JPS5821329A - フオトマスクの白点欠陥修正用組成物 - Google Patents

フオトマスクの白点欠陥修正用組成物

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JPS5821329A
JPS5821329A JP56119052A JP11905281A JPS5821329A JP S5821329 A JPS5821329 A JP S5821329A JP 56119052 A JP56119052 A JP 56119052A JP 11905281 A JP11905281 A JP 11905281A JP S5821329 A JPS5821329 A JP S5821329A
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JP
Japan
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white spot
carboxylic acid
photomask
spot defects
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Pending
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JP56119052A
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English (en)
Inventor
Masaaki Okunaka
正昭 奥中
Katsuro Mizukoshi
克郎 水越
Mikio Hongo
幹雄 本郷
Takeoki Miyauchi
宮内 建興
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72Repair or correction of mask defects

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、LSIの製造に用いるフォトマスクの白点欠
陥の修正に用いる組成物に関する。
従来、L8Iのフォトマスクの白点欠陥(第1図)を修
正する方法としてリフト・オフ法が知られている。この
り7ト・オフ法は、(1)レジスト塗布工程、(2プリ
ベーク工程、(3)露光工程(4)現像工程、(5)ポ
ストベーク工程、0)蒸着準備工程、(7)蒸着工程、
(8)レジスト剥離工程からなり、工程数が多くの時間
を要する欠点があったこれに対して、上記欠点を解決す
る方法として次の方法が提案されている。すなわち、硝
酸りpムあるいは硝酸第2鹸めアルコール溶液を白点欠
陥を有するフォトマスクに塗布し、ついで電子ビームあ
るいはレーザビームを欠陥部に照射して酸化クロムある
いは酸化鉄を析出させついで非修正部に残っている硝酸
りpムあるいは硝酸第2鉄をアルコールで洗浄除去する
ことによる白点欠陥の修正方法が提案されている。
しかし、上記方法では析出膜が酸化クロムあるいは酸化
鉄であるため、膜厚が薄い場合には遮光性が不十分な欠
点があった。実用に供し得る遮光性をもつ膜とするため
には、膜厚を゛数μがとしなければならない。膜厚をl
lIJmとすると、析出膜にクラックが入り、またフォ
トマスクの洗浄工程で析出膜が脱落し易く、さらにはフ
ォトマスク使用時にウェー八に傷がつき易いという欠点
があり、事実上実用に供し得なかった。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくシ、フ
ォトマスクの白点欠陥を短工程、短時間で修正するため
の組成物を提供するにある上記目的は、硝酸銀、チタン
化合物、溶媒上りなる組成物もしくはこれにカルボン酸
が加わった組成物により達成される。
そして上記の組成物をフォトマスクに塗布しべついで欠
陥部分に選択的に光を照射することで遮光性膜を析出さ
せ、ついで非照射部分に残った塗膜を除去することによ
り白点欠陥が修正される(第2図)。欠陥部分に析出し
た遮光性膜は透光率が小さい0また、フォトマスク基板
との接着性が良好で、感度、解像度が良好である組成物
の主成分中硝酸銀は光の照射による光反応により鍋とな
り、析出膜に遮光性を賦与するためのものである。また
、硝酸銀を用t/)ることにより、感度、解像度ともに
良好な結果が得られる。
また−チタン化合物は光照射により熱分解して酸化チタ
ンとなり、硝酸銀から析出した銀粒子間に介在して、析
出膜の強度および析出膜とフォトマスク基板との接着性
をもたせるのに必須な成分である。
また、当然のことながら、上記硝酸銀およびチタン化合
物を溶液化するために溶媒が必須である。
上記したように、本発明による析出膜は酸化チタンの膜
中に、微小な銀粒子が分散した構造となる。
本発明で使用できるチタン化合物は、一般式%式% 〜4の整数、R8は炭素数が1〜18のアルキル基、R
,i、は炭素数が1〜18のアルキル基もしくはアルコ
午シ基)で表わされるチタン化合物、もしくは一般式 R4は炭素数が1〜18のアルキル基、mは2〜30の
整数)で表わされるチタン化合物、もしくは上記の R,、R,は炭素数が1〜18のアルキル基もしくはア
ルコ午シ基)との反応生成物を用いた場合に均一な塗膜
を形成し易く熱分解性が良好であり、強度およびフォト
マスク基板との接着性の良好な析出膜が得られる。
特に、R,C0CH,COR,の 下の場合に均一性の良好な塗膜が得られる。
また、チタン化合物としてTi(OR,)k(OCO鳥
)4−1((但しkは0〜3の整数、R。
R,は炭素数が1〜18のアルキル基) 、Ti1l。
(0C4H@ ) H* T I C1(ococlH
y ) mなどのチタン化合物を用いても本発明を実施
できるが、前記したチタン化合物を用いた方が、析出膜
の強度、析出膜とフォトマスク基板との接着性がすぐれ
ている。
上記したチタン化合物の6f1酸銀に対する重量配合比
は1:1〜115が望ましい。この配合比が1より小さ
い場合には析出膜の強度、析出膜とフォトマスク基板と
の接着性が不十分となる。また5より大きい場合には析
出膜中の遮光性成分である銀の含有量が少なくなりすぎ
るため遮光性が不十分となる。
なお、上記チタン化合物を二種類以上併用することも本
発明の実施に何ら差しつかえなく、本発明の範囲に含ま
れる。
また、上記したT i (OR,) m(R,C0CH
COR,)、gで表わされるチタン化合物はTi(OR
,)4R,C0CHICOR,とを混合することにより
容易に生成する。従って、Ti (ORB )n<’に
、C0CHCOR,)a−nを用いるカワリニ。、T 
i(OR+ ) 4と瓜C0CH,COR,とを溶液中
で混合反応させ、その溶液を用いることも本発明に言ま
れる。
本発明に用いる溶媒は、硝酸銀、チタン化合物を溶解す
るものであればよく、特に制限はないカ、アセトニトリ
ル、10ビオニトリルナトのニトリル類とメタノール、
エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール
類、あるいはエチレングリコールモノメチルエーテル、
エチレングリコールモノエチルエーテルなどのセロソル
ブ類との混合系が望ましい0 次に、上記したフォトマスクの白点欠陥修正用組成物、
すなわち硝酸銀、チタン化合物、溶媒からなる溶液3用
いて白点欠陥を修正する方法について述べる。
まず、溶液をフォトマスク基板に塗布する方法としては
、スピンナによる塗布が塗膜の均一性の点で最も好まし
い。刷毛塗り、浸せき法なども使用できる。
照射光は集猜した光を用いる必要があり、これにはレー
ザ光線などが適する。
つぎに、析出膜強度、析出膜とフォトマスク基板との接
着性をさらに向上させる方法を述べる。これは、硝酸銀
、チタン化合物、溶媒を主成分とする溶液に副成分とし
てカルボン酸を加えることで達成される。
カルボン酸は、硝酸銀と反応してカルボン酸銀となるこ
とによりチタン化合物中での銀の分散性を向上させる作
用を有する。したがってカルボン酸を添加した組成物を
用いるとカルボン酸を添加していないものより酸化チタ
ン中での銀粒子の粒径が小さく、膜としての強度も強く
析tBFIsとフォトマスク基板との接着強度もさらに
すぐれたものになる。
本発明で使用するカルボン酸は、特に多塩基性カルボン
酸が有効であり、マロン酸、メチルマロン酸、コハク酸
、メチルコへり酸、グルタル酸、アジピン酸、スペリン
酸、アゼライン酸、セバシン酸、イタコン酸、マレイン
酸、シトラコン酸、エチルマレイン酸、メサコン酸など
が挙げられる。このうち、特にシトラコン酸を用いた場
合に最も良好な膜強度、接着性が得られる。
なお、硝酸銀と前記カルボン酸との重量配合比は1:Q
、2〜1;2又ある。
以下、本発明を実施例により説明する。
実施例1〜14 代表的な溶液組成を表に示す。この溶液をそれぞれガラ
ス基板上に塗布した。塗布は回転塗布で行なった。回転
速度は2000回/分であった。
塗布後、80℃で5分間乾燥した。この塗膜にArレー
ザ光を照射した。Ar−レーザ光のパワーは基板表面で
500 oW/clN とした。レーザ光線の大きさは
1107J”としたOArレーザを60秒照射すること
により遮光性の膜が照射部分に析出した。析出膜の膜厚
、波長488 nmにおける透光率、基板との接着性を
表中に示す。これから本発明の組成物を用いて形成した
析出膜は十分に低い透光率であり、基板との接着性も良
好であった。
実施例15 硝酸銀20g 、 Ti (QC,Hy)、 (CH,
C0CHCOCH,)。
20g1シトラコン酸15g1アセトニ)リル30g。
メチルセロソルブ70gを混合し溶液を調整した0この
溶液を2000回/分の回転速度でフォトマスク基板に
回転塗布した0ついで65”Cで10分間乾燥した。つ
ぎにフォトマスクの非パターン部に集光した可視光41
f:照射した。光強度は基板表面で1000W/cdと
した。また、集光光線の大きさは10101I とした
。光を90秒間照射することにより照射部分に遮光性膜
が析出した0゛膜厚は1200Xであり、波長500n
m での光透過率は5%でありた。また、フ・1トマス
ク基板と析出膜との接着性も良好であった。
本発明の組成物を使用すれば、フォトマスクの白点欠陥
を従来方法の約1/10の時間で修正できる。また、析
出膜の透光率は2〜4襲であり、基板との接着性も良好
であり、十分実用に供し得る。さらに本発明の組成物は
6+月以上にねたりて安定であり、作業性が良好である
【図面の簡単な説明】
第1図は白点欠陥部を示す図、第2図(a)〜(e)は
本発明の組成物を用いて白点欠陥部を修正する工程を示
す図である。 1・・・白点欠陥、 2・・・Crパターン、 6・・・フォトマスク基板、 4・・・塗膜、 5・・・光、 6・・・析出膜。 代理人弁理士 薄 1)利 袖91% 第2図 手続補正書 1111 Ml ’?211 ”4.1特許庁長官殿 補正をする者 Ill’Fとの1順 特許出願人 ()   Jii    〒100東京都T・代げ1区
丸の内−刊’[−15番1吋・51 l)1株式会社 
 11   立 製 作 所1・ と ?X111  
 勝  筏 状   理   人 居  ・グ・   〒1iXl東京都千代田区丸の内−
丁目5番1吋株式会ン1日立製作所内 ’ii話 ・」
・、・ 4354221補正の内容 願書及び明細書の
浄書(内容に変更なし)。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 t 8I酸銀、チタン化合物、溶゛媒を必須成分とする
    ことを特徴とするフォトマスクの白点欠陥修正用組成物
    0 2、 硝酸銀、チタン化合物、カルボン酸、溶媒を必須
    成分とすることを特徴とするフォトマスクの白点欠陥修
    正用組成物。 3、硝酸銀とチタン化合物の配合比が重量比で1+1〜
    1:5であることを特徴とする特許請求の範囲第1項も
    しくは第2項記載のフォトマスクの白点欠陥修正用組成
    物。 4、硝酸銀とカルボン酸の配合比が重量比で、1 + 
    a2〜1;2であることを特徴とする特許請求の範囲第
    2項記載のフォトマスクの白点欠陥修正用組成物。 5、 カルボン酸が多塩基性カルボン酸であることを特
    徴とする特許請求の範囲第2項記載のフォトマスクの白
    点欠陥修正用組成物。 & 多塩基性カルボン酸がシトラコン酸またはメチルコ
    ハク酸であることを特徴とする特許請求の範囲第5項記
    載のフォトマスクの白点欠陥修正用組成物。 Z チタン化合物が、一般式Ti(OR,)(1−−(
    RlCOCHCOR,)、−n(n はO〜4(D整数
    、R1は炭素数が1〜18のアルキル基、掲およびR1
    は炭素数が1〜18のアルキル基もしくはアルコキシ基
    )で表わされる化合物、 が1〜18のアルキル基、mは2〜30の整数)で表わ
    される化合物、R,COCH,CO鳥(R6゜R6は炭
    素数が1〜1Bのアルキル基もしくはアルコキシ基)と as が1〜18のアルキル基、mは2〜30の整数)との反
    応主成物のうちから迦ばれた一種類の化合物であること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項もしくは第2項記載
    のフォトマスクの白点欠陥修正用組成物。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5065271A (en) * 1989-02-28 1991-11-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Thin film magnetic head apparatus and method of manufacturing the same
US5704112A (en) * 1992-05-29 1998-01-06 Tdk Corporation Method of manufacturing a magnetic head
US6125004A (en) * 1992-05-29 2000-09-26 Tdk Corporation Magnetic head and method of manufacturing a magnetic head
US6493182B1 (en) 1997-10-08 2002-12-10 Tdk Corporation Magnetic head

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5065271A (en) * 1989-02-28 1991-11-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Thin film magnetic head apparatus and method of manufacturing the same
US5704112A (en) * 1992-05-29 1998-01-06 Tdk Corporation Method of manufacturing a magnetic head
US6125004A (en) * 1992-05-29 2000-09-26 Tdk Corporation Magnetic head and method of manufacturing a magnetic head
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