CN114414041B - 具有皮秒量级的可见光和射线脉冲探测方法及固体条纹相机 - Google Patents
具有皮秒量级的可见光和射线脉冲探测方法及固体条纹相机 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114414041B CN114414041B CN202111616267.XA CN202111616267A CN114414041B CN 114414041 B CN114414041 B CN 114414041B CN 202111616267 A CN202111616267 A CN 202111616267A CN 114414041 B CN114414041 B CN 114414041B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- semiconductor
- material layer
- pulse signal
- detection laser
- detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 111
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 125
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 107
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 80
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 6
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000023004 detection of visible light Effects 0.000 claims 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 5
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012631 diagnostic technique Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01V—GEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; TAGS
- G01V11/00—Prospecting or detecting by methods combining techniques covered by two or more of main groups G01V1/00 - G01V9/00
- G01V11/002—Details, e.g. power supply systems for logging instruments, transmitting or recording data, specially adapted for well logging, also if the prospecting method is irrelevant
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geophysics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
本发明提供一种具有皮秒量级的可见光和射线脉冲探测方法及固体条纹相机，解决现有条纹相机易受电磁干扰、可靠性低、适用入射信号波段有限；加工难度大、结构复杂、不具备长时间跨度探测能力、探测能段范围有限的问题。该方法包括步骤1)使待测脉冲信号和探测激光同时入射半导体响应材料层；待测脉冲信号激发半导体响应材料层内部产生与待测脉冲信号脉冲时间信息一致的非平衡载流子，在半导体响应材料层产生按时间先后分布的瞬时折射率条纹；半导体响应材料层表面对探测激光进行反射，获得包含待测脉冲信号的时间信息的条纹分布；2)带有条纹强度分布的探测激光经光学系统后入射到成像探测器中，实现皮秒量级脉冲信号的探测。
Description
技术领域
本发明属于超快诊断技术领域，具体涉及一种稳定可靠、结构简单的时间分辨达到皮秒量级的可见光和射线脉冲探测方法及固体条纹相机，尤其适用于超快可见光脉冲信号、X射线脉冲信号的探测。
背景技术
超快诊断技术对能源、材料、生物、光物理和高能物理等领域的研究具有极其重要的科学意义。与超快诊断技术相联系的仪器设备是前沿科学和尖端科技领域不可或缺的研究工具及手段。
传统的高速诊断设备包括高速像增强CCD、高速门控分幅相机、行波选通分幅相机、条纹相机等。其中，条纹相机可以实现一维皮秒、甚至飞秒量级的时间分辨，具有很好应用前景。但是传统的条纹相机是通过真空电子学高速调制栅极电压扫描真空光电子，实现时间到空间的展开。受限于其物理机制，传统的条纹相机极易受到电磁干扰，且可靠性不高。另外，针对不同波段信号的探测，对应响应不同的转换阴极，即系统一旦确定，所适用的入射信号波段也就限定了。
目前现有的全光固体条纹相机，可以克服上述探测物理机制造成的电磁干扰问题。但，其核心结构在于光偏转器，光偏转器为AlGaAs/GaAs/AlGaAl夹层结构，表面需要加工锯齿状掩膜，且数目较多，通常约为50～500个，使得固体条纹相机的加工难度较大，且结构更为复杂；另外，此类全光固体条纹相机可测时间跨度约为百皮秒，不具备长时间跨度的探测能力；以及可探测能段范围约为900nm～THz的超快信号，难以满足X射线甚至更高能段射线的探测需求。
发明内容
为了解决现有条纹相机易受电磁干扰、可靠性低、适用入射信号波段有限，或加工难度大、结构复杂、不具备长时间跨度探测能力、探测能段范围有限而难以满足高能段射线探测需求的技术问题，本发明提供了一种具有皮秒量级的可见光和射线脉冲探测方法及固体条纹相机。
为实现上述目的，本发明提供的技术方案是：
一种具有皮秒量级的可见光和射线脉冲探测方法，其特殊之处在于，包括以下步骤：
1)获得包含待测脉冲信号的时间信息的条纹分布
1.1)使待测脉冲信号投射到半导体超快探测器的半导体响应材料层；同时，使探测激光入射到半导体超快探测器的半导体响应材料层表面；
其中，半导体超快探测器包括半导体衬底材料层以及设置在半导体衬底材料层上的半导体响应材料层，半导体响应材料层的载流子具有高复合速度，载流子的产生-复合时间为皮秒量级；探测激光为皮秒激光；
1.2)待测脉冲信号激发半导体响应材料层内部产生与待测脉冲信号脉冲时间信息一致的非平衡载流子，并形成浓度分布，进而在半导体响应材料层产生按时间先后分布的瞬时折射率条纹；
1.3)半导体响应材料层表面对探测激光进行反射，且反射率随着步骤1.2)的瞬时折射率变化而产生变化，则反射的探测激光空间强度分布与瞬时折射率条纹分布一一对应，形成瞬时折射率对应的条纹强度分布，该条纹强度分布包含待测脉冲信号的时间信息；
2)探测脉冲信号
经半导体响应材料层表面反射回的带有条纹强度分布的探测激光经光学系统后入射到成像探测器中，被成像探测器成像读出，实现皮秒量级脉冲信号的探测。
进一步地，在步骤1.1)之前还包括：
步骤1.0)根据待测脉冲信号的能段，调节待测脉冲信号的入射角度；
其中，入射角度为待测脉冲信号与半导体响应材料层法线之间的夹角。
进一步地，步骤1.0)具体为：
待测脉冲信号为高能射线脉冲信号，调节大的待测脉冲信号入射角度；
待测脉冲信号为低能射线脉冲信号到可见光脉冲信号，调节小的待测脉冲信号入射角度。
进一步地，步骤1.1)具体为：
使待测脉冲信号投射到半导体超快探测器的半导体响应材料层侧面；同时，使探测激光垂直入射到半导体超快探测器的半导体响应材料层表面；
或者，使待测脉冲信号投射到半导体超快探测器的半导体响应材料层表面；同时，使探测激光入射到半导体超快探测器的半导体响应材料层表面，探测激光入射截面必须包含待测脉冲信号入射到半导体相应材料层的截面。
或者，半导体衬底材料层对于探测激光为透明结构，使待测脉冲信号投射到半导体超快探测器的半导体响应材料层表面；同时，使探测激光入射到半导体超快探测器的半导体衬底材料层表面。
进一步地，步骤1.1)中，所述探测激光的波段为532nm～800nm。
同时，本发明还提供了一种具有皮秒量级的固体条纹相机，其特殊之处在于：包括半导体超快探测器、探测激光器、同步系统、光学系统和成像探测器；
所述半导体超快探测器包括半导体衬底材料层以及设置在半导体衬底材料层上的半导体响应材料层，半导体响应材料层的载流子具有高复合速度，载流子的产生-复合时间为皮秒量级；
所述探测激光器用于提供探测激光；
所述同步系统用于使待测脉冲信号和探测激光器出射的探测激光同时入射到半导体超快探测器；
所述光学系统用于将半导体超快探测器反射回的探测激光成像于成像探测器。
进一步地，所述光学系统包括设置在半导体超快探测器和成像探测器之间的反射镜和成像光学模块，且反射镜靠近半导体超快探测器设置。
进一步地，所述探测激光器提供的探测激光波段为532nm～800nm。
进一步地，所述成像探测器为CCD。
与现有技术相比，本发明的优点是：
1、本发明探测方法及固体条纹相机通过探测激光对由被待测可见光脉冲或者射线脉冲激发的超快响应材料的瞬时折射率分布进行主动探测，从而获得待测可见光或者射线脉冲的时间特性，实现皮秒量级的脉冲探测。
2、本发明探测方法针对不同能段的射线探测，可以通过调节待测脉冲信号的入射角度，进而调节待测脉冲信号在超快响应材料中的穿透深度，适用范围广，通用性强。
3、相比于现有全光固体条纹相机百皮秒的可测时间跨度，本发明根据测脉冲信号不同的入射方式和入射角度，使得测脉冲信号在超快响应材料中的入射厚度可调，可以大于100mm，使得监测时间跨度大于1ns。
4、本发明条纹相机具有稳定可靠、结构简单的特点，且时间分辨可达到皮秒量级。
附图说明
图1是本发明具有皮秒量级的固体条纹相机实施例中待测脉冲信号和探测激光采用入射方式1的结构示意图；
图2是本发明具有皮秒量级的固体条纹相机实施例中待测脉冲信号和探测激光采用入射方式2的结构示意图；
图3是本发明具有皮秒量级的固体条纹相机实施例中待测脉冲信号和探测激光采用入射方式3的结构示意图；
图4是本发明具有皮秒量级的固体条纹相机实施例中待测脉冲信号的入射角度处示意图；
其中，附图标记如下：
01-待测脉冲信号；
1-半导体超快探测器，11-半导体衬底材料层，12-半导体响应材料层，2-探测激光器，3-光学系统，31-反射镜，32-成像光学模块，4-成像探测器，5-同步系统。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明的内容作进一步详细描述。
如图1至图3所示，本发明具有皮秒量级的固体条纹相机，包括半导体超快探测器1、探测激光器2、光学系统3、成像探测器4和同步系统5。
半导体超快探测器1由半导体衬底材料层11、设置在半导体衬底材料层11上的半导体响应材料层12构成，对待测脉冲信号01的能量转换由超快响应材料(半导体响应材料层12)完成。半导体响应材料层12采用快响应材料，其载流子具有高复合速度，载流子的产生-复合时间为皮秒量级。
探测激光器2用于向半导体超快探测器1的半导体响应材料层12提供探测激光，本实施例探测激光为皮秒激光，并选择532nm-800nm波段，以保证后端成像探测器4的探测效率；半导体响应材料层12的超快材料禁带宽度大于探测激光波长。
光学系统3包括依次设置的反射镜31和成像光学模块32，且反射镜31靠近半导体超快探测器1设置，光学系统3主要用于将经半导体超快探测器1反射后的探测激光成像于成像探测器4上，具体的，半导体超快探测器1反射后的探测激光经反射镜31反射、成像光学模块32成像后进入成像探测器4。
成像探测器4为CCD等成像器件。
同步系统5用于使待测脉冲信号01和探测激光器2出射的探测激光同时入射到半导体超快探测器1。
本实施例固体条纹相机通过探测激光对由被待测超快可见光脉冲或者射线脉冲激发的超快响应材料的瞬时折射率分布进行主动探测，从而获得待测可见光或者射线脉冲的时间特性，可实现超快可见光脉冲或者射线脉冲时间特性的探测，具有稳定可靠的、结构简单的特点，且时间分辨可达到皮秒量级。
基于上述具有皮秒量级的固体条纹相机，提供了一种具有皮秒量级的可见光和射线脉冲探测方法，包括以下步骤：
1)获得包含待测脉冲信号的时间信息的条纹分布
1.1)使待测脉冲信号01投射到半导体超快探测器1的半导体响应材料层12；同时，使探测激光入射到半导体超快探测器1的半导体响应材料层12表面；
1.2)待测脉冲信号01投射到半导体超快探测器1的半导体响应材料层12时，由于不同时刻待测脉冲信号01到达超快响应材料的时间不同，从而激发响应材料内部产生与待测脉冲信号01脉冲时间信息一致的非平衡载流子，并形成浓度分布，进而在半导体响应材料层12产生按时间先后分布的瞬时折射率条纹；
1.3)通过超快探测激光主动探测上述变化，具体过程为：当探测激光入射到半导体响应材料层12表面时，材料表面对探测激光的反射率由于响应材料的瞬时折射率变化而产生变化，这样，反射的探测激光空间强度分布会与瞬时折射率的条纹分布一一对应，形成瞬时折射率对应的条纹强度分布，该条纹强度分布包含待测脉冲信号01的时间信息；
2)探测脉冲信号
经半导体响应材料层12表面反射回的带有条纹强度分布的探测激光依次经反射镜31反射、成像光学模块32成像后进入成像探测器4中，被成像探测器4成像读出，图像中的条纹分布与超快响应材料的瞬时折射率分布对应，将待测脉冲信号01的时间信息转换为图像的条纹信息，可以实现极快皮秒量级的脉冲探测。
本实施例探测方法在步骤1.1)之前还包括步骤1.0)：根据待测脉冲信号01的能段，调节待测脉冲信号01的入射角度，改变测脉冲信号在半导体响应材料层12中的穿透深度，实现不同能段测脉冲信号的探测；具体的探测高能射线脉冲信号时，射线的穿透能力强，穿透深度很深，调节大的入射角度，可以增加待测脉冲信号01作用于材料的厚度；探测低能量能射线脉冲信号到可见光信号时，信号的穿透能力较弱，穿透深度浅，调节小的入射角度；其中，如图4所示，入射角度α为待测脉冲信号01与半导体响应材料层12法线之间的夹角。
本实施例待测脉冲信号01和探测激光的入射方式，可以灵活选用多种信号入射方式，本实施例给出了以下三种入射方式：
入射方式1、如图1所示，待测脉冲信号01从半导体超快探测器1的半导体响应材料层12侧面入射到导体响应材料；探测激光器2出射的探测激光经反射镜31反射后垂直入射到半导体超快探测器1的半导体响应材料层12表面；
入射方式2、如图2所示，待测脉冲信号01从半导体超快探测器1的半导体响应材料层12表面入射；同时，探测激光器2出射的探测激光也入射到半导体超快探测器1的半导体响应材料层12表面，探测激光入射截面必须包含待测脉冲信号入射到半导体相应材料层的截面。
入射方式3、如图3所示，半导体衬底材料层11对于探测激光为透明结构时，待测脉冲信号01从半导体超快探测器1的半导体响应材料层12表面入射；同时，探测激光器2出射的探测激光入射到半导体超快探测器1的半导体衬底材料层11表面。
具体的，本实施例探测方法对于较高能量的射线，能量在超快响应材料中沉积吸收的深度较深，可以达到cm量级甚至更远，不同时刻射线强度在半导体响应材料层12表面形成载流子浓度分布，进而转化形成折射率分布，用探测激光器2出射的探测激光照射材料表面获得反射率分布图数据。从而反映了材料表面折射率分布，得到射线脉冲的时间特性，具有极高的空间分辨率，百微米的条纹对应1ps的时间分辨率。
对于较低能量的射线，能量在超快响应材料中沉积吸收的深度浅，可以达到mm量级，半导体超快探测器1倾斜一定角度，不同时刻射线脉冲到达半导体响应材料层12的时间与距离光源的距离成正比，超快响应材料吸收射线能量并在超快响应材料表面形成载流子浓度分布，进而转化形成折射率分布，用探测激光器2出射的探测激光照射材料表面获得反射率分布图数据。从而反映了材料表面折射率分布，得到射线脉冲的时间特性。
本实施例探测方法和固体条纹相机具有以下特点：
1.具有极高空间分辨率：100um的条纹对应1ps的时间分辨率；
2.超快材料的时间响应可以达到皮秒量级，则固体条纹相机可以达到皮秒量级的超短脉冲探测；
3.超快响应材料的禁带宽度大于探测激光波长，超快响应材料对探测激光不吸收，避免了信号的干扰；
4.皮秒的探测激光功率不高，大大降低了成本，且可靠性高；
5.测脉冲信号可为X射线等射线，可见光等，适用范围广，通用性强；
6.整个探测系统为纯光路系统，因而具有非常好的抗电磁特性；
7.相比于现有全光固体条纹相机百皮秒的可测时间跨度，本申请根据测脉冲信号不同的入射方式和入射角度，使得测脉冲信号在超快响应材料中的入射厚度可调，可以大于100mm，这样监测时间跨度大于1ns，且对光源和射线源的同步精度要求低很多，易于同步；
8.针对不同能段的射线探测，可以通过调节待测脉冲信号01的入射角度，进而调节待测脉冲信号01在超快响应材料中的穿透深度，调节待测脉冲信号在超快响应材料中的吸收深度；
9.在入射方式方面，可以灵活选用多种信号入射方式：当高能射线入射时或需要探测时间跨度较大(例如百皮秒～纳秒)，选择如图1所示的入射方式1；当较低能射线或者可见光入射时，或需要探测时间跨度较小时选择如图2所示的入射方式2，如图2所示，或者当外延材料对于探测激光而言为透明时，选择如图3所示的入射方式3。
10.固体条纹相机具有可靠性高、易于同步的优点。
以上仅是对本发明的优选实施方式进行了描述，并不将本发明的技术方案限制于此，本领域技术人员在本发明主要技术构思的基础上所作的任何变形都属于本发明所要保护的技术范畴。
Claims (5)
1.一种具有皮秒量级的可见光和射线脉冲探测方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)获得包含待测脉冲信号的时间信息的条纹分布
1.0)根据待测脉冲信号(01)的能段，调节待测脉冲信号(01)的入射角度；具体为：
待测脉冲信号(01)为高能射线脉冲信号，调节大的待测脉冲信号(01)入射角度；
待测脉冲信号(01)为低能射线脉冲信号到可见光脉冲信号，调节小的待测脉冲信号(01)入射角度
其中，入射角度为待测脉冲信号(01)与半导体响应材料层(12)法线之间的夹角；
1.1)使待测脉冲信号(01)投射到半导体超快探测器(1)的半导体响应材料层(12)；同时，使探测激光入射到半导体超快探测器(1)的半导体响应材料层(12)表面；
其中，半导体超快探测器(1)包括半导体衬底材料层(11)以及设置在半导体衬底材料层(11)上的半导体响应材料层(12)，半导体响应材料层(12)的载流子具有高复合速度，载流子的产生-复合时间为皮秒量级；探测激光为皮秒激光；
1.2)待测脉冲信号(01)激发半导体响应材料层(12)内部产生与待测脉冲信号(01)脉冲时间信息一致的非平衡载流子，并形成浓度分布，进而在半导体响应材料层(12)产生按时间先后分布的瞬时折射率条纹；
1.3)半导体响应材料层(12)表面对探测激光进行反射，且反射率随着步骤1.2)的瞬时折射率变化而产生变化，则反射的探测激光空间强度分布与瞬时折射率条纹分布一一对应，形成瞬时折射率对应的条纹强度分布，该条纹强度分布包含待测脉冲信号(01)的时间信息；
2)探测脉冲信号
经半导体响应材料层(12)表面反射回的带有条纹强度分布的探测激光经光学系统(3)后入射到成像探测器(4)中，被成像探测器(4)成像读出，实现皮秒量级脉冲信号的探测。
2.根据权利要求1所述具有皮秒量级的可见光和射线脉冲探测方法，其特征在于，步骤1.1)具体为：
使待测脉冲信号(01)投射到半导体超快探测器(1)的半导体响应材料层(12)侧面；同时，使探测激光垂直入射到半导体超快探测器(1)的半导体响应材料层(12)表面；
或者，使待测脉冲信号(01)投射到半导体超快探测器(1)的半导体响应材料层(12)表面；同时，使探测激光入射到半导体超快探测器(1)的半导体响应材料层(12)表面，探测激光入射截面必须包含待测脉冲信号入射到半导体相应材料层的截面；
或者，半导体衬底材料层(11)对于探测激光为透明结构，使待测脉冲信号(01)投射到半导体超快探测器(1)的半导体响应材料层(12)表面；同时，使探测激光入射到半导体超快探测器(1)的半导体衬底材料层(11)表面。
3.根据权利要求2所述具有皮秒量级的可见光和射线脉冲探测方法，其特征在于：所使用的固体条纹相机包括半导体超快探测器(1)、探测激光器(2)、同步系统(5)、光学系统(3)和成像探测器(4)；
所述半导体超快探测器(1)包括半导体衬底材料层(11)以及设置在半导体衬底材料层(11)上的半导体响应材料层(12)，半导体响应材料层(12)的载流子具有高复合速度，载流子的产生-复合时间为皮秒量级；
所述探测激光器(2)用于提供探测激光；
所述同步系统(5)用于使待测脉冲信号(01)和探测激光器(2)出射的探测激光同时入射到半导体超快探测器(1)；
所述光学系统(3)用于将半导体超快探测器(1)反射回的探测激光成像于成像探测器(4)；
所述光学系统(3)包括设置在半导体超快探测器(1)和成像探测器(4)之间的反射镜(31)和成像光学模块(32)，且反射镜(31)靠近半导体超快探测器(1)设置。
4.根据权利要求3所述具有皮秒量级的可见光和射线脉冲探测方法，其特征在于：所述探测激光器(2)提供的探测激光波段为532nm～800nm。
5.根据权利要求4所述具有皮秒量级的可见光和射线脉冲探测方法，其特征在于：所述成像探测器(4)为CCD。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111616267.XA CN114414041B (zh) | 2021-12-27 | 2021-12-27 | 具有皮秒量级的可见光和射线脉冲探测方法及固体条纹相机 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111616267.XA CN114414041B (zh) | 2021-12-27 | 2021-12-27 | 具有皮秒量级的可见光和射线脉冲探测方法及固体条纹相机 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114414041A CN114414041A (zh) | 2022-04-29 |
| CN114414041B true CN114414041B (zh) | 2024-04-05 |
Family
ID=81270041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111616267.XA Active CN114414041B (zh) | 2021-12-27 | 2021-12-27 | 具有皮秒量级的可见光和射线脉冲探测方法及固体条纹相机 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114414041B (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110398293A (zh) * | 2019-07-03 | 2019-11-01 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 全光固体超快探测芯片、全光固体超快探测器及其探测方法 |
| CN111443062A (zh) * | 2020-04-26 | 2020-07-24 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种半导体材料瞬态折射率超快检测装置及方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2807675B1 (en) * | 2012-01-23 | 2018-09-05 | The Regents of The University of Michigan | Photoconductive device with plasmonic electrodes |
| US9658510B2 (en) * | 2012-12-19 | 2017-05-23 | Georgia Tech Research Corporation | Devices, systems and methods for ultrafast optical applications |
| EP3035394A1 (en) * | 2014-12-17 | 2016-06-22 | Centre National de la Recherche Scientifique | Photoconductive antenna for terahertz waves, method for producing such photoconductive antenna and terahertz time domain spectroscopy system |
| TWI627517B (zh) * | 2017-05-11 | 2018-06-21 | National Taiwan Normal University | 超快時間解析數位全像之方法及其裝置 |
-
2021
- 2021-12-27 CN CN202111616267.XA patent/CN114414041B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110398293A (zh) * | 2019-07-03 | 2019-11-01 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 全光固体超快探测芯片、全光固体超快探测器及其探测方法 |
| CN111443062A (zh) * | 2020-04-26 | 2020-07-24 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种半导体材料瞬态折射率超快检测装置及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114414041A (zh) | 2022-04-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Zappa et al. | Solid-state single-photon detectors | |
| Salzmann et al. | The LIDAR Thomson scattering diagnostic on JET | |
| CN112099072B (zh) | 高通量抗电磁干扰质子能谱和强度探测器 | |
| US4215274A (en) | X-ray detector with picosecond time resolution | |
| CN112859098A (zh) | 一种光子数分辨测量增强单光子激光雷达系统及测距方法 | |
| Lorenz et al. | Fast readout of plastic and crystal scintillators by avalanche photodiodes | |
| Fukuda | Single-photon measurement techniques with a superconducting transition edge sensor | |
| CN114414041B (zh) | 具有皮秒量级的可见光和射线脉冲探测方法及固体条纹相机 | |
| CN104422715A (zh) | 基于动态子窗口技术的激光扫描热波成像方法及装置 | |
| CN210719643U (zh) | 一种光伏器件单发次超快响应过程测量系统 | |
| Nicassio et al. | A combined SiPM-based TOF+ RICH detector for future high-energy physics experiments | |
| CN110398345A (zh) | 光伏器件单发次超快响应过程测量系统 | |
| CN115047508A (zh) | 相位阵列阶梯反射镜器件，单脉冲x射线脉宽的测量装置和测量方法 | |
| CN212031297U (zh) | 超短单光束单脉冲时间分辨泵浦探测装置及延时阶梯窗口 | |
| CN207894829U (zh) | 像增强型全光固体超快成像探测器 | |
| CN208424318U (zh) | 光伏器件载流子动力学过程测量装置 | |
| CN108254349B (zh) | 像增强型全光固体超快成像探测器 | |
| US6876723B1 (en) | Rise time measurement for ultrafast X-ray pulses | |
| CN110658161A (zh) | 超短单光束单脉冲时间分辨泵浦探测装置及方法及延时阶梯窗口 | |
| CN111443101A (zh) | 一种用于不同晶体x射线衍射效率的直接比对系统 | |
| Moran | Detector development for γ‐ray diagnostics of D‐T fusion reactions | |
| Li et al. | Demonstration of a Solar-Blind Single-Photon Imaging Lidar Based on SiC Ultraviolet Avalanche Photodiodes | |
| CN113433142B (zh) | 适用于x射线诊断的高时空分辨光学系统 | |
| Quaranta et al. | Scintillation mechanism and efficiency of ternary scintillator thin films | |
| Contalbrigo et al. | Tests of innovative photon detectors and integrated electronics for the large-area CLAS12 ring-imaging Cherenkov detector |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |