JPS6376381A - 太陽電池の分光感度測定法 - Google Patents
太陽電池の分光感度測定法Info
- Publication number
- JPS6376381A JPS6376381A JP61221152A JP22115286A JPS6376381A JP S6376381 A JPS6376381 A JP S6376381A JP 61221152 A JP61221152 A JP 61221152A JP 22115286 A JP22115286 A JP 22115286A JP S6376381 A JPS6376381 A JP S6376381A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spectral sensitivity
- light
- intensity
- bias light
- measurement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 title claims abstract description 48
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 title claims abstract description 48
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title abstract description 17
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 claims 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、アモルファスシリコン（以下ａ−５ｔと記す
）等を用いた多層積層型太陽電池の分光感度測定法に関
する。
）等を用いた多層積層型太陽電池の分光感度測定法に関
する。
〈従来技術〉
従来より知られているアモルファスシリコン多層積層型
太陽電池の中で２層積層型太陽電池（以下タンデムセル
と記す）を例にとってその分光感度測定法について具体
的に説明する。
太陽電池の中で２層積層型太陽電池（以下タンデムセル
と記す）を例にとってその分光感度測定法について具体
的に説明する。
タンデムセルを構成する個々のシングル太陽電池（以下
シングルセルと記す）の分光感度を分離して得るために
、従来第４図のような測定系が用いられている。試料と
しては、例えばＳ、Ｓ、／ｐｉｎｐｉｎ／ＩＴＯのａ−
８ｉタンデムセルが用いられる。
シングルセルと記す）の分光感度を分離して得るために
、従来第４図のような測定系が用いられている。試料と
しては、例えばＳ、Ｓ、／ｐｉｎｐｉｎ／ＩＴＯのａ−
８ｉタンデムセルが用いられる。
試料のタンデムセルにＤＣバイアス光を照射しさらにチ
ョップされたプローブ光を重畳したときにプローブ光に
よって変化する光電流をロックインアンプで検出し、タ
ンデムセルに入射した光エネルギーに対する比を求めた
ものがバイアス光下でのタンデムセルの分光感度である
。
ョップされたプローブ光を重畳したときにプローブ光に
よって変化する光電流をロックインアンプで検出し、タ
ンデムセルに入射した光エネルギーに対する比を求めた
ものがバイアス光下でのタンデムセルの分光感度である
。
バイアス光については、２種類の異なる波長の光を用い
る。光学禁制帯幅が１．７ｅＶ前後のａ−Ｓｉをタンデ
ムセルの材料として用いる場合には、短波長光と長波長
光をバイアス光とするのが普通である。尚、我々の実験
によれば、この短波長光と長波長光を定める光の波長域
は厳密に決定する必要はなく、例えばＡＭｌ、５の白色
光に第３図に示す各種特性のフィルターをＩ ＲＡ−０
５と重ねてバイアス光とする場合、Ｙ−４６、Ｒ−６０
。
る。光学禁制帯幅が１．７ｅＶ前後のａ−Ｓｉをタンデ
ムセルの材料として用いる場合には、短波長光と長波長
光をバイアス光とするのが普通である。尚、我々の実験
によれば、この短波長光と長波長光を定める光の波長域
は厳密に決定する必要はなく、例えばＡＭｌ、５の白色
光に第３図に示す各種特性のフィルターをＩ ＲＡ−０
５と重ねてバイアス光とする場合、Ｙ−４６、Ｒ−６０
。
８３０．８３１．８３２．８３３はすべて長波長光の範
噴に含まれ、８２９だけが短波長光であった。
噴に含まれ、８２９だけが短波長光であった。
長波長バイアス光を用いると、タンデムセルを構成する
シングルセル（光の入射側にあるトップセルと逆の位置
にあるボトムセル）のうち、光の入射側のシングルセル
即ちトップセルの分光感度が測定できる。バイアス光が
長波長光であると、ｉ層厚の厚いボトムセルの方で多く
吸収される。
シングルセル（光の入射側にあるトップセルと逆の位置
にあるボトムセル）のうち、光の入射側のシングルセル
即ちトップセルの分光感度が測定できる。バイアス光が
長波長光であると、ｉ層厚の厚いボトムセルの方で多く
吸収される。
タンデムセルのＩ−ＶＣ電流−電圧）特性は、トップセ
ルとボトムセルのＩ−Ｖ曲線の同一電流でのＶを加算し
て得られる。今、タンデムセルは短絡状態（ｉ、ｅ、バ
イアス電圧Ｖ＝Ｏ）にあるとする。
ルとボトムセルのＩ−Ｖ曲線の同一電流でのＶを加算し
て得られる。今、タンデムセルは短絡状態（ｉ、ｅ、バ
イアス電圧Ｖ＝Ｏ）にあるとする。
この場合、■（トップセル）＜ＩＣボトムセル）である
ために、ボトムセルではＩ−Ｖ曲線の立下り付近が動作
点となり、トップセルでは逆バイアス付近が動作点とな
っている。この状態に、更にプローブ光が重畳された場
合のＩ−Ｖ曲線の電流差をロックインアンプで検出する
がこの場合には、トップセルの光応答電流を見ているこ
とになる。
ために、ボトムセルではＩ−Ｖ曲線の立下り付近が動作
点となり、トップセルでは逆バイアス付近が動作点とな
っている。この状態に、更にプローブ光が重畳された場
合のＩ−Ｖ曲線の電流差をロックインアンプで検出する
がこの場合には、トップセルの光応答電流を見ているこ
とになる。
すなわち長波長バイアス光照射によってトップセルの分
光感度が得られる。
光感度が得られる。
これとは逆に、バイアス光として短波長光を使用した場
合短波長バイアス光はトップセルで殆ど吸収され、ボト
ムセルにはあまり届かないので、バイアス光によって発
生しようとする電流はトップセルの方が大きい。これが
長波長バイアス光との違いであるが、以下同様に考えれ
ばこの場合には、ボトムセルの分光感度が得られること
がわかる。ボトムセルの分光感度曲線の山がトップセル
のそれよりも長波長側へ寄っているのは、トップセルが
フィルターとしてボトムセルの分光感度に関与している
からである。すなわちここで扱っている分光感度とは、
タンデム素子に入射する光に対する各シングルセルの分
光感度であるからである。ボトムセルに入射する光、す
なわちトップセルとボトムセルの境界を通過する光に対
するボトムセルの分光感度は別に定義する必要がある。
合短波長バイアス光はトップセルで殆ど吸収され、ボト
ムセルにはあまり届かないので、バイアス光によって発
生しようとする電流はトップセルの方が大きい。これが
長波長バイアス光との違いであるが、以下同様に考えれ
ばこの場合には、ボトムセルの分光感度が得られること
がわかる。ボトムセルの分光感度曲線の山がトップセル
のそれよりも長波長側へ寄っているのは、トップセルが
フィルターとしてボトムセルの分光感度に関与している
からである。すなわちここで扱っている分光感度とは、
タンデム素子に入射する光に対する各シングルセルの分
光感度であるからである。ボトムセルに入射する光、す
なわちトップセルとボトムセルの境界を通過する光に対
するボトムセルの分光感度は別に定義する必要がある。
測定例を第４図及び第５図に示す。第４図は長波長バイ
アス光下の分光感度であシ、トップセルの分光感度を表
わす。第５図は短波長バイアス光下の分光感度であシ、
ボトムセルの分光感度を表わす。いずれの図も１００チ
から１０％のバイアス光強度では正しい分光感度が測定
されているが、１０チ以下では真値からずれてくる。こ
れらはプローブ光のチョッピング周波数が８６Ｈｚと高
い場合である。
アス光下の分光感度であシ、トップセルの分光感度を表
わす。第５図は短波長バイアス光下の分光感度であシ、
ボトムセルの分光感度を表わす。いずれの図も１００チ
から１０％のバイアス光強度では正しい分光感度が測定
されているが、１０チ以下では真値からずれてくる。こ
れらはプローブ光のチョッピング周波数が８６Ｈｚと高
い場合である。
この様に従来技術では、バイアス光強度が低い場合に正
しい分光感度が測定できないという問題点があった。
しい分光感度が測定できないという問題点があった。
〈発明の目的〉
本発明は、上述の弱バイアス光強度下において分光感度
が精度良く測定されないという問題点を解決した新規な
太陽電池の分光感度測定法を提供することを目的とする
。
が精度良く測定されないという問題点を解決した新規な
太陽電池の分光感度測定法を提供することを目的とする
。
〈発明の概要〉
本発明は、上記目的を達成するために、第２図に示すよ
うな測定系において、バイアス光強度が弱い時にグロー
ブ光のチョッピング周波数（以下ｆと記す）をバイアス
光強度に対応して制御することによって高精度な分光感
度測定域を拡大したことを特徴とする。
うな測定系において、バイアス光強度が弱い時にグロー
ブ光のチョッピング周波数（以下ｆと記す）をバイアス
光強度に対応して制御することによって高精度な分光感
度測定域を拡大したことを特徴とする。
〈実施例〉
第１図は本発明の１実施例の分光感度測定法により得ら
れた測定データを示す。前述した如く長波長バイアス光
下ではトップセルの分光感度が得られ、短波長バイアス
光下ではボトムセルの分光感度が得られる。トップセル
とボトムセルの分光感度が分離されているならばバイア
ス光なしの場合には、トップセルとボトムセルの分光感
度のうちの小さい値の方をつなぎ合わせた分光感度が得
られるはずである。結果は第１図に示すようにチョッピ
ング周波数依存性を有しており、６Ｈｚの測定結果が最
も妥当である。
れた測定データを示す。前述した如く長波長バイアス光
下ではトップセルの分光感度が得られ、短波長バイアス
光下ではボトムセルの分光感度が得られる。トップセル
とボトムセルの分光感度が分離されているならばバイア
ス光なしの場合には、トップセルとボトムセルの分光感
度のうちの小さい値の方をつなぎ合わせた分光感度が得
られるはずである。結果は第１図に示すようにチョッピ
ング周波数依存性を有しており、６Ｈｚの測定結果が最
も妥当である。
このチョッピング周波数依存性を詳細に分析したものを
第２図に示した。ｆ＝６Ｈｚの曲線が原理上予想される
曲線に近い測定曲線であるが、ｆの増加に伴って特に長
波長側の分光感度の増加が顕著に見られ飽和する傾向に
ある。この要因は、過渡光電流の１＝０付近に急峻な立
上りと立下がりが存在するからである。尚、短波長側は
それほどの変化を示していないがこのチョッピング周波
数依存性には、サンプル間での相異も存在することが実
験から確認されており、短波長側の変化がもう少し大き
なサンプルもあった。
第２図に示した。ｆ＝６Ｈｚの曲線が原理上予想される
曲線に近い測定曲線であるが、ｆの増加に伴って特に長
波長側の分光感度の増加が顕著に見られ飽和する傾向に
ある。この要因は、過渡光電流の１＝０付近に急峻な立
上りと立下がりが存在するからである。尚、短波長側は
それほどの変化を示していないがこのチョッピング周波
数依存性には、サンプル間での相異も存在することが実
験から確認されており、短波長側の変化がもう少し大き
なサンプルもあった。
第６図でバイアス光強度が所定値以上あれば、長波長バ
イアス光あるいは短波長バイアス光下では、チョッピン
グ周波数依存性が現われなかったが、これはタンデムセ
ルに入射する光が強ければより速く過渡光電流が定常状
態に達することを示している。バイアス光なしの場合は
非常に弱いプローブ光しかタンデムセルに入射していな
いために、光電流の応答時間が特に遅くなっている。そ
こで、バイアス光の強度を変えてｆ−６Ｈｚ（！：ｆ＝
８６Ｈｚで分光感度を測定した。
イアス光あるいは短波長バイアス光下では、チョッピン
グ周波数依存性が現われなかったが、これはタンデムセ
ルに入射する光が強ければより速く過渡光電流が定常状
態に達することを示している。バイアス光なしの場合は
非常に弱いプローブ光しかタンデムセルに入射していな
いために、光電流の応答時間が特に遅くなっている。そ
こで、バイアス光の強度を変えてｆ−６Ｈｚ（！：ｆ＝
８６Ｈｚで分光感度を測定した。
ｆ＝６Ｈｚの結果を第３図に示す。バイアス光強度Ｏ％
に始まり長波長バイアス光下では強度の増加に伴って短
波長側のみ分光感度が増大し、長波長側は不変である。
に始まり長波長バイアス光下では強度の増加に伴って短
波長側のみ分光感度が増大し、長波長側は不変である。
短波長バイアス光下では逆に長波長側の分光感度のみ増
大する。バイアス光強度の１００％と２チを除く残りの
場合は分光感度が飽和していないが、この原因は測定原
理からバイアス光強度とプローブ光強度の大小関係に由
来する。また、このような条件下では分光感度曲線の微
妙な凹凸例えば、短波長バイアス光０．１５チの分光感
度曲線の凹凸も定性的に説明することができる。
大する。バイアス光強度の１００％と２チを除く残りの
場合は分光感度が飽和していないが、この原因は測定原
理からバイアス光強度とプローブ光強度の大小関係に由
来する。また、このような条件下では分光感度曲線の微
妙な凹凸例えば、短波長バイアス光０．１５チの分光感
度曲線の凹凸も定性的に説明することができる。
ｆ＝８６Ｈｚの結果は既に第６図と第７図にて説明して
いる。前者は長波長バイアス光下、後者は短波長バイア
ス光下の分光感度のバイアス光強度に対する依存性であ
る。０チは第１図と第２図のｆ＝８６Ｈｚの分光感度曲
線と同一である。短波長バイアス光も長波長バイアス光
も１０係から１００％の間で飽和するがこのバイアス光
強度はｆ＝６Ｈｚの場合よりも数倍から１桁はど強い。
いる。前者は長波長バイアス光下、後者は短波長バイア
ス光下の分光感度のバイアス光強度に対する依存性であ
る。０チは第１図と第２図のｆ＝８６Ｈｚの分光感度曲
線と同一である。短波長バイアス光も長波長バイアス光
も１０係から１００％の間で飽和するがこのバイアス光
強度はｆ＝６Ｈｚの場合よりも数倍から１桁はど強い。
また、０．５％のバイアス光強度の分光感度の大きさは
ｆ＝６Ｈｚとｆ＝８６Ｈｚとの間で違いが顕著である。
ｆ＝６Ｈｚとｆ＝８６Ｈｚとの間で違いが顕著である。
これらの差異は前述した如く光電流の応答速度が遅い場
合にはｆ＝８６Ｈｚでは定常状態とならず分光感度の信
号はｆ＝６Ｈｚよりも小さく出力されるからであると考
えられる。
合にはｆ＝８６Ｈｚでは定常状態とならず分光感度の信
号はｆ＝６Ｈｚよりも小さく出力されるからであると考
えられる。
以上の検討結果よりバイアス光１００チの強度は、短波
長バイアス光が約３ｍＷ／Ｃ４、長波長バイアス光が約
５ ｍ Ｗ ／ａＡであった。１００チバイアス光を用
いれば、ｆは８６七近辺でも妥当な測定を可能とするが
、２チまでバイアス光強度を下げて測定する場合には８
６Ｈｚでは不適当であり、６Ｈｚが適当である。２チ以
下でバイアス光強度を順次低減させていき分光感度を測
定する場合には８６Ｈｚの測定データは６Ｈｚのそれか
ら大きくずれていく。
長バイアス光が約３ｍＷ／Ｃ４、長波長バイアス光が約
５ ｍ Ｗ ／ａＡであった。１００チバイアス光を用
いれば、ｆは８６七近辺でも妥当な測定を可能とするが
、２チまでバイアス光強度を下げて測定する場合には８
６Ｈｚでは不適当であり、６Ｈｚが適当である。２チ以
下でバイアス光強度を順次低減させていき分光感度を測
定する場合には８６Ｈｚの測定データは６Ｈｚのそれか
ら大きくずれていく。
以上の如くバイアス光強度を下げていくとｆは低下させ
る必要がある。短波長あるいは長波長のバイアス光強度
が０．３ ＝ ０．５ ｍＷ／Ｃ＋１１以上では、ｆ＜
８６Ｈｚ、バイアス光強度が０．０６＝０．１ｍＷ１０
１！以下ではｆ≦６Ｈｚが測定を行なうだめの適切範囲
である。
る必要がある。短波長あるいは長波長のバイアス光強度
が０．３ ＝ ０．５ ｍＷ／Ｃ＋１１以上では、ｆ＜
８６Ｈｚ、バイアス光強度が０．０６＝０．１ｍＷ１０
１！以下ではｆ≦６Ｈｚが測定を行なうだめの適切範囲
である。
以上の実施例は２層積層型太陽電池について説明したが
３層以上の多層積層型太陽電池についても本発明は同様
に適用される。
３層以上の多層積層型太陽電池についても本発明は同様
に適用される。
第１図乃至第３図は本発明の１実施例の説明に供する分
光感度特性図である。 第４図は分光感度の測定系を示すブロック構成図である
。 第５図はバイアス光の波長を決定するために用いた各種
フィルターの光透過率を示す説明図である０ 第６図及び第７図はｆ ＝８６ Ｈｚにおけるバイアス
光の強度に対する分光感度の変化を示す特性図である。
光感度特性図である。 第４図は分光感度の測定系を示すブロック構成図である
。 第５図はバイアス光の波長を決定するために用いた各種
フィルターの光透過率を示す説明図である０ 第６図及び第７図はｆ ＝８６ Ｈｚにおけるバイアス
光の強度に対する分光感度の変化を示す特性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、長波長及び短波長バイアス光とチョップされたプロ
ーブ光を多層積層型太陽電池に照射して光電流を検出す
ることにより各太陽電池の分光感度を求める太陽電池の
分光感度測定法において、前記バイアス光の強度低下に
対応して前記プローブ光のチョッピング周波数を制御す
ることを特徴とする太陽電池の分光感度測定法。 ２、多層積層型太陽電池がアモルファスシリコンで構成
されている特許請求の範囲第１項記載の太陽電池の分光
感度測定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61221152A JPS6376381A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 太陽電池の分光感度測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61221152A JPS6376381A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 太陽電池の分光感度測定法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376381A true JPS6376381A (ja) | 1988-04-06 |
| JPH0543275B2 JPH0543275B2 (ja) | 1993-07-01 |
Family
ID=16762286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61221152A Granted JPS6376381A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 太陽電池の分光感度測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6376381A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0131333A1 (de) * | 1983-07-06 | 1985-01-16 | Philips Patentverwaltung GmbH | Hochdruckentladungslampe mit einem senkrecht angeordneten Entladungsgefäss |
| JPH02254376A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-15 | Sharp Corp | 積層型太陽電池の特性測定方法 |
| JP2004281706A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Japan Science & Technology Agency | Ｌｅｄを用いた太陽電池の評価方法及びその評価装置 |
| JP2006147755A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Kaneka Corp | 多接合型光電変換素子の特性測定方法 |
| WO2013084441A1 (ja) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | コニカミノルタ株式会社 | 太陽電池の分光感度測定装置 |
-
1986
- 1986-09-18 JP JP61221152A patent/JPS6376381A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0131333A1 (de) * | 1983-07-06 | 1985-01-16 | Philips Patentverwaltung GmbH | Hochdruckentladungslampe mit einem senkrecht angeordneten Entladungsgefäss |
| JPH02254376A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-15 | Sharp Corp | 積層型太陽電池の特性測定方法 |
| JP2004281706A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Japan Science & Technology Agency | Ｌｅｄを用いた太陽電池の評価方法及びその評価装置 |
| JP2006147755A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Kaneka Corp | 多接合型光電変換素子の特性測定方法 |
| WO2013084441A1 (ja) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | コニカミノルタ株式会社 | 太陽電池の分光感度測定装置 |
| JPWO2013084441A1 (ja) * | 2011-12-05 | 2015-04-27 | コニカミノルタ株式会社 | 太陽電池の分光感度測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0543275B2 (ja) | 1993-07-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1170596B1 (en) | Method and apparatus for measuring photoelectric conversion characteristics | |
| Siefer et al. | Improved grating monochromator set-up for EQE measurements of multi-junction solar cells | |
| Emery et al. | Solar simulation-problems and solutions | |
| Albright et al. | Junction characteristics of CdS/CdTe solar cells | |
| Blood | Measurement of optical absorption in epitaxial semiconductor layers by a photovoltage method | |
| JPS6376381A (ja) | 太陽電池の分光感度測定法 | |
| Metzdorf et al. | Principle and application of differential spectroradiometry | |
| JP2013089632A (ja) | 分光感度測定方法、分光感度測定装置およびその制御プログラム | |
| US4581576A (en) | Nondestructive method for profiling imperfection levels in high resistivity semiconductor wafers | |
| Ma et al. | ZnSTe-based Schottky barrier ultraviolet detectors with nanosecond response time | |
| Shay et al. | A simple measurement of absolute solar‐cell efficiency | |
| JPH0543276B2 (ja) | ||
| WO2024078142A1 (zh) | 用于多结太阳能电池的在线表征方法及装置 | |
| JP4370391B2 (ja) | 光電変換特性評価方法およびそのための装置 | |
| US4678989A (en) | Optical absorption spectroscopy for semiconductors | |
| Rothwarf et al. | JUNCTION FIELD AND RECOMBINATION PHENOMENA IN THE Cds/Cu₂S SOLAR CELL: THEORY AND EXPERIMENT | |
| Abou-Elfotouh et al. | Broad band spectroscopic ellipsometry for the characterization of photovoltaic materials | |
| Hsu et al. | Modulation reflectance spectra of CuInS2 | |
| Coutts et al. | The quantum efficiency of CdS/CuIne solar cells | |
| Poruba et al. | Fourier transform photocurrent spectroscopy in thin film silicon solar cells | |
| Chambers et al. | Measurement of the spectral response of silicon solar cells under highly illuminated conditions | |
| Emery et al. | Spectral mismatch correction for GaAs solar cells with varying junction depths | |
| JP2003188398A (ja) | 光電変換装置及び結晶性Ｓｉ薄膜の評価方法 | |
| JPS5933265B2 (ja) | 接合素子の生産ラインにおける品質管理方法 | |
| Rockett et al. | Analysis of CuIn x Ga 1− x Se 2 solar cells using admittance spectroscopy under light bias |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |