子、低級アルキル基、又はアＩＪ−ル基を示す。
Ｒ１とＲ２とは連々つてアルキレン基を形成しても
よい）で表わされるＮ−アセチルフェニルクリシン誘導
体。 ２一般式（Ｉ）におけるＲ１およびＲ２が共にメチル基
である特許請求の範囲第１項記載の化合物。 ＆−一般式Ｉ）におけるＲ１とＲ２とが連々つて形成ス
ルアルキレン基がペンチレン基である特許請求の範囲第
１項記載の化合物。 ζ一般式（１）におけるＲ１が水素原子であｌ）、Ｈ２
１− がフェニル基である特許請求の範囲第１項記載の化合物
。 ａＮ−アセチル−３−ヒドロキシ−４−（ヒドロキシメ
チル）フヱニルグリシンに、一般式（式中、Ｒ１および
Ｒ２は同一でも異なってもよく、水素原子、低級アルキ
ル基、又はアリール基を示す。 Ｒ１とＲ２とは連な
ってアルキレン基を形成してもよい）で表わされるカル
ボニル化合物もしくはそのアセタール誘導体を作用させ
ることを特徴とする一般式 （式中、Ｒ１およびＲ２は前記の意味を有す）で表わさ
れるＮ−アセチルフェニルグリシン誘導体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9926482A JPS58216184A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | Ｎ−アセチルフエニルグリシン誘導体およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9926482A JPS58216184A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | Ｎ−アセチルフエニルグリシン誘導体およびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58216184A true JPS58216184A (ja) | 1983-12-15 |
Family
ID=14242838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9926482A Pending JPS58216184A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | Ｎ−アセチルフエニルグリシン誘導体およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58216184A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4686232A (en) * | 1983-02-28 | 1987-08-11 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Fungicidal aniline derivatives |
-
1982
- 1982-06-11 JP JP9926482A patent/JPS58216184A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4686232A (en) * | 1983-02-28 | 1987-08-11 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Fungicidal aniline derivatives |
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