JPS58205823A - 光センサ− - Google Patents
光センサ−Info
- Publication number
- JPS58205823A JPS58205823A JP8841082A JP8841082A JPS58205823A JP S58205823 A JPS58205823 A JP S58205823A JP 8841082 A JP8841082 A JP 8841082A JP 8841082 A JP8841082 A JP 8841082A JP S58205823 A JPS58205823 A JP S58205823A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- optical sensor
- light
- illuminance
- capacitance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
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- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract description 2
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエレクトロルミネセンス素子（以下ＫＬ素子と
呼称〕の特性を利用した光センサーに関するものである
。
呼称〕の特性を利用した光センサーに関するものである
。
一般的にム０薄膜型１！ｉＬ素子は第１図に示される構
造を有す。すなわち金属基板電極４の上部に光の反射率
の良い白色の絶縁誘電体薄膜３を形成部し、該誘電体層
Ｍ３の上部に、螢光体による発光層２を形成し、さらに
該発光層２の上部に透明電極１を形成し、全体を透明の
防湿シール材６で被覆し、透明電極１及び金属基板電極
４は各々外部側き出し電極５ａ及び５ｂに接続されてお
り、該電極５ｃＬ及び５ｂ間に交流電圧を印加すること
により、螢光体発光層２に強電界を誘起し、発光させる
ことを目的とする。［従来このＡＣ薄膜を］１１ｊＬ素
子は薄型の平面形状の発光源であるという特徴から発光
特性のみが注目されがちであり、非発光状態の特性は無
視されていた。
造を有す。すなわち金属基板電極４の上部に光の反射率
の良い白色の絶縁誘電体薄膜３を形成部し、該誘電体層
Ｍ３の上部に、螢光体による発光層２を形成し、さらに
該発光層２の上部に透明電極１を形成し、全体を透明の
防湿シール材６で被覆し、透明電極１及び金属基板電極
４は各々外部側き出し電極５ａ及び５ｂに接続されてお
り、該電極５ｃＬ及び５ｂ間に交流電圧を印加すること
により、螢光体発光層２に強電界を誘起し、発光させる
ことを目的とする。［従来このＡＣ薄膜を］１１ｊＬ素
子は薄型の平面形状の発光源であるという特徴から発光
特性のみが注目されがちであり、非発光状態の特性は無
視されていた。
本発明は上記ＡＣ薄膜型］！ｉＬ素子の非発光状態にお
ける特性において、螢光体発光層に入射する光の照度に
よって該発光層に物性的変化をもたらしＩｎＬ素子の静
電容量が変化するという特性を利用し、光センサーへ応
用することを目的とする。
ける特性において、螢光体発光層に入射する光の照度に
よって該発光層に物性的変化をもたらしＩｎＬ素子の静
電容量が変化するという特性を利用し、光センサーへ応
用することを目的とする。
以下第２〜５図に従い本発明について詳述する第２図は
発光部面積１副３のＡＣ薄膜型ＫＬ素子において、入射
光の照度に対する静電容量の変化を具体的に実測した結
果である。すなわち照度ＯＬｕｇから３００Ｌｕｚまで
の間に２倍程の静電容量の変化が得られた。第３図は第
２図に示されたＡＯ薄膜型ＥＬ素子の特性と２個のイン
バータを利用してＰＬ素子の静電容量Ｃの変化を発揚周
波数の変化に変換させるＯＲ型発振器の一実施例である
。ここで抵抗値をＲ１発振周波数ｋｆとするならば、ｆ
ｏｃ１／ＲＣという関係が成立し静電容量Ｏは発振周波
数ｆに変換される。ここで駆動電圧はＩＣＩ、素子の発
光の立ち上がりの閾値電圧以下とする。
発光部面積１副３のＡＣ薄膜型ＫＬ素子において、入射
光の照度に対する静電容量の変化を具体的に実測した結
果である。すなわち照度ＯＬｕｇから３００Ｌｕｚまで
の間に２倍程の静電容量の変化が得られた。第３図は第
２図に示されたＡＯ薄膜型ＥＬ素子の特性と２個のイン
バータを利用してＰＬ素子の静電容量Ｃの変化を発揚周
波数の変化に変換させるＯＲ型発振器の一実施例である
。ここで抵抗値をＲ１発振周波数ｋｆとするならば、ｆ
ｏｃ１／ＲＣという関係が成立し静電容量Ｏは発振周波
数ｆに変換される。ここで駆動電圧はＩＣＩ、素子の発
光の立ち上がりの閾値電圧以下とする。
第４図は本発明によりＡＯ薄膜型ＥＬ素子７を光センサ
ーとして利用し、照度の強弱によって、スイッチングを
行うシステムのブロックダイアダラムの一実施例を表わ
す。Ｏ−ｆ変換器８は、例えば第３図に示されるＯＲ型
発振器の静電容量Ｏの部分に光センサーとしてのＥＴ、
Ｉ素子７′ｔ−使用し、該静電容量を発振周波数に変換
する。該発振周波数はｆ−１変換器９によって電圧に変
換され、該電圧は任意の閾値に設定されたコンパレータ
１０に入力され、該コンパレータ１０はスイッチング回
路１１を・動作させスイッチングを行う。
ーとして利用し、照度の強弱によって、スイッチングを
行うシステムのブロックダイアダラムの一実施例を表わ
す。Ｏ−ｆ変換器８は、例えば第３図に示されるＯＲ型
発振器の静電容量Ｏの部分に光センサーとしてのＥＴ、
Ｉ素子７′ｔ−使用し、該静電容量を発振周波数に変換
する。該発振周波数はｆ−１変換器９によって電圧に変
換され、該電圧は任意の閾値に設定されたコンパレータ
１０に入力され、該コンパレータ１０はスイッチング回
路１１を・動作させスイッチングを行う。
また第５図は第４図同様に本発明により、ＡＣ薄膜型Ｆ
ＩＬ素子７を光センサーとして利用し、照度計あるいは
露出計に応用するシステムのブロックダイアダラムを表
わす。第４図同様に０−ｆＫ換器７により、照度によっ
て変化する静電容量を周波数に変換器し、該周波数は周
波数カウンター１２によって計数され、ｆ−Ｌ変換ＲＯ
Ｍ１３によって照度の数値に変換され、該照度はホール
ド機能を含むデコーダー１４を通して表示部１５によっ
て表示される。ここで周波数カウンター１２、ｆ−Ｌｆ
換ＲＯＭ １３及びデコーダー１４は標準クロック発振
器１６からの信号によって制御されている。
ＩＬ素子７を光センサーとして利用し、照度計あるいは
露出計に応用するシステムのブロックダイアダラムを表
わす。第４図同様に０−ｆＫ換器７により、照度によっ
て変化する静電容量を周波数に変換器し、該周波数は周
波数カウンター１２によって計数され、ｆ−Ｌ変換ＲＯ
Ｍ１３によって照度の数値に変換され、該照度はホール
ド機能を含むデコーダー１４を通して表示部１５によっ
て表示される。ここで周波数カウンター１２、ｆ−Ｌｆ
換ＲＯＭ １３及びデコーダー１４は標準クロック発振
器１６からの信号によって制御されている。
以上述べた如く本発明によれば、ＡＯ薄膜型丘り素子は
、非発光時における、照度−静電容量特性を利用するこ
とにより、従来使用されている平面状発光素子としての
機能に光センサーとしての機能を付加することができ、
ｌ！Ｌ素子の汎用性を増し、様々なる応用範囲を拡大す
るものである。
、非発光時における、照度−静電容量特性を利用するこ
とにより、従来使用されている平面状発光素子としての
機能に光センサーとしての機能を付加することができ、
ｌ！Ｌ素子の汎用性を増し、様々なる応用範囲を拡大す
るものである。
第１図はＡＣ薄膜型エレクトロルミネセンス素子の構造
断面図の一例を表わす。 １０．透明電極 ２０．螢光体発光層３０．白色絶縁
誘電体層 ４０．金属基板電極５α、５ｂ０．外部引き
出し電極 ６１．防湿シール材 第２図はム０薄膜型ｍ’ｂ素子の照度に対する静電容量
の変化の関係を表わすグラフの実測による具体例である
。 ′ 第３図はＡＣ薄膜型ＥＬ素子の光の入射による静電容量
０の変化を発振周波数の変化に変換させるＣ門型発振器
の一実施例である。 第４図は本発明によりＡＢＯ薄膜型ＥＬ素子を光センサ
ーとして使用し、照度の強弱によってスイッチングを行
うシステムの一実施例のブロックダイアダラムを表わす
。 ５− ７、、Ｅｌ！Ｌ素子による光センサー ｆ３０．０−ｆ変換器 ９０．ｆ−Ｖ変換器１００．コ
ンパレータ １１０．スイッチング回路第５図は同様に
本発明によシＡＯ薄膜型ＫＬ素子を光センサーとして使
用し、照度の測定を行うシステムの一実施例のブロック
ダイアダラムを表わす。 １２００周波数カウンター １３．、／−Ｌ変換Ｒ１４
０，デコーダー 〇Ｍ１５００表示部
１６．、標準クロック発振器以上 ６一 第 １ 刀 第 ？ 口 差 ３ 図 第 ４ （２） 丸 ゛を 第 う 図
断面図の一例を表わす。 １０．透明電極 ２０．螢光体発光層３０．白色絶縁
誘電体層 ４０．金属基板電極５α、５ｂ０．外部引き
出し電極 ６１．防湿シール材 第２図はム０薄膜型ｍ’ｂ素子の照度に対する静電容量
の変化の関係を表わすグラフの実測による具体例である
。 ′ 第３図はＡＣ薄膜型ＥＬ素子の光の入射による静電容量
０の変化を発振周波数の変化に変換させるＣ門型発振器
の一実施例である。 第４図は本発明によりＡＢＯ薄膜型ＥＬ素子を光センサ
ーとして使用し、照度の強弱によってスイッチングを行
うシステムの一実施例のブロックダイアダラムを表わす
。 ５− ７、、Ｅｌ！Ｌ素子による光センサー ｆ３０．０−ｆ変換器 ９０．ｆ−Ｖ変換器１００．コ
ンパレータ １１０．スイッチング回路第５図は同様に
本発明によシＡＯ薄膜型ＫＬ素子を光センサーとして使
用し、照度の測定を行うシステムの一実施例のブロック
ダイアダラムを表わす。 １２００周波数カウンター １３．、／−Ｌ変換Ｒ１４
０，デコーダー 〇Ｍ１５００表示部
１６．、標準クロック発振器以上 ６一 第 １ 刀 第 ？ 口 差 ３ 図 第 ４ （２） 丸 ゛を 第 う 図
Claims (1)
- 金属基板電極の上部に螢光体層、及び絶縁誘電体層から
成る薄膜を形成し、該薄膜の上部に透明電極を形成し、
全体を透明の防湿性シール材で被覆した構造を有し、金
属基板電極及び透明電極間に交流電圧を印加することに
よって螢光体層を発光させるｈａ薄膜型エレクトロルミ
ネセンス素子の特性において、該エレクト日ルミネセン
ス素子の非発光時における静電容量が螢光体発光層に入
射する光の照度によって非発光時における変化すること
を利用した光センサ−。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8841082A JPS58205823A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 光センサ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8841082A JPS58205823A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 光センサ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58205823A true JPS58205823A (ja) | 1983-11-30 |
Family
ID=13942024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8841082A Pending JPS58205823A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 光センサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58205823A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02129690A (ja) * | 1988-11-09 | 1990-05-17 | Nec Corp | 表示付携帯無線機 |
| WO2002019775A3 (de) * | 2000-08-30 | 2002-05-23 | Kostal Leopold Gmbh & Co Kg | Elektrolumineszenz-display |
-
1982
- 1982-05-25 JP JP8841082A patent/JPS58205823A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02129690A (ja) * | 1988-11-09 | 1990-05-17 | Nec Corp | 表示付携帯無線機 |
| WO2002019775A3 (de) * | 2000-08-30 | 2002-05-23 | Kostal Leopold Gmbh & Co Kg | Elektrolumineszenz-display |
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