JPS61131567A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPS61131567A JPS61131567A JP25469984A JP25469984A JPS61131567A JP S61131567 A JPS61131567 A JP S61131567A JP 25469984 A JP25469984 A JP 25469984A JP 25469984 A JP25469984 A JP 25469984A JP S61131567 A JPS61131567 A JP S61131567A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
- G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
-
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- G01—MEASURING; TESTING
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- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はピエゾ抵抗効果を利用して主に気体、液体環６
〕流体圧力を測定する半導体圧力センサに関するもので
ある。
〕流体圧力を測定する半導体圧力センサに関するもので
ある。
一般にこの主圧力センサはシリコン製ダイヤフラム部に
不純物の拡散によってピエゾ抵抗素子を形成し、ダイヤ
フラム部で隔てられた両側領域の圧力差をこれによるダ
イヤフラム部の変形、即ちこの変形に伴うピエゾ抵抗素
子の抵抗値変化として捉えるようになっている。従って
ダイヤフラム部の変形が両側領域の気圧差以外の要因に
よりダイヤフラム部に変形が生じることは測定結果に重
大な影響を及ぼすこととなる６気圧差以外にダイヤフラ
ム部に変形を与える原因の一つとしてはダイヤプラム部
を備えたセンサ本体と、これを固定するケースの基台と
の熱膨張係数の差がある。これはセンサ本体はダイヤフ
ラム部の周縁部に設けた円環状基部を接着剤を用いて基
台上に固定するが、基台に熱変形が生じるとセンサ本体
に外力が作用し両者の熱膨張差に相当する歪がセンサ本
体に形成されることによる。
不純物の拡散によってピエゾ抵抗素子を形成し、ダイヤ
フラム部で隔てられた両側領域の圧力差をこれによるダ
イヤフラム部の変形、即ちこの変形に伴うピエゾ抵抗素
子の抵抗値変化として捉えるようになっている。従って
ダイヤフラム部の変形が両側領域の気圧差以外の要因に
よりダイヤフラム部に変形が生じることは測定結果に重
大な影響を及ぼすこととなる６気圧差以外にダイヤフラ
ム部に変形を与える原因の一つとしてはダイヤプラム部
を備えたセンサ本体と、これを固定するケースの基台と
の熱膨張係数の差がある。これはセンサ本体はダイヤフ
ラム部の周縁部に設けた円環状基部を接着剤を用いて基
台上に固定するが、基台に熱変形が生じるとセンサ本体
に外力が作用し両者の熱膨張差に相当する歪がセンサ本
体に形成されることによる。
このため従来にあってはセンサ本体と基台との間に熱膨
張係数がセンサ本体の熱膨張係数と略等しい材質を用い
て形成した中間基台を介装する構成（特公昭５４−４１
′３０４号）、又は基台自体をセンサ本体と同様の材質
で形成する構成、或いはセンサ本体と基台との間にゲル
状シリコーン樹脂、或いはこれとゴム状物質とを介在さ
せる構成（特願昭５７−２１３１６９号、特願昭５８−
２９０７０号）等が提案されている。
張係数がセンサ本体の熱膨張係数と略等しい材質を用い
て形成した中間基台を介装する構成（特公昭５４−４１
′３０４号）、又は基台自体をセンサ本体と同様の材質
で形成する構成、或いはセンサ本体と基台との間にゲル
状シリコーン樹脂、或いはこれとゴム状物質とを介在さ
せる構成（特願昭５７−２１３１６９号、特願昭５８−
２９０７０号）等が提案されている。
しかし上述した如き従来装置にあっては例えば中間基台
を介装する構成の場合、センサ本体と中間基台との間の
熱膨張係数の差に基づく歪の影響は解消し得るが、中間
基台と基台との間の熱膨張係数の差に基づく歪は依然解
消出来ず、中間基台を経てセンサ本体に及ぼす影響を排
除し得ず、製造工程上も工数が増大するという難点があ
る。またセンサ本体と基台との間にゲル状シリコン物質
を介在させる構成は周辺温度変化、或いはそれ自体の分
子構造の不安定性に起因する経時変化が生じる問題があ
る。
を介装する構成の場合、センサ本体と中間基台との間の
熱膨張係数の差に基づく歪の影響は解消し得るが、中間
基台と基台との間の熱膨張係数の差に基づく歪は依然解
消出来ず、中間基台を経てセンサ本体に及ぼす影響を排
除し得ず、製造工程上も工数が増大するという難点があ
る。またセンサ本体と基台との間にゲル状シリコン物質
を介在させる構成は周辺温度変化、或いはそれ自体の分
子構造の不安定性に起因する経時変化が生じる問題があ
る。
本発明は係る事情に鑑みなされたものであって、°□
その目的とするところは、センサ本体と
基台との間にゴム状シリコーン樹脂であって所定の硬度
、厚さに設定して介在せしめることにより、分子構造が
安定し経時変化が小さく圧力が零の時のセンサ本体の出
力であるオフセット電圧の追随性に優れ、安定性、信頼
性の大幅な向上を図り得る半導体圧力センサを提供する
にある。
その目的とするところは、センサ本体と
基台との間にゴム状シリコーン樹脂であって所定の硬度
、厚さに設定して介在せしめることにより、分子構造が
安定し経時変化が小さく圧力が零の時のセンサ本体の出
力であるオフセット電圧の追随性に優れ、安定性、信頼
性の大幅な向上を図り得る半導体圧力センサを提供する
にある。
本発明に係る半導体圧力センサは、ピエゾ抵抗効果をも
つ感圧素子を備えたダイヤフラム部を有するセンサ本体
をケースの基台上に接着せしめてなる半導体圧力センサ
において、前記基台とセンサ本体との間をゴム状シリコ
ーン樹脂であって、ＪＩＳ Ｋ ６３０１に基づく硬度
（ＪＩＳ＾）が１０以上４０以下に、また厚さは１０μ
−以上２００μ餉以下に設定したことを特徴とする。
つ感圧素子を備えたダイヤフラム部を有するセンサ本体
をケースの基台上に接着せしめてなる半導体圧力センサ
において、前記基台とセンサ本体との間をゴム状シリコ
ーン樹脂であって、ＪＩＳ Ｋ ６３０１に基づく硬度
（ＪＩＳ＾）が１０以上４０以下に、また厚さは１０μ
−以上２００μ餉以下に設定したことを特徴とする。
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説
明する。第１図は本発明に係る半導体圧力センサ（以下
本発明品という）の断面構造図であり、図中ｌはケース
、２はセンサ本体を示している。ケース１は鉄、コバー
ル等の金属製の基台ｌａ、キャップ１ｂにて構成されて
おり、基台１ａの上面中央にセンサ本体２を配設し、こ
れを覆う如くにキャンプ１ｂを基台１ａに被せその周縁
部を基台１ａに気密状態に接着固定せしめである。基台
１ａの中央及びキャップ１ｂの上面中央には夫々センサ
本体２の両側領域Ａ、Ｂに連なる圧力導入口１ｄ＋ ｌ
ｅが開口せしめられている。センサ本体２は中央部を薄
肉にしてダイヤフラム部２ａとし、周縁部を厚肉にして
円環状基部２ｂを形成したｎ型シリコン半導体基板にお
ける前記ダイヤフラム部２ａの表面に不純物を拡散せし
めてピエゾ抵抗素子２ｃを形成して構成されてり、円環
状基部２ｂの下面をゴム状シリコーン樹脂２ｄを用いて
基台１ａに固定され、またリード線１ｇ、 １ｇを介し
て基台１ａに貫設したリードピンｉｆ、ｉｆに接続され
、この状態でこれらをシリコーン系の被覆材５にて覆わ
れている。
明する。第１図は本発明に係る半導体圧力センサ（以下
本発明品という）の断面構造図であり、図中ｌはケース
、２はセンサ本体を示している。ケース１は鉄、コバー
ル等の金属製の基台ｌａ、キャップ１ｂにて構成されて
おり、基台１ａの上面中央にセンサ本体２を配設し、こ
れを覆う如くにキャンプ１ｂを基台１ａに被せその周縁
部を基台１ａに気密状態に接着固定せしめである。基台
１ａの中央及びキャップ１ｂの上面中央には夫々センサ
本体２の両側領域Ａ、Ｂに連なる圧力導入口１ｄ＋ ｌ
ｅが開口せしめられている。センサ本体２は中央部を薄
肉にしてダイヤフラム部２ａとし、周縁部を厚肉にして
円環状基部２ｂを形成したｎ型シリコン半導体基板にお
ける前記ダイヤフラム部２ａの表面に不純物を拡散せし
めてピエゾ抵抗素子２ｃを形成して構成されてり、円環
状基部２ｂの下面をゴム状シリコーン樹脂２ｄを用いて
基台１ａに固定され、またリード線１ｇ、 １ｇを介し
て基台１ａに貫設したリードピンｉｆ、ｉｆに接続され
、この状態でこれらをシリコーン系の被覆材５にて覆わ
れている。
ゴム状シリコーン樹脂２ｄとしてはＪＩＳ Ａ ＣＪＴ
Ｓ Ｋ６３０■加硫ゴム物理試験方法に基づく値）によ
る硬度（以下単に硬度という）が１０以上、４０以下と
し、また厚さは約ＩＯμ鋼以上、２００μｍ以下に設定
されていこのようなゴム状シリコーン樹脂としては品番
ＴＳＥ３２５． ＹＥ５８２２． ＴＳＴ３１３０ （
東芝・シリコーン株式会社製） 、 ＪＣＲ６１０１（
東し・シリコーン株式会社製）等がある。
Ｓ Ｋ６３０■加硫ゴム物理試験方法に基づく値）によ
る硬度（以下単に硬度という）が１０以上、４０以下と
し、また厚さは約ＩＯμ鋼以上、２００μｍ以下に設定
されていこのようなゴム状シリコーン樹脂としては品番
ＴＳＥ３２５． ＹＥ５８２２． ＴＳＴ３１３０ （
東芝・シリコーン株式会社製） 、 ＪＣＲ６１０１（
東し・シリコーン株式会社製）等がある。
第２図はゴム状シリコーン樹脂の硬度とセンサ本体の出
力特性との関係を示すグラフであって、センサ本体周辺
の温度を５０℃から２０℃まで毎分２℃の速度で略１５
分で下降し、その間のセンサ本体出力を検出した。グラ
フは横軸にゴム状シリコーン樹脂の硬度をとり１．また
縦軸には一例に温度変化に対するオフセント応答時間（
温度が変化した後一定となった状態下で、センサ本体の
出力が安定するまでの時間）を、他側にセンサ本体のう
ける応力をとって示しである。グラフ中実線はゴム状シ
リコーン樹脂硬度と温度変化に対するオフセント応答時
間との関係を１．また破線はゴム状シリコーン樹脂硬度
とセンサ本体の受ける応力との関係を夫々示しである。
力特性との関係を示すグラフであって、センサ本体周辺
の温度を５０℃から２０℃まで毎分２℃の速度で略１５
分で下降し、その間のセンサ本体出力を検出した。グラ
フは横軸にゴム状シリコーン樹脂の硬度をとり１．また
縦軸には一例に温度変化に対するオフセント応答時間（
温度が変化した後一定となった状態下で、センサ本体の
出力が安定するまでの時間）を、他側にセンサ本体のう
ける応力をとって示しである。グラフ中実線はゴム状シ
リコーン樹脂硬度と温度変化に対するオフセント応答時
間との関係を１．また破線はゴム状シリコーン樹脂硬度
とセンサ本体の受ける応力との関係を夫々示しである。
このグラフから明らかな如く、温度変化に対するオフセ
ント電圧の応答性はゴム状シリコーン樹脂の硬度の低下
に伴って悪化し、またセンサ本体の受ける応力は、ゴム
状シリコーン樹脂の硬度が高くなるに従って急激に太き
くなることが解る。圧力センサとしての実用上の精度を
考慮すればゴム状シリコーン樹脂の硬度は１０以上４０
以下とするのが望ましいといえる。
ント電圧の応答性はゴム状シリコーン樹脂の硬度の低下
に伴って悪化し、またセンサ本体の受ける応力は、ゴム
状シリコーン樹脂の硬度が高くなるに従って急激に太き
くなることが解る。圧力センサとしての実用上の精度を
考慮すればゴム状シリコーン樹脂の硬度は１０以上４０
以下とするのが望ましいといえる。
第３図は硬度が１５のゴム状シリコーン樹脂を用いて前
記第２図のグラフを求めたのと同じ条件でその厚さく半
導体基板における円環状基部下面と基台上面との間のゴ
ム状シリコーン樹脂の厚さ）とセンサ本体の出力特性と
の関係を示すグラフであり、横軸にゴム状シリコーン樹
脂の厚さを、また縦軸には一例に温度変化に対するオフ
セント応答時間（第２図で求めたのと同じ）を、他側に
オフセット電圧の経時変動量をとって示しである。
記第２図のグラフを求めたのと同じ条件でその厚さく半
導体基板における円環状基部下面と基台上面との間のゴ
ム状シリコーン樹脂の厚さ）とセンサ本体の出力特性と
の関係を示すグラフであり、横軸にゴム状シリコーン樹
脂の厚さを、また縦軸には一例に温度変化に対するオフ
セント応答時間（第２図で求めたのと同じ）を、他側に
オフセット電圧の経時変動量をとって示しである。
グラフ中実線はゴム状シリコーン樹脂の厚みと温度変化
に対するオフセット応答時間との関係を、また破線はゴ
ム状シリコーン樹脂の厚みとオフセット電圧経時変動量
との関係を示している。
に対するオフセット応答時間との関係を、また破線はゴ
ム状シリコーン樹脂の厚みとオフセット電圧経時変動量
との関係を示している。
このグラフから明らかなように温度変化に対するオフセ
ット応答時間はゴム状シリコーン樹脂の厚みが一定以下
になると、またオフセット電圧経時変動量は逆にゴム状
シリコーン樹脂の厚みが一定以上になると急速に大きく
なることが解る。このことから圧力センサとしての実用
上の精度を確保するためにはゴム状シリコーン樹脂の厚
みが１０８ｍ以上２００μｍ以下とするのが、望ましい
といえる。
ット応答時間はゴム状シリコーン樹脂の厚みが一定以下
になると、またオフセット電圧経時変動量は逆にゴム状
シリコーン樹脂の厚みが一定以上になると急速に大きく
なることが解る。このことから圧力センサとしての実用
上の精度を確保するためにはゴム状シリコーン樹脂の厚
みが１０８ｍ以上２００μｍ以下とするのが、望ましい
といえる。
次に本発明品と従来品との比較試験結果について示す。
第４図は第２図のグラフを求めた条件と同じ条件で半導
体圧力センサの周囲温度を変化させたときのオフセント
電圧（ｍＶ）の変化を縦軸にとり、また時間を横軸にと
って示しである。グラフ中実線が本発明品の結果を、ま
た破線は従来品の結果を示している。このグラフから明
らかなように本発明品のオフセット電圧の追随性は従来
品に比較して格段に良いことが解る。これは本発明品に
用いたゴム状シリコーン樹脂は従来品に用いたゲル状シ
リコーン樹脂に比較して温度変化に対する体積変化等の
応答性が速いことに依ると考えられる。
体圧力センサの周囲温度を変化させたときのオフセント
電圧（ｍＶ）の変化を縦軸にとり、また時間を横軸にと
って示しである。グラフ中実線が本発明品の結果を、ま
た破線は従来品の結果を示している。このグラフから明
らかなように本発明品のオフセット電圧の追随性は従来
品に比較して格段に良いことが解る。これは本発明品に
用いたゴム状シリコーン樹脂は従来品に用いたゲル状シ
リコーン樹脂に比較して温度変化に対する体積変化等の
応答性が速いことに依ると考えられる。
第５図は半導体圧力センサを常温中で５０日間保持した
場合におけるオフセット電圧の経時変化を示すグラフで
あって縦軸にオフセット電圧（ＩＩＩＶ）を、また横軸
に時間（日）をとって示している。グラフ中実線は本発
明品の、また破線は従来品の各結果を示している。この
グラフから明らかなように本発明品に用いたゴム状シリ
コーン樹脂は従来品に用いたゲル状シリコーン樹脂に比
較してオフセット電圧の経時変化が少なく、信頼性が高
いことが解る。
場合におけるオフセット電圧の経時変化を示すグラフで
あって縦軸にオフセット電圧（ＩＩＩＶ）を、また横軸
に時間（日）をとって示している。グラフ中実線は本発
明品の、また破線は従来品の各結果を示している。この
グラフから明らかなように本発明品に用いたゴム状シリ
コーン樹脂は従来品に用いたゲル状シリコーン樹脂に比
較してオフセット電圧の経時変化が少なく、信頼性が高
いことが解る。
これは本発明品に用いたゴム状シリコーン樹脂は従来品
に用いたゲル状シリコーン樹脂に比較してその分子構造
が安定していることに依ると考えられる。
に用いたゲル状シリコーン樹脂に比較してその分子構造
が安定していることに依ると考えられる。
以上の如く本発明品にあってはセンナ本体とこれを配設
する基台との間に所定硬度のゴム状シリコーン樹脂を所
定厚さに介在せしめることとしであるから、オフセット
電圧の追随性に優れ、またオフセット電圧の経時的変化
が小さく信頼性が高いなど、本発明は優れた効果を奏す
るものである。
する基台との間に所定硬度のゴム状シリコーン樹脂を所
定厚さに介在せしめることとしであるから、オフセット
電圧の追随性に優れ、またオフセット電圧の経時的変化
が小さく信頼性が高いなど、本発明は優れた効果を奏す
るものである。
第１図は本発明品の断面構造図、第２図は本発明品に用
いるゴム状シリコーン樹脂の２度とセンサ本体の出力特
性との関係を示すグラフ、第３図は同じく本発明品に用
いるゴム状シリコーン樹脂の厚さとセンサ本体の出力特
性との関係を示すグラフ、第４，５図は本発明品と従来
品との比較試験結果を示すグラフである。 ■・・・ケース １ａ・・・基台 １ｂ・・・キャップ
２・・・センサ本体 ２ａ・・−ダイヤフラム部 ２
ｂ・・・円環状基部２ｃ・・・ピエゾ抵抗素子 ３・・
・ゴム状シリコーン樹脂５・・・被覆材 特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 第１図 ＯＩＱ ２０ ３０ ４０ ５０コ゛
ム汰シリコーン甜脂ｂ￥＃、（ＪＩＳΔ）第２図 コス状シリコーン捌ｆｉＦｒＭ４漬Ｍ）ｈｔ（、＆ｒｎ
）第３図 ８舎 Ｉｖｌｃ日） ’＃５１２１ 時 聞 ０時） 第４図 手続１市正書 （自発）６゜ 昭和６０年１月３０ｒｌ （ｉ−１昭和５９年特
許願第２５４６９９℃ （２）
２、 発明の名称
と４゛μ導体圧カセンサ
（３）３、 補正をする者
部１事件との関係 特許出願人
（４）所在地 守口市京阪本通２丁
目１８番地 人名 称 （１８８）三洋電機
株式会社 ン・代表者 井 植 薫
（５）４、代理人
う住 所 ■５４３大阪市天王寺
区四天王寺 うＩ丁目１４番２２号 日進ビル２
０７号 （６）明細書の「発明の詳細な説明」及び
「図面の ６−：簡単な説明」の掴並びに図面 補正の内容 ［−発明の詳細な説明」の掴 明ＨＪ７ｉの第２頁１１行目に１円環状基部」とあを、
「矩形状基部」と訂正する。 明細♂の第５頁４行目に「圧力導入口１ｄ、ｌｅ ｊち
るを、［圧力導入口１ｄ、１ｃ Ｊと訂正する。 明Ｉｌ［ｌ書の第５頁７行目、ｌＯ行目に「円環状基と
ｂ」とあるを、「矩形状基部２ｂＪと訂正する。 明細書の第５頁ｌＯ行目乃至１１行目、■５行目に々「
シリコーン樹脂２ｄｌとあるを、「シリコ−１脂３」と
訂正する。 明細書の第５頁１９行目に「定されていこのよなゴム状
」とあるを、「定されている。このよなゴム状」と訂正
する。 明ｍ書の第５頁２０行目にｒＴＳＴ３１３０ Ｊとある
、ｒＴｓＪ３１３０ Ｊと訂正する。 明細書の第７頁６行目に「円環状基部」とあを、「矩形
状基部」と訂正する。 ４、図面の簡単な説明 明細書の第１０頁７行目にｒ２ｂ・・・円環状基部」と
あるを１−２ｂ・・・矩形状基部」と訂正する。 ６−３図面 第１図を別紙のとおり訂正する。 ７゜ 添付書類の目録 （１）訂正図面 １通第 １ 図
いるゴム状シリコーン樹脂の２度とセンサ本体の出力特
性との関係を示すグラフ、第３図は同じく本発明品に用
いるゴム状シリコーン樹脂の厚さとセンサ本体の出力特
性との関係を示すグラフ、第４，５図は本発明品と従来
品との比較試験結果を示すグラフである。 ■・・・ケース １ａ・・・基台 １ｂ・・・キャップ
２・・・センサ本体 ２ａ・・−ダイヤフラム部 ２
ｂ・・・円環状基部２ｃ・・・ピエゾ抵抗素子 ３・・
・ゴム状シリコーン樹脂５・・・被覆材 特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 第１図 ＯＩＱ ２０ ３０ ４０ ５０コ゛
ム汰シリコーン甜脂ｂ￥＃、（ＪＩＳΔ）第２図 コス状シリコーン捌ｆｉＦｒＭ４漬Ｍ）ｈｔ（、＆ｒｎ
）第３図 ８舎 Ｉｖｌｃ日） ’＃５１２１ 時 聞 ０時） 第４図 手続１市正書 （自発）６゜ 昭和６０年１月３０ｒｌ （ｉ−１昭和５９年特
許願第２５４６９９℃ （２）
２、 発明の名称
と４゛μ導体圧カセンサ
（３）３、 補正をする者
部１事件との関係 特許出願人
（４）所在地 守口市京阪本通２丁
目１８番地 人名 称 （１８８）三洋電機
株式会社 ン・代表者 井 植 薫
（５）４、代理人
う住 所 ■５４３大阪市天王寺
区四天王寺 うＩ丁目１４番２２号 日進ビル２
０７号 （６）明細書の「発明の詳細な説明」及び
「図面の ６−：簡単な説明」の掴並びに図面 補正の内容 ［−発明の詳細な説明」の掴 明ＨＪ７ｉの第２頁１１行目に１円環状基部」とあを、
「矩形状基部」と訂正する。 明細♂の第５頁４行目に「圧力導入口１ｄ、ｌｅ ｊち
るを、［圧力導入口１ｄ、１ｃ Ｊと訂正する。 明Ｉｌ［ｌ書の第５頁７行目、ｌＯ行目に「円環状基と
ｂ」とあるを、「矩形状基部２ｂＪと訂正する。 明細書の第５頁ｌＯ行目乃至１１行目、■５行目に々「
シリコーン樹脂２ｄｌとあるを、「シリコ−１脂３」と
訂正する。 明細書の第５頁１９行目に「定されていこのよなゴム状
」とあるを、「定されている。このよなゴム状」と訂正
する。 明ｍ書の第５頁２０行目にｒＴＳＴ３１３０ Ｊとある
、ｒＴｓＪ３１３０ Ｊと訂正する。 明細書の第７頁６行目に「円環状基部」とあを、「矩形
状基部」と訂正する。 ４、図面の簡単な説明 明細書の第１０頁７行目にｒ２ｂ・・・円環状基部」と
あるを１−２ｂ・・・矩形状基部」と訂正する。 ６−３図面 第１図を別紙のとおり訂正する。 ７゜ 添付書類の目録 （１）訂正図面 １通第 １ 図
Claims (1)
- １、ピエゾ抵抗効果をもつ感圧素子を備えたダイヤフラ
ム部を有するセンサ本体をケースの基台上に接着せしめ
てなる半導体圧力センサにおいて、前記基台とセンサ本
体との間をゴム状シリコーン樹脂であって、ＪＩＳＫ６
３０１に基づく硬度（ＪＩＳＡ）が１０以上４０以下に
、また厚さは１０μｍ以上２００μｍ以下に設定したこ
とを特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25469984A JPS61131567A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25469984A JPS61131567A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61131567A true JPS61131567A (ja) | 1986-06-19 |
Family
ID=17268624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25469984A Pending JPS61131567A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61131567A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0476960A (ja) * | 1990-07-19 | 1992-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | 圧力検出装置 |
| JPH0476957A (ja) * | 1990-07-19 | 1992-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度検出装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5821131A (ja) * | 1981-07-29 | 1983-02-07 | Toshiba Corp | 半導体圧力センサ |
| JPS59154332A (ja) * | 1983-02-22 | 1984-09-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP25469984A patent/JPS61131567A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5821131A (ja) * | 1981-07-29 | 1983-02-07 | Toshiba Corp | 半導体圧力センサ |
| JPS59154332A (ja) * | 1983-02-22 | 1984-09-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0476960A (ja) * | 1990-07-19 | 1992-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | 圧力検出装置 |
| JPH0476957A (ja) * | 1990-07-19 | 1992-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度検出装置 |
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