JPS5820959B2 - スルホンサンエステルルイ ノ セイゾウホウ - Google Patents
スルホンサンエステルルイ ノ セイゾウホウInfo
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- JPS5820959B2 JPS5820959B2 JP4873673A JP4873673A JPS5820959B2 JP S5820959 B2 JPS5820959 B2 JP S5820959B2 JP 4873673 A JP4873673 A JP 4873673A JP 4873673 A JP4873673 A JP 4873673A JP S5820959 B2 JPS5820959 B2 JP S5820959B2
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- C07D257/04—Five-membered rings
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- C07C67/00—Preparation of carboxylic acid esters
- C07C67/08—Preparation of carboxylic acid esters by reacting carboxylic acids or symmetrical anhydrides with the hydroxy or O-metal group of organic compounds
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は一般式
％式％（）
（式中、Ｒ１は置換もしくは非置換脂肪族炭化水素残基
を意味する） で示されるスルホン酸類もしくはその反応性誘導体に一
般式 ％式％（） （式中、Ｒ２は窒素原子に結合手を有し、かつニトロ基
、ハロゲン、オキソ基またはアルケニル基から選ばれた
基で置換されていてもよいベンゾトリアジニル基もしく
はベンゾトリアゾリル基を意味する） で示されるＮ−ヒドロキシ化合物もしくはその塩類を作
用させて一般式 ％式％（） （式中、Ｒ□およびＲ２は前と同じ意味）で示されるス
ルホン酸エステル類を得ることからなるスルホン酸エス
テル類の製造法に関するものである。
を意味する） で示されるスルホン酸類もしくはその反応性誘導体に一
般式 ％式％（） （式中、Ｒ２は窒素原子に結合手を有し、かつニトロ基
、ハロゲン、オキソ基またはアルケニル基から選ばれた
基で置換されていてもよいベンゾトリアジニル基もしく
はベンゾトリアゾリル基を意味する） で示されるＮ−ヒドロキシ化合物もしくはその塩類を作
用させて一般式 ％式％（） （式中、Ｒ□およびＲ２は前と同じ意味）で示されるス
ルホン酸エステル類を得ることからなるスルホン酸エス
テル類の製造法に関するものである。
この発明は新規なアミド化縮合剤の製造法を提供するも
のである。
のである。
この発明の目的物質、スルホン酸エステル類（ｍ）を縮
合剤として用い、カルボン酸類とアミン類とを反応させ
ると高収率でかつ短時間でアミドを生成する。
合剤として用い、カルボン酸類とアミン類とを反応させ
ると高収率でかつ短時間でアミドを生成する。
この発明の目的物質は一般に安定な結晶であって水と接
触させても加水分解されにく〜、また他の縮合剤のよう
にかふれや火傷などを生ずる危険性もなく、取り扱いが
非常に簡便である利点を有し、さらにこの発明の目的物
質を縮合剤として使用した場合アミド化反応は緩和な条
件下ですみやかに進行し、副反応を伴う恐れも少な（、
不安定な化合物の合成にも適し、従来の方法のようにあ
らかじめカルボン酸を活性化することなく直接にアミン
と反応させることができる等の優れた特徴を有するもの
である３この発明はスルホン酸類（Ｉ）もしくはその反
応性誘導体にＮ−ヒドロキシ化合物（ｎ）もしくはその
塩類を作用させることにより行われる。
触させても加水分解されにく〜、また他の縮合剤のよう
にかふれや火傷などを生ずる危険性もなく、取り扱いが
非常に簡便である利点を有し、さらにこの発明の目的物
質を縮合剤として使用した場合アミド化反応は緩和な条
件下ですみやかに進行し、副反応を伴う恐れも少な（、
不安定な化合物の合成にも適し、従来の方法のようにあ
らかじめカルボン酸を活性化することなく直接にアミン
と反応させることができる等の優れた特徴を有するもの
である３この発明はスルホン酸類（Ｉ）もしくはその反
応性誘導体にＮ−ヒドロキシ化合物（ｎ）もしくはその
塩類を作用させることにより行われる。
スルホン酸類とは前記一般式（Ｉ）で示され、さらに詳
細には、Ｒ１の置換もしくは非置換脂肪族炭化水素残基
における脂肪族炭化水素残基とは飽和もしくは不飽和の
脂肪族炭化水素残基であって、側鎖を有しあるいは環状
になってもよく、さらに具体的には例えば、メチル、エ
チル、プロピル、イソプロピル、ブチル、インブチル、
ペンチル等のアルキル、ビニル、２−７”ロペニル、１
−インプロペニル、３−ブテニル、２−メチル−２−プ
ロペニル等のアルケニル、エチニル、２−７’ロピニル
等のアルキニル、シクロプロピル、シクロフチル、シク
ロペンチル、シクロヘキシル等のシクロアルキル、シク
ロプロペニル、シクロブテニル、シクロペンテニル、シ
クロヘキセニル等のシクロアルケニル、１・７・７−ド
リメチルビシクロ〔２・２・ｌ〕ヘプチル等のジシクロ
アルキル、シクロプロピルメチル、シクロブチルメチル
、シクロヘキシルメチル、２−シクロヘキシルエチル等
のシクロアルキル−アルキル、２−シクロヘキシルビニ
ル、３−シクロヘキシル−２−プロペニル等のシクロア
ルキル−アルケニル、シクロプロペニルメチル、２−シ
クロブテニルエチル、シクロヘキセニルメチル等のシク
ロアルケニル−アルキル、２−シクロヘキセニルビニル
、３−シクロヘキセニル−２−（２−メチルプロペニル
）等のシクロアルケニル−アルケニル、７・７−シメチ
ルビシクロ〔２・２・ｌ〕ヘプチルメチル、７・７−シ
メチルー２−ビシクロ〔２・２・１〕へブチルエチル等
のビシクロアルキル−アルキル等が挙げられる。
細には、Ｒ１の置換もしくは非置換脂肪族炭化水素残基
における脂肪族炭化水素残基とは飽和もしくは不飽和の
脂肪族炭化水素残基であって、側鎖を有しあるいは環状
になってもよく、さらに具体的には例えば、メチル、エ
チル、プロピル、イソプロピル、ブチル、インブチル、
ペンチル等のアルキル、ビニル、２−７”ロペニル、１
−インプロペニル、３−ブテニル、２−メチル−２−プ
ロペニル等のアルケニル、エチニル、２−７’ロピニル
等のアルキニル、シクロプロピル、シクロフチル、シク
ロペンチル、シクロヘキシル等のシクロアルキル、シク
ロプロペニル、シクロブテニル、シクロペンテニル、シ
クロヘキセニル等のシクロアルケニル、１・７・７−ド
リメチルビシクロ〔２・２・ｌ〕ヘプチル等のジシクロ
アルキル、シクロプロピルメチル、シクロブチルメチル
、シクロヘキシルメチル、２−シクロヘキシルエチル等
のシクロアルキル−アルキル、２−シクロヘキシルビニ
ル、３−シクロヘキシル−２−プロペニル等のシクロア
ルキル−アルケニル、シクロプロペニルメチル、２−シ
クロブテニルエチル、シクロヘキセニルメチル等のシク
ロアルケニル−アルキル、２−シクロヘキセニルビニル
、３−シクロヘキセニル−２−（２−メチルプロペニル
）等のシクロアルケニル−アルケニル、７・７−シメチ
ルビシクロ〔２・２・ｌ〕ヘプチルメチル、７・７−シ
メチルー２−ビシクロ〔２・２・１〕へブチルエチル等
のビシクロアルキル−アルキル等が挙げられる。
これらの脂肪族炭化水素残基はその任意の位置に適当な
置換分を１個もしくはそれ以上有していてもよく、この
様な置換分としてはメトキシ、エトキシ、プロポキシ、
イソプロポキシ等のアルコキシ、メチルチオ、エチルチ
オ、プロピルチオ、イソプロピルチオ等のアルキルチオ
、アミノ、メルカプト、ニトロ、シアノ、り臘し、フル
オル、ブロム等のハロゲン、オキソ、カルボキシ、スル
ホ、クロロスルホニル、ブロモスルホニル、フルオロス
ルホニル等のハロスルホニル、ヒドロキシ、ヒドロキシ
アミノ、モノ（もしくはジ）メチルアミン、モノ（もし
くはジ）エチルアミノ、モノ（もしくはジ）プロピルア
ミン、モノ（もしくはジ）イソプロピルアミン等のモノ
（もしくはジ）アルキルアミノ基、アリール基、アシル
基および複素環基等カー挙げられる。
置換分を１個もしくはそれ以上有していてもよく、この
様な置換分としてはメトキシ、エトキシ、プロポキシ、
イソプロポキシ等のアルコキシ、メチルチオ、エチルチ
オ、プロピルチオ、イソプロピルチオ等のアルキルチオ
、アミノ、メルカプト、ニトロ、シアノ、り臘し、フル
オル、ブロム等のハロゲン、オキソ、カルボキシ、スル
ホ、クロロスルホニル、ブロモスルホニル、フルオロス
ルホニル等のハロスルホニル、ヒドロキシ、ヒドロキシ
アミノ、モノ（もしくはジ）メチルアミン、モノ（もし
くはジ）エチルアミノ、モノ（もしくはジ）プロピルア
ミン、モノ（もしくはジ）イソプロピルアミン等のモノ
（もしくはジ）アルキルアミノ基、アリール基、アシル
基および複素環基等カー挙げられる。
ここにおいて、アリールとしては、例えばフェニル、キ
シリル、トリル、ナフチル等が挙げられ、さらにこれら
のアリール基はその任意の位置に適当な置換分を１個も
しくはそれ以上有していてもよく、この様な置換分とし
てはメトキシ、エトキシ、プロポキシ等のアルコキシ、
メチルチオ、エチルチオ等のアルキルチオ、アミン、メ
ルカプト、ニトロ、シアノ、クロル、フルオル、ブロム
等のハロゲン、カルボキシ、スルホ、ヒドロキシ、ヒド
ロキシアミノ、モノ（もしくはジ）メチルアミン、モノ
（もしくはジ）エチルアミノ等のモノ（もしくはジ）ア
ルキルアミノ酸等が挙げられ、さらにこの様な置換分を
有するアリールとしては、例えば４−メトキシフェニ／
し、４−メチルチオフェニル、４−アミノフェニル、α
−アミノナフチル、２−アミノ−３−ヒドロキシフェニ
ル、４−メルカプトフェニル、４−ニトロフェニル、４
−シアノフェニル、４−クロロフェニル、４−メトキシ
カルボニルフェニル、４−スルホフェニル、４−ヒドロ
キシフェニル、４−ヒドロキシアミノフェニル、４−ジ
メチルアミノフェニル等が挙げられる。
シリル、トリル、ナフチル等が挙げられ、さらにこれら
のアリール基はその任意の位置に適当な置換分を１個も
しくはそれ以上有していてもよく、この様な置換分とし
てはメトキシ、エトキシ、プロポキシ等のアルコキシ、
メチルチオ、エチルチオ等のアルキルチオ、アミン、メ
ルカプト、ニトロ、シアノ、クロル、フルオル、ブロム
等のハロゲン、カルボキシ、スルホ、ヒドロキシ、ヒド
ロキシアミノ、モノ（もしくはジ）メチルアミン、モノ
（もしくはジ）エチルアミノ等のモノ（もしくはジ）ア
ルキルアミノ酸等が挙げられ、さらにこの様な置換分を
有するアリールとしては、例えば４−メトキシフェニ／
し、４−メチルチオフェニル、４−アミノフェニル、α
−アミノナフチル、２−アミノ−３−ヒドロキシフェニ
ル、４−メルカプトフェニル、４−ニトロフェニル、４
−シアノフェニル、４−クロロフェニル、４−メトキシ
カルボニルフェニル、４−スルホフェニル、４−ヒドロ
キシフェニル、４−ヒドロキシアミノフェニル、４−ジ
メチルアミノフェニル等が挙げられる。
さらに、脂肪族炭化水素残基の置換分におけるアシルと
しては有機カルボン酸または有機スルホン酸からヒドロ
キシ基を除いた基を意味し、さらに詳細には脂肪族アシ
ル、芳香環を含むアシルまたは複素環を含むアシルのす
べてを意味する。
しては有機カルボン酸または有機スルホン酸からヒドロ
キシ基を除いた基を意味し、さらに詳細には脂肪族アシ
ル、芳香環を含むアシルまたは複素環を含むアシルのす
べてを意味する。
さらに脂肪族アシルとしては飽和もしくは不飽和アルカ
ノイルまたは飽和モしくは不飽和アルカンスルホニルで
あって側鎖を有しあるいは環状になってもよく、例えば
ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブ
チリル、バレリル、インバレリル、ピバロイル、アクリ
ロイル、クロトノイル、２−メチルアクリロイル、シク
ロペンチルカルボニル、シクロヘキシルカルボニル、シ
クロヘプチルカルボニル、サクシニル、シクロペンチル
アセチル、シクロヘキシルアセチル、シクロヘプチルア
セチル、シクロヘキシルプロピオニル、シクロヘキシル
プロピオニル、ジヒドロベンゾイル、２・４・６−シク
ロヘブタトリエニルアセチル、ジヒドロフェニルアセチ
ル、メタンスルホニル、エタンスルホニル、プロパンス
ルホニル、メタンスルホニル、ビニルスルホニル、アリ
ルスルホニル、エチニルスルホニル、シクロプロピルス
ルホニル、シクロフチルスルホニル、シクロペンチルス
ルホニル、シクロへキシルスルホニル等があげられ、ま
たこれらの飽和もしくは不飽和アルカノイルのアルキル
部分の炭素原子は酸素原子または硫黄原子で置き変えら
れていてもよく、この様な基としては、例えばメトキシ
アセチル、メチルチオアセチル、２−プロペニルチオア
セチル、シクロヘキシルチオアセチル、シクロヘキシル
オキシアセチル、ジヒドロフェノキシアセチル、ジヒド
ロフェニルチオアセチル等が挙げられる。
ノイルまたは飽和モしくは不飽和アルカンスルホニルで
あって側鎖を有しあるいは環状になってもよく、例えば
ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブ
チリル、バレリル、インバレリル、ピバロイル、アクリ
ロイル、クロトノイル、２−メチルアクリロイル、シク
ロペンチルカルボニル、シクロヘキシルカルボニル、シ
クロヘプチルカルボニル、サクシニル、シクロペンチル
アセチル、シクロヘキシルアセチル、シクロヘプチルア
セチル、シクロヘキシルプロピオニル、シクロヘキシル
プロピオニル、ジヒドロベンゾイル、２・４・６−シク
ロヘブタトリエニルアセチル、ジヒドロフェニルアセチ
ル、メタンスルホニル、エタンスルホニル、プロパンス
ルホニル、メタンスルホニル、ビニルスルホニル、アリ
ルスルホニル、エチニルスルホニル、シクロプロピルス
ルホニル、シクロフチルスルホニル、シクロペンチルス
ルホニル、シクロへキシルスルホニル等があげられ、ま
たこれらの飽和もしくは不飽和アルカノイルのアルキル
部分の炭素原子は酸素原子または硫黄原子で置き変えら
れていてもよく、この様な基としては、例えばメトキシ
アセチル、メチルチオアセチル、２−プロペニルチオア
セチル、シクロヘキシルチオアセチル、シクロヘキシル
オキシアセチル、ジヒドロフェノキシアセチル、ジヒド
ロフェニルチオアセチル等が挙げられる。
また芳香環を含むアシルとしてはベンゾイル、トルオイ
ル、ナフトイル、α−メチルナフトイル、フタロイル、
テトラヒドロナフトイル等のアリロイル、フェニルアセ
チル、フェニルプロピオニル、フェニルブチリル、トリ
ルアセチル、キシリルアセチル、ナフチルアセチル、テ
トラヒドロナフチルアセチル等のアシルカッイル、ベン
ゼンスルホニル、ナフチルスルホニル、ｐ−トルエンス
ホニル等ノアリールスルホニルおよびベンジルスルホニ
ル、フェネチルスルホニル等のアラルキルスルホニルを
含み、またこのアラルカメイルのアルキル部分の炭素原
子は酸素原子または硫黄原子で置き換えられていてもよ
く、この様な基としては例えばフェノキシアセチル、フ
ェニルチオアセチル、２−フェニルプロピオニル、２−
フェノキシブチリル等が挙げられる。
ル、ナフトイル、α−メチルナフトイル、フタロイル、
テトラヒドロナフトイル等のアリロイル、フェニルアセ
チル、フェニルプロピオニル、フェニルブチリル、トリ
ルアセチル、キシリルアセチル、ナフチルアセチル、テ
トラヒドロナフチルアセチル等のアシルカッイル、ベン
ゼンスルホニル、ナフチルスルホニル、ｐ−トルエンス
ホニル等ノアリールスルホニルおよびベンジルスルホニ
ル、フェネチルスルホニル等のアラルキルスルホニルを
含み、またこのアラルカメイルのアルキル部分の炭素原
子は酸素原子または硫黄原子で置き換えられていてもよ
く、この様な基としては例えばフェノキシアセチル、フ
ェニルチオアセチル、２−フェニルプロピオニル、２−
フェノキシブチリル等が挙げられる。
さらに複素環を含むアシルとしては、酸素原子、硫黄原
子、窒素原子その他のへテロ原子を少なくとも１個もし
くはそれ以上含む飽和もしくは不飽和複数単環もしくは
複素多環残基、例えばチェニル、ベンゾチェニル、フリ
ル、ヒラニル、５・６−シヒドロー２Ｈ−ピラニル、イ
ンベンゾフラニル、クロメニル、キサンテニル、２Ｈ−
ピロリル、３Ｈ−ピロリル、ピロリル、イミダゾリル、
ピラグリル、ピリジル、ピリミジニル、ピラジニル、ピ
リダジニル、イソインドリル、インドリル、イミダゾリ
ル、キノリル、イソキノリル、インキサゾリル、インチ
アゾリル、オキサジアゾリル、ピロリジニル、ピロリニ
ル、イミダゾリジニル、ピペリジニル、ピペラジニル、
ジアゾリル、トリアゾリル、オキサシリル、チアゾリル
、チアジアゾリル、テトラゾリル、ベンズオキサシリル
、ベンズオキサジアゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾ
チアジアゾリル、ベンゾトリアゾリル、ベンズイミダゾ
リル、シトノニル等の複素環を含む複素環カルボニルお
よび複素環スルホニルおよび前記複素環もしくは複素環
置換オキシもしくは複素環置換チオもしくは複素環置換
アミノもしくはＮ−アルキル複素環置換アミン等の基を
置換分として有するアセチル、プロピオニル、ブチリル
、インブチリル、バレリル、イソバレリル、ピバロイル
、アクリロイル、クロトノイル、２−メチルアクリロイ
ル等のアルカノイル、例えばＩＨ（もしくは２Ｈ）−テ
トラゾリルアセチル、テトラゾリルグロピオニル、チェ
ニルアセチル、チェニルプロピオニル、フリルアセチル
、ピペラジニルアセチル、ピロリジニルアセチル、ピロ
リジニルプロピオニル、ピリジルグロピオニル、チアジ
アゾリルアセチル、ベンゾチアゾリルアセチル、シトノ
ニルアセチル、オキサシリルアセチル、ベンズオキサシ
リルアセチル等が挙げられ、またこの複素環を置換分と
して有するアルカノイルのアルキル部分の炭素原子は酸
素原子または硫黄原子で置きかえられていてもよく、こ
の様な基としては、例えばピリジルオキシアセチル、テ
トラゾリルチオアセチル等が挙げられる。
子、窒素原子その他のへテロ原子を少なくとも１個もし
くはそれ以上含む飽和もしくは不飽和複数単環もしくは
複素多環残基、例えばチェニル、ベンゾチェニル、フリ
ル、ヒラニル、５・６−シヒドロー２Ｈ−ピラニル、イ
ンベンゾフラニル、クロメニル、キサンテニル、２Ｈ−
ピロリル、３Ｈ−ピロリル、ピロリル、イミダゾリル、
ピラグリル、ピリジル、ピリミジニル、ピラジニル、ピ
リダジニル、イソインドリル、インドリル、イミダゾリ
ル、キノリル、イソキノリル、インキサゾリル、インチ
アゾリル、オキサジアゾリル、ピロリジニル、ピロリニ
ル、イミダゾリジニル、ピペリジニル、ピペラジニル、
ジアゾリル、トリアゾリル、オキサシリル、チアゾリル
、チアジアゾリル、テトラゾリル、ベンズオキサシリル
、ベンズオキサジアゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾ
チアジアゾリル、ベンゾトリアゾリル、ベンズイミダゾ
リル、シトノニル等の複素環を含む複素環カルボニルお
よび複素環スルホニルおよび前記複素環もしくは複素環
置換オキシもしくは複素環置換チオもしくは複素環置換
アミノもしくはＮ−アルキル複素環置換アミン等の基を
置換分として有するアセチル、プロピオニル、ブチリル
、インブチリル、バレリル、イソバレリル、ピバロイル
、アクリロイル、クロトノイル、２−メチルアクリロイ
ル等のアルカノイル、例えばＩＨ（もしくは２Ｈ）−テ
トラゾリルアセチル、テトラゾリルグロピオニル、チェ
ニルアセチル、チェニルプロピオニル、フリルアセチル
、ピペラジニルアセチル、ピロリジニルアセチル、ピロ
リジニルプロピオニル、ピリジルグロピオニル、チアジ
アゾリルアセチル、ベンゾチアゾリルアセチル、シトノ
ニルアセチル、オキサシリルアセチル、ベンズオキサシ
リルアセチル等が挙げられ、またこの複素環を置換分と
して有するアルカノイルのアルキル部分の炭素原子は酸
素原子または硫黄原子で置きかえられていてもよく、こ
の様な基としては、例えばピリジルオキシアセチル、テ
トラゾリルチオアセチル等が挙げられる。
さらにこれらの脂肪族アシル、芳香環を含むアシルまた
は複素環を含むアシルはその任意の位置に適当な置換分
を１個もしくはそれ以上有していてもよく、この様な置
換分としてはメチル、エチル、プロピル、イソプロピル
等のアルキル、ｌ−プロペニル、２−７”ロペニル等の
アルケニル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロ
ヘキシル、シクロヘプチル等のシクロアルキル、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、インプロポキシ等のアルコ
キシ、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプ
ロピルチオ等のアルキルチオ、フェニル、キシリル、ト
リル等のアリール、ベンジル、フェネチル等のアラルキ
ル、アミン、メルカプト、ニトロ、シアノ、クロル、フ
ルオル、ブロム等のハロゲン、カルボキシ、スルホ、ク
ロロスルホニル、ブロモスルホニル、フルオロスルホニ
ル等のハロスルホニル、ヒドロキシ、ヒドロキシアミノ
、モノ（もしくはジ）メチルアミン、モノ（もしくはジ
）エチルアミノ、モノ（もしくはジ）プロピルアミン、
モノ（もしくはジ）イソプロピルアミン等のモノ（もし
くはジ）アルキルアミノ基等が挙げられ、さらにこの様
な置換分を有する脂肪族アシル、芳香族を含むアシルま
たは複素環を含むアシルとしては、例えばクロロアセチ
ル、クロロメチルスルホニル、シアノアセチル、２−ク
ロロプロピオニル、トリフルオロアセチル、α−アミノ
フェニルアセチル、α−ヒドロキシフェニルアセチル、
ｐ−ヒドロキシフェニルアセチル、２−アミノ−２−（
５・６−ジヒドロ−２Ｈ−ピランー３−イル）アセチル
、２−アミノ−２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）アセチ
ル、２・６−シメトキシベンゾイル、α−ヒドロキシチ
ェニルアセチル、３−フェニル−５−メチル−４−オキ
サシリルカルボニル、３−（２−クロロフェニル）−５
−メチル−４−オキサシリルカルボニル、３−（２・６
−シクロロフエニル）−５−＃ルー４−オキサソリルカ
ルボニル、３−（２〜クロロ−６−フルオロフェニル）
−５−メチル−４＝オキサシリルカルボニル等が挙げら
れる。
は複素環を含むアシルはその任意の位置に適当な置換分
を１個もしくはそれ以上有していてもよく、この様な置
換分としてはメチル、エチル、プロピル、イソプロピル
等のアルキル、ｌ−プロペニル、２−７”ロペニル等の
アルケニル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロ
ヘキシル、シクロヘプチル等のシクロアルキル、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、インプロポキシ等のアルコ
キシ、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプ
ロピルチオ等のアルキルチオ、フェニル、キシリル、ト
リル等のアリール、ベンジル、フェネチル等のアラルキ
ル、アミン、メルカプト、ニトロ、シアノ、クロル、フ
ルオル、ブロム等のハロゲン、カルボキシ、スルホ、ク
ロロスルホニル、ブロモスルホニル、フルオロスルホニ
ル等のハロスルホニル、ヒドロキシ、ヒドロキシアミノ
、モノ（もしくはジ）メチルアミン、モノ（もしくはジ
）エチルアミノ、モノ（もしくはジ）プロピルアミン、
モノ（もしくはジ）イソプロピルアミン等のモノ（もし
くはジ）アルキルアミノ基等が挙げられ、さらにこの様
な置換分を有する脂肪族アシル、芳香族を含むアシルま
たは複素環を含むアシルとしては、例えばクロロアセチ
ル、クロロメチルスルホニル、シアノアセチル、２−ク
ロロプロピオニル、トリフルオロアセチル、α−アミノ
フェニルアセチル、α−ヒドロキシフェニルアセチル、
ｐ−ヒドロキシフェニルアセチル、２−アミノ−２−（
５・６−ジヒドロ−２Ｈ−ピランー３−イル）アセチル
、２−アミノ−２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）アセチ
ル、２・６−シメトキシベンゾイル、α−ヒドロキシチ
ェニルアセチル、３−フェニル−５−メチル−４−オキ
サシリルカルボニル、３−（２−クロロフェニル）−５
−メチル−４−オキサシリルカルボニル、３−（２・６
−シクロロフエニル）−５−＃ルー４−オキサソリルカ
ルボニル、３−（２〜クロロ−６−フルオロフェニル）
−５−メチル−４＝オキサシリルカルボニル等が挙げら
れる。
さらにまた、脂肪族炭化水素残基の置換分における複素
環基としては、酸素、窒素、硫黄原子またはその他のへ
テロ原子を少なくとも１個含むか、または同一もしくは
異なってこれらの原子を１個以上含む脂肪族もしくは芳
香族複素単環基もしくは複素多環基を含むものである。
環基としては、酸素、窒素、硫黄原子またはその他のへ
テロ原子を少なくとも１個含むか、または同一もしくは
異なってこれらの原子を１個以上含む脂肪族もしくは芳
香族複素単環基もしくは複素多環基を含むものである。
例えば、ピロリジニル、ピペラジニル、ピペリジル、ピ
ペリジノ、ホモピペリジル、フリル、チェニル、ピロリ
ル、ピリジル、ピリミジニル、イミダゾリル、キノリル
、イソキノリル、ベンズイミダゾリル、ベンゾチェニル
、ベンゾチアゾリル、インドリル、イソインドリル、ベ
ンズオキサシリル、チアゾリル、チアジアゾリル、チア
トリアゾリル、モルホリノ、オキサシリル、ベンズオキ
サシリル、インキサゾリル、オキサジアゾリル、オキサ
トリアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、シトソニ
ル等、またこれらの複素環基が適当な置換分、例えばメ
チル、エチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ等の
アルコキシ基、フルオル、クロル、ブロム等のハロゲン
、アミノ基、ニトロ基、フェニル、トリル、キシリル等
のアリール基、クロロフェニル、ニトロフェニル等ノ置
換アリール基、ベンジル、フェネチル等のアラルキル基
を１個もしくは同一もしくは異なって１個以上有する場
合等があげられる。
ペリジノ、ホモピペリジル、フリル、チェニル、ピロリ
ル、ピリジル、ピリミジニル、イミダゾリル、キノリル
、イソキノリル、ベンズイミダゾリル、ベンゾチェニル
、ベンゾチアゾリル、インドリル、イソインドリル、ベ
ンズオキサシリル、チアゾリル、チアジアゾリル、チア
トリアゾリル、モルホリノ、オキサシリル、ベンズオキ
サシリル、インキサゾリル、オキサジアゾリル、オキサ
トリアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、シトソニ
ル等、またこれらの複素環基が適当な置換分、例えばメ
チル、エチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ等の
アルコキシ基、フルオル、クロル、ブロム等のハロゲン
、アミノ基、ニトロ基、フェニル、トリル、キシリル等
のアリール基、クロロフェニル、ニトロフェニル等ノ置
換アリール基、ベンジル、フェネチル等のアラルキル基
を１個もしくは同一もしくは異なって１個以上有する場
合等があげられる。
上記脂肪族炭化水素残基の置換分が遊離のアミン基、ヒ
ドロキシ基、メルカプト基、カルボキシ基およびスルホ
基である場合あるいは、上記脂肪族炭化水素残基の置換
分であるアリール基、アシル基および複素環基中にアミ
ン基、ヒドロキシ基、メルカプト基、カルボキシ基およ
びスルホ基が存在する場合には、この様なアミン基、ヒ
ドロキシ基、メルカプト基、カルボキシ基およびスルホ
基が保護基で保護された場合もこの発明の範囲に含まれ
るものである。
ドロキシ基、メルカプト基、カルボキシ基およびスルホ
基である場合あるいは、上記脂肪族炭化水素残基の置換
分であるアリール基、アシル基および複素環基中にアミ
ン基、ヒドロキシ基、メルカプト基、カルボキシ基およ
びスルホ基が存在する場合には、この様なアミン基、ヒ
ドロキシ基、メルカプト基、カルボキシ基およびスルホ
基が保護基で保護された場合もこの発明の範囲に含まれ
るものである。
ここにおいて、アミン基の保護基としては通常アミン保
護基として使用しうる基のうち、酸性条件下で比較的安
定なものを含み、例えば塩酸塩、スルホン酸塩等の塩と
して保護する場合のほか前記脂肪族炭化水素残基の置換
分におけるアシルとして例示したような脂肪族アシル、
芳香環を含むアシルまたは複素環を含むアシル基および
メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシ
カルボニル、ベンジルオキシカルボニル、ｐ−ニトロベ
ンジルオキシカルホニル等ノ基、さらにアミン基が２個
のカルボキシ基で保護された場合、たとえばアミノ基が
フタール酸と結合してイミドを形成する場合等が挙げら
れ、またヒドロキシ基およびメルカプト基の保護基とし
ては通常ヒドロキシ基およびメルカプト基の保護基とし
て使用しうる基のうち酸性条件下で比較的安定なすべて
の基を含み、例えば前記脂肪族炭化水素残基の置換分に
おけるアシル基として例示したような脂肪族アシル、芳
香環を含むアシルまたは複素環を含むアシルのほか、メ
チル、エチル、プロピル、フェニル、トリル、キシリル
、ベンジル、フェネチル、メトキシメチル等の基が挙げ
られ、さらにカルボキシ基およびスルホ基の保護基とし
ては、通常のカルボキシ基およびスルホ基の保護基とし
て使用でき、酸性条件下で比較的安定なすべての基を含
み、例えばカルボキシ基およびスルホ基の水酸基の水素
がメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、メチル、
ベンジル、ｐ−ニトロベンジル、ベンゾイルメチル、ア
セチルメチル、ｐ−二トロベンソイルメチル、ｐ−７”
ロモベンソイルメチル、ｐ−メタンスルホニルベンツイ
ルメチル、トリクロロエチル、トリクロロエチル、アセ
トキシメチル、プロピオニルオキシメチル、ピバロイル
オキシメチル等で置き換えられたエステル、またはカル
ボキシ基およびスルホ基の水酸基がアミン、モノ（もし
くはジ）メチルアミン、モノ（もしくはジ）エチルアミ
ノ、モノ（もしくはジ）プロピルアミン、モノ（もしく
はジ）イソプロピルアミン等で置き換えられたアミドが
挙げられる。
護基として使用しうる基のうち、酸性条件下で比較的安
定なものを含み、例えば塩酸塩、スルホン酸塩等の塩と
して保護する場合のほか前記脂肪族炭化水素残基の置換
分におけるアシルとして例示したような脂肪族アシル、
芳香環を含むアシルまたは複素環を含むアシル基および
メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシ
カルボニル、ベンジルオキシカルボニル、ｐ−ニトロベ
ンジルオキシカルホニル等ノ基、さらにアミン基が２個
のカルボキシ基で保護された場合、たとえばアミノ基が
フタール酸と結合してイミドを形成する場合等が挙げら
れ、またヒドロキシ基およびメルカプト基の保護基とし
ては通常ヒドロキシ基およびメルカプト基の保護基とし
て使用しうる基のうち酸性条件下で比較的安定なすべて
の基を含み、例えば前記脂肪族炭化水素残基の置換分に
おけるアシル基として例示したような脂肪族アシル、芳
香環を含むアシルまたは複素環を含むアシルのほか、メ
チル、エチル、プロピル、フェニル、トリル、キシリル
、ベンジル、フェネチル、メトキシメチル等の基が挙げ
られ、さらにカルボキシ基およびスルホ基の保護基とし
ては、通常のカルボキシ基およびスルホ基の保護基とし
て使用でき、酸性条件下で比較的安定なすべての基を含
み、例えばカルボキシ基およびスルホ基の水酸基の水素
がメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、メチル、
ベンジル、ｐ−ニトロベンジル、ベンゾイルメチル、ア
セチルメチル、ｐ−二トロベンソイルメチル、ｐ−７”
ロモベンソイルメチル、ｐ−メタンスルホニルベンツイ
ルメチル、トリクロロエチル、トリクロロエチル、アセ
トキシメチル、プロピオニルオキシメチル、ピバロイル
オキシメチル等で置き換えられたエステル、またはカル
ボキシ基およびスルホ基の水酸基がアミン、モノ（もし
くはジ）メチルアミン、モノ（もしくはジ）エチルアミ
ノ、モノ（もしくはジ）プロピルアミン、モノ（もしく
はジ）イソプロピルアミン等で置き換えられたアミドが
挙げられる。
任意の位置に上記の適当な置換分を有する脂肪族炭化水
素残基のうち代表的なものを挙げれば、例えばメトキシ
メチル、メチルチオエチル、アセチルアミノエチル、ア
セチルチオメチル、ニトロエチル、シアノメチル、クロ
ロメチル、トリクロロメチル、■・７・７−ドリメチル
ー２−オキノビシクロ〔２・２・１〕へブタン−３−イ
ル、（７・７−シメチルー２−オキソビシクロ〔２・２
・１〕へブタン−１−イル）メチル、メトキシカルボニ
ルエチル、（２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−２
−エトキシカルボニル）エチル、スルホメチル、クロロ
スルホニルメチル、クロロスルホニルエチル、アセトキ
シエチル、アセトキシアミノエチル、ジメチルアミノエ
チル、ベンジル、４−ニトロベンジル、アセチルメチル
、２−ヒヘリシニルプロビル、３−モルホリノプロピル
等が挙げられる。
素残基のうち代表的なものを挙げれば、例えばメトキシ
メチル、メチルチオエチル、アセチルアミノエチル、ア
セチルチオメチル、ニトロエチル、シアノメチル、クロ
ロメチル、トリクロロメチル、■・７・７−ドリメチル
ー２−オキノビシクロ〔２・２・１〕へブタン−３−イ
ル、（７・７−シメチルー２−オキソビシクロ〔２・２
・１〕へブタン−１−イル）メチル、メトキシカルボニ
ルエチル、（２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−２
−エトキシカルボニル）エチル、スルホメチル、クロロ
スルホニルメチル、クロロスルホニルエチル、アセトキ
シエチル、アセトキシアミノエチル、ジメチルアミノエ
チル、ベンジル、４−ニトロベンジル、アセチルメチル
、２−ヒヘリシニルプロビル、３−モルホリノプロピル
等が挙げられる。
また、スルホン酸類（Ｉ）の反応性誘導体としては、例
えばジアルキル燐酸混合無水物、フェニル燐酸混合無水
物、ジフェニル燐酸混合無水物、ジベンジル燐酸混合無
水物、ハロゲン化燐酸混合無水物、ジアルキル亜燐酸混
合無水物、亜硫酸混合無水物、チオ硫酸混合無水物、ハ
ロゲン化水素酸混合無水物（例えば酸クロライド）、硫
酸混合無水物、対称型酸無水物等の酸無水物があげられ
る。
えばジアルキル燐酸混合無水物、フェニル燐酸混合無水
物、ジフェニル燐酸混合無水物、ジベンジル燐酸混合無
水物、ハロゲン化燐酸混合無水物、ジアルキル亜燐酸混
合無水物、亜硫酸混合無水物、チオ硫酸混合無水物、ハ
ロゲン化水素酸混合無水物（例えば酸クロライド）、硫
酸混合無水物、対称型酸無水物等の酸無水物があげられ
る。
この発明でＮ−ヒドロキシ化合物とは前記一般式（ＩＩ
）で示され、一般式（ＩＩ）においてＲ２としてはニト
ロ、ハロゲン、オキソまたはアルケニルから選ばれた基
で置換されていてもよいベンゾトリアジニル基もしくは
ベンゾトリアゾリル基が挙げられる。
）で示され、一般式（ＩＩ）においてＲ２としてはニト
ロ、ハロゲン、オキソまたはアルケニルから選ばれた基
で置換されていてもよいベンゾトリアジニル基もしくは
ベンゾトリアゾリル基が挙げられる。
上記に述べたＮ−ヒドロキシ化合物（Ｉ［）は酸性度が
高いことが好ましく、例えばそのｐｋａ値が６以下であ
るのが好ましい。
高いことが好ましく、例えばそのｐｋａ値が６以下であ
るのが好ましい。
また、Ｎ−ヒドロキシ化合物（ｎ）は塩類の形でも用い
ることができ、ここにおいて塩類としては、たとえばナ
トリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩、カルシウ
ム塩、マグネシウム塩等のアルカリ土類金属塩、トリメ
チルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン
、Ｎ−Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ−Ｎ−ジメチルベンジ
ルアミン、ピリジン等の第３級有機塩基との塩類等があ
げられる。
ることができ、ここにおいて塩類としては、たとえばナ
トリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩、カルシウ
ム塩、マグネシウム塩等のアルカリ土類金属塩、トリメ
チルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン
、Ｎ−Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ−Ｎ−ジメチルベンジ
ルアミン、ピリジン等の第３級有機塩基との塩類等があ
げられる。
この発明の反応はスルホン酸類（Ｉ）もしくはその反応
性誘導体を等モルのＮ−ヒドロキシ化合物（ｎ）もしく
はその塩類と反応させることにより行なわれる。
性誘導体を等モルのＮ−ヒドロキシ化合物（ｎ）もしく
はその塩類と反応させることにより行なわれる。
この反応は通常溶媒中で行なわれ、溶媒としてはベンゼ
ン、酢酸エチル、ジオキサン、水等カ繁用されるがその
他クロロホルム、エーテル、ジクロルメタン等のこの反
応に関与しない溶媒はすべて使用でき、またこれらの溶
媒は混合して使用してもよい。
ン、酢酸エチル、ジオキサン、水等カ繁用されるがその
他クロロホルム、エーテル、ジクロルメタン等のこの反
応に関与しない溶媒はすべて使用でき、またこれらの溶
媒は混合して使用してもよい。
またこの反応は通常、必要に応じて水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属、水酸化カルシ
ウム、水酸化マグネシウム等の水酸化アルカリ土類金属
、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の炭酸アルカリ金属
、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム等の炭酸アルカリ
土類金属、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等の
炭酸水素アルカリ金属等の無機塩基、トリメチルアミン
、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−Ｎ−
ジメチルアニリン、Ｎ−Ｎ−ジメチルベンジルアミン、
Ｎ−メチルピペラジン、ピリジン、キノリン等の有機塩
基の存在下に行なわれ、またこれらの塩基は混合して使
用することもできる。
水酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属、水酸化カルシ
ウム、水酸化マグネシウム等の水酸化アルカリ土類金属
、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の炭酸アルカリ金属
、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム等の炭酸アルカリ
土類金属、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等の
炭酸水素アルカリ金属等の無機塩基、トリメチルアミン
、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−Ｎ−
ジメチルアニリン、Ｎ−Ｎ−ジメチルベンジルアミン、
Ｎ−メチルピペラジン、ピリジン、キノリン等の有機塩
基の存在下に行なわれ、またこれらの塩基は混合して使
用することもできる。
この反応で遊離のスルホン酸類（Ｉ）を使用する場合に
は、例えばＮ−Ｎ’−ジシクロへキシルカルボジイミド
、Ｎ−シクロへキシル−Ｎ′−モルホリノエチルカルボ
ジイミド、Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ’−（４−ジエチル
アミノシクロヘキシル）カルボジイミド、Ｎ −Ｎ’−
ジエチルカルボジイミド、Ｎ −Ｎ’−ジイソプロピル
カルボジイミド、Ｎ−エチル−Ｎ’−（３−ジメチルア
ミノプロピル）カルボジイミド、Ｎ−Ｎ′−カルボキシ
基（２−メチルイミダゾール）、ペンタメチレンケテン
−Ｎ−シクロヘキシルイミン、ジフェニルケテン−Ｎ−
シクロヘキシルイミン、アルコキシアセチレン、１−ア
ルコキシ−１−クロロエチレン、亜燐酸トリアルキルエ
ステル、ホリ燐酸エチルエステル、ホリ燐酸イングロビ
ルエステル、オキシ塩化燐、３塩化燐、塩化チオニル等
の縮合剤を添加して反応を行なえばよい。
は、例えばＮ−Ｎ’−ジシクロへキシルカルボジイミド
、Ｎ−シクロへキシル−Ｎ′−モルホリノエチルカルボ
ジイミド、Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ’−（４−ジエチル
アミノシクロヘキシル）カルボジイミド、Ｎ −Ｎ’−
ジエチルカルボジイミド、Ｎ −Ｎ’−ジイソプロピル
カルボジイミド、Ｎ−エチル−Ｎ’−（３−ジメチルア
ミノプロピル）カルボジイミド、Ｎ−Ｎ′−カルボキシ
基（２−メチルイミダゾール）、ペンタメチレンケテン
−Ｎ−シクロヘキシルイミン、ジフェニルケテン−Ｎ−
シクロヘキシルイミン、アルコキシアセチレン、１−ア
ルコキシ−１−クロロエチレン、亜燐酸トリアルキルエ
ステル、ホリ燐酸エチルエステル、ホリ燐酸イングロビ
ルエステル、オキシ塩化燐、３塩化燐、塩化チオニル等
の縮合剤を添加して反応を行なえばよい。
反応温度は特に限定されないが、通常、水冷下ないしは
室温で行なわれることが多い。
室温で行なわれることが多い。
この反応において反応中もしくは反応の後処理中に保護
基で保護されたアミノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基
、カルボキシ基、スルホ基等が遊離の基に転じる場合お
よび遊離の基が保護基で保護された基に転じる場合も本
発明の範囲に含まれる。
基で保護されたアミノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基
、カルボキシ基、スルホ基等が遊離の基に転じる場合お
よび遊離の基が保護基で保護された基に転じる場合も本
発明の範囲に含まれる。
このようにして得られる生成物は常法により単離採取さ
れる。
れる。
次にこの発明を実施例により説明する。
なお、実施例中で紫外線吸収スペクトルにおけ実施例
１ ■−ヒドロキシー１・２・３−ベンゾトリアゾール６．
５１およびトリエチルアミン７、 ＯｒｒＬｌをベンゼ
ン５０ｒｒＬｌに溶解し、水冷攪拌下この溶液にメタン
スルホニルクロリド３．９ｗＬｌを適下し２時間攪拌後
、一夜放置する。
１ ■−ヒドロキシー１・２・３−ベンゾトリアゾール６．
５１およびトリエチルアミン７、 ＯｒｒＬｌをベンゼ
ン５０ｒｒＬｌに溶解し、水冷攪拌下この溶液にメタン
スルホニルクロリド３．９ｗＬｌを適下し２時間攪拌後
、一夜放置する。
放置後、反応液に水および酢酸エチルを加えて押出し、
押出液は水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥する。
押出液は水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥する。
乾燥後、溶媒を留去して得られる結晶を石油エーテルで
洗浄し、戸数するとｍｐ９０〜９２℃の１−メタンスル
ホニルオキシート２・３−ベンゾトリアゾール９．２１
を得る。
洗浄し、戸数するとｍｐ９０〜９２℃の１−メタンスル
ホニルオキシート２・３−ベンゾトリアゾール９．２１
を得る。
元素分析：Ｃ７Ｈ７０３Ｎ３Ｓ
計算値 Ｃ３９，４３、Ｈ３，３１、Ｎ１９．７１、Ｓ
ｉ２．０３ 実験値 Ｃ３９，７２、Ｈ３，２０、Ｎ２０．１４、Ｓ
ｉ２．０４ 実施例 ２ ■−ヒドロキシート２・３−ベンゾトリアゾール６４８
グおよびトリエチルアミン６７５ｒｒＬｌをベンゼン２
．８１に溶解し、水冷攪拌下この溶液にメタンスルホニ
ルクロリド５３５ｆをベンゼン６７５ｒｒＬｌに溶解し
た溶液を１０℃以下で２．２時間を要して適下したのち
同温で２．３時間攪拌し一夜放置する。
ｉ２．０３ 実験値 Ｃ３９，７２、Ｈ３，２０、Ｎ２０．１４、Ｓ
ｉ２．０４ 実施例 ２ ■−ヒドロキシート２・３−ベンゾトリアゾール６４８
グおよびトリエチルアミン６７５ｒｒＬｌをベンゼン２
．８１に溶解し、水冷攪拌下この溶液にメタンスルホニ
ルクロリド５３５ｆをベンゼン６７５ｒｒＬｌに溶解し
た溶液を１０℃以下で２．２時間を要して適下したのち
同温で２．３時間攪拌し一夜放置する。
放置後、反応液に水１１を加え、ベンゼン層を分取した
のち、水層を酢酸エチル３１および２１で押出し、押出
液は合わせたのち、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液２０
０ｍ１で２回、ついで水の順に洗浄し硫酸ナトリウムで
乾燥する。
のち、水層を酢酸エチル３１および２１で押出し、押出
液は合わせたのち、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液２０
０ｍ１で２回、ついで水の順に洗浄し硫酸ナトリウムで
乾燥する。
乾燥後、溶媒を減圧下に留去し、得られた結晶を石油エ
ーテル５００ｍ１で洗浄後、乾燥するとｍｐ８８〜９０
℃の微黄色結晶として１−メタンスルホニルオキシ−１
・２・３−ペンツトリアゾール８４２１を得る。
ーテル５００ｍ１で洗浄後、乾燥するとｍｐ８８〜９０
℃の微黄色結晶として１−メタンスルホニルオキシ−１
・２・３−ペンツトリアゾール８４２１を得る。
紫外線吸収スペクトル（メタノール）
λｍａｘ ２５６ｎｍ Ｅ＝２５７
λｍａｘ ２８４ｎｍ、、Ｅ＝１７６
実施例 ３
１−ヒドロキシ−１・２・３−ペンツトリアゾール２５
、ｌ’を水５０ｒＩＬｌに懸濁させ、ＩＮ−水酸化ナト
リウム水溶液１８０ｍ１を加えて溶解する。
、ｌ’を水５０ｒＩＬｌに懸濁させ、ＩＮ−水酸化ナト
リウム水溶液１８０ｍ１を加えて溶解する。
水冷攪拌下この溶液にメタンスルホニルクロリド１４．
０ｍｌを適下したのち酢酸エチル３０ｒｕｌを加えて４
時間攪拌する。
０ｍｌを適下したのち酢酸エチル３０ｒｕｌを加えて４
時間攪拌する。
反応後、酢酸エチルを加えて抽出し、抽出液は水洗後、
硫酸マグネシウムで乾燥する。
硫酸マグネシウムで乾燥する。
乾燥後、溶媒を留去して得られる残渣に石油エーテルを
加えて粉砕したのち戸数し、乾燥するとｍｐ８８〜９１
℃の１−メタンスルホニルオキシート２・３−ベンゾト
リアゾール３９・１１を得る。
加えて粉砕したのち戸数し、乾燥するとｍｐ８８〜９１
℃の１−メタンスルホニルオキシート２・３−ベンゾト
リアゾール３９・１１を得る。
実施例 ４
■−ヒドロキシー６−ニドロート２・３−ベンゾトリア
シー／１／ ７．２ ＦをＩＮ−水酸化ナトリウム水溶
液４ｏｒｕｌに溶解し、水冷攪拌下この溶液にメタンス
ルホニルクロリド５．ｆｌをｉ下Ｌ、ツイテ酢酸エチル
１００ｍ１および水１００ｍ１を加えて室温で１時間攪
拌する。
シー／１／ ７．２ ＦをＩＮ−水酸化ナトリウム水溶
液４ｏｒｕｌに溶解し、水冷攪拌下この溶液にメタンス
ルホニルクロリド５．ｆｌをｉ下Ｌ、ツイテ酢酸エチル
１００ｍ１および水１００ｍ１を加えて室温で１時間攪
拌する。
反応後、反応液に酢酸エチル５０１′ｎｌを加え、不溶
物を沢去したのち分液し、酢酸エチル層は硫酸マグネシ
ウム−炭末で乾燥する。
物を沢去したのち分液し、酢酸エチル層は硫酸マグネシ
ウム−炭末で乾燥する。
乾燥後、溶媒を約３０ｒｒＬｌに濃縮し、これにｎ−ヘ
キサン約３０ｒｆＬｌを加えて放置する。
キサン約３０ｒｆＬｌを加えて放置する。
析出した結晶を戸数後、乾燥するとｍｐＨ５〜１１６℃
の１−メタンスルホニルオキシ−６−＝）０−１・２・
３−ベンゾトリアゾール７．３？（７２％）を得る。
の１−メタンスルホニルオキシ−６−＝）０−１・２・
３−ベンゾトリアゾール７．３？（７２％）を得る。
本品を酢酸エチルに溶解し、炭末処理したのち、ｎ−ヘ
キサンを加えるとｍｐＨ７〜１１８℃の淡黄色鱗状晶を
得る。
キサンを加えるとｍｐＨ７〜１１８℃の淡黄色鱗状晶を
得る。
元素分析：Ｃ７Ｈ６０５Ｎ４Ｓ
計算値 Ｃ３２，５７、Ｈ２，３４、Ｎ２１．７０実験
値 Ｃ３２，７４、Ｈ２，１７、Ｎ２１．９５実施例
５ ジクロルメタン７０ｒｒｔｌに１−ヒドロキシ−６−ニ
トロ−１・２・３−ベンゾトリアゾール５．４１を加え
、ついでトリエチルアミン４．５ＴＬｌを加えて溶解し
、この溶液に室温攪拌下ＤＬ−ＬＩＯ−カンファースル
ホニルクロリド７．６りを加え１時間攪拌する。
値 Ｃ３２，７４、Ｈ２，１７、Ｎ２１．９５実施例
５ ジクロルメタン７０ｒｒｔｌに１−ヒドロキシ−６−ニ
トロ−１・２・３−ベンゾトリアゾール５．４１を加え
、ついでトリエチルアミン４．５ＴＬｌを加えて溶解し
、この溶液に室温攪拌下ＤＬ−ＬＩＯ−カンファースル
ホニルクロリド７．６りを加え１時間攪拌する。
反応後、反応液を水５０ｍ１で４回洗浄し、硫酸マグネ
シウムで乾燥後、溶媒を留去する。
シウムで乾燥後、溶媒を留去する。
結晶性残渣をｎ−ヘキサン・酢酸エチルの１：１混合液
５０ｍ１で洗浄後、戸数し、乾燥すると１−（ＤＬ−１
０−カンファースルホニルオキシ）−６−ニトロ−１・
２・３−ペンツトリアゾール１０．５Ｐを得る。
５０ｍ１で洗浄後、戸数し、乾燥すると１−（ＤＬ−１
０−カンファースルホニルオキシ）−６−ニトロ−１・
２・３−ペンツトリアゾール１０．５Ｐを得る。
本市の一部を酢酸エチル・ｎ−ヘキサンの混合溶媒から
再結晶するとｍｐ１５７〜１５９℃の無色針状晶を得る
。
再結晶するとｍｐ１５７〜１５９℃の無色針状晶を得る
。
元素分析：Ｃ□６Ｈ□８０６Ｎ４Ｓ
計算値 Ｃ，４Ｂ、７２、Ｈ４，６０、Ｎ１４．２１実
験値 Ｃ４８，６５、Ｈ４，３５、Ｎ１４．２３実施例
６ １−ヒドロキシ−４−クロロート２・３−ベンゾトリア
ゾール３．４１をベンゼン１４ｒｒＬｌに加え、ついで
トリエチルアミン２．８ｍｌを加え、ついでこの溶液に
水冷攪拌下メタンスルホニルクロリド２．３１を加え、
同温で２０分間攪拌したのち室温で１．５時間攪拌する
。
験値 Ｃ４８，６５、Ｈ４，３５、Ｎ１４．２３実施例
６ １−ヒドロキシ−４−クロロート２・３−ベンゾトリア
ゾール３．４１をベンゼン１４ｒｒＬｌに加え、ついで
トリエチルアミン２．８ｍｌを加え、ついでこの溶液に
水冷攪拌下メタンスルホニルクロリド２．３１を加え、
同温で２０分間攪拌したのち室温で１．５時間攪拌する
。
−夜放置後、反応液に水２０ｍ１および酢酸エチル３０
７７１１を加えて抽出し、水層はさらに一回酢酸エチル
２０ｒｒｔｌで抽出する。
７７１１を加えて抽出し、水層はさらに一回酢酸エチル
２０ｒｒｔｌで抽出する。
抽出液を合わせ、少量の飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
、水の順に洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減
圧下に留去し、残渣を石油エーテル１０ｒｒＬｌで洗浄
するとｍｐ７１〜７４℃の微黄色結晶としてｌ−メタン
スルホニルオキシ−４−クロロ−１・２・３−ベンゾト
リアゾール３．８９ｆ（７９％）を得る。
、水の順に洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減
圧下に留去し、残渣を石油エーテル１０ｒｒＬｌで洗浄
するとｍｐ７１〜７４℃の微黄色結晶としてｌ−メタン
スルホニルオキシ−４−クロロ−１・２・３−ベンゾト
リアゾール３．８９ｆ（７９％）を得る。
実施例 ７
１−ヒドロキシ−６−クロロート２・３−ベンゾトリア
ゾール３．４１をベンゼン１４ｍ１に懸濁し、トリエチ
ルアミン２．８ ｍｌを加えたのち、水冷攪拌下この溶
液にメタンスルホニルクロリド２．３１を加え、同温で
２０分間攪拌後、室温で５時間攪拌する。
ゾール３．４１をベンゼン１４ｍ１に懸濁し、トリエチ
ルアミン２．８ ｍｌを加えたのち、水冷攪拌下この溶
液にメタンスルホニルクロリド２．３１を加え、同温で
２０分間攪拌後、室温で５時間攪拌する。
反応後、反応液に水２０ｍ、ｌおよび酢酸エチル３ｏｍ
ｌを加え抽出したのち、水層はさらに一度酢酸エチル２
０ｍ１で抽出し、有機層は合わしたのち、少量の飽和炭
酸水素ナトリウム水溶液、水の順に洗浄し硫酸ナトリウ
ムで乾燥する。
ｌを加え抽出したのち、水層はさらに一度酢酸エチル２
０ｍ１で抽出し、有機層は合わしたのち、少量の飽和炭
酸水素ナトリウム水溶液、水の順に洗浄し硫酸ナトリウ
ムで乾燥する。
乾燥後、溶媒を減圧下に留去し、残渣を石油エーテル１
０ｒｒＬｌで洗浄し、乾燥するとｍ９１７４〜１７５℃
（分解）の無色結晶として１−メタンスルホニルオキシ
−６−クロロート２・３−ペンツトリアゾールＬ５５Ｐ
を得る。
０ｒｒＬｌで洗浄し、乾燥するとｍ９１７４〜１７５℃
（分解）の無色結晶として１−メタンスルホニルオキシ
−６−クロロート２・３−ペンツトリアゾールＬ５５Ｐ
を得る。
一方、酢酸エチル抽出時に沈殿が生じたので、濃塩酸で
ｐＨ１としたのち沢過し、水洗乾燥するとｍｐｌ、５７
〜１５８℃（分解）の無色結晶として目的物２．４ｆｔ
を得る。
ｐＨ１としたのち沢過し、水洗乾燥するとｍｐｌ、５７
〜１５８℃（分解）の無色結晶として目的物２．４ｆｔ
を得る。
実施例 ８
１−ヒドロキシ−６−クロロート２・３−ベンゾトリア
ゾール３９６〜をベンゼン７ｖｔｌに懸濁し、トリエチ
ルアミン０．３２９ｍ１を加え溶解したのち、この溶液
に水冷攪拌下ＤＬ−１０−カンファースルホニルクロリ
ド５９０■をベンゼン４ｍｌに溶解した溶液を滴下し、
同温度で１時間、室温で４時間攪拌する。
ゾール３９６〜をベンゼン７ｖｔｌに懸濁し、トリエチ
ルアミン０．３２９ｍ１を加え溶解したのち、この溶液
に水冷攪拌下ＤＬ−１０−カンファースルホニルクロリ
ド５９０■をベンゼン４ｍｌに溶解した溶液を滴下し、
同温度で１時間、室温で４時間攪拌する。
反応後、反応液に水１０ｒｒＬｌおよび酢酸エチル５０
ｍ１を加え、抽出したのち抽出液は飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液、水の順に洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥す
る。
ｍ１を加え、抽出したのち抽出液は飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液、水の順に洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥す
る。
乾燥後、溶媒を留去し、残渣をベンゼン・ｎ−ヘキサン
の混液から再結晶するとｍｐ１５１〜１５３℃の１−（
ＤＬ−１０−カンファースルホニルオキシ）−６−クロ
ロート２・３−ペンツトリアゾール６１０７Ｑを得る。
の混液から再結晶するとｍｐ１５１〜１５３℃の１−（
ＤＬ−１０−カンファースルホニルオキシ）−６−クロ
ロート２・３−ペンツトリアゾール６１０７Ｑを得る。
紫外線吸収スペクトル（メタノール）
λｍａｘ ２７０ｍμ、Ｅ＝２０１
元素分析：Ｃ１６Ｈ１８０，Ｎ５ＳＣ１
計算値 Ｃ５０，０４、Ｈ４，７３、Ｎ１０．９４実験
値 Ｃ５０，２７、Ｈ４，７０、Ｎ１０．９８実施例
９ ■−ヒドロキシー１・２・３−ペンツトリアゾール５ｆ
ＩをＩＮ−水酸化ナトリウム水溶液５０ｒｕｌに溶解し
、エーテル２５１ｒＬｌを加えたのち、水冷攪拌下この
溶液にベンジルスルホニルクロリド８１を加え、同温度
で３時間攪拌する。
値 Ｃ５０，２７、Ｈ４，７０、Ｎ１０．９８実施例
９ ■−ヒドロキシー１・２・３−ペンツトリアゾール５ｆ
ＩをＩＮ−水酸化ナトリウム水溶液５０ｒｕｌに溶解し
、エーテル２５１ｒＬｌを加えたのち、水冷攪拌下この
溶液にベンジルスルホニルクロリド８１を加え、同温度
で３時間攪拌する。
反応後、反応液に酢酸エチルを加えて抽出し、抽出液は
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水の順に洗浄し、硫酸
マグネシウムで乾燥する。
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水の順に洗浄し、硫酸
マグネシウムで乾燥する。
乾燥後、溶媒を留去し、得られる油分を放置して結晶化
したのち、ベンゼン・石油エーテルの混液から再結晶す
るとｍｐ６５〜６７℃の１−ベンジルスルホニルオキシ
ート２・３−ベンゾトリアゾール５．０１を得る。
したのち、ベンゼン・石油エーテルの混液から再結晶す
るとｍｐ６５〜６７℃の１−ベンジルスルホニルオキシ
ート２・３−ベンゾトリアゾール５．０１を得る。
元素分析：ｃｔ３Ｈｔｔ Ｎ３０３ Ｓ
計算値 Ｃ５３，９７、Ｈ３，８３、Ｎ１４−５２実験
値 Ｃ５４，０８、Ｈ３，７１、Ｎ１４．２８実施例
１０ ■−ヒドロキシー１・２・３−ベンゾトリアゾール５．
４ｆ？およびトリエチルアミン５．６ ｒｒＬｌをジク
ロルメタン１００ｒｆＬｌに溶解し、この溶液に室温攪
拌下、β−スチレンスルホニルクロＩＪ ト８．Ｏｆヲ
加え、１時間攪拌後、反応液を水３０７７１１で２回洗
浄し、炭末と硫酸マグネシウムで乾燥する。
値 Ｃ５４，０８、Ｈ３，７１、Ｎ１４．２８実施例
１０ ■−ヒドロキシー１・２・３−ベンゾトリアゾール５．
４ｆ？およびトリエチルアミン５．６ ｒｒＬｌをジク
ロルメタン１００ｒｆＬｌに溶解し、この溶液に室温攪
拌下、β−スチレンスルホニルクロＩＪ ト８．Ｏｆヲ
加え、１時間攪拌後、反応液を水３０７７１１で２回洗
浄し、炭末と硫酸マグネシウムで乾燥する。
乾燥後、溶媒を留去し、残渣を酢酸エチル２０ｍ１に溶
解したのちｎ−ヘキサン５０７７１１を加えて再沈殿す
ると針状晶としてｌ−（β−スチレンスルホニルオキシ
）−１・２・３−ベンゾトリアゾール９．０１を得る。
解したのちｎ−ヘキサン５０７７１１を加えて再沈殿す
ると針状晶としてｌ−（β−スチレンスルホニルオキシ
）−１・２・３−ベンゾトリアゾール９．０１を得る。
本旨の一部を酢酸エチル・ｎ−ヘキサンの混液から再結
晶するとｍｐ１０２〜１０３℃となる。
晶するとｍｐ１０２〜１０３℃となる。
元素分析：Ｃ１４Ｈ１□０３Ｎ３Ｓ
計算値 Ｃ５５，８１、Ｈ３，６８、Ｎ１３．９５実験
値 Ｃ５５，９８、Ｈ３，５８、Ｎ１４．１８実施例
１１ ■−ヒドロキシー１・２・３−ベンゾトリアゾール２．
７１およびトリエチルアミン２． ｓ ｍｌをジクロル
メタン３０７７１１に溶解し、この溶液に室温攪拌下Ｄ
Ｌ−１０−カンファースルホニルクロリド５．０Ｐを加
え、３０分間攪拌する。
値 Ｃ５５，９８、Ｈ３，５８、Ｎ１４．１８実施例
１１ ■−ヒドロキシー１・２・３−ベンゾトリアゾール２．
７１およびトリエチルアミン２． ｓ ｍｌをジクロル
メタン３０７７１１に溶解し、この溶液に室温攪拌下Ｄ
Ｌ−１０−カンファースルホニルクロリド５．０Ｐを加
え、３０分間攪拌する。
反応後、少量のトリエチルアミンを含む水、ついで水の
順に洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。
順に洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。
乾燥後、溶媒を留去し、得られる残渣を酢酸エチル・ｎ
−ヘキサンの混液で洗浄するとｍｐ１４６−１４８℃の
１−（ＤＬ−１０−カンファースルホニルオキシ）−１
・２・３−ペンツトリアゾール２５グを得る。
−ヘキサンの混液で洗浄するとｍｐ１４６−１４８℃の
１−（ＤＬ−１０−カンファースルホニルオキシ）−１
・２・３−ペンツトリアゾール２５グを得る。
本旨の一部を酢酸エチル・ｎ−ヘキサンの混液から再結
晶するとｍｐ１４８−１５０℃となる。
晶するとｍｐ１４８−１５０℃となる。
元素分析：Ｃ１６Ｈ□９０４Ｎ３Ｓ
計算値 Ｃ５４，９９、Ｈ５，４８、Ｎ１２．０３実験
値 Ｃ５４，７７、Ｈ５，３０、Ｎ１２．１２実施例
１２ １−ヒドロキシ−１・２・３−ペンツトリアゾール２．
７０５’およびメタンスルホン酸１−９２ ｆをジクロ
ルメタン２０ｍ１に加え、ついでトリエチルアミン５．
６ ｒｒｔｌを加えて溶解したのち、水冷攪拌下この溶
液に塩化チオニル１．４３ｍ１を１５分間を要して滴下
する。
値 Ｃ５４，７７、Ｈ５，３０、Ｎ１２．１２実施例
１２ １−ヒドロキシ−１・２・３−ペンツトリアゾール２．
７０５’およびメタンスルホン酸１−９２ ｆをジクロ
ルメタン２０ｍ１に加え、ついでトリエチルアミン５．
６ ｒｒｔｌを加えて溶解したのち、水冷攪拌下この溶
液に塩化チオニル１．４３ｍ１を１５分間を要して滴下
する。
同温で１時間１０分、ついで室温で７時間４５分攪拌し
たのち一夜放置する。
たのち一夜放置する。
減圧下にジクロルメタンを留去したのち、残渣に水３０
ｒｒＬｌおよび酢酸エチル１００ｒｒＬｌを加え、抽出
し、抽出液は飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水の順に
洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥する。
ｒｒＬｌおよび酢酸エチル１００ｒｒＬｌを加え、抽出
し、抽出液は飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水の順に
洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥する。
乾燥後、溶媒を留去し、得られた結晶に石油エーテルを
加えて沢過すると１−メタンスルホニルオキシート２・
３−ベンゾトリアゾール１．２１を得る。
加えて沢過すると１−メタンスルホニルオキシート２・
３−ベンゾトリアゾール１．２１を得る。
実施例 １３
■−ヒドロキシート２・３−ペンツトリアゾール６．８
１およびトリエチルアミン７、Ｑｍｌをベンゼン５０ｒ
ｒＬｌに溶解し、この溶液に室温でｎ−ブタンスルホニ
ルクロリドア、８Ｐをベンゼン１０ｍ１に溶解した溶液
を滴下し、４時間攪拌する。
１およびトリエチルアミン７、Ｑｍｌをベンゼン５０ｒ
ｒＬｌに溶解し、この溶液に室温でｎ−ブタンスルホニ
ルクロリドア、８Ｐをベンゼン１０ｍ１に溶解した溶液
を滴下し、４時間攪拌する。
反応後、ベンゼン層を分取し、水洗後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、濃縮すると油状の１−（ｎ−ブタンスルホ
ニルオキシ）−１・２・３−ペンツトリアゾール１２．
３１を得る。
ムで乾燥し、濃縮すると油状の１−（ｎ−ブタンスルホ
ニルオキシ）−１・２・３−ペンツトリアゾール１２．
３１を得る。
赤外線吸収スペクトル（液膜）
１３９５．１１７５ＣＩｒＬ ’
実施例 １４
■−ヒドロキシー６−クロロート２・３−ベンゾトリア
ゾール８．５１をＩＮ水酸化ナトリウム水溶液５０ｙｄ
に溶解し、この溶液に室温で、ｎ −ブタンスルホニル
クロリド７．８１を酢酸エチル５０ＴｒＬｌに溶解した
溶液を滴下し、２時間攪拌後、この溶液に酢酸エチルを
加える。
ゾール８．５１をＩＮ水酸化ナトリウム水溶液５０ｙｄ
に溶解し、この溶液に室温で、ｎ −ブタンスルホニル
クロリド７．８１を酢酸エチル５０ＴｒＬｌに溶解した
溶液を滴下し、２時間攪拌後、この溶液に酢酸エチルを
加える。
酢酸エチル層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥したの
ち、濃縮すると結晶１４．２Ｐを得る。
ち、濃縮すると結晶１４．２Ｐを得る。
この結晶を４塩化炭素および石油エーテルの混液から再
結晶するとｍｐ７２〜７４℃の１−（ｎ−ブタンスルホ
ニルオキシ）−６−クロロート２・３−ペンツトリアゾ
ール１２．３１を得る。
結晶するとｍｐ７２〜７４℃の１−（ｎ−ブタンスルホ
ニルオキシ）−６−クロロート２・３−ペンツトリアゾ
ール１２．３１を得る。
元素分析：Ｃ□ｏＨ１□Ｎ３０３ＳＣ１
計算値：Ｃ４Ｌ４５、Ｈ４，１８、Ｎ１４．５０、Ｃ１
１２，２３ 実験値：Ｃ４１，３３、Ｈ４，０６、Ｎ１４．３９、Ｃ
１１２，３２ 実施例 １５ ■−ヒドロキシー６−クロロート２・３−ベンゾトリア
ゾール２．２３ＦにＩＮ水酸化ナトリウム水溶液１３．
Ｑｍｌおよび水を加えて溶解し、この溶液にベンジルス
ルホニルクロリド２．５１をエーテル５０ＴＬｌに溶解
した溶液を水冷攪拌下に滴下し、同温度で１．５時間つ
いで室温で１時間攪拌する。
１２，２３ 実験値：Ｃ４１，３３、Ｈ４，０６、Ｎ１４．３９、Ｃ
１１２，３２ 実施例 １５ ■−ヒドロキシー６−クロロート２・３−ベンゾトリア
ゾール２．２３ＦにＩＮ水酸化ナトリウム水溶液１３．
Ｑｍｌおよび水を加えて溶解し、この溶液にベンジルス
ルホニルクロリド２．５１をエーテル５０ＴＬｌに溶解
した溶液を水冷攪拌下に滴下し、同温度で１．５時間つ
いで室温で１時間攪拌する。
反応後、反応液からエーテルを留去し、残留物に酢酸エ
チルを加えて抽出後、乾燥する。
チルを加えて抽出後、乾燥する。
乾燥後、溶媒を留去し、残渣をベンゼンおよびｎ−ヘキ
サンの混液から再結晶すると白色針状晶、ｍｐ１２６．
５〜１２７．５℃の１−ベンジルスルホニルオキシ−６
−クロロート ゾール２．４１を得る。
サンの混液から再結晶すると白色針状晶、ｍｐ１２６．
５〜１２７．５℃の１−ベンジルスルホニルオキシ−６
−クロロート ゾール２．４１を得る。
元素分析： Ｃｚ ｓ Ｈｔｏ Ｎｓ Ｏａ ＳＣ １
計算値：Ｃ４８．２３、Ｎ３．１１、Ｎ１２、９８、Ｓ
９．９１、Ｃ１１０．９５ 実験値：Ｃ４８．０４、Ｎ３．０８、Ｎ１２．８５、Ｓ
１０．０７、Ｃ１１０．９１ 実施例 １６ ４−オキソ−３・４−ジヒドロ−３−ヒドロキシ−１・
２・３−ベンゾトリアジン２．４１およびトリエチルア
ミン２．１ｒｆＬｌをベンゼン３０ｍｌに溶解し、この
溶液にメタンスルホニルクロリド１，７りを滴下すると
わずかに発熱して結晶が析出する。
計算値：Ｃ４８．２３、Ｎ３．１１、Ｎ１２、９８、Ｓ
９．９１、Ｃ１１０．９５ 実験値：Ｃ４８．０４、Ｎ３．０８、Ｎ１２．８５、Ｓ
１０．０７、Ｃ１１０．９１ 実施例 １６ ４−オキソ−３・４−ジヒドロ−３−ヒドロキシ−１・
２・３−ベンゾトリアジン２．４１およびトリエチルア
ミン２．１ｒｆＬｌをベンゼン３０ｍｌに溶解し、この
溶液にメタンスルホニルクロリド１，７りを滴下すると
わずかに発熱して結晶が析出する。
反応液に酢酸エチル８０ｍｌを加えて抽出し、抽出液を
水、炭酸水素ナトリウム水溶液、水の順に洗浄し、硫酸
マグネシウムで乾燥する。
水、炭酸水素ナトリウム水溶液、水の順に洗浄し、硫酸
マグネシウムで乾燥する。
乾燥後、溶媒を留去し、残渣をエーテルおよび石油エー
テルの混液で洗浄し、乾燥するとｍｐ１３２〜１３４℃
の４−オキソ−３・４−ジヒドロ−３−メタンスルホニ
ルオキシ−１・２・３−ペンツトリアジン２．６Ｓ’を
得る。
テルの混液で洗浄し、乾燥するとｍｐ１３２〜１３４℃
の４−オキソ−３・４−ジヒドロ−３−メタンスルホニ
ルオキシ−１・２・３−ペンツトリアジン２．６Ｓ’を
得る。
元素分析：Ｃ８Ｈ７０４Ｎ３Ｓ
計算値：Ｃ３９．８２、Ｎ２．９３、Ｎ１７．４２実験
値：Ｃ３９．７４、Ｈ ２． ６ ９、Ｎ１７．３９赤
外線吸収スペクトル １７２０、１３８０、１１７５Ｃｒ／Ｌ ”実施例 １
７ １−ヒドロキシ−６−ビニル−１・２・３−ベンゾトリ
アゾール８．０１にクロロホルム８０ｍｌおよびトリエ
チルアミン５，１りを加え、攪拌して溶□解する。
値：Ｃ３９．７４、Ｈ ２． ６ ９、Ｎ１７．３９赤
外線吸収スペクトル １７２０、１３８０、１１７５Ｃｒ／Ｌ ”実施例 １
７ １−ヒドロキシ−６−ビニル−１・２・３−ベンゾトリ
アゾール８．０１にクロロホルム８０ｍｌおよびトリエ
チルアミン５，１りを加え、攪拌して溶□解する。
１０℃以下に冷却下、この溶液にメタンスルホニルクロ
リド５．７３？ｔｒ：クロロホルム２０ｍｌに溶解した
溶液を滴下し、室温で１．５時間攪拌する。
リド５．７３？ｔｒ：クロロホルム２０ｍｌに溶解した
溶液を滴下し、室温で１．５時間攪拌する。
反応後、反応液を水、炭酸水素ナトリウム水溶液、水の
順に洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。
順に洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。
乾燥後炭末処理し、濃縮して約４０ｒＩＬｌとすると結
晶が析出する。
晶が析出する。
この結晶を加熱溶解後、放置し、析出結晶を戸数すると
ｍｐ１２９〜１２９、５℃の１−メタンスルホニルオキ
シ−６−ビニル−１・２・３−ペンツトリアゾールの結
晶９、１１を得る。
ｍｐ１２９〜１２９、５℃の１−メタンスルホニルオキ
シ−６−ビニル−１・２・３−ペンツトリアゾールの結
晶９、１１を得る。
ｒ液を濃縮し、残渣をベンゼンから再結晶するとさらに
目的化合物２．３１を得る。
目的化合物２．３１を得る。
元素分析：Ｃ９Ｈ９Ｎ３０３Ｓ
計算値：Ｃ４５．１８、Ｎ３．７９、Ｎ１７．５６、Ｓ
１３．４０ 実験値：Ｃ４５．３７、Ｎ３．５８、Ｎ１７．３９、Ｓ
ｉ２．４２
１３．４０ 実験値：Ｃ４５．３７、Ｎ３．５８、Ｎ１７．３９、Ｓ
ｉ２．４２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 （式中、Ｒ１は置換もしくは非置換脂肪族炭化水素残基
を意味する） で示されるスルホン酸類もしくはその反応性誘導体に一
般式 （式中、Ｒ２は窒素原子に結合手を有し、かつニトロ基
、ハロゲン、オキソ基またはアルケニル基から選ばれた
基で置換されていてもよいベンゾトリアジニル基もしく
はベンゾトリアゾリル基を意味する） で示されるＮ〜ヒドロキシ化合物もしくはその塩類を作
用させて一般式 ％式％ （式中、Ｒ１およびＲ２は前と同じ意味）で示されるス
ルホン酸エステル類を得ることを特徴とするスルホン酸
エステル類の製造法。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4873673A JPS5820959B2 (ja) | 1973-04-28 | 1973-04-28 | スルホンサンエステルルイ ノ セイゾウホウ |
| IT2189374A IT1053761B (it) | 1973-04-28 | 1974-04-24 | Procedimento di ammidazione e di esterificazione agente condensante e relativo procedimento di preparazione |
| BE143544A BE814110A (en) | 1973-04-28 | 1974-04-24 | Sulphonic acid esters as condensation agents - in amidation and esterification reactions |
| GB1823274A GB1472951A (en) | 1973-04-28 | 1974-04-25 | Sulphonates of n-hydroxy compounds |
| DE19742419923 DE2419923A1 (de) | 1973-04-28 | 1974-04-25 | Sulfonsaeureester, verfahren zu deren herstellung und verwendung derselben als kondensationsmittel |
| CH577674A CH603603A5 (ja) | 1973-04-28 | 1974-04-26 | |
| SE7405686A SE411548B (sv) | 1973-04-28 | 1974-04-26 | Sulfonsyraestrar och anvendning derav vid amidering |
| FR7414610A FR2236843A1 (en) | 1973-04-28 | 1974-04-26 | Sulphonic acid esters as condensation agents - in amidation and esterification reactions |
| NL7405656A NL7405656A (ja) | 1973-04-28 | 1974-04-26 | |
| CA198,246A CA1032939A (en) | 1973-04-28 | 1974-04-26 | Sulfonic acid esters and process for preparing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4873673A JPS5820959B2 (ja) | 1973-04-28 | 1973-04-28 | スルホンサンエステルルイ ノ セイゾウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS49133329A JPS49133329A (ja) | 1974-12-21 |
| JPS5820959B2 true JPS5820959B2 (ja) | 1983-04-26 |
Family
ID=12811557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4873673A Expired JPS5820959B2 (ja) | 1973-04-28 | 1973-04-28 | スルホンサンエステルルイ ノ セイゾウホウ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5820959B2 (ja) |
| BE (1) | BE814110A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50137980A (ja) * | 1974-04-26 | 1975-11-01 |
-
1973
- 1973-04-28 JP JP4873673A patent/JPS5820959B2/ja not_active Expired
-
1974
- 1974-04-24 BE BE143544A patent/BE814110A/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BE814110A (en) | 1974-10-24 |
| JPS49133329A (ja) | 1974-12-21 |
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