JPS6114555A - Ｆｅｔ型センサの駆動方式 - Google Patents
Ｆｅｔ型センサの駆動方式Info
- Publication number
- JPS6114555A JPS6114555A JP59136105A JP13610584A JPS6114555A JP S6114555 A JPS6114555 A JP S6114555A JP 59136105 A JP59136105 A JP 59136105A JP 13610584 A JP13610584 A JP 13610584A JP S6114555 A JPS6114555 A JP S6114555A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- voltage
- sensitive body
- fet
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の技術分野〉
本発明は、ＭＯＳ型あるいはＭＩＳ型等の電界効果型ト
ランジスタ（以下単にＦＥＴと略す）のゲート絶縁膜上
に外的要因によって電気的特性の変化する感応体を形成
し、この感応体で外的要因の変化をＦＥＴのゲート作用
変化として検出するためのＦＥＴ型センサの駆動方式に
関するものである。
ランジスタ（以下単にＦＥＴと略す）のゲート絶縁膜上
に外的要因によって電気的特性の変化する感応体を形成
し、この感応体で外的要因の変化をＦＥＴのゲート作用
変化として検出するためのＦＥＴ型センサの駆動方式に
関するものである。
〈発明の技術的背景とその問題〉
一般にＦＥＴ型センサは、検出しようとする物理量との
化学的あるいは物理的相互作用によって静電容量や電気
伝導度あるいは静電電位等の電気的変化を生ずる感応体
とＦＥＴ素子とを組合せて検出しようとする物理量をＦ
ＥＴ素子のゲート作用変化としてとらえるものであり、
ＦＥＴ素子の有する高い入力インピーダンスとその増幅
作用を巧みに利用することによって高出力でかつ小形の
センサとなるものであり、実用に適したセンサである。
化学的あるいは物理的相互作用によって静電容量や電気
伝導度あるいは静電電位等の電気的変化を生ずる感応体
とＦＥＴ素子とを組合せて検出しようとする物理量をＦ
ＥＴ素子のゲート作用変化としてとらえるものであり、
ＦＥＴ素子の有する高い入力インピーダンスとその増幅
作用を巧みに利用することによって高出力でかつ小形の
センサとなるものであり、実用に適したセンサである。
特にＦＥＴ素子のゲート部の上に感応体を形成した構造
からなるＦＥＴ型センサは、素子寸法も小さく設定する
ことが出来、かつ同一基板上に極めて多くの素子を形成
することが可能であるだめ、実用上も、コスト面でも好
ましい形態を有する。
からなるＦＥＴ型センサは、素子寸法も小さく設定する
ことが出来、かつ同一基板上に極めて多くの素子を形成
することが可能であるだめ、実用上も、コスト面でも好
ましい形態を有する。
しかし、このようなＦＥＴ型センサを駆動するに際して
は、通常の単体ＦＥＴ素子以上にＦＥＴ素子の動作安定
性、ひいてはＦＥＴ型センサとしての出力の安定性や特
性の再現性の確保に留意する必要がある。更に、ガスセ
ンサや湿度センサ等のいわゆる雰囲気センサをＦＥＴ型
センサとして構成する場合には、センサ部以外は外雰囲
気に対して安定であることが要求される。
は、通常の単体ＦＥＴ素子以上にＦＥＴ素子の動作安定
性、ひいてはＦＥＴ型センサとしての出力の安定性や特
性の再現性の確保に留意する必要がある。更に、ガスセ
ンサや湿度センサ等のいわゆる雰囲気センサをＦＥＴ型
センサとして構成する場合には、センサ部以外は外雰囲
気に対して安定であることが要求される。
しかし、従来のＦＥＴ型センサにあっては長期間の出力
安定性及び外雰囲気に対する安定性の点で問題があり、
必ずしも充分ではなかった。
安定性及び外雰囲気に対する安定性の点で問題があり、
必ずしも充分ではなかった。
〈発明の目的〉
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、ＦＥＴ
型センサの出力特性の長期安定性を図り、更に外雰囲気
の変化に対して出力変動の少ない安定した特性の得られ
るＦＥＴ型センサの駆動方式を提供することを目的とし
、この目的を達成するため、本発明のＦＥＴ型センサの
駆動方式は、被検知体との物理約１たは化学的相互作用
によって電気的変化を生ずる感応体を電界効果型トラン
ジスタ素子のゲート絶縁膜とゲート電極に配設して成る
ＦＥＴ型センサに於めて、上記のゲート電極と対をなす
補助電極を上記の感応体に付設し、上記のゲート電極及
び上記の補助電極を介して上記のゲート絶縁膜及び上記
の感応体に直流電圧と交流電圧とを重畳して印加すると
共に上記の補助電極と上記の直流電圧を供給する直流電
圧源との間に上記の交流電圧の周波数における上記の感
応体の交流インピーダンスの値に略等しい値の固定抵抗
を配設して、この固定抵抗によりＦＥＴ素子のバイアス
電位を与えると共に、上記の感応体の交流インピーダン
スと上記の固定抵抗との分割比に比例したドレイン領域
あるいはソース電流に生ずる交流成分を検出信号として
得るように構成されている。
型センサの出力特性の長期安定性を図り、更に外雰囲気
の変化に対して出力変動の少ない安定した特性の得られ
るＦＥＴ型センサの駆動方式を提供することを目的とし
、この目的を達成するため、本発明のＦＥＴ型センサの
駆動方式は、被検知体との物理約１たは化学的相互作用
によって電気的変化を生ずる感応体を電界効果型トラン
ジスタ素子のゲート絶縁膜とゲート電極に配設して成る
ＦＥＴ型センサに於めて、上記のゲート電極と対をなす
補助電極を上記の感応体に付設し、上記のゲート電極及
び上記の補助電極を介して上記のゲート絶縁膜及び上記
の感応体に直流電圧と交流電圧とを重畳して印加すると
共に上記の補助電極と上記の直流電圧を供給する直流電
圧源との間に上記の交流電圧の周波数における上記の感
応体の交流インピーダンスの値に略等しい値の固定抵抗
を配設して、この固定抵抗によりＦＥＴ素子のバイアス
電位を与えると共に、上記の感応体の交流インピーダン
スと上記の固定抵抗との分割比に比例したドレイン領域
あるいはソース電流に生ずる交流成分を検出信号として
得るように構成されている。
〈発明の実施例〉
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例の説明に供するＦＥＴ型湿度
センサの構造を示す断面図、第２図Ｃま同センサの駆動
方式を説明するための等価回路図である。
センサの構造を示す断面図、第２図Ｃま同センサの駆動
方式を説明するための等価回路図である。
本実施例におけるＦＥＴ素子６ま第１図に示すようにＭ
ＯＳ型のｎチャンネルＦＥＴで、ｐ型のシリコン基板１
表面付近に燐を拡散することによってｎ型のソース領域
２及びドレイン領域３を並設して形成している。またこ
のシリコン基板１上にはソース領域２及びドレイン領域
３においてスル−ホールを有する二酸化シリコン膜５を
被覆する。
ＯＳ型のｎチャンネルＦＥＴで、ｐ型のシリコン基板１
表面付近に燐を拡散することによってｎ型のソース領域
２及びドレイン領域３を並設して形成している。またこ
のシリコン基板１上にはソース領域２及びドレイン領域
３においてスル−ホールを有する二酸化シリコン膜５を
被覆する。
ゲート絶縁膜はソース領域２とドレイン領域３とを結ぶ
シリコン基板１上に堆積した二酸化シリコン膜ＳｉＣｈ
）膜５と窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）膜７との２重積層
膜で構成し、窒化シリコン膜７ｉヨ更にソース領域２及
びドレイン領域３にそれぞれ片端が接触してシリコン基
板１及び二酸化シリコン膜５上に堆積された電極用導体
膜６，６の上面をも被覆して、ＦＥＴ素子の保護膜とし
ての機能も兼ねている。ゲート絶縁膜５，７上には感湿
体９及び透湿性のゲート電極膜１０がこの順序で積層さ
れるが、ここで感湿体９と窒化ソリコン膜７との界面に
は導電性膜から成るブロッキング膜８を挿入した構造と
なっている。ブロッキング膜８は感湿体９に直流的な電
位差が存在した場合に起こる出力信号の経時変化（ドリ
フト）を解除するだめの電圧を印加するだめの補助電極
となるものである。
シリコン基板１上に堆積した二酸化シリコン膜ＳｉＣｈ
）膜５と窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）膜７との２重積層
膜で構成し、窒化シリコン膜７ｉヨ更にソース領域２及
びドレイン領域３にそれぞれ片端が接触してシリコン基
板１及び二酸化シリコン膜５上に堆積された電極用導体
膜６，６の上面をも被覆して、ＦＥＴ素子の保護膜とし
ての機能も兼ねている。ゲート絶縁膜５，７上には感湿
体９及び透湿性のゲート電極膜１０がこの順序で積層さ
れるが、ここで感湿体９と窒化ソリコン膜７との界面に
は導電性膜から成るブロッキング膜８を挿入した構造と
なっている。ブロッキング膜８は感湿体９に直流的な電
位差が存在した場合に起こる出力信号の経時変化（ドリ
フト）を解除するだめの電圧を印加するだめの補助電極
となるものである。
本実施例に用いる湿度センサは感湿体９を熱焼成によっ
て結晶化したポリビニルアルコールたはアセチルセルロ
ース膜で形成されているが有機若しくは無機の固体電解
質膜または酸化アルミニウム等の金属酸化膜を用いても
よい。また透湿性ゲート電極膜１０としては厚さ約１０
０Ｘの金蒸着膜を、ブロッキング膜８としては厚さ約２
０００Ｘの金またはアルミニウム蒸着膜が用いられてい
るか、これらの素子構成材料及びその膜厚は必ずしも上
述のものに限定されるものではなく、その他の適当な材
料及び膜厚に代替することは当然に可能である。また感
湿体９以外にも感ガス体、感イオン体、その他化学物質
や熱、光等に感応するものを使用でき、ＦＥＴ素子はＭ
Ｏ８型以外のＭＩＳ型等に使用することもできる。
て結晶化したポリビニルアルコールたはアセチルセルロ
ース膜で形成されているが有機若しくは無機の固体電解
質膜または酸化アルミニウム等の金属酸化膜を用いても
よい。また透湿性ゲート電極膜１０としては厚さ約１０
０Ｘの金蒸着膜を、ブロッキング膜８としては厚さ約２
０００Ｘの金またはアルミニウム蒸着膜が用いられてい
るか、これらの素子構成材料及びその膜厚は必ずしも上
述のものに限定されるものではなく、その他の適当な材
料及び膜厚に代替することは当然に可能である。また感
湿体９以外にも感ガス体、感イオン体、その他化学物質
や熱、光等に感応するものを使用でき、ＦＥＴ素子はＭ
Ｏ８型以外のＭＩＳ型等に使用することもできる。
次に＠２図に示す等価回路図にしたがって、上記構成を
有するＦＥＴ型湿度センサの駆動方式を説明する。
有するＦＥＴ型湿度センサの駆動方式を説明する。
第２図にお因で、容量Ｃｓ及びＣｉはそれぞれ第１図に
おける感湿体９及び２層ゲート絶縁膜５゜７の静電容量
を示す。またＲＬはドレイン電極６と直列に接続された
負荷抵抗を示し、該負荷抵抗ＲＬを介して電源Ｖｃｃが
ドレイン電極６に結合されるように構成され、またドレ
イン電極６と負荷抵抗Ｒｒ、の接続点は結合容量Ｃ８を
介して出力端Ｖｏｕｔに接続されている。
おける感湿体９及び２層ゲート絶縁膜５゜７の静電容量
を示す。またＲＬはドレイン電極６と直列に接続された
負荷抵抗を示し、該負荷抵抗ＲＬを介して電源Ｖｃｃが
ドレイン電極６に結合されるように構成され、またドレ
イン電極６と負荷抵抗Ｒｒ、の接続点は結合容量Ｃ８を
介して出力端Ｖｏｕｔに接続されている。
またＲ１ はブロッキング膜８の補助電極と直流電圧源
ＶＢとの間に配設された本発明に係る固定抵抗であり、
感湿体９の交流電圧の周波数における交流インピーダン
スの値に略等しい抵抗値を有したものが配設されており
、この抵抗Ｒ１によってＦＥＴ型湿度センサがバイアス
されている。
ＶＢとの間に配設された本発明に係る固定抵抗であり、
感湿体９の交流電圧の周波数における交流インピーダン
スの値に略等しい抵抗値を有したものが配設されており
、この抵抗Ｒ１によってＦＥＴ型湿度センサがバイアス
されている。
ＣｃはＦＥＴ型湿度センサのゲート電極膜１０に交流電
圧Ｅｉを加えるだめの結合容量である。
圧Ｅｉを加えるだめの結合容量である。
ここでＣｓ ＞ Ｃｉ と々るように絶縁膜の作成を
行なえば１．齋２図における容量Ｃｉ は動作上無視す
ることが出来る。
行なえば１．齋２図における容量Ｃｉ は動作上無視す
ることが出来る。
今、透湿性のゲート電極膜１０に印加する電圧をＥｉ
（その交流入力信号の角周波数をωとする）とすると
、補助電極（ブロッキング膜８）に出力される電圧Ｅ。
（その交流入力信号の角周波数をωとする）とすると
、補助電極（ブロッキング膜８）に出力される電圧Ｅ。
は次式によって与えられる。
（但し、Ｃｃ及びＲ２は無視される程、充分に大きな値
とする。） 上記した式から明らかなように入力電圧Ｅ１ を容量Ｃ
ｓと固定抵抗Ｒ１によって分割した電圧が補助電極に出
力されることになる。したがって、感湿体９の静電容量
Ｃ８が外界囲気中の湿度に応じて変化することによって
補助電極上の出力が変化することになる。
とする。） 上記した式から明らかなように入力電圧Ｅ１ を容量Ｃ
ｓと固定抵抗Ｒ１によって分割した電圧が補助電極に出
力されることになる。したがって、感湿体９の静電容量
Ｃ８が外界囲気中の湿度に応じて変化することによって
補助電極上の出力が変化することになる。
この出力Ｅ。は次の段のＦＥＴ素子によってドレイン電
流（捷たはソース電流）の変化となって現われ、結合容
量Ｃ８を介して出力端Ｖｏｕｔにドレイン電流あるいは
ソース電流に生じる交流成分が検出信号として出力され
る。これによって湿度が検知される。
流（捷たはソース電流）の変化となって現われ、結合容
量Ｃ８を介して出力端Ｖｏｕｔにドレイン電流あるいは
ソース電流に生じる交流成分が検出信号として出力され
る。これによって湿度が検知される。
ここで、負荷抵抗ＲＬはＦＥＴ素子のソース側に接続し
てソースフォロアとして用いても良いことは勿論である
。
てソースフォロアとして用いても良いことは勿論である
。
なお、感湿体９に何らかの直流的な電位差が存在すると
ＦＥＴ素子の閾値電圧（Ｖｔｈ）の変動が生じ、経時変
化の大きな原因となるため、感湿体９０両端を同電位に
する必要がある。抵抗Ｒ２はそのためのゲート電極と電
源ｖＢとの間に設けられた固定抵抗である。
ＦＥＴ素子の閾値電圧（Ｖｔｈ）の変動が生じ、経時変
化の大きな原因となるため、感湿体９０両端を同電位に
する必要がある。抵抗Ｒ２はそのためのゲート電極と電
源ｖＢとの間に設けられた固定抵抗である。
また、容量ＣｓのインピーダンスがＺｍｉｎ 〜Ｚｍａ
ｘまで変化するとすれば、抵抗Ｒ１の値をほぼ次式に示
される値に選定することによって容量Ｃｓの変化量を最
も大きく取り出せることが出来る。
ｘまで変化するとすれば、抵抗Ｒ１の値をほぼ次式に示
される値に選定することによって容量Ｃｓの変化量を最
も大きく取り出せることが出来る。
以上に示した本発明の一実施例であるＦＥＴ型湿度セン
サにおいて、上述のように補助電極８上にバイアス用及
び出力信号分割用として作用する固定抵抗を配設するこ
とにより、次のような効果が得られる。
サにおいて、上述のように補助電極８上にバイアス用及
び出力信号分割用として作用する固定抵抗を配設するこ
とにより、次のような効果が得られる。
■ 固定抵抗Ｒ１として温度係数が非常に小さく、しか
も経時変化の少ない種類（例えば、金属皮膜抵抗等）を
用いることによって、より信頼性の高いセンサを得るこ
とができる。
も経時変化の少ない種類（例えば、金属皮膜抵抗等）を
用いることによって、より信頼性の高いセンサを得るこ
とができる。
■ 固定抵抗Ｒ１はＦＥＴ素子のバイアスと信号検出を
兼ねてＡるため、センサ周辺の部品点数が少なくて済む
。
兼ねてＡるため、センサ周辺の部品点数が少なくて済む
。
■ 固定抵抗Ｒ２を併用して、感湿体の両端子間を直流
的に同電位にすることにより、容易に感湿体の経時変化
を防止することが出来る。
的に同電位にすることにより、容易に感湿体の経時変化
を防止することが出来る。
〈発明の効果〉
以上のように、本発明のＦＥＴ型センサの駆動方式によ
れば、センサの出力特性の長期安定化を計ることが出来
ると共に、外界囲気の変化に対して変化の少ない安定し
た駆動方式が得られる。
れば、センサの出力特性の長期安定化を計ることが出来
ると共に、外界囲気の変化に対して変化の少ない安定し
た駆動方式が得られる。
第１図は本発明の一実施例の説明に供するＦＥＴ型湿度
センサの構造を示す断面図、第２図は同センサの本発明
に係る駆動方式を説明するための等価回路図である。 １・・・シリコン基板、 ２・・・ソース領域、３・
・・ドレイン領域、 ５・・・二酸化シリコン膜、６・
・・電極用導電膜、 ７・・・窒化シリコン膜、８・・
・ブロッキング膜、９・・・感湿体、１０・・・ゲート
電極膜− Ｃ：’幻’ｉ Ｃｉ・・・容量、 ＲＬ・・・負荷
抵抗、Ｒ１・・・固定抵抗。
センサの構造を示す断面図、第２図は同センサの本発明
に係る駆動方式を説明するための等価回路図である。 １・・・シリコン基板、 ２・・・ソース領域、３・
・・ドレイン領域、 ５・・・二酸化シリコン膜、６・
・・電極用導電膜、 ７・・・窒化シリコン膜、８・・
・ブロッキング膜、９・・・感湿体、１０・・・ゲート
電極膜− Ｃ：’幻’ｉ Ｃｉ・・・容量、 ＲＬ・・・負荷
抵抗、Ｒ１・・・固定抵抗。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被検知体との物理的または化学的相互作用によって
電気的変化を生ずる感応体を電界効果型トランジスタ素
子のゲート絶縁膜とゲート電極に配設して成るＦＥＴ型
センサに於いて、 前記ゲート電極と対をなす補助電極を前記感応体に付設
し、 前記ゲート電極及び前記補助電極を介して前記ゲート絶
縁膜及び前記感応体に直流電圧と交流電圧とを重畳して
印加すると共に前記補助電極と前記直流電圧を供給する
直流電圧源との間に前記交流電圧の周波数における前記
感応体の交流インピーダンスの値に略等しい値の固定抵
抗を配設して該固定抵抗によりＦＥＴ素子のバイアス電
位を与えると共に前記感応体の交流インピーダンスと前
記固定抵抗との分割比に比例したドレイン電流あるいは
ソース電流に生ずる交流成分を検出信号として得るよう
に成したことを特徴とするＦＥＴ型センサの駆動方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59136105A JPS6114555A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | Ｆｅｔ型センサの駆動方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59136105A JPS6114555A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | Ｆｅｔ型センサの駆動方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6114555A true JPS6114555A (ja) | 1986-01-22 |
Family
ID=15167393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59136105A Pending JPS6114555A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | Ｆｅｔ型センサの駆動方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6114555A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210146A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Nok Corp | 感湿素子およびその動作回路 |
| US7984744B2 (en) | 2005-11-30 | 2011-07-26 | Seiki Hanbai Co., Ltd. | Foldable screen device |
-
1984
- 1984-06-29 JP JP59136105A patent/JPS6114555A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210146A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Nok Corp | 感湿素子およびその動作回路 |
| US7984744B2 (en) | 2005-11-30 | 2011-07-26 | Seiki Hanbai Co., Ltd. | Foldable screen device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0376860B2 (ja) | ||
| JP3567089B2 (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
| EP0973012B1 (en) | Transducer | |
| US5485292A (en) | High voltage differential sensor having a capacitive attenuator | |
| KR100894660B1 (ko) | 용량형 센서 | |
| JPS60253958A (ja) | センサ | |
| US2966646A (en) | Flake thermistor | |
| KR960019815A (ko) | 광전변환모듈 | |
| JP2570420B2 (ja) | 静電容量式圧力検出器 | |
| JPH0972805A (ja) | 半導体センサ | |
| JPS6114555A (ja) | Ｆｅｔ型センサの駆動方式 | |
| JPH0420130B2 (ja) | ||
| JPH0293357A (ja) | 半導体湿度センサ | |
| JPS6120811B2 (ja) | ||
| US5614717A (en) | Pyroelectric infrared ray sensor | |
| JPH0374789B2 (ja) | ||
| JPH08136598A (ja) | 静電容量検出回路 | |
| JP4014058B2 (ja) | ガスセンサ | |
| JP3040867B2 (ja) | 多用途センサ | |
| JPS6120810B2 (ja) | ||
| JP3370810B2 (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
| JPH05299293A (ja) | 位置検出装置 | |
| JPS6114556A (ja) | Ｆｅｔ型湿度センサの駆動方式 | |
| JPH116780A (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
| JPS5813313Y2 (ja) | 圧力−電気変換装置 |