JPS58213205A - 微小寸法測定装置 - Google Patents
微小寸法測定装置Info
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- JPS58213205A JPS58213205A JP8422083A JP8422083A JPS58213205A JP S58213205 A JPS58213205 A JP S58213205A JP 8422083 A JP8422083 A JP 8422083A JP 8422083 A JP8422083 A JP 8422083A JP S58213205 A JPS58213205 A JP S58213205A
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- pattern
- optical
- signal
- reflected light
- spot
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は収束レーザビームの光スボ、トヲ用いたレーザ
微小寸法測定装置に関するもので、被測定用パターンの
エツジを境として反射率あるいは透過率の異なるパター
ンの幅を測定することを目的とする。
微小寸法測定装置に関するもので、被測定用パターンの
エツジを境として反射率あるいは透過率の異なるパター
ンの幅を測定することを目的とする。
レーザ微小寸法測定装置では、測定用パターンと光スポ
ットとを相対的に移動させて1両者が重なった時の反射
光強度変化からパターンエツジを検出して、エツジ位置
パルス信号を形成し、その時のエツジ位置ラリニアエン
コーダなどの測長器で計測する。そして、パターン両側
のエツジ位置計測値の差としてパターン幅を求める。
ットとを相対的に移動させて1両者が重なった時の反射
光強度変化からパターンエツジを検出して、エツジ位置
パルス信号を形成し、その時のエツジ位置ラリニアエン
コーダなどの測長器で計測する。そして、パターン両側
のエツジ位置計測値の差としてパターン幅を求める。
第1園内に示すように、被測定用パターンの工、ジ5を
境として反射率(あるいは透過率)の異なるパターン1
を測定する場合、光スポット2を矢印3の方向に走査す
るにつれて1反射光強度は。
境として反射率(あるいは透過率)の異なるパターン1
を測定する場合、光スポット2を矢印3の方向に走査す
るにつれて1反射光強度は。
曲線4のようにパターン部で減少する。この場合。
パターンエツジ5とこの曲線4の変曲点6とが対応して
いるため、この反射光強度変化からエツジパルス信号を
形成するには、二回微分が必要である。すなわち1反射
(透過)光強度信号4(第1図(B)に示す)の二次微
分信号7(第1図(Qで示す)はエツジ位置でセロを通
るため、この位置を比較器を使って検出することにより
、エツジ位置パルス信号8(第1図の)に示す)を形成
できる。
いるため、この反射光強度変化からエツジパルス信号を
形成するには、二回微分が必要である。すなわち1反射
(透過)光強度信号4(第1図(B)に示す)の二次微
分信号7(第1図(Qで示す)はエツジ位置でセロを通
るため、この位置を比較器を使って検出することにより
、エツジ位置パルス信号8(第1図の)に示す)を形成
できる。
本論票はこの二次微分に関するものである。この二次微
分は回路的に行うことも可能である。しかし、その場合
には、高周波のノイズが強調され。
分は回路的に行うことも可能である。しかし、その場合
には、高周波のノイズが強調され。
誤信号を生じやすい、微分回路の定数の設定がむずかし
く、微分信号出力が位相遅れを生じやすいなどの欠点が
ある。また1反射光強度と走査速度によって、微分信号
の出力が大きく変化するため信号利得の調整がむずかし
い。
く、微分信号出力が位相遅れを生じやすいなどの欠点が
ある。また1反射光強度と走査速度によって、微分信号
の出力が大きく変化するため信号利得の調整がむずかし
い。
これに対して光学的に二次微分を行う方法が考えられ、
オプテイーク(0ptik) 37巻(’73)P、4
04によって公知である。この方法は二個の複屈折結晶
とボッケルセルにより、3個の光スボ、トヲ被測定パタ
ーン面上で形成し、それぞれの光スポットの反射光を使
って、二次微分信号を形成する。
オプテイーク(0ptik) 37巻(’73)P、4
04によって公知である。この方法は二個の複屈折結晶
とボッケルセルにより、3個の光スボ、トヲ被測定パタ
ーン面上で形成し、それぞれの光スポットの反射光を使
って、二次微分信号を形成する。
しかし、この方法ではボッケルセルを使用するため、熱
的に不安定である。高電圧を必要とする。
的に不安定である。高電圧を必要とする。
高額となるなどの欠点があり、実用化されていない0
本発明は上記の従来の二次微分法を使用した微小寸法測
定装置の欠点を解決し、安価でかつ操作性の優れた光学
的二次微分法を使用した微小寸法測定装置を提供するこ
とを目的とする。
定装置の欠点を解決し、安価でかつ操作性の優れた光学
的二次微分法を使用した微小寸法測定装置を提供するこ
とを目的とする。
本発明では超音波光偏向器やガルバノメータなどの熱的
に安定な光偏向器を使用して、光スポットの微小振動を
行い、かつ1時分割的番こ光スボ。
に安定な光偏向器を使用して、光スポットの微小振動を
行い、かつ1時分割的番こ光スボ。
トの3点における反射(透過)光強度信号を取出し、そ
れらの信号の強度を加減することにより。
れらの信号の強度を加減することにより。
光学的二次微分を行い、上記の目的を達成した。
以下に1本発明を実施例を用いて詳しく説明する0
第2図に本発明の第1の実施例の主要部を説明する図を
示す。本実施例ではレンズ13.15でレーザ光11を
スボ、ト状に集光し、その光スポットを被測定パターン
上で走査して、パターン5の幅を測定する。この走査は
超音波光(AO)偏向器12でレーザ光11%偏向する
こと−こより行うO パターン5からの反射光はビームスプリ、ター14によ
り入射光と分離した後、光検出器19で検出し9反射光
強度信号20を得る。
示す。本実施例ではレンズ13.15でレーザ光11を
スボ、ト状に集光し、その光スポットを被測定パターン
上で走査して、パターン5の幅を測定する。この走査は
超音波光(AO)偏向器12でレーザ光11%偏向する
こと−こより行うO パターン5からの反射光はビームスプリ、ター14によ
り入射光と分離した後、光検出器19で検出し9反射光
強度信号20を得る。
AO偏向器ドライバー16の入力としては、まず、第3
図(A)に示される電圧波形18を用いる。
図(A)に示される電圧波形18を用いる。
即ち1時系列的に3電圧値(V4− v v6 t ”
−)を周期Tで交互に取る信号を印加する(tは時間を
示す)0この信号により元スポット2は、パターン5上
の3点、X+ΔX、XTX丼(mXの間を高速に微小振
動する(それぞれの位置はV+ 。
−)を周期Tで交互に取る信号を印加する(tは時間を
示す)0この信号により元スポット2は、パターン5上
の3点、X+ΔX、XTX丼(mXの間を高速に微小振
動する(それぞれの位置はV+ 。
Vo 、V−に対応する)。信号18ではV。を取る時
間はv+、■−それぞれの2倍であり、光スボ、トがX
の位置に帯布する時間は他の2倍となる。
間はv+、■−それぞれの2倍であり、光スボ、トがX
の位置に帯布する時間は他の2倍となる。
光スボ、ト2と被測定パターン5の相対位置Xに対する
反射光強度をI(X)とすると、それぞれの光スポツト
位置における反射光強度はI(X+ΔX)、I(イ)、
I(X−AX)と表わされる。、従って5反射光強度信
号20は第3図の)に示すよう齋こ、I(X+ΔX)、
I(イ)、I(X−AX)の間を変動する信号となる。
反射光強度をI(X)とすると、それぞれの光スポツト
位置における反射光強度はI(X+ΔX)、I(イ)、
I(X−AX)と表わされる。、従って5反射光強度信
号20は第3図の)に示すよう齋こ、I(X+ΔX)、
I(イ)、I(X−AX)の間を変動する信号となる。
周期はTである。
この信号から、以下に示す方法により1反射光強度信号
の二次微分信号を得る。すなわち1周期T/2で電圧V
、とV−(V−= −V、)’F取る信号(第3図(q
に示す波形22)を参照信号として。
の二次微分信号を得る。すなわち1周期T/2で電圧V
、とV−(V−= −V、)’F取る信号(第3図(q
に示す波形22)を参照信号として。
掛算器21によりこの反射光強度信号20の同期検波を
行う。位相は第3図に示すように、1!圧v1が、r(
X+lX)とI(X−、tX)に、電圧V−がI (X
)に対応するように合わせる。(v+とV−の正負を逆
転してもかまわない。)この時の掛算器出力としては、
第3図0に示すようにI (X+jX ) ・
v、 、 I (X−AX ) −v、
と−I(X)・V+との間で変動する信号23を得る。
行う。位相は第3図に示すように、1!圧v1が、r(
X+lX)とI(X−、tX)に、電圧V−がI (X
)に対応するように合わせる。(v+とV−の正負を逆
転してもかまわない。)この時の掛算器出力としては、
第3図0に示すようにI (X+jX ) ・
v、 、 I (X−AX ) −v、
と−I(X)・V+との間で変動する信号23を得る。
さらにこの信号をローパスフィルター24に通して復調
することにより、I(イ)の二次の差分I(X十ΔX)
−2・I(X)+1(X−AX)に比例する信号25を
得る。
することにより、I(イ)の二次の差分I(X十ΔX)
−2・I(X)+1(X−AX)に比例する信号25を
得る。
一方、■(イ)の二次微分係数I”(X)は1次式のよ
うに、二次の差分を用いて表わされる。
うに、二次の差分を用いて表わされる。
・・・・・・・・・ω
すなわち、光スボ、トの振幅ΔXを、I(X)が顕著に
変化する距離に比べて十分小さく取ることにより、信号
25は工′−(3)に比例するとみなすことができる。
変化する距離に比べて十分小さく取ることにより、信号
25は工′−(3)に比例するとみなすことができる。
実際には、ΔXの大きさは元スポットの径の数分の1以
下とすれば十分である。
下とすれば十分である。
このように元スポット2を高速微小振動させながら、そ
れより低速で振幅の大きい信号17をドライバー16に
重畳して印加して9元スボ、トヲ被測定パターン5そ横
切るように比較的ゆっくり走査し、パターンエツジでの
二次微分信号のゼロ点を比較器26で検出し、パルス形
成器27によりエツジ位置パルス信号8を形成する。こ
のパルス信号8の得られた時のレーザ光11の偏向角を
信号17のその時の値から求めることにより、工、ジ位
置の計測ができ、パターン両側のエツジの位置の差とし
てパターン幅を求める。
れより低速で振幅の大きい信号17をドライバー16に
重畳して印加して9元スボ、トヲ被測定パターン5そ横
切るように比較的ゆっくり走査し、パターンエツジでの
二次微分信号のゼロ点を比較器26で検出し、パルス形
成器27によりエツジ位置パルス信号8を形成する。こ
のパルス信号8の得られた時のレーザ光11の偏向角を
信号17のその時の値から求めることにより、工、ジ位
置の計測ができ、パターン両側のエツジの位置の差とし
てパターン幅を求める。
また、上記の信号18.22はいずれも特別なものでは
なく、矩形波発振器と7す、プフo、プ。
なく、矩形波発振器と7す、プフo、プ。
インバータ等を使って公知の技術により形成することが
できる。
できる。
このように本実施例によれば、非常に簡便かつ安定に1
反射光強度信号の光学的二次微分を行うことができ、エ
ツジを境として反射率を異にするパターンの幅でも、高
精度に測定することができる。
反射光強度信号の光学的二次微分を行うことができ、エ
ツジを境として反射率を異にするパターンの幅でも、高
精度に測定することができる。
また、光偏向器としては、ガルバノメータやAO光偏向
器のように、連続的に偏向角の変えられる偏向器が使用
できるため、−個の光偏向器により、パターン幅測定用
の光スボ、ト走査と二次微分用の高速微小振動を行うこ
とができ、高速かつ安価な微小寸法測定機を提供できる
。
器のように、連続的に偏向角の変えられる偏向器が使用
できるため、−個の光偏向器により、パターン幅測定用
の光スボ、ト走査と二次微分用の高速微小振動を行うこ
とができ、高速かつ安価な微小寸法測定機を提供できる
。
なお、参照信号として、第3図(ト))に示される信号
28のような、信号22の倍の周期の信号を使用するこ
とにより一次微分も同時に行うことも可能である。
28のような、信号22の倍の周期の信号を使用するこ
とにより一次微分も同時に行うことも可能である。
本実施例では光スボ、トヲ矩形波的に微小振動させたが
、別にこめような形の振動に限らず。
、別にこめような形の振動に限らず。
X十ΔX、X、X−ΔXにおける平均滞在時間が1:2
:1となるように、光スポラトラ振動するかあるいは信
号検出のための時分割を行うかすればよい。その代表例
を実施例2に示す。装置としては第2図に示した装置で
よいので、ドライバー16および掛算器21に印加する
信号のみを示す。
:1となるように、光スポラトラ振動するかあるいは信
号検出のための時分割を行うかすればよい。その代表例
を実施例2に示す。装置としては第2図に示した装置で
よいので、ドライバー16および掛算器21に印加する
信号のみを示す。
第4図に本発明の第2の実施例の信号波形を示す。正弦
波31%ドライバー16に入力として。
波31%ドライバー16に入力として。
信号22(第4図の)に示す)を掛算器21に参照波と
して、それぞれ印加する。第4図(5)に示す信号31
は信号18のフーリエ成分の基本波に相当する。この場
合も第1の実施例と全く同様に光学的二次微分を行うこ
とができる。ただ、I(X+ΔX) 、 I(X)、
I (X−ΔX)はそれぞれ1区間32.33,34.
jこおける反射光強度の平均値として与えられる点が異
なる。この場合は、光偏向器で光を正弦波状′に振るた
め、ガルバノミラ−を用いて10KHzと云った高速で
振動できる点が利点である。
して、それぞれ印加する。第4図(5)に示す信号31
は信号18のフーリエ成分の基本波に相当する。この場
合も第1の実施例と全く同様に光学的二次微分を行うこ
とができる。ただ、I(X+ΔX) 、 I(X)、
I (X−ΔX)はそれぞれ1区間32.33,34.
jこおける反射光強度の平均値として与えられる点が異
なる。この場合は、光偏向器で光を正弦波状′に振るた
め、ガルバノミラ−を用いて10KHzと云った高速で
振動できる点が利点である。
また、31は正弦波である必要はなく、三角波でもよい
。
。
本発明の基本原理は1式(1)によって表されるように
、相異る3点における光強度I(X+ΔX)。
、相異る3点における光強度I(X+ΔX)。
IQQ、およびI(X−ΔX)を測定し1両端の2点の
強度を加えたものから、中央の1点の強度の2倍を引き
算し、その結果が零となる点によってパターン・エツジ
を検出する。ということである。
強度を加えたものから、中央の1点の強度の2倍を引き
算し、その結果が零となる点によってパターン・エツジ
を検出する。ということである。
したがって、必ずしも光スポラトラ高速微小振動させな
くても、あるXの範囲を光スボ、トで走査して得られる
反射光強度分布I□Qを記憶装置に記憶し1式(1)で
与えられる演算処理によって2次微分をとることもでき
る。この場合には、第2図の実施例における微小振動信
号源18は不要であり。
くても、あるXの範囲を光スボ、トで走査して得られる
反射光強度分布I□Qを記憶装置に記憶し1式(1)で
与えられる演算処理によって2次微分をとることもでき
る。この場合には、第2図の実施例における微小振動信
号源18は不要であり。
かつ光検出器19の後に、第5図に示すように。
記憶装置35および演算装置36を接続する。
さらに1本発明は上記光スボ、トヲ走査してパターン幅
測定を行う装置iこおいて、パターン幅測定の前段階と
んで必要な、光スボ、トと測定用パターンとの相対位置
調整を自動的に高精度で行い。
測定を行う装置iこおいて、パターン幅測定の前段階と
んで必要な、光スボ、トと測定用パターンとの相対位置
調整を自動的に高精度で行い。
高速度自動測定を可能とすることを目的とする。
本発明では、パターン幅測定用の光スボ、トヲ。
被、測定パターンの位置決めにも使用することにより上
記の目的を達成した。すなわち、測定前に移動台に載せ
た被測定パターンを走査し、光スポ。
記の目的を達成した。すなわち、測定前に移動台に載せ
た被測定パターンを走査し、光スポ。
トを横切った時の反射光量変化からパターン位置を検出
して移動台を停止する。これにより、被測定パターンを
ほぼ光スポツト位置に置くこと、が可能となる。しかる
後に、光スボッ)k走査してパターン幅の測定を行う。
して移動台を停止する。これにより、被測定パターンを
ほぼ光スポツト位置に置くこと、が可能となる。しかる
後に、光スボッ)k走査してパターン幅の測定を行う。
このようにして、光スボ、トにより高精度のパターン位
置決めができ、高速度のパターン幅測定が可能となる。
置決めができ、高速度のパターン幅測定が可能となる。
第6図に本発明の一実施例の説明図を示す0本実施例は
半導体マスクパターン測定用の装置であるが、Siウェ
ハや磁気ヘッドのギャップあるいはバブル素子のパター
ンの測定にも適用できる0 第6図において、レーザ・ビーム61はガルバノメータ
のミラー62を介してレンズ63.64によりマスク6
5上に光スボ、トロ6状に集光される。また、マスク6
5からの反射光67はビームスプリ、り68により入射
ビームと分離され。
半導体マスクパターン測定用の装置であるが、Siウェ
ハや磁気ヘッドのギャップあるいはバブル素子のパター
ンの測定にも適用できる0 第6図において、レーザ・ビーム61はガルバノメータ
のミラー62を介してレンズ63.64によりマスク6
5上に光スボ、トロ6状に集光される。また、マスク6
5からの反射光67はビームスプリ、り68により入射
ビームと分離され。
光検出器69により検出される。
ガルバノメータ62は駆動回路610により微小回転さ
れる。これにより光スポット66はマスク65面上で走
査され、パターン611のエツジ612を光スボ、トロ
6が横切る時の反射光強度変化信号613は増幅器61
4で増幅したのち。
れる。これにより光スポット66はマスク65面上で走
査され、パターン611のエツジ612を光スボ、トロ
6が横切る時の反射光強度変化信号613は増幅器61
4で増幅したのち。
パルス形成器615に入力されてエツジ位置パルス61
6を得る。また、ガルバノメータ駆動電圧を演算器61
7に入力してその電圧に相当する光スポット66の位置
を求める。この光スボ、トの位置をエツジパルス616
に同期して出力し、プリンタ618に印字する。
6を得る。また、ガルバノメータ駆動電圧を演算器61
7に入力してその電圧に相当する光スポット66の位置
を求める。この光スボ、トの位置をエツジパルス616
に同期して出力し、プリンタ618に印字する。
また、マスク65を載せた移動台619はモータ620
により走査され、その移動位置はリニアエンコーダ62
1により検出され、演算回路622−ごよりその位置が
計測される。このようなレーザ微小寸法測定機は論文(
精密機械、44巻3号。
により走査され、その移動位置はリニアエンコーダ62
1により検出され、演算回路622−ごよりその位置が
計測される。このようなレーザ微小寸法測定機は論文(
精密機械、44巻3号。
P、 380 )によって公知である。
本実施例ではさらに0反射光強度信号613を比較器6
23.パルス形成器624に入力して。
23.パルス形成器624に入力して。
バター:’位置パルスを形成シ、ソのパルスをモータ駆
動回路625に入力して、移動台619を停止する。な
お、626はこの装置全体の動きを制御するマイクロコ
ンピュータなどの制御装置である0 パターン幅の測定にあたっては、まず制御装置626に
被測定用パターン611の位置座標値627を外部から
入力して記憶された後、モータ620を駆動し、リニア
エンコーダ621(7)出力を参照しながらパターン6
11を光スボ、トロ6に近づける。設定値627とリニ
アエンコーダ・621の出力値の差が2μm以下となる
と、パルス形成器624を作動し、パターン66が光ス
ポ、トに差しかかった時にモータ620すなわち移動台
を停止する。その後、駆動回路610を作動して、光ス
ポットがパターンを横切るように光スボ、トヲ走査する
。それと同時に、パルス形成盤615を作動して侍られ
たエツジ位置パルス616を617,618に入力して
エツジ位置を計測する。ざらにエツジ位置の差からパタ
ーン幅を求める。
動回路625に入力して、移動台619を停止する。な
お、626はこの装置全体の動きを制御するマイクロコ
ンピュータなどの制御装置である0 パターン幅の測定にあたっては、まず制御装置626に
被測定用パターン611の位置座標値627を外部から
入力して記憶された後、モータ620を駆動し、リニア
エンコーダ621(7)出力を参照しながらパターン6
11を光スボ、トロ6に近づける。設定値627とリニ
アエンコーダ・621の出力値の差が2μm以下となる
と、パルス形成器624を作動し、パターン66が光ス
ポ、トに差しかかった時にモータ620すなわち移動台
を停止する。その後、駆動回路610を作動して、光ス
ポットがパターンを横切るように光スボ、トヲ走査する
。それと同時に、パルス形成盤615を作動して侍られ
たエツジ位置パルス616を617,618に入力して
エツジ位置を計測する。ざらにエツジ位置の差からパタ
ーン幅を求める。
このようにして、収束レーザビームの光スポットにより
、パターン幅を計測するとともにパターン位置検出を行
うことができ1%定の被測定パターンを高速度かつ自動
的に計測することが可能となる。
、パターン幅を計測するとともにパターン位置検出を行
うことができ1%定の被測定パターンを高速度かつ自動
的に計測することが可能となる。
また、磁気へ、ドのギヤ、プのように試料中にパターン
が1本しかない場合には、他のパターンとの区別は必要
ないので9ニエンコーダによる位置検出は必要なく、ギ
ャップが光スボ、トに重なるまで、移動台を走査した後
、光スボ、トヲ走査することによりギヤ、プ幅を測定で
きる0第7゛図に本考案の他の実施例の構成を示す。レ
ーザー71の光ビームは、反射鏡2人およびビームスプ
リ、り2Bを介して、複屈折プリズム73によって2つ
の元ビームに分離され、集光レンズ74によって、被測
定物75の表面に2つの微小な光スボ、ドア6および7
7を形成する。被測定物表面で反射された光は、ビーム
スプリ、り2Bを介して受光装置78によって検知され
る。検知された信号は信号処理装置79により処理され
る。
が1本しかない場合には、他のパターンとの区別は必要
ないので9ニエンコーダによる位置検出は必要なく、ギ
ャップが光スボ、トに重なるまで、移動台を走査した後
、光スボ、トヲ走査することによりギヤ、プ幅を測定で
きる0第7゛図に本考案の他の実施例の構成を示す。レ
ーザー71の光ビームは、反射鏡2人およびビームスプ
リ、り2Bを介して、複屈折プリズム73によって2つ
の元ビームに分離され、集光レンズ74によって、被測
定物75の表面に2つの微小な光スボ、ドア6および7
7を形成する。被測定物表面で反射された光は、ビーム
スプリ、り2Bを介して受光装置78によって検知され
る。検知された信号は信号処理装置79により処理され
る。
被測定物75を矢印の方向に移動することにより。
光スボ、ドア6および77は、被測定物表面を走査する
。あるいは反射&2Aを1紙面に垂直な軸721のまわ
りに振ることによって光ビームを偏向しても、走査の目
的を果すことはできる。光偏向法としては、このほかに
、音響光学的方法も公知である。
。あるいは反射&2Aを1紙面に垂直な軸721のまわ
りに振ることによって光ビームを偏向しても、走査の目
的を果すことはできる。光偏向法としては、このほかに
、音響光学的方法も公知である。
説明を具体化するため、被測定物75は磁気記録へ、ド
であるとし、その表面は光学反射率の高い部分51と、
低い部分、すなわちギヤ、プ部分52とから成るとする
。第8図において1曲線761および771は、光スボ
、ドア6及び77の空間的強度分布であるとし、ギヤ、
プ52にさしかかる部分、すなわち斜線の部分72はギ
ヤ。
であるとし、その表面は光学反射率の高い部分51と、
低い部分、すなわちギヤ、プ部分52とから成るとする
。第8図において1曲線761および771は、光スボ
、ドア6及び77の空間的強度分布であるとし、ギヤ、
プ52にさしかかる部分、すなわち斜線の部分72はギ
ヤ。
プによって切り取られて、光の反射率が低いとする。こ
のような条件の下で、光ビームで被測定物を走査すると
、受光装置78゛に入射する光の強度工(りは、第9図
体)のように変化する。この図の横軸は時間tである。
のような条件の下で、光ビームで被測定物を走査すると
、受光装置78゛に入射する光の強度工(りは、第9図
体)のように変化する。この図の横軸は時間tである。
同図(b)は、I(t)の1回微分波形、同図(C)は
2回微分波形である。
2回微分波形である。
さて反射光強度曲線I (t)の極小点A1およびA2
は、それぞれ光スボ、ドア7および76が。
は、それぞれ光スボ、ドア7および76が。
ギヤ、プ52の中央に位置する時刻に現れる。したがっ
て、2つのビーム・スポット間の距離をあらかじめ測定
しておくことにより、空間的距離を時間に対応付けるこ
とができる0次に曲線I (t)の傾斜の最大点A3〜
A6は、光スポットの中心がギヤ、プの境界線53ある
いは54の上にあるときに対応する。したがって、A3
−A4間の時間。
て、2つのビーム・スポット間の距離をあらかじめ測定
しておくことにより、空間的距離を時間に対応付けるこ
とができる0次に曲線I (t)の傾斜の最大点A3〜
A6は、光スポットの中心がギヤ、プの境界線53ある
いは54の上にあるときに対応する。したがって、A3
−A4間の時間。
あるいはA5−A6間の時間を測定し、前記の方法で予
め較正されている時間と距離の関係を用いると、ギヤ、
プの幅を測定することができる。この方法で、光の波長
と同程度以下の微小ギヤ、プ幅を、高い精度で測定する
ことができる。なお厳密には1曲線I (t)の傾斜最
大点A3〜A6は、ギヤ、プの境界線53および54の
位置と正確には一致せず、若干のずれがある。しかしギ
ヤ、プ幅が光の波長より大きい場合は、この誤差は実用
上無視できるし、それより狭いギヤ、プの場合にも。
め較正されている時間と距離の関係を用いると、ギヤ、
プの幅を測定することができる。この方法で、光の波長
と同程度以下の微小ギヤ、プ幅を、高い精度で測定する
ことができる。なお厳密には1曲線I (t)の傾斜最
大点A3〜A6は、ギヤ、プの境界線53および54の
位置と正確には一致せず、若干のずれがある。しかしギ
ヤ、プ幅が光の波長より大きい場合は、この誤差は実用
上無視できるし、それより狭いギヤ、プの場合にも。
あらかじめ計算あるいは実験的に求めた補正値を用いて
、真のギヤ、プ幅を求めることができる。
、真のギヤ、プ幅を求めることができる。
次にA1〜A6に対応する時刻を求める方法の例をいく
つか挙げる。一つは1曲線I (t)E計算機に入力し
、データ処理によって、極小点AI。
つか挙げる。一つは1曲線I (t)E計算機に入力し
、データ処理によって、極小点AI。
A2.ならびに傾斜最大点A3〜A69求めることがで
きる。他の方法は1曲線I(りの−回微分および2回微
分をとることである。すなわち数学的思考と第9図(a
)〜(C)から容易にわかるように、極小点AI、A2
は零点Bl、B2に、また傾斜最大点A3〜A6は極値
点B3〜B6および零点03〜C6に対応する。したが
って−回または二回微分波形から、公知の電子技術によ
り、B1゜B2および03〜C6の時刻を求めることが
できる。微分波形を求める方法としては、電子回路的方
法のほか、光ビームを微小振動させることによる光学的
微分技術も公知である。
きる。他の方法は1曲線I(りの−回微分および2回微
分をとることである。すなわち数学的思考と第9図(a
)〜(C)から容易にわかるように、極小点AI、A2
は零点Bl、B2に、また傾斜最大点A3〜A6は極値
点B3〜B6および零点03〜C6に対応する。したが
って−回または二回微分波形から、公知の電子技術によ
り、B1゜B2および03〜C6の時刻を求めることが
できる。微分波形を求める方法としては、電子回路的方
法のほか、光ビームを微小振動させることによる光学的
微分技術も公知である。
次に受光装置78の構成を述べる。最も単純には、それ
は1個の感光素子によって構成することができる。しか
しより進歩した構成として、第1O図に示すように、受
光装置78を、複屈折プリズム781と、2個の感光素
子782および783によって構成することができる。
は1個の感光素子によって構成することができる。しか
しより進歩した構成として、第1O図に示すように、受
光装置78を、複屈折プリズム781と、2個の感光素
子782および783によって構成することができる。
この場合。
複屈折プリズム781の方位角を適当に配置することに
より、光スボ、ドア6からの反射光は感光素子782に
、また元スポット77からの反射光は感光素子783に
入射するようにすることができる。このような構成にす
れば、2個の光スポットが極めて接近している場合でも
、それぞれの反射光を完全に分離して測定することがで
きる。
より、光スボ、ドア6からの反射光は感光素子782に
、また元スポット77からの反射光は感光素子783に
入射するようにすることができる。このような構成にす
れば、2個の光スポットが極めて接近している場合でも
、それぞれの反射光を完全に分離して測定することがで
きる。
以上の説明から明らかなように9本発明の基本的要件は
、相互の空間的位置関係が既知の複数個の光ビーム・ス
ポット(76および77)によって被測定物を走査する
こと、それぞれの光スポットが、被測定物味たはその他
の物体上の特定の位置を通過する時刻の差を測定する手
段を有すること、およびこの時間差を基準として、光学
的に被測定物の寸法を測定すること、である。前記の「
特定位置通過時間差」として、ギャップ中央に相当する
Al−A2の時間差のほか、エツゾに相当するA3−A
3.A4−A6.B5−B5゜B4−86.03−05
.04−06等の時間差を用いてもよい。または被測定
物とは別の標準パターンを用いてもよい。
、相互の空間的位置関係が既知の複数個の光ビーム・ス
ポット(76および77)によって被測定物を走査する
こと、それぞれの光スポットが、被測定物味たはその他
の物体上の特定の位置を通過する時刻の差を測定する手
段を有すること、およびこの時間差を基準として、光学
的に被測定物の寸法を測定すること、である。前記の「
特定位置通過時間差」として、ギャップ中央に相当する
Al−A2の時間差のほか、エツゾに相当するA3−A
3.A4−A6.B5−B5゜B4−86.03−05
.04−06等の時間差を用いてもよい。または被測定
物とは別の標準パターンを用いてもよい。
第1図は本発明の原理説明図、第2図は本発明の一実施
例を示す図、第3図と第4図は動作説明図、第5図は本
発明の装置の信号処理部の一実施例を示す図、第6図は
本発明の実施例の構成を示す図、第7図は本発明の他の
実施例の構成を示す図、第8図及び第9図は本発明の詳
細な説明するための図、第10図は本発明の他の実施例
の受光第 1 凹 ¥、2 図 第 3 目 児 4 図 図 N≧ 炉F 第 5 図 lJs図 易 2 図 d′%62 亮 lθ 図
例を示す図、第3図と第4図は動作説明図、第5図は本
発明の装置の信号処理部の一実施例を示す図、第6図は
本発明の実施例の構成を示す図、第7図は本発明の他の
実施例の構成を示す図、第8図及び第9図は本発明の詳
細な説明するための図、第10図は本発明の他の実施例
の受光第 1 凹 ¥、2 図 第 3 目 児 4 図 図 N≧ 炉F 第 5 図 lJs図 易 2 図 d′%62 亮 lθ 図
Claims (1)
- 収束レーザビームの光スポットと被測定パターンとを相
対的に移動させ、その光スボ、トがパターンエツジを横
切る時の反射光強度信号を用いてパターン幅を測定する
微小寸法測定装置において、光スボッ)f高速微小振動
させる手段と、その振動周波数に同期して1時分割的に
光スボ、トの3点における反射光強度信号を検出する手
段と、その検出された出力をそれぞれ加減する手段と、
上 、記反射光強度信号の二次微分信号を形成する手段
とを具えていることを特徴とする微小寸法測定装置0
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8422083A JPS58213205A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 微小寸法測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8422083A JPS58213205A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 微小寸法測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58213205A true JPS58213205A (ja) | 1983-12-12 |
Family
ID=13824396
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8422083A Pending JPS58213205A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 微小寸法測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58213205A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61225611A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 光・超音波併用形測定用複合ヘツド |
JP2012187913A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-10-04 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置、パターン位置検出方法、画像形成システム |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51100753A (ja) * | 1975-03-03 | 1976-09-06 | Nippon Kogaku Kk | |
JPS5263755A (en) * | 1975-11-22 | 1977-05-26 | Nippon Chemical Ind | Pattern line width measuring device |
-
1983
- 1983-05-16 JP JP8422083A patent/JPS58213205A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51100753A (ja) * | 1975-03-03 | 1976-09-06 | Nippon Kogaku Kk | |
JPS5263755A (en) * | 1975-11-22 | 1977-05-26 | Nippon Chemical Ind | Pattern line width measuring device |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61225611A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 光・超音波併用形測定用複合ヘツド |
JPH0464402B2 (ja) * | 1985-03-29 | 1992-10-14 | Kogyo Gijutsuin | |
JP2012187913A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-10-04 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置、パターン位置検出方法、画像形成システム |
US9290028B2 (en) | 2011-02-24 | 2016-03-22 | Ricoh Company, Ltd | Image forming apparatus, pattern position determining method, and image forming system |
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