JPS58206135A - Ｍｏｓ型ダイオ−ドの界面における少数キヤリアトラツプ準位測定方法 - Google Patents
Ｍｏｓ型ダイオ−ドの界面における少数キヤリアトラツプ準位測定方法Info
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- JPS58206135A JPS58206135A JP8873982A JP8873982A JPS58206135A JP S58206135 A JPS58206135 A JP S58206135A JP 8873982 A JP8873982 A JP 8873982A JP 8873982 A JP8873982 A JP 8873982A JP S58206135 A JPS58206135 A JP S58206135A
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＭＯ８型ダイオードの界面における少数キャリ
アトラップ準位測定方法に関するものである。
アトラップ準位測定方法に関するものである。
ＭＯ８型ダイオード、ショトキ−接合のダイオード、Ｐ
Ｎ接合のダイオード等のキャリアが電圧印加により捕獲
され、電圧遮断後に熱的放出により次第に元の状態に復
帰する現象が、空乏；−の変化を示しており、この空乏
層の変化は高周波容量の過渡現象として測定される。キ
ャリアの熱的放出に関するパラメータは、温度の関数と
して各温度における過渡応答ｆｃＺ組の重み付は信号の
差信号として分光分析的に取出し、得られた信号を演算
することにより半導体の諸物埋置が算出される。
Ｎ接合のダイオード等のキャリアが電圧印加により捕獲
され、電圧遮断後に熱的放出により次第に元の状態に復
帰する現象が、空乏；−の変化を示しており、この空乏
層の変化は高周波容量の過渡現象として測定される。キ
ャリアの熱的放出に関するパラメータは、温度の関数と
して各温度における過渡応答ｆｃＺ組の重み付は信号の
差信号として分光分析的に取出し、得られた信号を演算
することにより半導体の諸物埋置が算出される。
この方法はＤ Ｌ Ｔ Ｓ （Ｄｅｅｐ Ｌｅｖｅｌ
ＴｒａｎｓｉｅｎｔＳｐｅｃｔｒｏ＠ｃｏｐ７ ）法と
して標準化されつつある。
ＴｒａｎｓｉｅｎｔＳｐｅｃｔｒｏ＠ｃｏｐ７ ）法と
して標準化されつつある。
ＤＬＴＳ法ばｍ−半導体の深い準位のみならず、界面単
位をもＩｌ＆度良く、しかも非破農で測定できる点で優
れたものである。しかも、この方法では、２つ以上のト
ラップ準位を分離測定でき、またバイアス電圧を順又は
逆に与えることによって少数キャリアトラップ準位又は
多数キャリアドアツブ準位をも判別できる等、多くの利
点を有している。
位をもＩｌ＆度良く、しかも非破農で測定できる点で優
れたものである。しかも、この方法では、２つ以上のト
ラップ準位を分離測定でき、またバイアス電圧を順又は
逆に与えることによって少数キャリアトラップ準位又は
多数キャリアドアツブ準位をも判別できる等、多くの利
点を有している。
しかしながら従来の方法では、少数キャリアトラップ準
位及び多数キャリアトラップ準位の双方とｂ測定でさる
、つ；−ｍ、ＰＮ接合やンヨトキー髪会りダイ丁−ドの
各量変ｉヒを用ハるもＤであって、ＭＯ８構造のダイγ
−ドでは多数キャリアトラップ準位だけしか測定できな
い欠点があった。
位及び多数キャリアトラップ準位の双方とｂ測定でさる
、つ；−ｍ、ＰＮ接合やンヨトキー髪会りダイ丁−ドの
各量変ｉヒを用ハるもＤであって、ＭＯ８構造のダイγ
−ドでは多数キャリアトラップ準位だけしか測定できな
い欠点があった。
近時、高密度ＬＳＩの要求疋よジ基板目身の結晶欠陥や
、高密度１工により発生する欠陥は、深い準位や界面準
立流深い影響を与え、ひいては半導体ｖｆ性の不良化又
は省化の原因の１つになってき九。′４に、化合＃ＩＪ
手導不でほこの種の準位を測定することに、研究開発、
品質向上、歩留向上の上で重要でおる。ゆえｌて、多数
キャリアトラツノ準位のみならず、少数：Ｐ−？ ＩＪ
アトラップ準位の測定も重要ｉＣｉってきてハる。例え
ば、トランジスタζ多数キャリアに対する少数キャリア
の釡舞でその′４性が定することで判るっ 不発明の目的は、ＭＯ３型ダイオードの少数キャリアト
ラップ準位を容易に効率二〈測定できる１ ↑１ ＭＯ３型ダイ万一ドの界面における少数七テｊ）アトラ
ップ薄位測定方ｆｊ：を提供するにあるっ不発明に係る
ＭＯ３型ダイオードの界面、（おける少数キャリアトラ
ップ差位測定方法に、測定をすべきＭＯ３型ダイオード
：（その秦止帯幅以上のエネルギーをもつ次元パルス波
によるエネルギーで少数キャリアのエネルギーレベルを
こげて表面準位を反転させ、前記元パルス波の印加停止
後の前記少数キャリアの熱的放Ｌ１１１ｉに基〈２乏層
の変化を高周波容量の過渡変化として、前記ＭＯ８Ｏ８
型ダイビード度全変化させながら２組の重み付は信号の
差信号として取出すことを特徴とするものである。
、高密度１工により発生する欠陥は、深い準位や界面準
立流深い影響を与え、ひいては半導体ｖｆ性の不良化又
は省化の原因の１つになってき九。′４に、化合＃ＩＪ
手導不でほこの種の準位を測定することに、研究開発、
品質向上、歩留向上の上で重要でおる。ゆえｌて、多数
キャリアトラツノ準位のみならず、少数：Ｐ−？ ＩＪ
アトラップ準位の測定も重要ｉＣｉってきてハる。例え
ば、トランジスタζ多数キャリアに対する少数キャリア
の釡舞でその′４性が定することで判るっ 不発明の目的は、ＭＯ３型ダイオードの少数キャリアト
ラップ準位を容易に効率二〈測定できる１ ↑１ ＭＯ３型ダイ万一ドの界面における少数七テｊ）アトラ
ップ薄位測定方ｆｊ：を提供するにあるっ不発明に係る
ＭＯ３型ダイオードの界面、（おける少数キャリアトラ
ップ差位測定方法に、測定をすべきＭＯ３型ダイオード
：（その秦止帯幅以上のエネルギーをもつ次元パルス波
によるエネルギーで少数キャリアのエネルギーレベルを
こげて表面準位を反転させ、前記元パルス波の印加停止
後の前記少数キャリアの熱的放Ｌ１１１ｉに基〈２乏層
の変化を高周波容量の過渡変化として、前記ＭＯ８Ｏ８
型ダイビード度全変化させながら２組の重み付は信号の
差信号として取出すことを特徴とするものである。
以下本発明の具体ｆｌＪを図面を参照して詳細に説明す
る。第１図ｖ′ｉ不発明の方法を実施するＭＯ８型ダイ
オードの界面に２ける少数キャリアトラップ準位測定装
置の具体例を示したものである。図において、１はレー
ザ光発生器、２ぼレーザ光をｆｆｒ続して元パルス波を
形成するチョッパー機構、３７＋Ｌレ一ザ光発主器１と
チョッパー機構２とからなる元パルス７ｆｔ発三部、４
は元パルス彼発生部３から出さｎる光パルス波の一部は
透過させ一部に９０度方向に反射させる半透反射板、５
／ｉ温度掃引用クライ丁スタンド、６はフライ丁スタノ
ｉ５内て配設さｎて半透反射板４全経て元パルス波が照
射さ９るｊ！ｌ＋定用Ｊ： Ｍ ＯＳ型グイ万一ド、７
ｌ−＝ ｃｐＩ犬・８理装崖 ＣＰＵ ＋全含む信号
制御・処理装置、８ぼ半透反射板４で反射さｎｔ元パル
ス波波力充電遺して同期１号を咋９出し、こｎ？１言号
別号制御〕処理装童７に与える光検出器である。９はク
ライオスタット５．内を信号制御・処理装置７の制御プ
Ｃニジ１度制御するためのヒータ、１０−信号制御・処
理装ｇＬ７こヒータ９とをつなぐ加熱用プイーダ、１１
．ｃクライオスタット５内の温度を検出するための＠蔓
；ンプー、１？σ温度七ノサー１１から温度信号を信号
制御・処理装置７に伝える温度信号ラインである０ １
３は測定用ＭＯ８型ダイ万−Ｆ” ６の扁周及各量を測
定する高周波容量計、１４．（高周波容量計１３０出力
を信号制御・処理装置７．て与える容量出力之イ／、１
５／ｉ同期信号、・ζδじてバイアスパルス電圧を信号
ｌ１１１御・処理装置７から高周波容量計１３を経て測
定用ＭＯ８型ダイ万−ｒ’ ６ ｆｃ与えるバイアスパ
ルス供給ラインであるっ １６は信号制御・処理装置７
から出さｎる出力信号全記録するＸ−Ｙンコーダ又１ζ
Ｘ−Ｙプコノター等ニジなる記録器、１７ｄ信号制御・
処理装置７．ｃ投；ｊらｎている外部ホストコ／こユー
タ接伏バスでちる。
る。第１図ｖ′ｉ不発明の方法を実施するＭＯ８型ダイ
オードの界面に２ける少数キャリアトラップ準位測定装
置の具体例を示したものである。図において、１はレー
ザ光発生器、２ぼレーザ光をｆｆｒ続して元パルス波を
形成するチョッパー機構、３７＋Ｌレ一ザ光発主器１と
チョッパー機構２とからなる元パルス７ｆｔ発三部、４
は元パルス彼発生部３から出さｎる光パルス波の一部は
透過させ一部に９０度方向に反射させる半透反射板、５
／ｉ温度掃引用クライ丁スタンド、６はフライ丁スタノ
ｉ５内て配設さｎて半透反射板４全経て元パルス波が照
射さ９るｊ！ｌ＋定用Ｊ： Ｍ ＯＳ型グイ万一ド、７
ｌ−＝ ｃｐＩ犬・８理装崖 ＣＰＵ ＋全含む信号
制御・処理装置、８ぼ半透反射板４で反射さｎｔ元パル
ス波波力充電遺して同期１号を咋９出し、こｎ？１言号
別号制御〕処理装童７に与える光検出器である。９はク
ライオスタット５．内を信号制御・処理装置７の制御プ
Ｃニジ１度制御するためのヒータ、１０−信号制御・処
理装ｇＬ７こヒータ９とをつなぐ加熱用プイーダ、１１
．ｃクライオスタット５内の温度を検出するための＠蔓
；ンプー、１？σ温度七ノサー１１から温度信号を信号
制御・処理装置７に伝える温度信号ラインである０ １
３は測定用ＭＯ８型ダイ万−Ｆ” ６の扁周及各量を測
定する高周波容量計、１４．（高周波容量計１３０出力
を信号制御・処理装置７．て与える容量出力之イ／、１
５／ｉ同期信号、・ζδじてバイアスパルス電圧を信号
ｌ１１１御・処理装置７から高周波容量計１３を経て測
定用ＭＯ８型ダイ万−ｒ’ ６ ｆｃ与えるバイアスパ
ルス供給ラインであるっ １６は信号制御・処理装置７
から出さｎる出力信号全記録するＸ−Ｙンコーダ又１ζ
Ｘ−Ｙプコノター等ニジなる記録器、１７ｄ信号制御・
処理装置７．ｃ投；ｊらｎている外部ホストコ／こユー
タ接伏バスでちる。
久１ζ、このニリな装置音用ハ：’ｃＭＯ３型ダイ万一
ドの界面、ζ２？σる夕数キでリアトラップ薄２測定方
法の具体例を第１ス及び第２図′へ〜Ｄ）を参照して説
明する。信号制御・処理装＃７．−１温度掃引時間を設
定し、加熱用フィーダ１０全通してクライオスタット５
円のヒータ９を＠御し、タライオスメット５７０温度を
可変し、その刻々Ｄ１度を＠度量ンプー１１で検出し、
温度１号ライ／１２全経て（別号′！ＩＪ＠・処理装置
７．′こ送９、こ、〕〕襞１１−７円（メモリーするう
この二う、ζＭＯ８型メ°イオード６つ温度金町変じ
ている吠悪で、元′４ルス波発主器３から第２図・Ｅ）
＋・Ｃ示すよう、こ尤／くルス及を出し、これ七半透反
射板↓全経て’ｘＸＯ８型メ°１万−ｒ゛６、つゲート
１極：［、Ｃ照射する。こ、３元）くルス波ζ、ＭＯ８
型ダイ万一ド６．ζ照射さユを伏態で、このＭＯ８型ダ
イオード６内の禁止帯の幅以上のエネルギー金もつよう
に予め設定しておく。
ドの界面、ζ２？σる夕数キでリアトラップ薄２測定方
法の具体例を第１ス及び第２図′へ〜Ｄ）を参照して説
明する。信号制御・処理装＃７．−１温度掃引時間を設
定し、加熱用フィーダ１０全通してクライオスタット５
円のヒータ９を＠御し、タライオスメット５７０温度を
可変し、その刻々Ｄ１度を＠度量ンプー１１で検出し、
温度１号ライ／１２全経て（別号′！ＩＪ＠・処理装置
７．′こ送９、こ、〕〕襞１１−７円（メモリーするう
この二う、ζＭＯ８型メ°イオード６つ温度金町変じ
ている吠悪で、元′４ルス波発主器３から第２図・Ｅ）
＋・Ｃ示すよう、こ尤／くルス及を出し、これ七半透反
射板↓全経て’ｘＸＯ８型メ°１万−ｒ゛６、つゲート
１極：［、Ｃ照射する。こ、３元）くルス波ζ、ＭＯ８
型ダイ万一ド６．ζ照射さユを伏態で、このＭＯ８型ダ
イオード６内の禁止帯の幅以上のエネルギー金もつよう
に予め設定しておく。
光パルス波発生部３から出される光パルス波の一部は、
半透反射板４で反射されて光検出器８に入射され、こ＼
で同期信号が作られて信号制御・処理装置７に与えられ
る。同期信号が与えらｎると、この信号制御・処理装置
７は、光パルス波に同期して第２図囚に示すようにバイ
アスパルス電圧を出し、これをバイアスパルス供給之イ
ン１５及び高周波容量計１３を経てＭＯ３型ダイオード
６０両電極間に与える。光パルス波のもつエネルギーで
ＭＯ８型ダイオード６内の少数キャリアのエネルギーレ
ベルが上げられ、表面準位が反転される。
半透反射板４で反射されて光検出器８に入射され、こ＼
で同期信号が作られて信号制御・処理装置７に与えられ
る。同期信号が与えらｎると、この信号制御・処理装置
７は、光パルス波に同期して第２図囚に示すようにバイ
アスパルス電圧を出し、これをバイアスパルス供給之イ
ン１５及び高周波容量計１３を経てＭＯ３型ダイオード
６０両電極間に与える。光パルス波のもつエネルギーで
ＭＯ８型ダイオード６内の少数キャリアのエネルギーレ
ベルが上げられ、表面準位が反転される。
第２図（Ｃ）の１８で示す立上り部分はキャリアがトラ
ップされた状態を示す。光パルス波の照射が停止される
と、ＭＯ８型ダイ万一ド６内で少数キャリアの熱的放出
が第２図（Ｃ）の１９の部分で示すようンこ生ずる。Ｍ
Ｏ８型ダイオード６内の少数キャリアの熱的放出に基〈
空乏層の変化を高周波容量の過渡変化として高周波容量
計１３で測定し、容量出力ライン１４ｔ−経て信号制御
・処理装置７に与える。信号制御・処理装置７では、高
周波容量計１３から与えられる高周波容量過Ｉｆ変化信
号に第２図Ｄ）に示すような２組の矩形波よりなる重み
付は信号を掛は合せる、この場合の重み付は信号は、光
パルス波の印加停止から第１の重み付はイ百号の立上り
までの時間幅Ｔｄの間はピーク値が零で、第１の重み付
は信号と第２の重み付は信号が与えられている時間幅Ｔ
ｗ内での第１．第２の重み付は信号のピーク値は＋１．
−１であるっこれらの処理によって２組の重み付は信号
の差信号として次式の如きＤＬＴＳ信号Ｖ信号上得る。
ップされた状態を示す。光パルス波の照射が停止される
と、ＭＯ８型ダイ万一ド６内で少数キャリアの熱的放出
が第２図（Ｃ）の１９の部分で示すようンこ生ずる。Ｍ
Ｏ８型ダイオード６内の少数キャリアの熱的放出に基〈
空乏層の変化を高周波容量の過渡変化として高周波容量
計１３で測定し、容量出力ライン１４ｔ−経て信号制御
・処理装置７に与える。信号制御・処理装置７では、高
周波容量計１３から与えられる高周波容量過Ｉｆ変化信
号に第２図Ｄ）に示すような２組の矩形波よりなる重み
付は信号を掛は合せる、この場合の重み付は信号は、光
パルス波の印加停止から第１の重み付はイ百号の立上り
までの時間幅Ｔｄの間はピーク値が零で、第１の重み付
は信号と第２の重み付は信号が与えられている時間幅Ｔ
ｗ内での第１．第２の重み付は信号のピーク値は＋１．
−１であるっこれらの処理によって２組の重み付は信号
の差信号として次式の如きＤＬＴＳ信号Ｖ信号上得る。
こ＼で、ΔＣは第２図（Ｑに示す過渡容量変化量、Ｔｗ
、Ｔｄは第２図◎に示す重み付は信号の各部の時間幅、
τは過渡容量特性の時定数、ｅｎはエレクトロンの放出
割合、σユはエレクトロンの捕獲断面積、Ｎｃは伝導帯
の実効準位密度、Ｅｃは伝導帯の準位、ＥＴは求める不
純物単位、νｎはエレクトロンの平均熱速度、Ｔは試料
の絶対温度、ｋはボルツマン常数でアル。
、Ｔｄは第２図◎に示す重み付は信号の各部の時間幅、
τは過渡容量特性の時定数、ｅｎはエレクトロンの放出
割合、σユはエレクトロンの捕獲断面積、Ｎｃは伝導帯
の実効準位密度、Ｅｃは伝導帯の準位、ＥＴは求める不
純物単位、νｎはエレクトロンの平均熱速度、Ｔは試料
の絶対温度、ｋはボルツマン常数でアル。
また、シ□→シｐ１σユ→σｐ１Ｎｃ→Ｎｖ１Ｅｃ−＋
Ｅｖとかえることにより価電帯に対するホールの単位も
測定できる。こ＼で、νｐはホールの平均熱速度、σｐ
はホールの捕獲断面積、Ｎｖは充満帯の実効準位密度、
Ｅｖは充満帯の準位である。
Ｅｖとかえることにより価電帯に対するホールの単位も
測定できる。こ＼で、νｐはホールの平均熱速度、σｐ
はホールの捕獲断面積、Ｎｖは充満帯の実効準位密度、
Ｅｖは充満帯の準位である。
上記２式よりν。、Ｎｃ、Ｅｃ等は半導体により一定で
あるので、縦°軸にｔｎｒ 、横軸に１０００／’Ｉ’
を尺度とすることにより得られた直線関係（アレーウス
プロット）よりσ。及びＥｃ を得る。
あるので、縦°軸にｔｎｒ 、横軸に１０００／’Ｉ’
を尺度とすることにより得られた直線関係（アレーウス
プロット）よりσ。及びＥｃ を得る。
第３図は、ＭＯ８型ダイオード６に光照射をして測定し
たとさく少数キャリアＤＬＴＳ信号が得ら扛る）と、光
照射をしないで測定したとき（多数キャリアＤＬＴＳ信
号が傅らＧる２の少数子ヤリアＤＬＴＳ信号２０と、多
数キャリアＤＬＴＳ信号２１とを求めたＦＪを示したも
のである。こ几らの信号から下記式により界面１立密度
Ｎｓｓ全身ることができる。
たとさく少数キャリアＤＬＴＳ信号が得ら扛る）と、光
照射をしないで測定したとき（多数キャリアＤＬＴＳ信
号が傅らＧる２の少数子ヤリアＤＬＴＳ信号２０と、多
数キャリアＤＬＴＳ信号２１とを求めたＦＪを示したも
のである。こ几らの信号から下記式により界面１立密度
Ｎｓｓ全身ることができる。
こ＼で、εはＳｉの誘２８、Ｎｓ ｎドーパノドａ度、
Ｃｏは定常状態における本位面潰当ジの容量、Ｃｏｘは
単位面積当りの酸化膜の容量、ｋはポルツマン定数、Ｔ
は絶対温度、ＶｏはＤＬＴＳ信号、Ｔｄ、Ｔｗは重み付
は信号の時間幅である。第２図Ｄ）に示すように少数キ
ャリアトラップ準位の測定の場合ＭＯ８容量は減少する
形の過渡応答を示すので、ＰＮ接合の場合と同様ＤＬＴ
Ｓ信号は正となる。一方、多数キャリアトラップ準位の
測定では容量は増加する形の過渡応答となるので、ＤＬ
ＴＳ信号は負となる。（３）式での正、負の符号はそγ
Ｌぞれ少数そヤリアトラッグ４！位、多数キャリアトラ
ップ準位の測定シこ対応する。
Ｃｏは定常状態における本位面潰当ジの容量、Ｃｏｘは
単位面積当りの酸化膜の容量、ｋはポルツマン定数、Ｔ
は絶対温度、ＶｏはＤＬＴＳ信号、Ｔｄ、Ｔｗは重み付
は信号の時間幅である。第２図Ｄ）に示すように少数キ
ャリアトラップ準位の測定の場合ＭＯ８容量は減少する
形の過渡応答を示すので、ＰＮ接合の場合と同様ＤＬＴ
Ｓ信号は正となる。一方、多数キャリアトラップ準位の
測定では容量は増加する形の過渡応答となるので、ＤＬ
ＴＳ信号は負となる。（３）式での正、負の符号はそγ
Ｌぞれ少数そヤリアトラッグ４！位、多数キャリアトラ
ップ準位の測定シこ対応する。
第５図は界面準位密度Ｎｓｓを示す（３）式に第３図に
おける少数キャリアトラップＤＬＴＳ信号２０の値と多
数キャリアトラップ信号２１の値を代入して信号制御・
処理菌１ｉ１ｔ７にて演算した結果を記録器１６で描か
せた結果を示したもので、２２は少数キャリア界面準位
密度対温度特性を示し、２３は多数キャリア界面準位対
温度特性を示したものである。この例によれば、多数キ
ャリア界面準位密度の値が、少数キャリア界面単位の場
合より常温附近では約１桁少ないことがわかる。
おける少数キャリアトラップＤＬＴＳ信号２０の値と多
数キャリアトラップ信号２１の値を代入して信号制御・
処理菌１ｉ１ｔ７にて演算した結果を記録器１６で描か
せた結果を示したもので、２２は少数キャリア界面準位
密度対温度特性を示し、２３は多数キャリア界面準位対
温度特性を示したものである。この例によれば、多数キ
ャリア界面準位密度の値が、少数キャリア界面単位の場
合より常温附近では約１桁少ないことがわかる。
以上により界面準位密度の全禁止帯にわたるエネルギー
分７ｆを算出することが可能となる。第５図はこの界面
準位密度分布特性の１例を示したものである。こ＼で、
Ｅｖ ’ａ価亀帯準位である。これによりエレクトロン
及びホールの界面準位密度分相を容易かつ正確に描かせ
ることができる。
分７ｆを算出することが可能となる。第５図はこの界面
準位密度分布特性の１例を示したものである。こ＼で、
Ｅｖ ’ａ価亀帯準位である。これによりエレクトロン
及びホールの界面準位密度分相を容易かつ正確に描かせ
ることができる。
なお、重み付は信号としては、２組の矩形波信号のみな
らず、２組のパルス信号、或は２組の指数関数信号等を
用いてもよいことは勿論である。
らず、２組のパルス信号、或は２組の指数関数信号等を
用いてもよいことは勿論である。
以上説明したように本発明によｎば、ＭＯ８型ダイオー
ドの界面における少数キャリアトラップ準位を容易に且
つ正確に測定することができる。
ドの界面における少数キャリアトラップ準位を容易に且
つ正確に測定することができる。
従って、従来のパルス電圧を用いる方法と合わせること
により、全禁止帯内にわたる界ｊ＄位を測定することが
できる。％に本発明の方法は、噴出感度の点及び測定が
界面ボテン／ｆルの斐勅の彪響を受けない点でアドミタ
ンス去より優れているっ
により、全禁止帯内にわたる界ｊ＄位を測定することが
できる。％に本発明の方法は、噴出感度の点及び測定が
界面ボテン／ｆルの斐勅の彪響を受けない点でアドミタ
ンス去より優れているっ
第１図は本発明：ｔｃ ｆｆ、る１］定方去を実権する
装置の一例を示すブロック図、＠２図（５）〜■ｒｉ、
本発明の詳細な説明する各部の波形図、第５図はＤＬＴ
Ｓ信号対温度特注図、第４図は少数キャリア界面準位
密度対温度特性図、第５図は界面準位密度のエネルギー
分布図である。 ３・・・光パルス波発生部、４・・・半透反射板、５・
・温度掃引用クライオスメノト、６・・・ＭＯ３型夕′
１オード、７・・・信号制御・逃理装置、８・・光検出
器、１３・・・高岡？皮答量計。 甫１図 第３図 第５ →萌間
装置の一例を示すブロック図、＠２図（５）〜■ｒｉ、
本発明の詳細な説明する各部の波形図、第５図はＤＬＴ
Ｓ信号対温度特注図、第４図は少数キャリア界面準位
密度対温度特性図、第５図は界面準位密度のエネルギー
分布図である。 ３・・・光パルス波発生部、４・・・半透反射板、５・
・温度掃引用クライオスメノト、６・・・ＭＯ３型夕′
１オード、７・・・信号制御・逃理装置、８・・光検出
器、１３・・・高岡？皮答量計。 甫１図 第３図 第５ →萌間
Claims (1)
- 測定をすべきＭＯ８型ダイオードにその禁止帯幅以上の
エネルギーをもった光パルス波をバイアスパルス電圧と
同時に印加して前記元パルス波によるエネルギーで少数
キャリアのエネルギーレベルを上げて表面準位を反転さ
せ、前記光パルス波の印加停止後の前記少数キャリアの
熱的放出に基〈空乏層の変化を高周波容量の過度変化と
して、前記ＭＯ８型ダイオードの温度を変化させながら
２組の重み付は信号の差信号として取出すことを特徴と
するＭＯ３型ダイオードの界面における少数キャリアト
ラップ単位測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8873982A JPS58206135A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | Ｍｏｓ型ダイオ−ドの界面における少数キヤリアトラツプ準位測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8873982A JPS58206135A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | Ｍｏｓ型ダイオ−ドの界面における少数キヤリアトラツプ準位測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58206135A true JPS58206135A (ja) | 1983-12-01 |
| JPH0115141B2 JPH0115141B2 (ja) | 1989-03-15 |
Family
ID=13951284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8873982A Granted JPS58206135A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | Ｍｏｓ型ダイオ−ドの界面における少数キヤリアトラツプ準位測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58206135A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5922337A (ja) * | 1982-07-28 | 1984-02-04 | Fujitsu Ltd | 界面電気伝導評価方法 |
| JP2008014668A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機材料の評価装置及び評価方法 |
| JP2015040816A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 検査装置および検査方法 |
-
1982
- 1982-05-27 JP JP8873982A patent/JPS58206135A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5922337A (ja) * | 1982-07-28 | 1984-02-04 | Fujitsu Ltd | 界面電気伝導評価方法 |
| JP2008014668A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機材料の評価装置及び評価方法 |
| JP4645540B2 (ja) * | 2006-07-03 | 2011-03-09 | 株式会社豊田中央研究所 | 有機材料の評価装置及び評価方法 |
| JP2015040816A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 検査装置および検査方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0115141B2 (ja) | 1989-03-15 |
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