JPS63233342A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPS63233342A JPS63233342A JP6660787A JP6660787A JPS63233342A JP S63233342 A JPS63233342 A JP S63233342A JP 6660787 A JP6660787 A JP 6660787A JP 6660787 A JP6660787 A JP 6660787A JP S63233342 A JPS63233342 A JP S63233342A
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（（）産業上の利用分野
本発明は半導体圧力センナに関する。
（ロ）従来の技術
ダイアフラム部をもつシリコン圧力センサベレットを基
台に装着せる形態の半導体圧力センナはダイアフラム部
が被測定圧力により変形したときその変形量をピエゾ抵
抗効果を利用して電気量に変換し、圧力検出をなすもの
である。
台に装着せる形態の半導体圧力センナはダイアフラム部
が被測定圧力により変形したときその変形量をピエゾ抵
抗効果を利用して電気量に変換し、圧力検出をなすもの
である。
従って、この種のセンナでは、被測定圧力以外の他の要
因によりダイアフラム部が変形すると。
因によりダイアフラム部が変形すると。
もはや正確な圧力検出を行えない。通常、最も問題とな
る上記他の要因はセンナベレットと基台との間の熱膨張
係数の差である。即ち、この場合。
る上記他の要因はセンナベレットと基台との間の熱膨張
係数の差である。即ち、この場合。
温度変化によってセンナの出力が変化してしまうのであ
る。
る。
従来、この様な熱膨張係数の差の問題を解決すべく、セ
ンサペレットと基台との間をシリコンゴムにより接着し
１両者間の熱的歪の緩和を図ることも提案されているが
満足いくものではない。加えて、シリコンゴムはその硬
化時に収縮するのでその残留歪がダイアプラム部に影畳
を与える。
ンサペレットと基台との間をシリコンゴムにより接着し
１両者間の熱的歪の緩和を図ることも提案されているが
満足いくものではない。加えて、シリコンゴムはその硬
化時に収縮するのでその残留歪がダイアプラム部に影畳
を与える。
先行技術として特開昭５９−１０２１３１号公報に開示
された発明は、センサペレットと基台との間の接着材と
して、ゲル状シリコーンを用いることで熱的歪の問題を
劇的に解決した。しかし。
された発明は、センサペレットと基台との間の接着材と
して、ゲル状シリコーンを用いることで熱的歪の問題を
劇的に解決した。しかし。
この場合ゲル状シリコーンは接着力が比較的弱く従って
測定圧力印加時にセンチペレットを基台からはがす方向
の大きな力がダイアフラム部にかかった場合、センサペ
レットと基台との間の接着状態が破壊に至る危惧がある
。これを防ぐためには基台上面にセンサペレットをゲル
状シリコーンで接着すると共に、更に基台上面からセン
サペレット上面にかけてゲル状シリコーンで覆いつくさ
ねば々らず、それには大鼠のゲル状シリコーンを必要と
し高価につく。
測定圧力印加時にセンチペレットを基台からはがす方向
の大きな力がダイアフラム部にかかった場合、センサペ
レットと基台との間の接着状態が破壊に至る危惧がある
。これを防ぐためには基台上面にセンサペレットをゲル
状シリコーンで接着すると共に、更に基台上面からセン
サペレット上面にかけてゲル状シリコーンで覆いつくさ
ねば々らず、それには大鼠のゲル状シリコーンを必要と
し高価につく。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
本発明は、低価格にして、かつ熱的歪と接着力との問題
を解決しようとするものである。
を解決しようとするものである。
に）問題点を解決するための手段
本発明はシリコン圧力センナペレットと基台との間の接
着材として、シリコン粉、アルミナ粉。
着材として、シリコン粉、アルミナ粉。
シリカ粉の少くとも一種類以上を混入したゴム樹脂を用
いたことを特徴とする。
いたことを特徴とする。
（へ）作 用
本発明に使用するゴム樹脂は１強い接着力を示すと共に
、単体のゴム樹脂よりもシリコンに近い熱膨張係数を示
し、かつ樹脂硬化時の収縮も少ない。
、単体のゴム樹脂よりもシリコンに近い熱膨張係数を示
し、かつ樹脂硬化時の収縮も少ない。
（）ｌ実施例
図面は１本発明実施例の圧力センナ（１）を示す。
このセンサ（１）は、基台（２）の上面にその孔（３）
を塞ぐ配置にて圧力センナペレット（４）を装着し、ペ
レット表面を被覆材（５）で覆った後、圧力導入筒（６
６）を有するパッケージ（６）を基台（２）上面に気密
固着した構造をもつ。
を塞ぐ配置にて圧力センナペレット（４）を装着し、ペ
レット表面を被覆材（５）で覆った後、圧力導入筒（６
６）を有するパッケージ（６）を基台（２）上面に気密
固着した構造をもつ。
ペレット（４）はシリコンで形成され、約４００μｍ厚
さの環状周囲基部（４ａ）と、エツチングにより肉薄と
された約５０μｍ厚さの円板状ダイアフラム部（４ｂ）
とからなる。ダイアフラム部（４１３）の表面にはピエ
ゾ抵抗素子となる複数の拡散層（７）（７）・・・と、
因には現われていないが、これら拡散層より基部（４ａ
）の上面に啼で延びる配線層が形成され、各配線層は基
台（２］に植設したリード（８）に金属細線（９）を介
して電気的に連なっている。
さの環状周囲基部（４ａ）と、エツチングにより肉薄と
された約５０μｍ厚さの円板状ダイアフラム部（４ｂ）
とからなる。ダイアフラム部（４１３）の表面にはピエ
ゾ抵抗素子となる複数の拡散層（７）（７）・・・と、
因には現われていないが、これら拡散層より基部（４ａ
）の上面に啼で延びる配線層が形成され、各配線層は基
台（２］に植設したリード（８）に金属細線（９）を介
して電気的に連なっている。
本実施例の特徴として、ペレットの基部（４ａ）は、シ
リコン粉を混入したゴム樹脂からなる接着材α１にて基
台（２）に装着されている。接着材ｅｌｌはゴム樹脂で
あるため接着力が強く（ゲル状シリコーンの約１０倍）
、又シリコン粉を混入しているため、ペレット（４）を
構成するシリコンの熱膨張係数（５−４Ｘ １０ ””
７℃）により近いそれをもち。
リコン粉を混入したゴム樹脂からなる接着材α１にて基
台（２）に装着されている。接着材ｅｌｌはゴム樹脂で
あるため接着力が強く（ゲル状シリコーンの約１０倍）
、又シリコン粉を混入しているため、ペレット（４）を
構成するシリコンの熱膨張係数（５−４Ｘ １０ ””
７℃）により近いそれをもち。
かつ樹脂硬化時の熱収縮が軽減される。
接着材ａＱ用のゴム樹脂としては、シリコンゴムが好適
であり１例えばトーレシリコーン（株）よシ市販されて
いる品番ＪＯＲ６１２１のものが使用され、又シリコン
粉としては粒径５０μｍ以下のものが重量比にて、（ゴ
ム樹脂）＝（シリコン粉）−２：０．８乃至２：１２の
範囲、好適には２：１の割合で混入される。この様な混
入体は真空中にて、よく脱泡した後、５０μｍ程度の厚
みで基台（２）上に塗布され、ペレット（４）装着後、
７０℃。
であり１例えばトーレシリコーン（株）よシ市販されて
いる品番ＪＯＲ６１２１のものが使用され、又シリコン
粉としては粒径５０μｍ以下のものが重量比にて、（ゴ
ム樹脂）＝（シリコン粉）−２：０．８乃至２：１２の
範囲、好適には２：１の割合で混入される。この様な混
入体は真空中にて、よく脱泡した後、５０μｍ程度の厚
みで基台（２）上に塗布され、ペレット（４）装着後、
７０℃。
１時間の削加熱及び９０℃、２〜４時間の後加熱で硬化
される。
される。
基台（２）の材料には、鉄又はコバール等が用いられる
。被覆材（５）としては、ダイアフラム部（４１））の
表面保護のために、例えばゲル状シリコーンを用いて良
く、この場合ゲル状シリコーンの使用量は橋めて少なく
て済み、高価とならない。
。被覆材（５）としては、ダイアフラム部（４１））の
表面保護のために、例えばゲル状シリコーンを用いて良
く、この場合ゲル状シリコーンの使用量は橋めて少なく
て済み、高価とならない。
尚、Ｖリコン粉の他、アルミナ粉やりリカ粉を夫々単独
で、又は組合わせてゴム樹脂に混入されて良い。
で、又は組合わせてゴム樹脂に混入されて良い。
（ト） 発明の効果
本発明によれは、熱的歪や接着力不足を伴うことなく、
かつ安価にセンサペレットと基台との接着を行うことが
できる。
かつ安価にセンサペレットと基台との接着を行うことが
できる。
（４）はシリコン圧力センサペレット、叫は接着材であ
る。
る。
Claims (1)
- （１）ダイアフラム部をもつシリコン圧力センサペレツ
トを、シリコン粉、アルミナ粉、シリカ粉の少なくとも
一種類以上を混入したゴム樹脂により、基台に接着した
ことを特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62066607A JPH071214B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62066607A JPH071214B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63233342A true JPS63233342A (ja) | 1988-09-29 |
| JPH071214B2 JPH071214B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=13320756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62066607A Expired - Fee Related JPH071214B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071214B2 (ja) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5026855A (ja) * | 1973-07-09 | 1975-03-19 | ||
| JPS5128309A (ja) * | 1974-09-02 | 1976-03-10 | San Ando Shii Konsarutanto Kk | Sandodoreenkohonokeeshingudonyukokutsusakusochi |
| JPS5448853A (en) * | 1977-09-26 | 1979-04-17 | Toshiba Silicone | Organopolysiloxane curable into rubbery state |
| JPS5544778A (en) * | 1978-09-27 | 1980-03-29 | Hitachi Chem Co Ltd | Package formation of semiconductor and the like |
| JPS56122926A (en) * | 1980-02-06 | 1981-09-26 | Keller Hans W | Pressure measuring cell by piezoelectric resistance |
| JPS5821131A (ja) * | 1981-07-29 | 1983-02-07 | Toshiba Corp | 半導体圧力センサ |
| JPS58219259A (ja) * | 1982-06-14 | 1983-12-20 | Toray Silicone Co Ltd | 熱伝導性シリコ−ンゴム組成物 |
| JPS59102131A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPS61157569A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-17 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 熱伝導性接着組成物 |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP62066607A patent/JPH071214B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5026855A (ja) * | 1973-07-09 | 1975-03-19 | ||
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| JPS5821131A (ja) * | 1981-07-29 | 1983-02-07 | Toshiba Corp | 半導体圧力センサ |
| JPS58219259A (ja) * | 1982-06-14 | 1983-12-20 | Toray Silicone Co Ltd | 熱伝導性シリコ−ンゴム組成物 |
| JPS59102131A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPS61157569A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-17 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 熱伝導性接着組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH071214B2 (ja) | 1995-01-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |