JPS5821131A - 半導体圧力センサ - Google Patents

半導体圧力センサ

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Publication number
JPS5821131A
JPS5821131A JP11874881A JP11874881A JPS5821131A JP S5821131 A JPS5821131 A JP S5821131A JP 11874881 A JP11874881 A JP 11874881A JP 11874881 A JP11874881 A JP 11874881A JP S5821131 A JPS5821131 A JP S5821131A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stem
pressure sensor
silicon
semiconductor pressure
thermal expansion
Prior art date
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Pending
Application number
JP11874881A
Other languages
English (en)
Inventor
Bunshirou Yamaki
八巻 文史朗
Sadatake Kikuchi
菊池 貞武
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP11874881A priority Critical patent/JPS5821131A/ja
Publication of JPS5821131A publication Critical patent/JPS5821131A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14Housings
    • G01L19/147Details about the mounting of the sensor to support or covering means
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0007Fluidic connecting means
    • G01L19/0038Fluidic connecting means being part of the housing
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0061Electrical connection means
    • G01L19/0084Electrical connection means to the outside of the housing

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は特に低コストで温度特性の優れた半導体圧力
センサに関する。
近年、マイクロコンピュータが広範囲な分野で利用され
るようになるにつれて、低コスト、高性能の半導体上ン
廿を望む声が多くなってきている。中でも圧力センサに
関するものは多く、自動車用をはじめ民生用にも需要は
多い。従来の半導体圧力センサは計測用などの特殊用途
には使用されている例はあるが、これらの場合はその特
性が重要視されたためた高価格なものになりがちであっ
た。
第1図は従来の計測用半導体圧力センサの断面図である
。図において、1ノはダイヤフラムを有するシリコン単
結晶ペレットで、2〜3ミリメートルの厚さのシリコン
ディスク12とはAu −St共晶等によシ接着され熱
的歪が直接、歪ゲージに伝わら々いようにされている。
また、13は一方からの圧力導入用パイプであり、ステ
ム14からの機緘的歪が伝わらない様に工夫されている
。また、15はリード、16はボンディングワイヤ、1
7はハーメチック・シール、18は圧力導入孔つきのキ
ャップである・次に、第2図は従来の汎用圧力センサの
一例を示す。第2図は第1図に示した計測用の半導体圧
力センサの場合と違なシ、圧力導入用・母イブ13は々
〈なυ、1〜3ミリメートルのシリコン・ディスク12
がステム14に直接接着されている。しかし、穴のあい
た厚いシリコン・ディスク12を用いるため低価格化は
むずかしいことや、内部リードが長くなるのでボンディ
ングが難しいなど色々な問題があった。
この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的
は低コストで温度特性の優れた半導体圧力センサを提供
することにある。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第3図において、500ミクロンの厚さのシリコン単結
晶を窒化シリコン膜(S13N4)をマスクとして90
℃の水酸化カリウム(KOH)水溶液にてエツチングを
行ない35ミクロンのダイヤフラムを形成した後、コパ
ール製ステム14にシリコン・ゴム(例えば、JCR4
913)19により直接接着したものである。その時、
フルブリッジの零点の温度ドリフトは760wnHgフ
ルスケールで2.5%/100℃以内であり、従来の半
導体圧力センサと同等の性能が得られた。これはコパー
ルの熱膨張係数(5〜6X10’/℃)がシリコンの熱
膨張係数(2,5〜3×10−6/℃)に近く、その上
シリコン・ゴムは硬化後も比較的やらかいこと、そして
ペレットの接着部からダイアフラム迄の距離が長いため
に熱歪を吸収し、歪ゲージに悪影響   □を及ぼさな
いだめである。また、接着工程は一度で済み、ペレット
の高さが低いので内部リードの高さも低くできビンディ
ングが容易となる。
また、第4図はステム10と接着材料11にガラスを用
いた場合の例であシ、これらのガラスの熱膨張係数は4
6〜5. OX 10−6/′cで、特に接着用がラス
の作業温度が460℃と比較的低いのが特徴である。
次に、第5図は被測定気体の絶佳圧力を測定するための
ものである。被測定気体は圧力導入/’Pイブを介して
キャップ18内に導かわる。このキャップ18内は真空
となっているために、キャップ18内に導かれた被測定
気体の絶佳圧力を測定することができる。
以上詳述したようにこの発明によれば低コストで温度特
性の優れた半導体圧力センサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の計測用半導体圧力センサの構造図、第2
図は従来の汎用半導体圧力センサの構造図、第3図及び
第4図はそれぞれこの発明の一実施例を示す半導体圧力
センサの構造図、5− 第5図はこの発明の他の実施例を示す半導体圧力センサ
の構造図である。 11・・・ペレット、12・・・シリコン・ディスク、
14・・・ステム、15・・・リード、16・・・?ン
デイングワイヤ、18・・・キャップ。 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦6一

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)中央に貫通孔を有しシリコンと熱膨張係数が類似
    したステムと、複数の歪ゲージを薄肉ダイアフラム部に
    有するシリコン単結晶と、圧力導入用・ぐイブを有する
    キャップと、前記歪ゲージに電気的に接続されておシ、
    前記ステムにハーメティックシールされて外部に引き出
    されたリードから成る半導体圧力センサにおいて、前記
    シリコン単結晶の板厚が500ミクロン以上あり、しか
    も前記ステムに直接接着されていることを特徴とする半
    導体圧力センサ。
  2. (2)接着材料としてシリコンゴムを用いたことを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載の半導体圧力センサ。
  3. (3)  シリコンと熱膨張係数が類似したガラス製ス
    テムと、接着材料としてシリコンと熱膨張係数が等しく
    かつその接着温度が450″近辺である低融点がラスを
    用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半
    導体圧力センサ。
  4. (4)上記特許請求の範囲第1項において、ステムとキ
    ャップとにより作られる空間を真空とし、前記のステム
    貫通孔に圧力導入用・中イブを設けたことを特徴とする
    半導体圧力センサ。
JP11874881A 1981-07-29 1981-07-29 半導体圧力センサ Pending JPS5821131A (ja)

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