JPS58214337A - シ−ト状物質の低温プラズマ処理方法 - Google Patents
シ−ト状物質の低温プラズマ処理方法Info
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- JPS58214337A JPS58214337A JP9866282A JP9866282A JPS58214337A JP S58214337 A JPS58214337 A JP S58214337A JP 9866282 A JP9866282 A JP 9866282A JP 9866282 A JP9866282 A JP 9866282A JP S58214337 A JPS58214337 A JP S58214337A
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- Japan
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- low
- temperature plasma
- electrodes
- sheet
- plasma
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Treatment Of Fiber Materials (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシート状物質の低温プラズマ処理方法に関する
ものである。
ものである。
さらに詳しくはシート状物質すなわち布帛、不織布、フ
ィルムなどを減圧下で互いに平行に設置された高周波電
極間で低温プラズマを発生させその雰囲気中で布帛、不
織布、フィルム等のシート状物質を処理する装置を用い
てシート状物質の低温プラズマ処理を行うに際し、該装
置の高周波出力を最も有効に利用した低温プラズマ処理
方法に関するものである。
ィルムなどを減圧下で互いに平行に設置された高周波電
極間で低温プラズマを発生させその雰囲気中で布帛、不
織布、フィルム等のシート状物質を処理する装置を用い
てシート状物質の低温プラズマ処理を行うに際し、該装
置の高周波出力を最も有効に利用した低温プラズマ処理
方法に関するものである。
従来、シート状物質０表面特性を変化させる方法として
は、薬剤溶液のパッドドライ法、コーティングドライ法
、水溶液での薬剤吸着法、あるいは、水溶液での分解エ
ツチング法などが一般的に行なわれている。
は、薬剤溶液のパッドドライ法、コーティングドライ法
、水溶液での薬剤吸着法、あるいは、水溶液での分解エ
ツチング法などが一般的に行なわれている。
しかしながらこれらの方法は、加熱、乾燥のための熱エ
ネルギー、水資源を多量に使っているのが現状である。
ネルギー、水資源を多量に使っているのが現状である。
また、水溶液の処理では当然廃液の処理が必要でありこ
れらの公害対策としての設備費、操業費９人件費などが
必要である。このようなことから最近では、シート状物
質に低温プラズマで処理して表面を改質すること、すな
わち。
れらの公害対策としての設備費、操業費９人件費などが
必要である。このようなことから最近では、シート状物
質に低温プラズマで処理して表面を改質すること、すな
わち。
親水性、制電性、防汚性、ソイルリリース性、撥水性、
撥油性等の付与、印刷性の向上、接着性の向上などの効
果を得ることが提案されているが。
撥油性等の付与、印刷性の向上、接着性の向上などの効
果を得ることが提案されているが。
低温プラズマ処理工程において最も重要於とは安定な低
温プラズマ雰囲気をできるだけ少い電力消費量で得るこ
とである。
温プラズマ雰囲気をできるだけ少い電力消費量で得るこ
とである。
しかしながら従来の低温プラズマ処理装置は高周波！極
が固定された電極であるため電力の消費を少くすること
ができなかった。
が固定された電極であるため電力の消費を少くすること
ができなかった。
本発明はこのような現状に鑑みて行われたもので、従来
の固定型の高周波電極に代えて可動型の高周波電極を用
い［極間隔を種４調整することにより消費電力を少＜シ
、シー（・状物質の効率的な低温プラズマ処理を行うこ
とを目的とするものである。
の固定型の高周波電極に代えて可動型の高周波電極を用
い［極間隔を種４調整することにより消費電力を少＜シ
、シー（・状物質の効率的な低温プラズマ処理を行うこ
とを目的とするものである。
かかる目的を達成するために本発明は次の構成を有する
ものである。
ものである。
すなわち本発明は、互いに平行に設置された間隔可動の
高周波電極間に減圧下で低温プラズマを発生させ該Ｙｒ
Ｌ極間でシート状物質を低温プラズマ処理する装置を用
い、該装置の高周波電極間距離を安定した低温プラズマ
の発生する間隔に設定した状態でシート状物質を低温プ
ラズマ処理することを特徴とするシート状物質の低温プ
ラズマ処理方法、上記装置を用いｗｌ、極間距離を小さ
くして低温プラズマを発生させたあと該電極間距離を大
きく設定した状態でシート状物質を低温プラズマ処理す
ることを特徴とするシート状物質の低温プラズマ処理方
法、及び上記装置を用い該装置の高周波電極間距離を変
化させることにより高周波反射波のマツチングを行った
状態でシート状物質を低温プラズマ処理することを特徴
とするシート状物質の低温プラズマ処理方法である。本
発明方法によれば極めて効率的に電力消費を少く低温プ
ラズマ処理９ことができる。
高周波電極間に減圧下で低温プラズマを発生させ該Ｙｒ
Ｌ極間でシート状物質を低温プラズマ処理する装置を用
い、該装置の高周波電極間距離を安定した低温プラズマ
の発生する間隔に設定した状態でシート状物質を低温プ
ラズマ処理することを特徴とするシート状物質の低温プ
ラズマ処理方法、上記装置を用いｗｌ、極間距離を小さ
くして低温プラズマを発生させたあと該電極間距離を大
きく設定した状態でシート状物質を低温プラズマ処理す
ることを特徴とするシート状物質の低温プラズマ処理方
法、及び上記装置を用い該装置の高周波電極間距離を変
化させることにより高周波反射波のマツチングを行った
状態でシート状物質を低温プラズマ処理することを特徴
とするシート状物質の低温プラズマ処理方法である。本
発明方法によれば極めて効率的に電力消費を少く低温プ
ラズマ処理９ことができる。
以下９本発明方法について詳細に説明する。
本発明でいうシート状物質とはナイロン・ポリエステル
ψ塩化ビニＩＬ／−ポリエチレン・ポリプロピレン・ビ
スコースなどを原料としたフィルム・不織布・布帛ある
いは本締・羊毛・絹単独あるいは合成繊維と混用してつ
くられた布帛等を意味する。
ψ塩化ビニＩＬ／−ポリエチレン・ポリプロピレン・ビ
スコースなどを原料としたフィルム・不織布・布帛ある
いは本締・羊毛・絹単独あるいは合成繊維と混用してつ
くられた布帛等を意味する。
これらのシート状物質を低温プラズマ処理するには、シ
ート状物質を低圧（０，１〜１０ｔｏｒ「望ましく印加
して低温プラズマを発生させ処理できるが。
ート状物質を低圧（０，１〜１０ｔｏｒ「望ましく印加
して低温プラズマを発生させ処理できるが。
電極、処理容器に適した発生電圧が必要である。
が必要である。また低温プラズマを発生させるスタート
時は、高い電圧が必要であり低温プラズマが発生した径
は、電圧を小さくしても安定な状態が得られる。
時は、高い電圧が必要であり低温プラズマが発生した径
は、電圧を小さくしても安定な状態が得られる。
本発明はかかる現象に注目し行われたものである。
以下に本発明を図面に示す実施例に基いて詳細に説明す
る。第１，２図はいずれも本発明方法で用いる低温プツ
ズヤ処理装置の側断面見取図である。第１図におい°Ｃ
（１）は反応器であって、この反応器には、処理すべき
シート状物質（２）を出し入れするための開口部（３）
（４）が設けられており、更にこれらの開口部は蓋（
５） （５）’によって密閉されるようになっている。
る。第１，２図はいずれも本発明方法で用いる低温プツ
ズヤ処理装置の側断面見取図である。第１図におい°Ｃ
（１）は反応器であって、この反応器には、処理すべき
シート状物質（２）を出し入れするための開口部（３）
（４）が設けられており、更にこれらの開口部は蓋（
５） （５）’によって密閉されるようになっている。
（６）及び（７）は９反応器（１）内において。
開口部（３）及び（４）の近傍に配置した布帛巻取り軸
であって 呻、モータ等の駆動機構（図示せ
ず）によりいずれか一方の巻取す軸に巻取られているシ
ート状物質（２） （２）’は、他方の巻取り軸に巻取
られるか、双方の巻取り軸が間歇的に正逆回転して、一
方の巻取り軸（６）に巻取られた後は他方の巻取り軸（
７）が反転して巻取り軸（７）への巻取りがなされ９巻
取り軸（７）による巻取りが完了すれば９巻取り軸（６
）が反転して巻取軸（６）への巻取りに切替えられるよ
うになっている。（８）及び（９）は、双方の巻取り軸
（６）と（７）との間で張設されているシート状物質を
境に、上下に隔設された一対の電極板であってシート状
物質を中心として上下に平行度を保持したまま移動させ
電極間距離を変化させることが出来るように装備されて
いる。一方の軍書（８）には２反応器（１）の外に設備
された発振器（図示せず）から高周波が供給されるもの
であり、他方の電極板（９）はアースされている。また
これらの電極板（８）及び（９）は９例えば金網あるい
は多孔性の金属板となしてプラズマ発生ガスの分散と分
布が電極板の全面に亘って、均一となすことが要求され
る。なぜならば、［極板の全面より略均−なプラズマが
発生できるようにすることであり、またその金属板の全
面近傍Ｌヒプラズマの励起ガスを略均−に漂わせるため
である。００はＮ、極板（８）の全面に向けて空気、酸
素、アルゴンあるいは、その他のプラズマ発生ガスを吹
き出すためのがスノズル。
であって 呻、モータ等の駆動機構（図示せ
ず）によりいずれか一方の巻取す軸に巻取られているシ
ート状物質（２） （２）’は、他方の巻取り軸に巻取
られるか、双方の巻取り軸が間歇的に正逆回転して、一
方の巻取り軸（６）に巻取られた後は他方の巻取り軸（
７）が反転して巻取り軸（７）への巻取りがなされ９巻
取り軸（７）による巻取りが完了すれば９巻取り軸（６
）が反転して巻取軸（６）への巻取りに切替えられるよ
うになっている。（８）及び（９）は、双方の巻取り軸
（６）と（７）との間で張設されているシート状物質を
境に、上下に隔設された一対の電極板であってシート状
物質を中心として上下に平行度を保持したまま移動させ
電極間距離を変化させることが出来るように装備されて
いる。一方の軍書（８）には２反応器（１）の外に設備
された発振器（図示せず）から高周波が供給されるもの
であり、他方の電極板（９）はアースされている。また
これらの電極板（８）及び（９）は９例えば金網あるい
は多孔性の金属板となしてプラズマ発生ガスの分散と分
布が電極板の全面に亘って、均一となすことが要求され
る。なぜならば、［極板の全面より略均−なプラズマが
発生できるようにすることであり、またその金属板の全
面近傍Ｌヒプラズマの励起ガスを略均−に漂わせるため
である。００はＮ、極板（８）の全面に向けて空気、酸
素、アルゴンあるいは、その他のプラズマ発生ガスを吹
き出すためのがスノズル。
（１１）はガスノズルＱＯに対設されている吸気ダクト
宅ある６（２）は電極板（８）の周囲に設けられＣいる
電気不良導体でつくられた囲いであってこの囲い＠によ
り電極板（ｓ） （９）によって発生するプラズマ及び
プラズマ励起ガスの飛散を防止し、そのプラズマ及び励
起ガスを効率よくシート状物質へ作用せしめるようにし
たものである。ａ＄はガス導入口、０４はガス導出口を
示す。
宅ある６（２）は電極板（８）の周囲に設けられＣいる
電気不良導体でつくられた囲いであってこの囲い＠によ
り電極板（ｓ） （９）によって発生するプラズマ及び
プラズマ励起ガスの飛散を防止し、そのプラズマ及び励
起ガスを効率よくシート状物質へ作用せしめるようにし
たものである。ａ＄はガス導入口、０４はガス導出口を
示す。
以上が本発明方法で用いる低温プラズマ処理装置の構成
である６ 本発明方法では先ず、長尺シート状物質（２）が巻取ら
れている巻取り軸（６）又は（７）を反応器（１）内に
セができるように準備し、更に蓋（５）を閉めて反応器
（１）を密閉する。次に真空ポンプを駆動してガス導出
口（ロ）より排気し反応器（１）内の真空度を０．６〜
０．７Ｔｏｒｒに調整し９次いで、ガス導入口α葎を通
じがスノズルＱ１より空気、酸素あるいはその他のガス
を反応器内に供給しこの反応器内の真空度が約１Ｔｏｒ
ｒとなるように調整した後、を極（８）、 （９）間の
距離を２ＬｙＩに保ち高周波電源より高周波例えば１５
．５６Ｍ１（ｚを電極板に給電して低温プラズマを発生
させる。電極間距離が２１の場合は７００ポルト以上で
安定な低温プラズマが発生するが、［極間距離が５１の
場合には、低温プラズマ発生電圧は１５００ポルトＪシ
上必要である。次いで電極間距離をシート状物質（２）
を走行させてもたわみなどにより！極に接触しない程度
まで大きく（通常は５〜１０ＣＩｌル 程度）した巻取り軸を駆動してシート状物質を両［極間
すなわち低温プラズマ雰囲気中を移行させる。このよう
にしてシート状物質を低温プラズマ処理することにより
、シート状物質（２）は低温プラズマに使うガスの種類
によって親水性、制電性。
である６ 本発明方法では先ず、長尺シート状物質（２）が巻取ら
れている巻取り軸（６）又は（７）を反応器（１）内に
セができるように準備し、更に蓋（５）を閉めて反応器
（１）を密閉する。次に真空ポンプを駆動してガス導出
口（ロ）より排気し反応器（１）内の真空度を０．６〜
０．７Ｔｏｒｒに調整し９次いで、ガス導入口α葎を通
じがスノズルＱ１より空気、酸素あるいはその他のガス
を反応器内に供給しこの反応器内の真空度が約１Ｔｏｒ
ｒとなるように調整した後、を極（８）、 （９）間の
距離を２ＬｙＩに保ち高周波電源より高周波例えば１５
．５６Ｍ１（ｚを電極板に給電して低温プラズマを発生
させる。電極間距離が２１の場合は７００ポルト以上で
安定な低温プラズマが発生するが、［極間距離が５１の
場合には、低温プラズマ発生電圧は１５００ポルトＪシ
上必要である。次いで電極間距離をシート状物質（２）
を走行させてもたわみなどにより！極に接触しない程度
まで大きく（通常は５〜１０ＣＩｌル 程度）した巻取り軸を駆動してシート状物質を両［極間
すなわち低温プラズマ雰囲気中を移行させる。このよう
にしてシート状物質を低温プラズマ処理することにより
、シート状物質（２）は低温プラズマに使うガスの種類
によって親水性、制電性。
防汚性、ソイルリリース性、撥水性、撥油性等の付与、
印刷性の向上、接着性の向上などの表面改質を施こされ
る。
印刷性の向上、接着性の向上などの表面改質を施こされ
る。
低温プラズマに使用するガスの種類及び処理するシート
状物質の種類によっては、安定した低温プラズマの発生
がむつかしく反射波の大きくなった時は、低温プラズマ
発生効率が低下するので本発明方法では電極間距離を調
節することによって反射波を最小に調節する。このよう
に高周波電極間距離を安定した低温プラズマの発生する
間隔に設定した状態でシート状物質を低温プラズマ処理
するとその処理効率が非常によくなる。
状物質の種類によっては、安定した低温プラズマの発生
がむつかしく反射波の大きくなった時は、低温プラズマ
発生効率が低下するので本発明方法では電極間距離を調
節することによって反射波を最小に調節する。このよう
に高周波電極間距離を安定した低温プラズマの発生する
間隔に設定した状態でシート状物質を低温プラズマ処理
するとその処理効率が非常によくなる。
又シート状物質の低温プラズマ処理時に何らかさせるこ
とにより高周波反射波のマツチングを行い、かかる状態
でシート状物質を低温プラズマ処理すると、効率のよい
シー状物質の低温プラズマ処理を行うことができる。
とにより高周波反射波のマツチングを行い、かかる状態
でシート状物質を低温プラズマ処理すると、効率のよい
シー状物質の低温プラズマ処理を行うことができる。
の反応器には処理すべきシート状物質（１０２）を反応
器に連続的に導入するための導入口（１１Ｂ）と反応器
（１旧）内のシート状物質を連続的に導出させるための
導出口（１１９）が設けられている。シート状物質（１
０２）ハ、：：対Ｊジ上の多極ｗｔｔＭ対（１０８）（
１０９）間で発生させた低温プラズマ雰囲気で処理され
るように移送される。この場合も第１図と同様＋［極対
（＋０８）（１０９）はシート状物質を中心として電極
間距離を適当に調整出来るように装置されており（図示
せず）低温プラズマ発生時点で電極間距離をせまくした
り、マツチングのため電極間距離を移動できるようにな
っており、消費電力を少く効率よく使うことができる。
器に連続的に導入するための導入口（１１Ｂ）と反応器
（１旧）内のシート状物質を連続的に導出させるための
導出口（１１９）が設けられている。シート状物質（１
０２）ハ、：：対Ｊジ上の多極ｗｔｔＭ対（１０８）（
１０９）間で発生させた低温プラズマ雰囲気で処理され
るように移送される。この場合も第１図と同様＋［極対
（＋０８）（１０９）はシート状物質を中心として電極
間距離を適当に調整出来るように装置されており（図示
せず）低温プラズマ発生時点で電極間距離をせまくした
り、マツチングのため電極間距離を移動できるようにな
っており、消費電力を少く効率よく使うことができる。
図面はいずれも本発明方法で用いるプラズマ処理装置の
一例を側断面見取図で示したもので、第１図は一対の電
極を有するパッチ式プラズマ処理機の断面図、第２図は
多極電極を有する連続処理機の断面図である。図中の符
号は次の通り。 （４）、（１ｏ１）・・・反応器、 （２）、（２）’
、（１０２）・・・シート状物資＋３）、（４）・・・
開口部１ （５）、（５５・・・蓋（６）、（７）・・
・布帛巻取り軸？ （８）、（９）、（１０８）、（１
０９ル・Ｗ、極板ｏＱ・・ガスノズμ、ａ１）・・・吸
気ダクト、四・・・囲い。 Ｑ３．（１１３）・・・ガス導入口、α４．（１１４）
・・・ガス導出口。 （１１５）、（１１６）−９，シール機構、 （１７
）、（１１７）・・・ガイドロール、 （１８）、（
１１Ｂ）・・・布帛導入口、 （１９）、（１１９）
・・・布帛導出口。 特許出願人 ユニチカ株式会社
一例を側断面見取図で示したもので、第１図は一対の電
極を有するパッチ式プラズマ処理機の断面図、第２図は
多極電極を有する連続処理機の断面図である。図中の符
号は次の通り。 （４）、（１ｏ１）・・・反応器、 （２）、（２）’
、（１０２）・・・シート状物資＋３）、（４）・・・
開口部１ （５）、（５５・・・蓋（６）、（７）・・
・布帛巻取り軸？ （８）、（９）、（１０８）、（１
０９ル・Ｗ、極板ｏＱ・・ガスノズμ、ａ１）・・・吸
気ダクト、四・・・囲い。 Ｑ３．（１１３）・・・ガス導入口、α４．（１１４）
・・・ガス導出口。 （１１５）、（１１６）−９，シール機構、 （１７
）、（１１７）・・・ガイドロール、 （１８）、（
１１Ｂ）・・・布帛導入口、 （１９）、（１１９）
・・・布帛導出口。 特許出願人 ユニチカ株式会社
Claims (3)
- （１）互いに平行に設置された間隔可動の高周波電極間
に減圧下で低温プラズマを発生させ該電極間でシート状
物質を低温プラズマ処理する装置を用い、該装置の高周
波！、電極間距離安定した低温プラズマの発生する間隔
に設定した状態でシート状物質を低温プラズマ処理する
ことを特徴とするシート状物質の低温プラズマ処理方法
。 - （２）互いに平行に設置された間隔可動の高周波電極間
に減圧下で低温プラズマを発生させ該電極間でシート状
物質を低温プラズマ処理する装置を用い、上記電極間距
離を小さくして低温プラズマを発生させたあと該電極間
距離を大きく設定した状態でシート物質を低温プラズマ
処理することを特徴とするシート状物質の低温プラズマ
処理方法。 - （３）互をこ平行に設置された間隔可動の高周波電極間
に減圧下で低温プラズマを発生させ該電極間でシート状
物質を低温プラズマ処理する装置を用い、該装置の高周
波電極間距離を変化させることにより高周波反射波のマ
ツチングを行った状態でシート状物質を低温プラズマ処
理することを特徴とするシート状物質の低温プラズマ処
理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9866282A JPS58214337A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | シ−ト状物質の低温プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9866282A JPS58214337A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | シ−ト状物質の低温プラズマ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58214337A true JPS58214337A (ja) | 1983-12-13 |
Family
ID=14225721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9866282A Pending JPS58214337A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | シ−ト状物質の低温プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58214337A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5450440A (en) * | 1977-09-29 | 1979-04-20 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Plasma etching device |
-
1982
- 1982-06-08 JP JP9866282A patent/JPS58214337A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5450440A (en) * | 1977-09-29 | 1979-04-20 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Plasma etching device |
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