JPS5821434B2 - タイヨウデンチ - Google Patents
タイヨウデンチInfo
- Publication number
- JPS5821434B2 JPS5821434B2 JP49109716A JP10971674A JPS5821434B2 JP S5821434 B2 JPS5821434 B2 JP S5821434B2 JP 49109716 A JP49109716 A JP 49109716A JP 10971674 A JP10971674 A JP 10971674A JP S5821434 B2 JPS5821434 B2 JP S5821434B2
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- JP
- Japan
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- region
- layer
- light
- junction
- solar cell
- Prior art date
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- Expired
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、変換効率の高い太陽電池に係わる。
太陽電池は、一般に第１図に示す如く、例えばＮ形のシ
リコン半導体基体１の表面に拡散法によるＰ形の半導体
層２が形成されてＰＮＮ接合が形成され、夫々基体１と
半導体層２よりオーミック接触された電極３及び４が導
出される。
リコン半導体基体１の表面に拡散法によるＰ形の半導体
層２が形成されてＰＮＮ接合が形成され、夫々基体１と
半導体層２よりオーミック接触された電極３及び４が導
出される。
そして受光面より光５が照射されると基体１及び半導体
層２内に電子と正孔の対が発生し、ＰＮ接合近傍の内部
電界によって電子はＮ領域に、正孔はＰ領域に分離され
ＰＮ接合の両端従って電極３及び４間に光起電力が発生
するようになされる。
層２内に電子と正孔の対が発生し、ＰＮ接合近傍の内部
電界によって電子はＮ領域に、正孔はＰ領域に分離され
ＰＮ接合の両端従って電極３及び４間に光起電力が発生
するようになされる。
このような太陽電池においてはそのエネルギーの変換効
率が低い。
率が低い。
例えば上側の如くシリコンのＰＮ接合を使う太陽電池の
場合には、変換効率が約１２％程度である。
場合には、変換効率が約１２％程度である。
太陽電池の変換効率は主として表面再結合によるキャリ
ア（電子・正孔）の損失により理論値の変換効率に達し
ない。
ア（電子・正孔）の損失により理論値の変換効率に達し
ない。
即ち、物質に光が照射された場合、表面より内部への光
の吸収割合ｇ（ｘ）はｇ （ｘ） ｄｘ−αＮ ｅ ”
−（ｔＸｄｘ ・−”−（１）但しα：吸収係数 Ｘ：光が入射する表面より内部への距 離 戸で表わされる。
の吸収割合ｇ（ｘ）はｇ （ｘ） ｄｘ−αＮ ｅ ”
−（ｔＸｄｘ ・−”−（１）但しα：吸収係数 Ｘ：光が入射する表面より内部への距 離 戸で表わされる。
この（１）式で明らかなように光の入射する表面付近で
の光吸収が太きい。
の光吸収が太きい。
従って第１図の太陽電池の場合、受光面に近い半導体層
２内での吸収率が太き（、ここに於て多くのキャリア（
電子・正孔の対）が発生するも、表面再結合によって接
合ｊに引かれるキャリアの収集効率が低下し変換効率が
低下する。
２内での吸収率が太き（、ここに於て多くのキャリア（
電子・正孔の対）が発生するも、表面再結合によって接
合ｊに引かれるキャリアの収集効率が低下し変換効率が
低下する。
故に表面再結合速度の大きさが太陽電池の変換効率に大
きな影響を及ぼす。
きな影響を及ぼす。
太陽電池に於ける表面再結合を減少させる方法としては
、例えばＰ形のＧａ ＡＩ Ａｓ層とＰ形のＧａ Ａ
ｓ層とＮ形のＧａ Ａｓ層より成るヘテロ接合を用いる
ことが提案されており、この場合変換効率は２０％近（
なる。
、例えばＰ形のＧａ ＡＩ Ａｓ層とＰ形のＧａ Ａ
ｓ層とＮ形のＧａ Ａｓ層より成るヘテロ接合を用いる
ことが提案されており、この場合変換効率は２０％近（
なる。
本発明は、このような点に鑑み表面再結合の影響を小さ
くして更に変換効率を向上するようにした新規な太陽電
池を提供するものである。
くして更に変換効率を向上するようにした新規な太陽電
池を提供するものである。
本発明は、光照射によって発生したキャリアを電界をか
けて強制的に接合側に押し込めて表面再結合を小さくし
キャリアの収集効率を上げて変換効率を向上するように
なす。
けて強制的に接合側に押し込めて表面再結合を小さくし
キャリアの収集効率を上げて変換効率を向上するように
なす。
以下、本発明による太陽電池の実施例を第２図以下を参
照して説明しよう。
照して説明しよう。
本発明においては、例えば第２図に示すようにＰ形のシ
リコン半導体基板１１の一面上に拡散法又はエピタキシ
ャル成長法等によってシリコンのＮ形半導体層１２を形
成してＰＮＮ接合を形成する。
リコン半導体基板１１の一面上に拡散法又はエピタキシ
ャル成長法等によってシリコンのＮ形半導体層１２を形
成してＰＮＮ接合を形成する。
このＮ形半導体層１２上に所要の厚さの例えばＳｉＯ２
膜より成る透明な絶縁層１３を被着形感すると共にこの
絶縁層１３上に半導体層１２より即ち本例ではシリコン
よりエネルギーバンド横進における禁止帯巾の犬なる物
質よりなる透明にして高抵抗の電極層１４を被着形成す
る。
膜より成る透明な絶縁層１３を被着形感すると共にこの
絶縁層１３上に半導体層１２より即ち本例ではシリコン
よりエネルギーバンド横進における禁止帯巾の犬なる物
質よりなる透明にして高抵抗の電極層１４を被着形成す
る。
この電極層１４としては酸素含有の多結晶シリコン層又
は窒素含有の多結晶シリコン層をもって形成するを可と
する。
は窒素含有の多結晶シリコン層をもって形成するを可と
する。
そしてＰ形基体１１の裏面及びＮ形半導体層１２の一部
に夫々対をなす電極１５及び１６をオーミックに被着形
成すると共に高抵抗の電極層１４の受光面となる部分を
除いた所定位置にオーミック接触する金属電極１１を被
着形成しこの金属電極１１とＮ形基体１１の電極１５と
を電気的に接続する。
に夫々対をなす電極１５及び１６をオーミックに被着形
成すると共に高抵抗の電極層１４の受光面となる部分を
除いた所定位置にオーミック接触する金属電極１１を被
着形成しこの金属電極１１とＮ形基体１１の電極１５と
を電気的に接続する。
斯る構成において、電極層１４側よりその受光面を通し
て光１８が照射されると、接合Ｊの両端に約０．６Ｖの
光起電力が発生する。
て光１８が照射されると、接合Ｊの両端に約０．６Ｖの
光起電力が発生する。
これにより電極層１４にはＰ形基板１１の正電位（０，
６Ｖ）が与えられると共に予めＳｉＯ□層１３層厚３−
ジされた正電位によってＮ形半導体層１２の表面には所
要の電界が与えられＮ形半導体層１２の表面付近で多量
に発生されたキャリア（電子・正孔の対、に対しその正
孔を接合Ｊ側に押し込めることによって表面再結合が減
少しキャリアの収集効率が上って変換効率が向上する。
６Ｖ）が与えられると共に予めＳｉＯ□層１３層厚３−
ジされた正電位によってＮ形半導体層１２の表面には所
要の電界が与えられＮ形半導体層１２の表面付近で多量
に発生されたキャリア（電子・正孔の対、に対しその正
孔を接合Ｊ側に押し込めることによって表面再結合が減
少しキャリアの収集効率が上って変換効率が向上する。
即ち、キャリアの接合に達する収集効率はＮ形半導体層
１２の電界Ｅに影響する。
１２の電界Ｅに影響する。
電界Ｅが大きくなるとＮ形半導体層１２でのライフタイ
ムを一定とした場合、収集効率は増大する。
ムを一定とした場合、収集効率は増大する。
例えばＮ形半導体層１２を拡散で形成しドリフト電界を
形成した場合、第３図に示すように収集効率は増大する
。
形成した場合、第３図に示すように収集効率は増大する
。
すなわち、拡散層による電界Ｅの大きさは拡散層がガウ
ス分布している場合次式で与えられる。
ス分布している場合次式で与えられる。
２ｋＴ １ ０ｓ
Ｅ （ｘ） ＝ −（ｅ ｎ −） ｘ ＝”（２）
Ｘｊ２ＣＢ Ｘ・ ：拡散層の表面より接合までの距離Ｃ８：拡散層
の表面濃度 ＣＢ：バルク濃度 今、例えばＸ、＝１μ、ＣＳ−” Ｏ” ａｔｏｍｓ／
ｌ”ＣＢ ＝ １０１５ａｔｏｍｓ／ａｎ、”とした場
合Ｅ（１μ） ＝４８００Ｖ／ＩＺ７７７ ・・・・
・・・・・・・・・・・・・・（３）となる。
Ｘｊ２ＣＢ Ｘ・ ：拡散層の表面より接合までの距離Ｃ８：拡散層
の表面濃度 ＣＢ：バルク濃度 今、例えばＸ、＝１μ、ＣＳ−” Ｏ” ａｔｏｍｓ／
ｌ”ＣＢ ＝ １０１５ａｔｏｍｓ／ａｎ、”とした場
合Ｅ（１μ） ＝４８００Ｖ／ＩＺ７７７ ・・・・
・・・・・・・・・・・・・・（３）となる。
第３図の曲線■はＥ＝４８００Ｖ／■の場合、曲線■は
一様の濃度分布でＥ＝０の場合であり、明らかに電界Ｅ
が大きい方が収集効率が上がる。
一様の濃度分布でＥ＝０の場合であり、明らかに電界Ｅ
が大きい方が収集効率が上がる。
一方、第２図の本発明構成において例えばＳｉＯ□層１
３層厚３を１００ ＯＡとすると、ＳｉＯ２層１３にチ
ャージされた電圧即ちＳｉＯ２層５１３と半導体層１２
との界面の正の電荷Ｑｓｓを、ＳｉＯ２層１３の単位面
積当りの容量ＣｏＸで割った電圧Ｖｐは約２Ｖとなる。
３層厚３を１００ ＯＡとすると、ＳｉＯ２層１３にチ
ャージされた電圧即ちＳｉＯ２層５１３と半導体層１２
との界面の正の電荷Ｑｓｓを、ＳｉＯ２層１３の単位面
積当りの容量ＣｏＸで割った電圧Ｖｐは約２Ｖとなる。
従って光が照射されて光起電力の発生によってＰ形基体
１１に約０．６Ｖの正電位が与えられ、こ０れより電極
層１４に０．６ｖの正電位が与えられたときのＮ形半導
体層１２の表面にががる電界Ｅは次の如くなる。
１１に約０．６Ｖの正電位が与えられ、こ０れより電極
層１４に０．６ｖの正電位が与えられたときのＮ形半導
体層１２の表面にががる電界Ｅは次の如くなる。
ξ、 Ｖｐ十０．６゜
Ｅ ＝ Ｘ Ｏ−Ｆ ５Ｘ １０４ｙ／Ｃ
ｍ−（４）ξ２ １０００Ａ ５ この（４）式の電界の値は（３）式の電界の値より
１桁大きい。
ｍ−（４）ξ２ １０００Ａ ５ この（４）式の電界の値は（３）式の電界の値より
１桁大きい。
従って本発明構成に於てはこの大きな電界によって表面
再結合の影響を小さくすることができる。
再結合の影響を小さくすることができる。
又、絶縁層１３上の電極層１４は光を成る程度ノ通して
且つ電界がかげられる程度の高抵抗の導電性を有するこ
とが要求される。
且つ電界がかげられる程度の高抵抗の導電性を有するこ
とが要求される。
導電性に着目するときは多結晶シリコンが考えられるが
、これは光吸収が大きい。
、これは光吸収が大きい。
これに対し酸素をドープした多結晶シリコン又は窒素を
ドープした多結晶シリコンｉは光吸収が少なく且つ高抵
抗の導電性を有して好ましい。
ドープした多結晶シリコンｉは光吸収が少なく且つ高抵
抗の導電性を有して好ましい。
第４図は酸素ドープの多結晶シリコンの光吸収依存性を
示した特性図で縦軸に光吸収係数をとり、横軸に光の波
長をとって示す。
示した特性図で縦軸に光吸収係数をとり、横軸に光の波
長をとって示す。
この場合は多結晶シリコンを化学的気相成長（０，Ｖ、
Ｄ）；法により形成した場合で、曲線ａ、ｂ、ｃ及びｄ
は成長条件としてＮ２０／５ｉＨ４＝０．１．２，５と
した場合であり、酸素のドープ量が多くなるに従゛つて
光吸収が少なくなる。
Ｄ）；法により形成した場合で、曲線ａ、ｂ、ｃ及びｄ
は成長条件としてＮ２０／５ｉＨ４＝０．１．２，５と
した場合であり、酸素のドープ量が多くなるに従゛つて
光吸収が少なくなる。
なお導電性についてみたときには酸素ドープの多結晶シ
リコン層の抵抗率は金属電極１１より遠い部分に対し電
界がかかりにくいのでＳｉＯ□層１３層厚３率より約２
桁程度小さくするを可とする。
リコン層の抵抗率は金属電極１１より遠い部分に対し電
界がかかりにくいのでＳｉＯ□層１３層厚３率より約２
桁程度小さくするを可とする。
また、上側では単一の太陽電池を例にとってそのＰ形基
体の電位を電極層に印加したが、実際の使用に当っては
このような単一電池を複数個直列接続して用いるのでそ
の場合にはＮ形半導体層１２に対し正の電位になる任意
の点から電圧を与えてもよい。
体の電位を電極層に印加したが、実際の使用に当っては
このような単一電池を複数個直列接続して用いるのでそ
の場合にはＮ形半導体層１２に対し正の電位になる任意
の点から電圧を与えてもよい。
父、電極層１４に所定電位を与える手段としてはＰ形基
体１１に生ずるプラスの起電力に限らず、別個の電源か
ら電圧を与えるようにしてもよい。
体１１に生ずるプラスの起電力に限らず、別個の電源か
ら電圧を与えるようにしてもよい。
またこの電位は５ｉ０２における電位を安定にする意味
から電位としてはＯＶ電位でも可能である。
から電位としてはＯＶ電位でも可能である。
第５図は、集光型の太陽電池に適用した場合の本発明の
他の実施例である。
他の実施例である。
これは太陽電池を光の入射面とは反対側に接合を有する
所謂バックウオール型となし、集光によって高い変効率
を得るようにした構成に本発明を応用し、さらに高い変
換効率を得るようにした場合である。
所謂バックウオール型となし、集光によって高い変効率
を得るようにした構成に本発明を応用し、さらに高い変
換効率を得るようにした場合である。
即ち、第５図において２１は低濃度のＮ影領域２２は領
域２１の受光側と反対側の面に形成された領域２１より
高濃度のＰ影領域である。
域２１の受光側と反対側の面に形成された領域２１より
高濃度のＰ影領域である。
この場合Ｎ影領域２１とＰ影領域２２で形成されるＰＮ
接接合へＮ影領域２１の表面より領域２１内の少数キャ
リアの拡散長以内の距離に形成する。
接接合へＮ影領域２１の表面より領域２１内の少数キャ
リアの拡散長以内の距離に形成する。
領域２１の一部表面には領域２１との間で障壁ＰＤちＬ
−Ｈ接合Ｊ、ｌを形成し且つオーミックコンタクト用の
Ｎ形の高濃度領域２４を形成する。
−Ｈ接合Ｊ、ｌを形成し且つオーミックコンタクト用の
Ｎ形の高濃度領域２４を形成する。
しかしてＮ影領域２１の受光側の表面上には所定の厚さ
のＳｉＯ□膜の如き絶縁層１３を形成すると共に、絶縁
層１３上に酸素をドープした又は窒素をドープした多結
晶シリコン等より成る透明にして高抵抗の電極層１４を
形成する。
のＳｉＯ□膜の如き絶縁層１３を形成すると共に、絶縁
層１３上に酸素をドープした又は窒素をドープした多結
晶シリコン等より成る透明にして高抵抗の電極層１４を
形成する。
次で、Ｐ影領域２２の裏面及び電極層１４の受光面を除
く所定位置に夫夫一方の電極１５及び金属電極１γを形
成して互に電気的に接続し、また高濃度領域２４に他方
の電極１６を被着し、目的の太陽電池２５を構成する。
く所定位置に夫夫一方の電極１５及び金属電極１γを形
成して互に電気的に接続し、また高濃度領域２４に他方
の電極１６を被着し、目的の太陽電池２５を構成する。
ここで−具体例として、Ｎ影領域２１の不純物濃度を１
０１３〜１０ ” ａｔｏｍｓ／１３程度、Ｐ影領域２
２の不純物濃度を１０１８〜１０ ” ” ａｔｏｍｓ
／Ｃｍ、”程度、領域２１及び２２を含む基体２３の全
体の厚さｔｌ を約２００μ、Ｐ影領域２２の厚さｔ２
を１μ程度として構成することができる。
０１３〜１０ ” ａｔｏｍｓ／１３程度、Ｐ影領域２
２の不純物濃度を１０１８〜１０ ” ” ａｔｏｍｓ
／Ｃｍ、”程度、領域２１及び２２を含む基体２３の全
体の厚さｔｌ を約２００μ、Ｐ影領域２２の厚さｔ２
を１μ程度として構成することができる。
かかる構成によれば、光２６の照射によってＮ影領域２
１内に発生したキャリア（電子・正孔対）は大体その少
数キャリア（正孔〕の拡散長に亘って内部にまで拡散す
る。
１内に発生したキャリア（電子・正孔対）は大体その少
数キャリア（正孔〕の拡散長に亘って内部にまで拡散す
る。
この場合、Ｎ影領域２１の不純物濃度が十分低いので少
数キャリアのライフタイムが十分長く、従って拡散長も
長くなり、この為に、発生したキャリアは地面に形成さ
れた接合Ｊにまで拡散し接合の電界により分離されて起
電力が発生する。
数キャリアのライフタイムが十分長く、従って拡散長も
長くなり、この為に、発生したキャリアは地面に形成さ
れた接合Ｊにまで拡散し接合の電界により分離されて起
電力が発生する。
しかして、この場合Ｎ領域２１の不純物濃度が低いので
直列抵抗が大きいが、レンズ等によって集光した光２６
を照射したときには、ライフタイムが長いために発生し
たキャリアが領域２１中に溜まり導電度変調を起して領
域２１の平均抵抗率が下る。
直列抵抗が大きいが、レンズ等によって集光した光２６
を照射したときには、ライフタイムが長いために発生し
たキャリアが領域２１中に溜まり導電度変調を起して領
域２１の平均抵抗率が下る。
このために直列抵抗は極めて小さくなり集光しても電圧
降下による短絡電流の飽和はなく大きな出力電力が得ら
れる。
降下による短絡電流の飽和はなく大きな出力電力が得ら
れる。
父、高濃度領域２４は電極１６のオーミックコンタクト
を良好ならしめると共に、領域２４の形成時において各
工程で自然に含まれる重金属をＮ影領域２１内より引き
出し、領域２４に集める所謂ゲッターリング効果を有し
、領域２１内の小数キャリアのライフタイムをさらに向
上せしめる。
を良好ならしめると共に、領域２４の形成時において各
工程で自然に含まれる重金属をＮ影領域２１内より引き
出し、領域２４に集める所謂ゲッターリング効果を有し
、領域２１内の小数キャリアのライフタイムをさらに向
上せしめる。
また領域２４の存身により高濃度の領域２４と低濃度の
領域２１とで所謂Ｌ−Ｈ接合Ｊ 、Ｉが形成され、この
接合Ｊ １１によって発生したキャリアのうち小数キャ
リアが電極側に拡散されず、このためＰＮ接接合への収
集効率が上がり起電力が太き（なる。
領域２１とで所謂Ｌ−Ｈ接合Ｊ 、Ｉが形成され、この
接合Ｊ １１によって発生したキャリアのうち小数キャ
リアが電極側に拡散されず、このためＰＮ接接合への収
集効率が上がり起電力が太き（なる。
このような集光型の太陽電池２５に対しさらにその受光
面に絶縁層１３を介して電極層１４を形成し、電極層１
４に所定電位を与えるようにしたことにより、第２図と
同様の作用によって表面再結合が減少し更に変換効率を
向上することができる。
面に絶縁層１３を介して電極層１４を形成し、電極層１
４に所定電位を与えるようにしたことにより、第２図と
同様の作用によって表面再結合が減少し更に変換効率を
向上することができる。
父、本発明は第６図に示すように、第５図の構成に於て
その受光側の領域２１のＰＮＮ接合近近傍高濃度領域２
１Ａとして構成した集光型の太陽電池２１に適用するこ
ともできる。
その受光側の領域２１のＰＮＮ接合近近傍高濃度領域２
１Ａとして構成した集光型の太陽電池２１に適用するこ
ともできる。
この場合は、光照射によって低濃度のＮ影領域２１に発
生した小数キュリアの正孔は高濃度領域２１Ａに向って
拡散して行き、一部は高濃度領域２１Ａと低濃度の領域
２１との間で形成されたＬ−Ｈ接合Ｊ２′をのぼり領域
２１Ａを通過してＰ影領域２２に入り起電力となる。
生した小数キュリアの正孔は高濃度領域２１Ａに向って
拡散して行き、一部は高濃度領域２１Ａと低濃度の領域
２１との間で形成されたＬ−Ｈ接合Ｊ２′をのぼり領域
２１Ａを通過してＰ影領域２２に入り起電力となる。
一方Ｎ影領域２１に発生した多数キャリアの電子の一部
は領域２１Ａに入りここを負にバイアスしてＬ−Ｈ接合
Ｊ２′におけるポテンシャルの山を小さくし正孔の領域
２１Ａへの入り込みを容易にする。
は領域２１Ａに入りここを負にバイアスしてＬ−Ｈ接合
Ｊ２′におけるポテンシャルの山を小さくし正孔の領域
２１Ａへの入り込みを容易にする。
このために集光による等して光の強度が強くなることの
作用が大きくなり開放端電圧が大きくなる実益がある。
作用が大きくなり開放端電圧が大きくなる実益がある。
上述せる如く本発明は極めて簡単な構成によって光照射
によって発生したキャリアの表面再結合を小さくしキャ
リアの収集効率を上げ得るもので、変換効率の高い太陽
電池を提供することができる。
によって発生したキャリアの表面再結合を小さくしキャ
リアの収集効率を上げ得るもので、変換効率の高い太陽
電池を提供することができる。
第１図は従来の太陽電池の一例を示す断面図、第２図は
本発明による太陽電池の一例を示す断面図、第３図は本
発明の説明に供する収集効率を示す特性図、第４図は本
発明の説明に供する電極層１４の吸収係数を示す特性図
−第３図及び第６図は夫々本発明の他の例を示す断面図
である。 １１は第１導電形領域、１２は第２導電形領域、１３は
絶縁層、１４は透明で高抵抗の電極層、ｉ １５，１
６は電極、１７は金属電極である。
本発明による太陽電池の一例を示す断面図、第３図は本
発明の説明に供する収集効率を示す特性図、第４図は本
発明の説明に供する電極層１４の吸収係数を示す特性図
−第３図及び第６図は夫々本発明の他の例を示す断面図
である。 １１は第１導電形領域、１２は第２導電形領域、１３は
絶縁層、１４は透明で高抵抗の電極層、ｉ １５，１
６は電極、１７は金属電極である。
Claims (1)
- １ 接合を有する半導体基体と、光照射側の基体主面上
にある絶縁層と、該絶縁層上にある上記基体よりもエネ
ルギーバンド幅の大きい物質層と、該物質層および上記
基体の間に電圧を与える手段とを有して成る太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49109716A JPS5821434B2 (ja) | 1974-09-24 | 1974-09-24 | タイヨウデンチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49109716A JPS5821434B2 (ja) | 1974-09-24 | 1974-09-24 | タイヨウデンチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5136886A JPS5136886A (ja) | 1976-03-27 |
| JPS5821434B2 true JPS5821434B2 (ja) | 1983-04-30 |
Family
ID=14517402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49109716A Expired JPS5821434B2 (ja) | 1974-09-24 | 1974-09-24 | タイヨウデンチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821434B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54182927U (ja) * | 1978-06-15 | 1979-12-25 | ||
| JPH02216874A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-29 | Hitachi Ltd | シリコン結晶太陽電池 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49114889A (ja) * | 1973-02-13 | 1974-11-01 |
-
1974
- 1974-09-24 JP JP49109716A patent/JPS5821434B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49114889A (ja) * | 1973-02-13 | 1974-11-01 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5136886A (ja) | 1976-03-27 |
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