JPS58215789A - ダイナミツクramのリフレツシユ回路 - Google Patents

ダイナミツクramのリフレツシユ回路

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Publication number
JPS58215789A
JPS58215789A JP57096165A JP9616582A JPS58215789A JP S58215789 A JPS58215789 A JP S58215789A JP 57096165 A JP57096165 A JP 57096165A JP 9616582 A JP9616582 A JP 9616582A JP S58215789 A JPS58215789 A JP S58215789A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
refresh
counter
signal
row address
refresh request
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57096165A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisayoshi Shimizu
久義 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP57096165A priority Critical patent/JPS58215789A/ja
Publication of JPS58215789A publication Critical patent/JPS58215789A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/406Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、ダイナミックRAM(ランダム・アクセス
・メモリ)におけるリフレッシュ回路に関する。
ダイナミックRAMにおいては、メモリセルに記憶され
た情報を保持するために、約2ミリ秒(m8)ごとに1
ノフレッシュケ行なう必要かある。
リフレッシュは通算メモリマトリックスの一行ごとに順
に行なわれる。従って、全でのメモリケー回リフレッシ
ュするのに必要なサイクル数は、メモリマトリックスの
行数に等しくナル。
リフレッシュの方法としては、各行に対するリフレッシ
ュに2msの時間内に分散して行なうシングルモードか
一般的である。つまり、マイクロプロセッサ(以下MP
Uと称する)の動作クロック信号(システムクロック)
の数サイクルに一回の割合で、MPUの動作r停止式せ
て、各行のリフレッシュ葡実行して行く。
第1図は、従来のリフレッシュ回路の一般的な構成例r
示す。MPU lに供給されるクロック信号φ雪か、リ
フレッシュ用のタイマ、カウンタ2へも入力されている
。そして、タイマカウンタ2か所定のパルスflCm個
)’tai数すると、す7レツシュ要求イバ号Prが発
生されてMPUIに供給される。すると、MPUIはプ
ログラムの実行を停止シて、リフレッシュカウンタ3に
制御信号P 。
ヶ出力する。
リフレッシュカウンタ3は制御信号P0か入って来ると
、一つカウントアツプされて行アドレス信号Aiマルチ
プレクサ4に対して出力する。すると、マルチプレクサ
4によって、その行アドレス信号に対応したRAMB内
のめる行か選択されてリフレッシュが行なわれる。
しかしながら、上記のような従来のリフレッシュ回路に
おりでは、リフレッシュ1sMptytO動作クロック
信号φ重に同期して一行ずつ行なわれていた。つまpl
 リフレッシュのサイクルタイムがMFUlのサイクル
タイムに合わされていた。
ところで島、リフレッシュに必要なサイクルタイムt、
J:s裕r見ても250 ns程度である。これに対し
、MPU lのサイクルタイムは1ps(=IO”rl
s )程度であり、数倍の差かめる。
従って、このようなJiltには、リフレッシュとMP
Hのサイクルタイムの差分だけMPHの停止時間か無駄
とな〕、プログラムの実行時間か長くなるという不都合
かあった。
そこセ、この発明は、リフレッシュに必要なサイクルタ
イムとMPUのサイクルタイムとの差に起因するMPU
の無駄な停止時間を少なくして、システムのプログラム
実行時間會短aigせることを目的とする。
そのために、本発明は、行アドレス信号を発生するため
のりフレッシュカウンタ1= 、 M P U O1m
作クロックイぎ号よりも周波数の高い信号によってカウ
ントアツプ妊れて、+3:yレッシュ安求侶号か一回出
力されるごとに複数個の行アドレス信号か出力されるよ
うにし、これによって、タイマカウンタより発生される
リフレッシュ要求1ぎ号の間隔を長くするCとができる
ようにしたことt特徴とする。
以下図面を用いてこの発明r説明する。
第2図は本発明に係るリフレッシュ回路の一実施例會示
すもので、第1図の従来例と同一部分には同一の符号?
付して重複し7を説明は省略する。
この実施例では、分周器6によって、発娠器から出力さ
れたクロック信号φ。か4分の1に分絢され、その信号
かシステムクロックφ!としてMFUIに入力されてい
る。
また、分局器6から出力されたクロックイぎ号φ意かタ
イマカウンタ2に入力されて計数される。このタイマカ
ウンタ2は、この場合、第1図の従来例におけるタイマ
カウンタの設定値(m)の4倍に設定すれている。従っ
て、タイマカウンタ2がクロックイご号φ鵞に4m個i
tsするごとに、リフレッシュ−猥求信号PrかMPU
 IK小出力れる。
つまり、リフレッシュか必要な2msの時間内に発生さ
れるリフレッシュ要求信号Prの数か従来の4分の1に
されている。
そして、リフレッシュ費求偵号Prか入力されることに
より、MPUIから出力さnる制御信号Pcは、AND
ゲート7の一方の入力端子に供給されている。このAN
Dゲート7の他方の入力端子にt!、MPUIのシステ
ムクロックφ冨の4倍の周波数ケ持つ前記クセツク信号
φCか供給されている。従って、制御信号Pcかハイレ
ベルである間に、ANDゲート7からは4個のメルフ4
6号かりフレッシュカウンタ3に対して出力され、リフ
レッシュカウンタ3か4回カウントアツプされる。
これによって、この実施例では、第3図に示すように、
一つのリフレッシュ要求(1号Prに対して、4個の行
アドレス信号Aかマルチプレクサ4に供給され、−回の
リフレッシュ実行時に4行分のメモリのリフレッシュか
行なわれるようになる。
そのため、前述のとと<、Zms中にタイマカウンタ2
から出力されるリフレッシュ要求4@* P rか従来
の4分の1にされていても、2m8−中にRAM5内の
丁べてのメモリのりフレック今か実行される。
なお、上Bd実施例でrJ、リフレッシュカウンタ3t
カウントアツプさせる信号φ0か、MPIJIに供給さ
れるシステムクロックφ寓の4倍の周波数を有するよう
にされたものにつ込て説明したか、クロック信号φCと
φ黛との周波数比は4:1に限定されるものではない。
実施例の工うに、クロック信号φCの周波数かシステム
クロックφ3の4倍であれば、リフレッシュ要求信号P
rの頻度は従来(第1図)の174、間隔は4倍にする
ことかできる。
従って、例えば、32にビットのRAMにおいて、メモ
リマトリックスの行数か256個であって、システムク
ロックφ倉のサイクルタイムが1μBであるとすると、
従来は2mg内に256回のりフレツシ:L費求信号P
rかタイマカウンタ2から発生されていた。そのため、
リフレッシュに賛やされる損失時間Tは、 2mg 丁なわち、12.8316とされていた。
これに対し、本発明の場合には、2mg内のりフレツシ
j−要求を従来の174の64回にできる。
2mg 0.032、すなわち3.2%で済むことになる。
以上駿明したように、この発明においては、リフレッシ
ュカウンタか、システムクロックφ意よりも周波数の旨
い信号φCによってカウントアツプされている霞め、−
回のリフレッシュ要求に対して複数個の行アドレス信号
が出力されるようにな夛、リフレッシュ要求の間隔に長
くすることかできる。七のため、リフレッシュに伴う損
失時間か従来に比べて著しく減少され、その結呆、プロ
グラムの実行時間か短縮されるようになるという優れた
効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のダイナミックRAMにおけるリフレッシ
ュ回路の一例に示アブロック図、第2図は本発明に係る
リフレッシュ回路の一実施例τボ丁ブロック心、 第3図はそのタイピングチャートである。 l・・・マイクロプロセッサ、5・・・メモリマトリッ
クス、φ2・・・システムクロック、Pr・・・リフレ
ッシュ要求毎号、PC・・・制御信号、A・・・行アド
レス信号。 第  1  図 7 第  2 図 第  3  図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. クロック信号ケ耐数して一定時間ごとにリフレッシュ要
    求信号を発生するタイマカウンタと、上記リフレッシュ
    要求信号によってメモリマトリックス内の対応する行i
     +1v4次選択させるための行アドレス信号を出力す
    るリフレッシュカウンタトを備えたリフレッシュ回路に
    おいて、上記リフレッシュカウンタが、システムクロッ
    クよりも周波数の高い(N号によってカウントアツプさ
    れて、上記タイマカウンタからリフレッシュ要求信号が
    一回出力され8度ごとに、複数個の行アドレス信号が上
    Hじリフレッシュカウンタから出力嘔れるようにされて
    なること葡特徴とするダイナミックRAMのリフレッシ
    ュ回路。
JP57096165A 1982-06-07 1982-06-07 ダイナミツクramのリフレツシユ回路 Pending JPS58215789A (ja)

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JP57096165A JPS58215789A (ja) 1982-06-07 1982-06-07 ダイナミツクramのリフレツシユ回路

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JP57096165A JPS58215789A (ja) 1982-06-07 1982-06-07 ダイナミツクramのリフレツシユ回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58215789A true JPS58215789A (ja) 1983-12-15

Family

ID=14157719

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57096165A Pending JPS58215789A (ja) 1982-06-07 1982-06-07 ダイナミツクramのリフレツシユ回路

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JP (1) JPS58215789A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60182598A (ja) * 1984-02-27 1985-09-18 インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション メモリ・リフレツシユ・システム
JPS62209794A (ja) * 1986-03-10 1987-09-14 Sharp Corp メモリリフレツシユ装置
JPH0337891A (ja) * 1989-07-03 1991-02-19 Mitsubishi Electric Corp ダイナミツク型半導体記憶装置のリフレツシユ回路

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60182598A (ja) * 1984-02-27 1985-09-18 インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション メモリ・リフレツシユ・システム
JPS62209794A (ja) * 1986-03-10 1987-09-14 Sharp Corp メモリリフレツシユ装置
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