JP2570420B2 - 静電容量式圧力検出器 - Google Patents
静電容量式圧力検出器Info
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- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
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- G01L9/12—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in capacitance, i.e. electric circuits therefor
- G01L9/125—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in capacitance, i.e. electric circuits therefor with temperature compensating means
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Description
この発明は、圧力に応じて変位する１個のダイヤフラ
ムとこのダイヤフラムの各側に配設された固定電極との
間にそれぞれ形成される静電容量に基づいて圧力が測定
される単ダイヤフラム形の静電容量式圧力検出器であっ
て、とくにダイヤフラムと各固定電極との周縁接合部に
おける静電容量の影響を除去するようにして検出信号の
直線化を図った静電容量式圧力検出器、および中央電極
の両側に設けられた２個のダイヤフラムを有する双ダイ
ヤフラム形の検出器であって、とくに各ダイヤフラムと
各固定電極との周縁接合部における静電容量の影響を除
去するようにして検出信号の直線化を図った静電容量圧
力検出器に関する。
ムとこのダイヤフラムの各側に配設された固定電極との
間にそれぞれ形成される静電容量に基づいて圧力が測定
される単ダイヤフラム形の静電容量式圧力検出器であっ
て、とくにダイヤフラムと各固定電極との周縁接合部に
おける静電容量の影響を除去するようにして検出信号の
直線化を図った静電容量式圧力検出器、および中央電極
の両側に設けられた２個のダイヤフラムを有する双ダイ
ヤフラム形の検出器であって、とくに各ダイヤフラムと
各固定電極との周縁接合部における静電容量の影響を除
去するようにして検出信号の直線化を図った静電容量圧
力検出器に関する。
圧力に応じて変位する１個のダイヤフラムとこのダイ
ヤフラムの各側に配設された固定電極との間にそれぞれ
形成される静電容量に基づいて圧力が測定される単ダイ
ヤフラム形の静電容量式圧力検出器は、例えば米国特許
第2,999,386号明細書に開示されている。 第13図はかかる従来の単ダイヤフラム形静電容量式圧
力検出器の要部の構成を示す断面図である。この第13図
において、69はシリコンから成るダイヤフラムであり、
61,62は所定の厚さを有するガラス接合部67,68を介して
ダイヤフラム69に接合された固定電極である。65はダイ
ヤフラム69と固定電極61との間に形成された空隙、66は
ダイヤフラム69と固定電極62との間に形成された空隙で
ある。63は固定電極61にあけられて空隙65に圧力P1を導
く圧力導入孔、64は固定電極62にあけられて空隙66に圧
力P2を導く圧力導入孔である。 ダイヤフラム69と固定電極61とによって第１のコンデ
ンサが形成され、このコンデンサの静電容量C61がリー
ドピンA1,A3を介して取出される。また、ダイヤフラム6
9と固定電極62とによって第２のコンデンサが形成さ
れ、このコンデンサの静電容量C62がリードピンA2,A3を
介して取出される。なお、61a,62a,69aはそれぞれ導体
板である。そして今、圧力P1,P2がダイヤフラム69に作
用すると、その差圧（P1〜P2）に応じてダイヤフラム69
が変位し、この変位に応じて静電容量C61,C62が変化
し、この変化に基づいて差圧を測定することができる。 なお、第13図に示した圧力検出器は通常は圧力P1,P2
を受圧する二つのシールダイヤフラムによって密閉され
たハウジング内に収納され、かつ、このハウジング内に
圧力伝達用の非圧縮性流体たとえばシリコーンオイルが
封入される。それゆえ、空隙65,66ならびに導圧孔63,64
にはシリコーンオイルが充填されることになる。 双ダイヤフラム形の静電容量式圧力検出器は、特公昭
58−29862号公報に開示されている。 第15図はかかる双ダイヤフラム形の静電容量式圧力検
出器の従来例の要部の断面図で、同図において要部であ
る検出部は、中央電極123、その各側にこれと対称的に
配設されるダイヤフラム127,固定電極121、およびダイ
ヤフラム128,固定電極122からなる。なお、名称の同じ
各部材は部材としては同一である。 中央電極123は、その外周に導体板123aが設けられ、
両方の各側にダイヤフラム127,128が周縁部でガラス接
合部131,132を介して接合される。このガラス接合部13
1,132には、それぞれ１箇所に中空部131h,132hがあけら
れている。したがって、ダイヤフラム127,128と中央電
極123との各対向間隙は、ガラス接合部131,132の厚さと
同じである。 ダイヤフラム127,128のそれぞれ他方の側には固定電
極121,122が接合され、ダイヤフラム127と固定電極121
との間、ダイヤフラム128と固定電極122との間にはそれ
ぞれ空間が設けられる。また、固定電極121,122は、そ
の中心部を貫通して圧力導入孔121h,122hがあけられ、
外周面に導体板121a,122aを設ける。導体板121a,122a,1
23aには、それぞれリードピンA1,A2,A3が接触し、これ
らのリードピンによって後述するように静電容量が取り
出される。 ダイヤフラム127の右側空間U1には、固定電極121の圧
力導入孔121hを通して圧力P1が作用し、ダイヤフラム12
7,中央電極123間の空間U2、中央電極123,ダイヤフラム1
28間の空間U3、およびダイヤフラム128,固定電極122間
の空間U4には、固定電極122の圧力導入孔122h、ガラス
接合部131,132の中空部131h,132hを通して圧力P2が作用
する。したがって、圧力差（P2−P1）によってダイヤフ
ラム127は変位するが、ダイヤフラム128は変位しない。 なお、第15図に示した圧力検出器は、通常は圧力P1,P
2を受圧する２つのシールダイヤフラムによって密閉さ
れたハウジングまたはP2のみを受圧する１つのシールダ
イヤフラムによって密閉されたハウジング内に収納さ
れ、かつ、このハウジング内に圧力伝達用の非圧縮性流
体たとえばシリコーンオイルが封入される。 ところで、第15図に示した検出部は、いわゆる双ダイ
ヤフラム形で、この形の検出部の特徴は、測定すべき
各圧力の媒体が異なっていても測定が可能である、たと
えば空間U1を充填する媒体がＭ、空間U2,U3,U4を充填す
る媒体がＮであり得る、温度変化による影響を抑制，
補償することが容易に可能である、ことなどである。 第16図は従来例での静電容量の等価回路図である。第
15図における固定電極121と中央電極123との間に形成さ
れる静電容量、言いかえれば、リードピンA1,A3によっ
て取り出される静電容量は、中央電極123の右側表面
とダイヤフラム127との対向間隙を介して形成される静
電容量、Co/（１−Δ/d）、固定電極121とダイヤフラ
ム127と中央電極123との周縁部を介して形成される静電
容量C131、が並列接続されたものである。 なお、ｄはダイヤフラム127に作用する差圧（P2−P
1）が零のときの、中央電極123の右側表面とダイヤフラ
ム127との対向間隙、Coは同じくその間の静電容量、C13
1はガラス接合部131の厚さ方向に係る静電容量である。
また、P2がP1より大きいとする。 同様に、リードピンA2,A3間の静電容量は、中央電極1
23の左側表面とダイヤフラム128との間の静電容量Co
と、ガラス接合部132の厚さ方向の静電容量C132との並
列接続されたものである。
ヤフラムの各側に配設された固定電極との間にそれぞれ
形成される静電容量に基づいて圧力が測定される単ダイ
ヤフラム形の静電容量式圧力検出器は、例えば米国特許
第2,999,386号明細書に開示されている。 第13図はかかる従来の単ダイヤフラム形静電容量式圧
力検出器の要部の構成を示す断面図である。この第13図
において、69はシリコンから成るダイヤフラムであり、
61,62は所定の厚さを有するガラス接合部67,68を介して
ダイヤフラム69に接合された固定電極である。65はダイ
ヤフラム69と固定電極61との間に形成された空隙、66は
ダイヤフラム69と固定電極62との間に形成された空隙で
ある。63は固定電極61にあけられて空隙65に圧力P1を導
く圧力導入孔、64は固定電極62にあけられて空隙66に圧
力P2を導く圧力導入孔である。 ダイヤフラム69と固定電極61とによって第１のコンデ
ンサが形成され、このコンデンサの静電容量C61がリー
ドピンA1,A3を介して取出される。また、ダイヤフラム6
9と固定電極62とによって第２のコンデンサが形成さ
れ、このコンデンサの静電容量C62がリードピンA2,A3を
介して取出される。なお、61a,62a,69aはそれぞれ導体
板である。そして今、圧力P1,P2がダイヤフラム69に作
用すると、その差圧（P1〜P2）に応じてダイヤフラム69
が変位し、この変位に応じて静電容量C61,C62が変化
し、この変化に基づいて差圧を測定することができる。 なお、第13図に示した圧力検出器は通常は圧力P1,P2
を受圧する二つのシールダイヤフラムによって密閉され
たハウジング内に収納され、かつ、このハウジング内に
圧力伝達用の非圧縮性流体たとえばシリコーンオイルが
封入される。それゆえ、空隙65,66ならびに導圧孔63,64
にはシリコーンオイルが充填されることになる。 双ダイヤフラム形の静電容量式圧力検出器は、特公昭
58−29862号公報に開示されている。 第15図はかかる双ダイヤフラム形の静電容量式圧力検
出器の従来例の要部の断面図で、同図において要部であ
る検出部は、中央電極123、その各側にこれと対称的に
配設されるダイヤフラム127,固定電極121、およびダイ
ヤフラム128,固定電極122からなる。なお、名称の同じ
各部材は部材としては同一である。 中央電極123は、その外周に導体板123aが設けられ、
両方の各側にダイヤフラム127,128が周縁部でガラス接
合部131,132を介して接合される。このガラス接合部13
1,132には、それぞれ１箇所に中空部131h,132hがあけら
れている。したがって、ダイヤフラム127,128と中央電
極123との各対向間隙は、ガラス接合部131,132の厚さと
同じである。 ダイヤフラム127,128のそれぞれ他方の側には固定電
極121,122が接合され、ダイヤフラム127と固定電極121
との間、ダイヤフラム128と固定電極122との間にはそれ
ぞれ空間が設けられる。また、固定電極121,122は、そ
の中心部を貫通して圧力導入孔121h,122hがあけられ、
外周面に導体板121a,122aを設ける。導体板121a,122a,1
23aには、それぞれリードピンA1,A2,A3が接触し、これ
らのリードピンによって後述するように静電容量が取り
出される。 ダイヤフラム127の右側空間U1には、固定電極121の圧
力導入孔121hを通して圧力P1が作用し、ダイヤフラム12
7,中央電極123間の空間U2、中央電極123,ダイヤフラム1
28間の空間U3、およびダイヤフラム128,固定電極122間
の空間U4には、固定電極122の圧力導入孔122h、ガラス
接合部131,132の中空部131h,132hを通して圧力P2が作用
する。したがって、圧力差（P2−P1）によってダイヤフ
ラム127は変位するが、ダイヤフラム128は変位しない。 なお、第15図に示した圧力検出器は、通常は圧力P1,P
2を受圧する２つのシールダイヤフラムによって密閉さ
れたハウジングまたはP2のみを受圧する１つのシールダ
イヤフラムによって密閉されたハウジング内に収納さ
れ、かつ、このハウジング内に圧力伝達用の非圧縮性流
体たとえばシリコーンオイルが封入される。 ところで、第15図に示した検出部は、いわゆる双ダイ
ヤフラム形で、この形の検出部の特徴は、測定すべき
各圧力の媒体が異なっていても測定が可能である、たと
えば空間U1を充填する媒体がＭ、空間U2,U3,U4を充填す
る媒体がＮであり得る、温度変化による影響を抑制，
補償することが容易に可能である、ことなどである。 第16図は従来例での静電容量の等価回路図である。第
15図における固定電極121と中央電極123との間に形成さ
れる静電容量、言いかえれば、リードピンA1,A3によっ
て取り出される静電容量は、中央電極123の右側表面
とダイヤフラム127との対向間隙を介して形成される静
電容量、Co/（１−Δ/d）、固定電極121とダイヤフラ
ム127と中央電極123との周縁部を介して形成される静電
容量C131、が並列接続されたものである。 なお、ｄはダイヤフラム127に作用する差圧（P2−P
1）が零のときの、中央電極123の右側表面とダイヤフラ
ム127との対向間隙、Coは同じくその間の静電容量、C13
1はガラス接合部131の厚さ方向に係る静電容量である。
また、P2がP1より大きいとする。 同様に、リードピンA2,A3間の静電容量は、中央電極1
23の左側表面とダイヤフラム128との間の静電容量Co
と、ガラス接合部132の厚さ方向の静電容量C132との並
列接続されたものである。
以上説明したように、従来の単ダイヤフラム形の検出
器では、たとえばダイヤフラム69と固定電極61との間に
は実際には二つのコンデンサが形成されている。一つの
コンデンサはダイヤフラム69−空隙65−固定電極61によ
って形成されており、その静電容量は周知のように、Co
/（１−Δ/d）で表される。ただし、Co:差圧（P2−P1）
が零のときの静電容量、Δ：差圧（P2−P1）によるダイ
ヤフラム69の右方向への変位、d:差圧（P2−P1）が零の
ときの空隙65の厚さ、である。なお一般に、P2＞P1であ
るとする。 他の一つのコンデンサはダイヤフラム69−ガラス接合
部67−固定電極61によって形成されており、その静電容
量C67はダイヤフラム69の変位とは無関係に定まる容量
で、詳しくは後述するように測定上有害なものである。 また、ダイヤフラム69と固定電極62との間にも二つの
コンデンサが形成されており、一方のダイヤフラム69−
空隙66−固定電極62によって形成されたコンデンサの静
電容量はCo/（１−Δ/d）で表される。他方のダイヤフ
ラム69−ガラス接合部68−固定電極62によって形成され
たコンデンサの静電容量C68は先程の静電容量C67と同様
にダイヤフラム69の変位とは無関係に定まり、測定上有
害である。 そして、前記の各静電容量は等価的には第14図のよう
に接続されているとみなせる。この第14図において、リ
ードピンA1−A3間から見た静電容量は、Co/（１−Δ/
d）＋C67、リードピンA2−A3間から見た静電容量は、Co
/（１＋Δ/d）＋C68で表される。 次に、静電容量C67,C68が静電容量Co/（１−Δ/d）,C
o/（１＋Δ/d）に対して測定上有害であることについて
具体的に説明する。すなわち、一例として、ダイヤフラ
ム69および固定電極61,62が一辺の長さ9mmの正方形体か
ら成り、空隙65,66が直径7mmの円形体から成り、空隙6
5,66にシリコーンオイルが封入され、かつガラス結合部
67,68が日本電気ガラス（株）製のガラス接着剤SM−36A
から成るとすると、詳しい計算過程は省略するが、静電
容量Co:75.21（pF）、C67＝C68:150.50（pF）である。
なお、空隙65,66の厚さおよびガラス接合部67,68の厚さ
はそれぞれ12μｍとし、シリコーンオイルの比誘電率は
2.65、上記SM−36Aの比誘電率は4.8、真空誘電率は8.85
×10-14であるとする。この説明から明らかなように、
測定に関係する静電容量Coに対して、測定に関与しない
静電容量C67,C68は約２倍の大きさであり、測定上好ま
しくない。 さて、よく知られているように、C67,C68がCoに比べ
て無視できる程度に小さいときには、C10＝Co/（１−Δ
/d）,C20＝Co/（１＋Δ/d）のように一対の静電容量C1
0,C20が差動的に変化するため、次の演算式によってダ
イヤフラム変位Δに比例する信号Ｆを得るようにしてい
る。 Ｆ＝（C10−C20）／（C10＋C20） ＝Δ/d しかしながら、第13図の例の場合には、C67,C68はCo
の約２倍であるから、差圧（P1−P2）に対する信号Ｆは
上式のようになならず、Δ/dの高次項が発生して直線性
は著しく悪化することになる。なお、C67,C68をCoに比
べて無視できる程度に小さくするために、空隙65,66に
おける電極面積を極めて大きくす方法もあるが、このよ
うにした場合には圧力検出器全体の構成寸法が極めて大
きくなり、好ましくない。 次に、従来の双ダイヤフラム形の検出器においてはC1
31,C132はCoに比べて少なくとも無視できる程には小さ
くないから、周知の方法、つまりリードピンA1,A3間の
合成静電容量をC10、リードピンA2,A3間の合成静電容量
をC20としたとき、Ｆ＝（C10−C20）/C10で与えられる
信号Ｆを回路的に得る方法によって、ダイヤフラム27の
変位Δ、つまり差圧（P1−P2）に比例する検出信号を得
ることはできない。 従って、この発明の目的は、従来の単ダイヤフラム形
の静電容量式圧力検出器がもつ以上の問題点を解消し、
ダイヤフラムと各固定電極との周縁接合部における静電
容量の影響を除去するようにして検出信号の直線化を図
った静電容量式圧力検出器を提供することにある。 また、この発明の目的は、従来の双ダイヤフラムの静
電容量式圧力検出器がもつ以上の問題点を解消し、双ダ
イヤフラムのそれぞれと各固定電極との周縁接合部にお
ける静電容量の影響を除去するようにして検出信号の直
線化を図った静電容量式圧力検出器を提供することにあ
る。
器では、たとえばダイヤフラム69と固定電極61との間に
は実際には二つのコンデンサが形成されている。一つの
コンデンサはダイヤフラム69−空隙65−固定電極61によ
って形成されており、その静電容量は周知のように、Co
/（１−Δ/d）で表される。ただし、Co:差圧（P2−P1）
が零のときの静電容量、Δ：差圧（P2−P1）によるダイ
ヤフラム69の右方向への変位、d:差圧（P2−P1）が零の
ときの空隙65の厚さ、である。なお一般に、P2＞P1であ
るとする。 他の一つのコンデンサはダイヤフラム69−ガラス接合
部67−固定電極61によって形成されており、その静電容
量C67はダイヤフラム69の変位とは無関係に定まる容量
で、詳しくは後述するように測定上有害なものである。 また、ダイヤフラム69と固定電極62との間にも二つの
コンデンサが形成されており、一方のダイヤフラム69−
空隙66−固定電極62によって形成されたコンデンサの静
電容量はCo/（１−Δ/d）で表される。他方のダイヤフ
ラム69−ガラス接合部68−固定電極62によって形成され
たコンデンサの静電容量C68は先程の静電容量C67と同様
にダイヤフラム69の変位とは無関係に定まり、測定上有
害である。 そして、前記の各静電容量は等価的には第14図のよう
に接続されているとみなせる。この第14図において、リ
ードピンA1−A3間から見た静電容量は、Co/（１−Δ/
d）＋C67、リードピンA2−A3間から見た静電容量は、Co
/（１＋Δ/d）＋C68で表される。 次に、静電容量C67,C68が静電容量Co/（１−Δ/d）,C
o/（１＋Δ/d）に対して測定上有害であることについて
具体的に説明する。すなわち、一例として、ダイヤフラ
ム69および固定電極61,62が一辺の長さ9mmの正方形体か
ら成り、空隙65,66が直径7mmの円形体から成り、空隙6
5,66にシリコーンオイルが封入され、かつガラス結合部
67,68が日本電気ガラス（株）製のガラス接着剤SM−36A
から成るとすると、詳しい計算過程は省略するが、静電
容量Co:75.21（pF）、C67＝C68:150.50（pF）である。
なお、空隙65,66の厚さおよびガラス接合部67,68の厚さ
はそれぞれ12μｍとし、シリコーンオイルの比誘電率は
2.65、上記SM−36Aの比誘電率は4.8、真空誘電率は8.85
×10-14であるとする。この説明から明らかなように、
測定に関係する静電容量Coに対して、測定に関与しない
静電容量C67,C68は約２倍の大きさであり、測定上好ま
しくない。 さて、よく知られているように、C67,C68がCoに比べ
て無視できる程度に小さいときには、C10＝Co/（１−Δ
/d）,C20＝Co/（１＋Δ/d）のように一対の静電容量C1
0,C20が差動的に変化するため、次の演算式によってダ
イヤフラム変位Δに比例する信号Ｆを得るようにしてい
る。 Ｆ＝（C10−C20）／（C10＋C20） ＝Δ/d しかしながら、第13図の例の場合には、C67,C68はCo
の約２倍であるから、差圧（P1−P2）に対する信号Ｆは
上式のようになならず、Δ/dの高次項が発生して直線性
は著しく悪化することになる。なお、C67,C68をCoに比
べて無視できる程度に小さくするために、空隙65,66に
おける電極面積を極めて大きくす方法もあるが、このよ
うにした場合には圧力検出器全体の構成寸法が極めて大
きくなり、好ましくない。 次に、従来の双ダイヤフラム形の検出器においてはC1
31,C132はCoに比べて少なくとも無視できる程には小さ
くないから、周知の方法、つまりリードピンA1,A3間の
合成静電容量をC10、リードピンA2,A3間の合成静電容量
をC20としたとき、Ｆ＝（C10−C20）/C10で与えられる
信号Ｆを回路的に得る方法によって、ダイヤフラム27の
変位Δ、つまり差圧（P1−P2）に比例する検出信号を得
ることはできない。 従って、この発明の目的は、従来の単ダイヤフラム形
の静電容量式圧力検出器がもつ以上の問題点を解消し、
ダイヤフラムと各固定電極との周縁接合部における静電
容量の影響を除去するようにして検出信号の直線化を図
った静電容量式圧力検出器を提供することにある。 また、この発明の目的は、従来の双ダイヤフラムの静
電容量式圧力検出器がもつ以上の問題点を解消し、双ダ
イヤフラムのそれぞれと各固定電極との周縁接合部にお
ける静電容量の影響を除去するようにして検出信号の直
線化を図った静電容量式圧力検出器を提供することにあ
る。
上記目的を達成するために、本発明に係る第１の単ダ
イヤフラム形の静電容量式圧力検出器は、圧力に応じて
変位するダイヤフラムとこのダイヤフラムの各側に配設
された固定電極との間にそれぞれ形成される静電容量に
基づいて前記圧力が測定される検出器において、 前記各固定電極は、 前記ダイヤフラムの中央部表面に近接対向する突出部
を中央部にもちかつ前記圧力用導入孔を設ける電極本体
と； この電極本体の前記突出部の側の周縁部に前記突出部
を囲む形で接合され、かつこの接合部と逆側の端面で前
記ダイヤフラムの周縁部と接合され絶縁材料からなる支
持体と；を備える。 次に、第２の単ダイヤフラム形の静電容量式圧力検出
器は、 圧力に応じて変位するダイヤフラムとこのダイヤフラ
ムの各側に配設された固定電極との間にそれぞれ形成さ
れる静電容量に基づいて前記圧力が測定される検出器に
おいて、 前記各固定電極は、 一方の端面が前記ダイヤフラムの中央部表面に近接対
向しかつ前記圧力用導入孔を設ける中心電極体と； この中心電極体の外周面に接合される環状絶縁体と； この環状絶縁体の外周面に接合され、一方の端面で前
記ダイヤフラムの周縁部と絶縁的に接合される環状導体
と； を備え、前記ダイヤフラムと前記各環状導体とが電気的
に接続される。 また、第３の単ダイヤフラム形の静電容量式圧力検出
器は、 圧力に応じて変位するダイヤフラムとこのダイヤフラ
ムの各側で周縁部同士が絶縁的に接合された固定電極と
の間にそれぞれ形成される静電容量に基づいて前記圧力
が測定される検出器において、 前記ダイヤフラムと前記各固定電極との前記周縁接合
部におけるのと同じ温度特性の静電容量をもつ補正用コ
ンデンサを備え、 この補正用コンデンサの静電容量によって、前記ダイ
ヤフラムと前記各固定電極との前記周縁接合部における
静電容量の影響分が除去される。 また、本発明に係る双ダイヤフラム形の静電容量式圧
力検出器は、 中央電極と、この中央電極の各側に絶縁的に接合され
る第1,第２の各ダイヤフラムと、この第1,第２各ダイヤ
フラムと前記接合の反対側でそれぞれ導通的に接合され
この第1,第２各ダイヤフラムとの間にそれぞれ空間を形
成する第1,第２の各固定電極とを具備し、前記中央電極
と前記第1,第２各固定電極との間にそれぞれ形成される
静電容量に基づいて、前記第２ダイヤフラムの両側の空
間と前記第１ダイヤフラムの前記中央電極の側の空間と
に導入される一方の圧力と、前記第１固定電極と前記第
１ダイヤフラムとの間の空間に導入される他方の圧力と
の差圧が測定される検出器において、 前記中央電極は、 電極基板と； この電極基板の各側に接合される絶縁板と； この各絶縁板の外側の中央部に接合されかつ前記電極
基板と電気的に接続される導通板と； を備える。
イヤフラム形の静電容量式圧力検出器は、圧力に応じて
変位するダイヤフラムとこのダイヤフラムの各側に配設
された固定電極との間にそれぞれ形成される静電容量に
基づいて前記圧力が測定される検出器において、 前記各固定電極は、 前記ダイヤフラムの中央部表面に近接対向する突出部
を中央部にもちかつ前記圧力用導入孔を設ける電極本体
と； この電極本体の前記突出部の側の周縁部に前記突出部
を囲む形で接合され、かつこの接合部と逆側の端面で前
記ダイヤフラムの周縁部と接合され絶縁材料からなる支
持体と；を備える。 次に、第２の単ダイヤフラム形の静電容量式圧力検出
器は、 圧力に応じて変位するダイヤフラムとこのダイヤフラ
ムの各側に配設された固定電極との間にそれぞれ形成さ
れる静電容量に基づいて前記圧力が測定される検出器に
おいて、 前記各固定電極は、 一方の端面が前記ダイヤフラムの中央部表面に近接対
向しかつ前記圧力用導入孔を設ける中心電極体と； この中心電極体の外周面に接合される環状絶縁体と； この環状絶縁体の外周面に接合され、一方の端面で前
記ダイヤフラムの周縁部と絶縁的に接合される環状導体
と； を備え、前記ダイヤフラムと前記各環状導体とが電気的
に接続される。 また、第３の単ダイヤフラム形の静電容量式圧力検出
器は、 圧力に応じて変位するダイヤフラムとこのダイヤフラ
ムの各側で周縁部同士が絶縁的に接合された固定電極と
の間にそれぞれ形成される静電容量に基づいて前記圧力
が測定される検出器において、 前記ダイヤフラムと前記各固定電極との前記周縁接合
部におけるのと同じ温度特性の静電容量をもつ補正用コ
ンデンサを備え、 この補正用コンデンサの静電容量によって、前記ダイ
ヤフラムと前記各固定電極との前記周縁接合部における
静電容量の影響分が除去される。 また、本発明に係る双ダイヤフラム形の静電容量式圧
力検出器は、 中央電極と、この中央電極の各側に絶縁的に接合され
る第1,第２の各ダイヤフラムと、この第1,第２各ダイヤ
フラムと前記接合の反対側でそれぞれ導通的に接合され
この第1,第２各ダイヤフラムとの間にそれぞれ空間を形
成する第1,第２の各固定電極とを具備し、前記中央電極
と前記第1,第２各固定電極との間にそれぞれ形成される
静電容量に基づいて、前記第２ダイヤフラムの両側の空
間と前記第１ダイヤフラムの前記中央電極の側の空間と
に導入される一方の圧力と、前記第１固定電極と前記第
１ダイヤフラムとの間の空間に導入される他方の圧力と
の差圧が測定される検出器において、 前記中央電極は、 電極基板と； この電極基板の各側に接合される絶縁板と； この各絶縁板の外側の中央部に接合されかつ前記電極
基板と電気的に接続される導通板と； を備える。
第１の単ダイヤフラム形の静電容量式圧力検出器で
は、ダイヤフラムと各電極本体との間に形成される静電
容量の内で、ダイヤフラム周縁部および支持体を経由し
て形成される静電容量と、ダイヤフラムの中間部を経由
して形成される静電容量とがそれぞれ、ダイヤフラムの
中央部を経由して形成され差動的に変化して圧力に関し
て直線特性をもつようになし得る静電容量に比べて無視
できる程度に小さくなし得る。 第２の単ダイヤフラム形の静電容量式圧力検出器で
は、ダイヤフラムと各中心電極体との間に形成される静
電容量の内で、ダイヤフラム周縁部，環状導体および環
状絶縁体を経由して形成される静電容量が、ダイヤフラ
ムの中央部を経由して形成され差動的に変化して圧力に
関して直線特性をもつようになし得る静電容量に比べて
無視できる程度に小さくなし得る。 第３の単ダイヤフラム形の静電容量式圧力検出器で
は、ダイヤフラムと各固定電極との間に形成される静電
容量の内で、ダイヤフラム周縁部を経由して形成される
静電容量が、補正用コンデンサの静電容量によって除去
され、ダイヤフラムの中央部を経由して形成され差動的
に変化して圧力に関して直線特性をもつようになし得る
静電容量だけになし得る。 また、双ダイヤフラム形の検出器においては、第1,第
２の各固定電極と電極基板との間にそれぞれ形成される
静電容量の内で、電極基板，各絶縁板および各ダイヤフ
ラムの周縁部をそれぞれ経由して形成される静電容量
と、電極基板，各絶縁板および各ダイヤフラムの中間部
をそれぞれ経由して形成される静電容量とがそれぞれ、
電極基板，各導通板および各ダイヤフラムの中央部をそ
れぞれ経由して形成され差圧に関して直線特性をもつよ
うになし得る静電容量に比べて無視できる程度に小さく
なし得る。
は、ダイヤフラムと各電極本体との間に形成される静電
容量の内で、ダイヤフラム周縁部および支持体を経由し
て形成される静電容量と、ダイヤフラムの中間部を経由
して形成される静電容量とがそれぞれ、ダイヤフラムの
中央部を経由して形成され差動的に変化して圧力に関し
て直線特性をもつようになし得る静電容量に比べて無視
できる程度に小さくなし得る。 第２の単ダイヤフラム形の静電容量式圧力検出器で
は、ダイヤフラムと各中心電極体との間に形成される静
電容量の内で、ダイヤフラム周縁部，環状導体および環
状絶縁体を経由して形成される静電容量が、ダイヤフラ
ムの中央部を経由して形成され差動的に変化して圧力に
関して直線特性をもつようになし得る静電容量に比べて
無視できる程度に小さくなし得る。 第３の単ダイヤフラム形の静電容量式圧力検出器で
は、ダイヤフラムと各固定電極との間に形成される静電
容量の内で、ダイヤフラム周縁部を経由して形成される
静電容量が、補正用コンデンサの静電容量によって除去
され、ダイヤフラムの中央部を経由して形成され差動的
に変化して圧力に関して直線特性をもつようになし得る
静電容量だけになし得る。 また、双ダイヤフラム形の検出器においては、第1,第
２の各固定電極と電極基板との間にそれぞれ形成される
静電容量の内で、電極基板，各絶縁板および各ダイヤフ
ラムの周縁部をそれぞれ経由して形成される静電容量
と、電極基板，各絶縁板および各ダイヤフラムの中間部
をそれぞれ経由して形成される静電容量とがそれぞれ、
電極基板，各導通板および各ダイヤフラムの中央部をそ
れぞれ経由して形成され差圧に関して直線特性をもつよ
うになし得る静電容量に比べて無視できる程度に小さく
なし得る。
本発明に係る静電容量式圧力検出器の実施例につい
て、以下に図面を参照しながら説明する。 第１図は本発明による単ダイヤフラム形の静電容量式
圧力検出器の第１実施例の要部の断面図で、同図におい
て要部である検出部は、ダイヤフラム９と、その各側に
これと対称的に配設される固定電極1,2からなる。固定
電極1,2は主として、それぞれ電極本体3,4および支持体
5,6からなる。名称の同じ各部材は部材としては同一で
あるから、以下の説明はとくに断らない限り、一方の固
定電極１の側で代表させる。 電極本体３は中央部に突出部を有する厚板状部材で、
中心部を貫通して圧力導入孔3hがあけられ、外周面に導
体板1aを設ける。支持体５は絶縁材料からなる環状部材
で、一方の端面で電極本体３の周縁部に、先程の突出部
を囲む形で接合される。電極本体３の突出部表面と支持
体５の自由端面とは同一平面上にある。固定電極１は、
ダイヤフラム９の右側表面にガラス接合部７を介して接
合される。したがって、ダイヤフラム９の右側表面と電
極本体３の突出部表面との間隙は、ガラス接合部７の厚
さと同じである。ダイヤフラム９の右側空間には圧力P1
が作用する。ダイヤフラム９の外周面には導体板9aが設
けられる。導体板1aにはリードピンA1が、導体板9aには
リードピンA3がそれぞれ接触し、リードピンA1,A3によ
って後述するように固定電極1,ダイヤフラム９間に形成
される静電容量が取り出される。なお、他方の固定電極
２に係るガラス接合部，導体板，リードピンの各符号
は、8,2a,A2である。 第２図は第１実施例において固定電極１の側で形成さ
れる静電容量の模式図である。固定電極１とダイヤフラ
ム９との間に形成される静電容量、言いかえれば、リー
ドピンA1,A3によって取り出される静電容量は、電極
本体３の突出部表面とダイヤフラム９との対向間隙を介
して形成される静電容量、Co/（１−Δ/d）、電極本
体３の中間部表面とダイヤフラム９との対向間隙を介し
て形成される静電容量Cm、支持体５の静電容量C5、が
並列接続されたものである。なお、ｄはダイヤフラム９
に作用する差圧（P2−P1）が零のときの、電極本体３の
突出部表面とダイヤフラム９との対向間隙、Coは同じく
その間の静電容量、C5は支持体５の厚さ方向に係る静電
容量である。導体板9aを第１図示の如くガラス接合部７
を被うように設けることによって、ガラス接合部の静電
容量は存在しなくなる。また、P2はダイヤフラム９の左
側に作用する圧力で、P2がP1より大きいとする。 第３図は第１実施例における静電容量の等価回路図
で、第２図に示した内容と同一である。ここで、C6,Cn
はそれぞれC5,Cmに対応する静電容量で、値が同一であ
るとする。いま、C5,C6,Cm,CnをCoに比べて充分小さく
選択することによって、リードピンA1,A3間、A2,A3間の
各静電容量をC1,C2とすると、 C1＝Co/（１−Δ/d） C2＝Co/（１＋Δ/d） が近似的に成立する。例えば、電極本体３の突出部の外
径を5.8mmとし、支持体5,6を比誘電率5.8のセラミック
スで形成して、その内径を6.7mm、厚さを2mmとすると、
C5＝C6＝1.18pF、Cm＝Cn＝0.103pF、Co＝51.6pF、とな
り、上記の２つの式が成立するとして差しつかえない。
なお、C2の方の分母にある＋符号は、ダイヤフラム９が
電極本体４の突出部表面から離れる方向に変位すること
を示す。 したがって、既に従来例のところで説明したように、
ダイヤフラム９の変位Δ、つまり差圧（P2−P1）に比例
する検出信号を得ることができる。 次に、本発明に係る静電容量式圧力検出器の第２の実
施例について、以下に図面を参照しながら説明する。第
４図は第２実施例の要部の断面図で、同図において要部
の検出部は、ダイヤフラム19と、その各側にこれと対称
的に配設される固定電極11,12からなる。固定電極11,12
は主として、それぞれ中心電極体13,14、環状絶縁体15
A,16Aおよび環状導体15B,16Bからなる。名称の同じ各部
材は部材としては同一であるから、以下の説明はとくに
断らない限り、一方の固定電極11の側で代表させる。 中心電極体13は大，小二つの直径の部分からなる２段
円柱状体で、中心部を貫通して圧力導入孔13hがあけら
れ、大直径部分の外周面に環状絶縁体15Aがその内周面
で接合され、この環状絶縁体15Aの外周面に環状導体15B
がその内周面で接合される。中心電極体13の小直径部分
の外周面に導体板13aが設けられる。中心電極体13,環状
絶縁体15Aおよび環状導体15Bの各左側の端面は同一平面
上にある。固定電極11は、ダイヤフラム19の右側表面に
ガラス接合部17を介して接合される。したがって、ダイ
ヤフラム19の右側表面と中心電極体13の左側表面との間
隙は、ガラス接合部17の厚さと同じである。 ダイヤフラム19の右側空間には圧力P1が作用する。ダ
イヤフラム19の外周面と環状導体15B,16Bとをつなぐ形
で導体板19aが設けられる。導体板13aにはリードピンA1
が、導体板19aにはリードピンA3がそれぞれ接触し、リ
ードピンA1,A3によって後述する固定電極11,ダイヤフラ
ム19間に形成される静電容量が取り出される。なお、他
方の固定電極12に係るガラス接合部，導体板，リードピ
ンの各符号は、18,14a,A2である。 第５図は第２実施例において固定電極11の側で形成さ
れる静電容量の模式図である。固定電極11とダイヤフラ
ム19との間に形成される静電容量、言いかえれば、リー
ドピンA1,A3によって取り出される静電容量は、中心
電極体13の左側端面とダイヤフラム19との対向間隙を介
して形成される静電容量、Co/（１−Δ/d）、中心電
極体13,環状絶縁体15A,環状導体15Bを介して形成される
静電容量C15−が並列接続されたものである。なお、C15
は環状絶縁体15Aの直径方向の厚さについての静電容量
である。その他の符号は、いずれも第１実施例における
のと同じである。 第６図は第２実施例における静電容量の等価回路図
で、第５図に示した内容と同一である。ここで、C16はC
15に対応する静電容量で、その値は同じである。いま、
C15,C16をCoに比べて非常に小さく選択することによ
り、リードピンA1,A3間、A2,A3間の各静電容量をC11,C1
2とすると、 C11＝Co/（１−Δ/d） C12＝Co/（１＋Δ/d） が近似的に成立する。なお、C12の方の分母にある＋符
号は、ダイヤフラム19が中心電極体14の右側表面から離
れる方向に変位することを示す。したがって、既に説明
したように、ダイヤフラム19の変位Δ、つまり差圧（P2
−P1）に比例する検出信号を得ることができる。 また次に、本発明に係る静電容量式圧力検出器の第３
の実施例について、以下に図面を参照しながら説明す
る。第７図は第３実施例の要部の断面図で、同図におい
て要部である検出部は、検出部本体と、これに付設され
る補正用コンデンサとからなる。検出部本体は、ダイヤ
フラム29と、その各側にそれぞれガラス接合部27,28を
介して接合される固定電極21,22からなる。補正用コン
デンサ30は、環状のガラス接合部33を挟んでその各側に
接合されるドーナツ状の電極31,32からなる。補正用コ
ンデンサ30は、固定電極22と電極31との、環状絶縁体23
を介しての接合によって付設される。検出部本体の固定
電極21,22には、その中心部を貫通して圧力導入孔21h,2
2hがあけられ、また外周面にはそれぞれ導体板21a,22a
が設けられる。また、補正用コンデンサ30の電極31,32
それぞれの外周面には、導体板31a,32aが設けられる。 ダイヤフラム29の右側表面と固定電極21の左側表面と
の間隙は、ガラス接合部27の厚さと同じである。同様
に、ダイヤフラム29の左側表面と固定電極22の右側表面
との間隙は、ガラス接合部28の厚さと同じで、この場合
にはガラス接合部27,28の厚さは等しい。 ダイヤフラム29の右側空間には圧力P1が、また左側空
間には圧力P2がそれぞれ作用する。ダイヤフラム29の外
周面に導体板29aが設けられる。検出部本体側の導体板2
1aにはリードピンA1が、導体板22aにはリードピンA2
が、導体板29aにはリードピンA3がそれぞれ接触し、リ
ードピンA1,A3によって固定電極21,ダイヤフラム29間に
形成される静電容量C21が、リードピンA2,A3によって固
定電極22,ダイヤフラム29間に形成される静電容量C22が
それぞれ取り出される。また、補正用コンデンサ30側の
導体板31aにはリードピンA4が、導体板32aにはリードピ
ンA5がそれぞれ接触し、リードピンA4,A5によって電極3
1,32間に形成される静電容量C30が取り出される。 第８図は第３実施例における静電容量の等価回路図で
ある。ここで、C27,C28は、ガラス接合部27,28を誘電体
として形成される静電容量で、その値は同じであるとす
る。また、補正用コンデンサ30の静電容量をC30とする
と、C30＝２・C27＝２・C28になるように選択され、か
つ環状絶縁体23の静電容量は非常に小さく選択される。
しかも、C30,C27,C28は、いずれもガラス接合部である
から、その温度特性を同じにすることができる。また、
その他の符号は、いずれも第１実施例，第２実施例にお
けるのと同じである。 さて、従来例で説明したように、C27,C28は、いずれ
もCoに比べて無視できない程度の値であるから、この検
出部本体だけでは、ダイヤフラム29の変位Δ、つまり差
圧（P2−P1）に比例する検出信号を得ることはできな
い。そこで、補正用コンデンサ30が、次に詳しく説明す
るように、比例する検出信号を得るために機能する。 第９図は第３実施例における、差圧に比例する検出信
号を得るための検出回路図である。第９図において、40
は定電流回路、41,42,43はいずれも整流器、44は差動増
幅器、T1,T2,T3はいずれもトランス、R1,R2はいずれも
直流電圧取出し用の抵抗である。トランスT1,T2はとも
に同位相で、この位相に対してトランスT3のそれは逆に
なっている。 さて、それぞれ直列接続された抵抗R1,静電容量C21,
整流器41,トランスT1と、抵抗R2,静電容量C22,整流器4
2,トランスT2と、静電容量C30,整流器43,トランスT3と
が並列接続され、この並列回路に定電流回路40から一定
電流が供給され、そのときの抵抗R1,R2の各両端電圧V1,
V2が差動増幅器44に入力される。この差動増幅器44の出
力V0が求めるべき検出信号になる。 C21,C22,C30を流れる電流をJ1,J2,J3、各トランスか
ら供給される交流電圧，その周波数をE,f、R1＝R2＝
Ｒ、とすると、 J1＝ｆ・C21・Ｅ J2＝ｆ・C22・Ｅ J3＝ｆ・C30・Ｅ したがって、ｋを定数とすると、 Vo＝ｋ（V1−V2） ＝kfR・Ｅ（C21−C22） ……（１） 定電流回路40からの一定電流をJoとすると、 Jo＝J1＋J2−J3 ＝fE（C21＋C22−C30） ……（２） Joは定数であるから、（１），（２）式からｆを消去す
ると、 Vo＝ｃ（C21−C22）／（C21＋C22−C30） ……（３） 但し、ｃ＝kRJ0 ここで、 C21＝C27＋Co/（１−Δ/d） C22＝C28＋Co/（１＋Δ/d） C30＝２・C27＝２・C28 であるから、 Vo＝ｃΔ/d ……（４） となり、Voは、C27,C28の影響は全く受けないことにな
る。しかも、C30,C27,C28はいずれも近接して設置さ
れ、同一温度にあると見なせるから、周囲温度が変化し
ても C30＝２・C27＝２・C28 の関係が成り立ち、したがって、（４）式も成り立つこ
とになる。言いかえれば、検出信号は、周囲温度が変化
しても、ダイヤフラム29の変位量Δ、つまり差圧（P2−
P1）と直線特性をもつ。 次に、本発明に係る双ダイヤフラム形の静電容量式圧
力検出器の実施例について説明する。第10図はこの実施
例の要部の断面図で、同図において要部である検出部
は、中央電極103、その各側にこれと対称的に配設され
るダイヤフラム107,固定電極101、およびダイヤフラム1
08,固定電極102からなる。なお、名称の同じ各部材は部
材としては同一である。 中央電極103は、電極基板104と、その各側に接合され
た絶縁板105,106と、導通部109とからなる。この導通部
109は、中央の導通管109cとその各側の導通板109a,109b
とが一体化された部材で、電極基板104と絶縁板105,106
との中心を貫通する形で設けられ、導通板109a,109bが
絶縁板105,106の表面に出る。電極基板104の外周に導体
板103aが設けられる。絶縁板105,106の各側にダイヤフ
ラム107,108が周縁部でガラス接合部111,112を介して接
合される。このガラス接合部111,112には、それぞれ１
箇所に中空部111h,112hがあけられている。 ダイヤフラム107,108のそれぞれ他方の側には片側に
凹部をもつ固定電極101,102が導通的に接合され、ダイ
ヤフラム107と固定電極101との間、ダイヤフラム108と
固定電極102との間にはそれぞれ先程の凹部に相当する
空間S1,S4が設けられる。また、固定電極101,102は、そ
の中心部を貫通する圧力導入孔101h,102hを、また外周
面に導体板101a,122aを設ける。導体板101a,102a,103a
には、それぞれリードピンA1,A2,A3が接触し、これらの
リードピンA1,A2,A3によって後述するように静電容量が
取り出される。 ダイヤフラム107の右側空間S1には、固定電極101の圧
力導入孔101hを通して圧力P1が作用し、ダイヤフラム10
7,中央電極103間の空間S2、中央電極103,ダイヤフラム1
08間の空間S3、およびダイヤフラム108,固定電極102間
の空間S4には、固定電極102の圧力導入孔102h、ガラス
接合部111,112の中空部111h,112hを通して圧力P2が作用
する。したがって、ダイヤフラム107は変位するが、ダ
イヤフラム108は変位しない。 第11図はこの実施例において固定電極101の側で形成
される静電容量の模式図である。固定電極101と中央電
極103との間に形成される静電容量、言いかえれば、リ
ードピンA1,A3によって取り出される静電容量は、ダ
イヤフラム７の左側表面の中央部と導通部109aの表面と
の対向間隙を介して形成される静電容量、Co/（１−Δ/
d）、ダイヤフラム107の中間部の左側表面と絶縁板10
5との対向間隙を介して形成される静電容量、つまり直
列接続されたCp,C105′、ガラス接合部111,絶縁板105
を介して形成される静電容量、つまり直列接続されたC1
11,C105、が並列接続されたものである。なお、ｄはダ
イヤフラム107に作用する差圧（P1−P2）が零のとき
の、ダイヤフラム７と導通部109aとの対向間隙、Coは同
じくその間の静電容量である。Cp,C105′は、それぞれ
ダイヤフラム107の中間部の左側表面と絶縁板105の表面
との間に形成される静電容量，絶縁板105の厚さ方向の
静電容量である。また、C111はガラス接合部111の厚さ
方向の静電容量、C105はガラス接合部111に対向した絶
縁板105の厚さ方向の静電容量である。なお、P2はダイ
ヤフラム109の左側に作用する圧力で、P1がP2より大き
いとする。 第12図はこの実施例における静電容量の等価回路図
で、第２図に示した内容と同一である。ここで、Coはダ
イヤフラム108と導通部109bとの間の一定の静電容量、C
q,C106′は、それぞれダイヤフラム108の中間部の左側
表面と絶縁板106の表面との間に形成される静電容量，
絶縁板106の厚さ方向の静電容量、C112はガラス接合部1
12の厚さ方向の静電容量、C106はガラス接合部112に対
向した絶縁板106の厚さ方向の静電容量である。 いまC105,C105′,C106,C106′をC111,C112,Cp,Cqに比
べて非常に小さく選択することによって、リードピンA
1,A3間、A2,A3間の各静電容量C1,C2は、近似的に C1＝Co/（１−Δ/d） C2＝Co となる。例えば、ガラス接合部111,112の内径を6.7mm、
厚さを12μｍ、絶縁板105,106比誘電率5.8のセラミック
スで形成し、その厚さを2mm、導通板109a,109bの外径を
5.8mmとすると、C111＝C112＝195.7pF、C105＝C106＝1.
18pF、C105′＝C106′＝0.2268pF、Cp＝Cq＝17.268pF、
Co＝51.6pFとなる。従って、C111とC105の合成値CG1はC
G1＝1.173pF、C105′とCpの合成値CG2はCG2＝0.224pF、
よって、Coに対する浮遊容量の合成値は、CG1＋CG2≒1.
4pFとなって、Co＝51.6pFに比べて無視できる程度まで
小さくなる。したがって、周知の方法、Ｆ＝（C1−C2）
/C1で与えられる信号Ｆを回路的に得る方法によって、
ダイヤフラム107の変位Δ、つまり差圧（P1−P2）に比
例する検出信号を得ることができる。 以上に説明したように、第1,第２の各固定電極と電極
基板との間にそれぞれ形成される静電容量の内で、電極
基板，各絶縁板および各ダイヤフラムの周縁部をそれぞ
れ経由して形成される静電容量と、電極基板，各絶縁板
および各ダイヤフラムの中間部をそれぞれ経由して形成
される静電容量とがそれぞれ、電極基板，各導通板およ
び各ダイヤフラムの中央部をそれぞれ経由して形成され
差圧に関して直線特性をもつ主静電容量に比べて無視で
きる程度に小さくなし得る。
て、以下に図面を参照しながら説明する。 第１図は本発明による単ダイヤフラム形の静電容量式
圧力検出器の第１実施例の要部の断面図で、同図におい
て要部である検出部は、ダイヤフラム９と、その各側に
これと対称的に配設される固定電極1,2からなる。固定
電極1,2は主として、それぞれ電極本体3,4および支持体
5,6からなる。名称の同じ各部材は部材としては同一で
あるから、以下の説明はとくに断らない限り、一方の固
定電極１の側で代表させる。 電極本体３は中央部に突出部を有する厚板状部材で、
中心部を貫通して圧力導入孔3hがあけられ、外周面に導
体板1aを設ける。支持体５は絶縁材料からなる環状部材
で、一方の端面で電極本体３の周縁部に、先程の突出部
を囲む形で接合される。電極本体３の突出部表面と支持
体５の自由端面とは同一平面上にある。固定電極１は、
ダイヤフラム９の右側表面にガラス接合部７を介して接
合される。したがって、ダイヤフラム９の右側表面と電
極本体３の突出部表面との間隙は、ガラス接合部７の厚
さと同じである。ダイヤフラム９の右側空間には圧力P1
が作用する。ダイヤフラム９の外周面には導体板9aが設
けられる。導体板1aにはリードピンA1が、導体板9aには
リードピンA3がそれぞれ接触し、リードピンA1,A3によ
って後述するように固定電極1,ダイヤフラム９間に形成
される静電容量が取り出される。なお、他方の固定電極
２に係るガラス接合部，導体板，リードピンの各符号
は、8,2a,A2である。 第２図は第１実施例において固定電極１の側で形成さ
れる静電容量の模式図である。固定電極１とダイヤフラ
ム９との間に形成される静電容量、言いかえれば、リー
ドピンA1,A3によって取り出される静電容量は、電極
本体３の突出部表面とダイヤフラム９との対向間隙を介
して形成される静電容量、Co/（１−Δ/d）、電極本
体３の中間部表面とダイヤフラム９との対向間隙を介し
て形成される静電容量Cm、支持体５の静電容量C5、が
並列接続されたものである。なお、ｄはダイヤフラム９
に作用する差圧（P2−P1）が零のときの、電極本体３の
突出部表面とダイヤフラム９との対向間隙、Coは同じく
その間の静電容量、C5は支持体５の厚さ方向に係る静電
容量である。導体板9aを第１図示の如くガラス接合部７
を被うように設けることによって、ガラス接合部の静電
容量は存在しなくなる。また、P2はダイヤフラム９の左
側に作用する圧力で、P2がP1より大きいとする。 第３図は第１実施例における静電容量の等価回路図
で、第２図に示した内容と同一である。ここで、C6,Cn
はそれぞれC5,Cmに対応する静電容量で、値が同一であ
るとする。いま、C5,C6,Cm,CnをCoに比べて充分小さく
選択することによって、リードピンA1,A3間、A2,A3間の
各静電容量をC1,C2とすると、 C1＝Co/（１−Δ/d） C2＝Co/（１＋Δ/d） が近似的に成立する。例えば、電極本体３の突出部の外
径を5.8mmとし、支持体5,6を比誘電率5.8のセラミック
スで形成して、その内径を6.7mm、厚さを2mmとすると、
C5＝C6＝1.18pF、Cm＝Cn＝0.103pF、Co＝51.6pF、とな
り、上記の２つの式が成立するとして差しつかえない。
なお、C2の方の分母にある＋符号は、ダイヤフラム９が
電極本体４の突出部表面から離れる方向に変位すること
を示す。 したがって、既に従来例のところで説明したように、
ダイヤフラム９の変位Δ、つまり差圧（P2−P1）に比例
する検出信号を得ることができる。 次に、本発明に係る静電容量式圧力検出器の第２の実
施例について、以下に図面を参照しながら説明する。第
４図は第２実施例の要部の断面図で、同図において要部
の検出部は、ダイヤフラム19と、その各側にこれと対称
的に配設される固定電極11,12からなる。固定電極11,12
は主として、それぞれ中心電極体13,14、環状絶縁体15
A,16Aおよび環状導体15B,16Bからなる。名称の同じ各部
材は部材としては同一であるから、以下の説明はとくに
断らない限り、一方の固定電極11の側で代表させる。 中心電極体13は大，小二つの直径の部分からなる２段
円柱状体で、中心部を貫通して圧力導入孔13hがあけら
れ、大直径部分の外周面に環状絶縁体15Aがその内周面
で接合され、この環状絶縁体15Aの外周面に環状導体15B
がその内周面で接合される。中心電極体13の小直径部分
の外周面に導体板13aが設けられる。中心電極体13,環状
絶縁体15Aおよび環状導体15Bの各左側の端面は同一平面
上にある。固定電極11は、ダイヤフラム19の右側表面に
ガラス接合部17を介して接合される。したがって、ダイ
ヤフラム19の右側表面と中心電極体13の左側表面との間
隙は、ガラス接合部17の厚さと同じである。 ダイヤフラム19の右側空間には圧力P1が作用する。ダ
イヤフラム19の外周面と環状導体15B,16Bとをつなぐ形
で導体板19aが設けられる。導体板13aにはリードピンA1
が、導体板19aにはリードピンA3がそれぞれ接触し、リ
ードピンA1,A3によって後述する固定電極11,ダイヤフラ
ム19間に形成される静電容量が取り出される。なお、他
方の固定電極12に係るガラス接合部，導体板，リードピ
ンの各符号は、18,14a,A2である。 第５図は第２実施例において固定電極11の側で形成さ
れる静電容量の模式図である。固定電極11とダイヤフラ
ム19との間に形成される静電容量、言いかえれば、リー
ドピンA1,A3によって取り出される静電容量は、中心
電極体13の左側端面とダイヤフラム19との対向間隙を介
して形成される静電容量、Co/（１−Δ/d）、中心電
極体13,環状絶縁体15A,環状導体15Bを介して形成される
静電容量C15−が並列接続されたものである。なお、C15
は環状絶縁体15Aの直径方向の厚さについての静電容量
である。その他の符号は、いずれも第１実施例における
のと同じである。 第６図は第２実施例における静電容量の等価回路図
で、第５図に示した内容と同一である。ここで、C16はC
15に対応する静電容量で、その値は同じである。いま、
C15,C16をCoに比べて非常に小さく選択することによ
り、リードピンA1,A3間、A2,A3間の各静電容量をC11,C1
2とすると、 C11＝Co/（１−Δ/d） C12＝Co/（１＋Δ/d） が近似的に成立する。なお、C12の方の分母にある＋符
号は、ダイヤフラム19が中心電極体14の右側表面から離
れる方向に変位することを示す。したがって、既に説明
したように、ダイヤフラム19の変位Δ、つまり差圧（P2
−P1）に比例する検出信号を得ることができる。 また次に、本発明に係る静電容量式圧力検出器の第３
の実施例について、以下に図面を参照しながら説明す
る。第７図は第３実施例の要部の断面図で、同図におい
て要部である検出部は、検出部本体と、これに付設され
る補正用コンデンサとからなる。検出部本体は、ダイヤ
フラム29と、その各側にそれぞれガラス接合部27,28を
介して接合される固定電極21,22からなる。補正用コン
デンサ30は、環状のガラス接合部33を挟んでその各側に
接合されるドーナツ状の電極31,32からなる。補正用コ
ンデンサ30は、固定電極22と電極31との、環状絶縁体23
を介しての接合によって付設される。検出部本体の固定
電極21,22には、その中心部を貫通して圧力導入孔21h,2
2hがあけられ、また外周面にはそれぞれ導体板21a,22a
が設けられる。また、補正用コンデンサ30の電極31,32
それぞれの外周面には、導体板31a,32aが設けられる。 ダイヤフラム29の右側表面と固定電極21の左側表面と
の間隙は、ガラス接合部27の厚さと同じである。同様
に、ダイヤフラム29の左側表面と固定電極22の右側表面
との間隙は、ガラス接合部28の厚さと同じで、この場合
にはガラス接合部27,28の厚さは等しい。 ダイヤフラム29の右側空間には圧力P1が、また左側空
間には圧力P2がそれぞれ作用する。ダイヤフラム29の外
周面に導体板29aが設けられる。検出部本体側の導体板2
1aにはリードピンA1が、導体板22aにはリードピンA2
が、導体板29aにはリードピンA3がそれぞれ接触し、リ
ードピンA1,A3によって固定電極21,ダイヤフラム29間に
形成される静電容量C21が、リードピンA2,A3によって固
定電極22,ダイヤフラム29間に形成される静電容量C22が
それぞれ取り出される。また、補正用コンデンサ30側の
導体板31aにはリードピンA4が、導体板32aにはリードピ
ンA5がそれぞれ接触し、リードピンA4,A5によって電極3
1,32間に形成される静電容量C30が取り出される。 第８図は第３実施例における静電容量の等価回路図で
ある。ここで、C27,C28は、ガラス接合部27,28を誘電体
として形成される静電容量で、その値は同じであるとす
る。また、補正用コンデンサ30の静電容量をC30とする
と、C30＝２・C27＝２・C28になるように選択され、か
つ環状絶縁体23の静電容量は非常に小さく選択される。
しかも、C30,C27,C28は、いずれもガラス接合部である
から、その温度特性を同じにすることができる。また、
その他の符号は、いずれも第１実施例，第２実施例にお
けるのと同じである。 さて、従来例で説明したように、C27,C28は、いずれ
もCoに比べて無視できない程度の値であるから、この検
出部本体だけでは、ダイヤフラム29の変位Δ、つまり差
圧（P2−P1）に比例する検出信号を得ることはできな
い。そこで、補正用コンデンサ30が、次に詳しく説明す
るように、比例する検出信号を得るために機能する。 第９図は第３実施例における、差圧に比例する検出信
号を得るための検出回路図である。第９図において、40
は定電流回路、41,42,43はいずれも整流器、44は差動増
幅器、T1,T2,T3はいずれもトランス、R1,R2はいずれも
直流電圧取出し用の抵抗である。トランスT1,T2はとも
に同位相で、この位相に対してトランスT3のそれは逆に
なっている。 さて、それぞれ直列接続された抵抗R1,静電容量C21,
整流器41,トランスT1と、抵抗R2,静電容量C22,整流器4
2,トランスT2と、静電容量C30,整流器43,トランスT3と
が並列接続され、この並列回路に定電流回路40から一定
電流が供給され、そのときの抵抗R1,R2の各両端電圧V1,
V2が差動増幅器44に入力される。この差動増幅器44の出
力V0が求めるべき検出信号になる。 C21,C22,C30を流れる電流をJ1,J2,J3、各トランスか
ら供給される交流電圧，その周波数をE,f、R1＝R2＝
Ｒ、とすると、 J1＝ｆ・C21・Ｅ J2＝ｆ・C22・Ｅ J3＝ｆ・C30・Ｅ したがって、ｋを定数とすると、 Vo＝ｋ（V1−V2） ＝kfR・Ｅ（C21−C22） ……（１） 定電流回路40からの一定電流をJoとすると、 Jo＝J1＋J2−J3 ＝fE（C21＋C22−C30） ……（２） Joは定数であるから、（１），（２）式からｆを消去す
ると、 Vo＝ｃ（C21−C22）／（C21＋C22−C30） ……（３） 但し、ｃ＝kRJ0 ここで、 C21＝C27＋Co/（１−Δ/d） C22＝C28＋Co/（１＋Δ/d） C30＝２・C27＝２・C28 であるから、 Vo＝ｃΔ/d ……（４） となり、Voは、C27,C28の影響は全く受けないことにな
る。しかも、C30,C27,C28はいずれも近接して設置さ
れ、同一温度にあると見なせるから、周囲温度が変化し
ても C30＝２・C27＝２・C28 の関係が成り立ち、したがって、（４）式も成り立つこ
とになる。言いかえれば、検出信号は、周囲温度が変化
しても、ダイヤフラム29の変位量Δ、つまり差圧（P2−
P1）と直線特性をもつ。 次に、本発明に係る双ダイヤフラム形の静電容量式圧
力検出器の実施例について説明する。第10図はこの実施
例の要部の断面図で、同図において要部である検出部
は、中央電極103、その各側にこれと対称的に配設され
るダイヤフラム107,固定電極101、およびダイヤフラム1
08,固定電極102からなる。なお、名称の同じ各部材は部
材としては同一である。 中央電極103は、電極基板104と、その各側に接合され
た絶縁板105,106と、導通部109とからなる。この導通部
109は、中央の導通管109cとその各側の導通板109a,109b
とが一体化された部材で、電極基板104と絶縁板105,106
との中心を貫通する形で設けられ、導通板109a,109bが
絶縁板105,106の表面に出る。電極基板104の外周に導体
板103aが設けられる。絶縁板105,106の各側にダイヤフ
ラム107,108が周縁部でガラス接合部111,112を介して接
合される。このガラス接合部111,112には、それぞれ１
箇所に中空部111h,112hがあけられている。 ダイヤフラム107,108のそれぞれ他方の側には片側に
凹部をもつ固定電極101,102が導通的に接合され、ダイ
ヤフラム107と固定電極101との間、ダイヤフラム108と
固定電極102との間にはそれぞれ先程の凹部に相当する
空間S1,S4が設けられる。また、固定電極101,102は、そ
の中心部を貫通する圧力導入孔101h,102hを、また外周
面に導体板101a,122aを設ける。導体板101a,102a,103a
には、それぞれリードピンA1,A2,A3が接触し、これらの
リードピンA1,A2,A3によって後述するように静電容量が
取り出される。 ダイヤフラム107の右側空間S1には、固定電極101の圧
力導入孔101hを通して圧力P1が作用し、ダイヤフラム10
7,中央電極103間の空間S2、中央電極103,ダイヤフラム1
08間の空間S3、およびダイヤフラム108,固定電極102間
の空間S4には、固定電極102の圧力導入孔102h、ガラス
接合部111,112の中空部111h,112hを通して圧力P2が作用
する。したがって、ダイヤフラム107は変位するが、ダ
イヤフラム108は変位しない。 第11図はこの実施例において固定電極101の側で形成
される静電容量の模式図である。固定電極101と中央電
極103との間に形成される静電容量、言いかえれば、リ
ードピンA1,A3によって取り出される静電容量は、ダ
イヤフラム７の左側表面の中央部と導通部109aの表面と
の対向間隙を介して形成される静電容量、Co/（１−Δ/
d）、ダイヤフラム107の中間部の左側表面と絶縁板10
5との対向間隙を介して形成される静電容量、つまり直
列接続されたCp,C105′、ガラス接合部111,絶縁板105
を介して形成される静電容量、つまり直列接続されたC1
11,C105、が並列接続されたものである。なお、ｄはダ
イヤフラム107に作用する差圧（P1−P2）が零のとき
の、ダイヤフラム７と導通部109aとの対向間隙、Coは同
じくその間の静電容量である。Cp,C105′は、それぞれ
ダイヤフラム107の中間部の左側表面と絶縁板105の表面
との間に形成される静電容量，絶縁板105の厚さ方向の
静電容量である。また、C111はガラス接合部111の厚さ
方向の静電容量、C105はガラス接合部111に対向した絶
縁板105の厚さ方向の静電容量である。なお、P2はダイ
ヤフラム109の左側に作用する圧力で、P1がP2より大き
いとする。 第12図はこの実施例における静電容量の等価回路図
で、第２図に示した内容と同一である。ここで、Coはダ
イヤフラム108と導通部109bとの間の一定の静電容量、C
q,C106′は、それぞれダイヤフラム108の中間部の左側
表面と絶縁板106の表面との間に形成される静電容量，
絶縁板106の厚さ方向の静電容量、C112はガラス接合部1
12の厚さ方向の静電容量、C106はガラス接合部112に対
向した絶縁板106の厚さ方向の静電容量である。 いまC105,C105′,C106,C106′をC111,C112,Cp,Cqに比
べて非常に小さく選択することによって、リードピンA
1,A3間、A2,A3間の各静電容量C1,C2は、近似的に C1＝Co/（１−Δ/d） C2＝Co となる。例えば、ガラス接合部111,112の内径を6.7mm、
厚さを12μｍ、絶縁板105,106比誘電率5.8のセラミック
スで形成し、その厚さを2mm、導通板109a,109bの外径を
5.8mmとすると、C111＝C112＝195.7pF、C105＝C106＝1.
18pF、C105′＝C106′＝0.2268pF、Cp＝Cq＝17.268pF、
Co＝51.6pFとなる。従って、C111とC105の合成値CG1はC
G1＝1.173pF、C105′とCpの合成値CG2はCG2＝0.224pF、
よって、Coに対する浮遊容量の合成値は、CG1＋CG2≒1.
4pFとなって、Co＝51.6pFに比べて無視できる程度まで
小さくなる。したがって、周知の方法、Ｆ＝（C1−C2）
/C1で与えられる信号Ｆを回路的に得る方法によって、
ダイヤフラム107の変位Δ、つまり差圧（P1−P2）に比
例する検出信号を得ることができる。 以上に説明したように、第1,第２の各固定電極と電極
基板との間にそれぞれ形成される静電容量の内で、電極
基板，各絶縁板および各ダイヤフラムの周縁部をそれぞ
れ経由して形成される静電容量と、電極基板，各絶縁板
および各ダイヤフラムの中間部をそれぞれ経由して形成
される静電容量とがそれぞれ、電極基板，各導通板およ
び各ダイヤフラムの中央部をそれぞれ経由して形成され
差圧に関して直線特性をもつ主静電容量に比べて無視で
きる程度に小さくなし得る。
この発明によれば、従来の技術に比べ次のようなすぐ
れた効果がある。 （１） 単ダイヤフラム形の検出器においては、ダイヤ
フラムと各固定電極との周縁接合部における静電容量の
影響を除去するようにして検出信号の直線化を図ること
ができる。 （２） とくに第３の単ダイヤフラム形の検出器によれ
ば、従来の検出器に補正用コンデンサを付設する構成を
とるから、既設の検出器を簡単に改善できる。 （３） 双ダイヤフラム形の検出器においては、双ダイ
ヤフラムのそれぞれと各固定電極との周縁接合部等にお
ける静電容量の影響を除去して検出信号の直線化を図る
ことができる。 （４） 単ダイヤフラム形，双ダイヤフラム形いずれの
静電容量式圧力検出器においても、構造が簡単で製作し
やすく、信頼性向上と低コスト化とが図れる。
れた効果がある。 （１） 単ダイヤフラム形の検出器においては、ダイヤ
フラムと各固定電極との周縁接合部における静電容量の
影響を除去するようにして検出信号の直線化を図ること
ができる。 （２） とくに第３の単ダイヤフラム形の検出器によれ
ば、従来の検出器に補正用コンデンサを付設する構成を
とるから、既設の検出器を簡単に改善できる。 （３） 双ダイヤフラム形の検出器においては、双ダイ
ヤフラムのそれぞれと各固定電極との周縁接合部等にお
ける静電容量の影響を除去して検出信号の直線化を図る
ことができる。 （４） 単ダイヤフラム形，双ダイヤフラム形いずれの
静電容量式圧力検出器においても、構造が簡単で製作し
やすく、信頼性向上と低コスト化とが図れる。
第１図は本発明の単ダイヤフラム形の静電容量式圧力検
出器の第１実施例の要部の断面図、 第２図は第１実施例において形成される静電容量の模式
図、 第３図は第１実施例での静電容量の等価回路図、 第４図は単ダイヤフラム形の静電容量式圧力検出器の第
２実施例の要部の断面図、 第５図は第２実施例において形成される静電容量の模式
図、 第６図は第２実施例での静電容量の等価回路図、 第７図は単ダイヤフラム形の静電容量式圧力検出器の第
３実施例の要部の断面図、 第８図は第３実施例での静電容量の等価回路図、 第９図は第３実施例に適当される検出回路図、 第10図は本発明に係る双ダイヤフラム形の静電容量式圧
力検出器の実施例の要部の断面図、 第11図はこの実施例において形成される静電容量の模式
図、 第12図はこの実施例での静電容量の等価回路図、 第13図は単ダイヤフラム形の静電容量式圧力検出器の従
来例における要部の断面図、 第14図はこの従来例における静電容量の等価回路図、 第15図は双ダイヤフラム形の静電容量式圧力検出器の従
来例の要部の断面図、 第16図はこの従来例での静電容量の等価回路図である。 符号説明 1,2、11,12、21,22:固定電極、 3,4:電極本体、5,6:支持体、 7,8、17,18、27,28:ガラス接合部、 9,19,29:ダイヤフラム、 13,14:中心電極体、 15A,16A:環状絶縁体、15B,16B:環状導体、 23:環状絶縁体、30:補正用コンデンサ、 31,32:電極、33:ガラス接合部、 101,102:固定電極、103:中央電極、 104:電極基板、105,106:絶縁板、 107,108:ダイヤフラム、109:導通部、 109a,109b:導通板、109c:導通管、 111,112:ガラス接合部。
出器の第１実施例の要部の断面図、 第２図は第１実施例において形成される静電容量の模式
図、 第３図は第１実施例での静電容量の等価回路図、 第４図は単ダイヤフラム形の静電容量式圧力検出器の第
２実施例の要部の断面図、 第５図は第２実施例において形成される静電容量の模式
図、 第６図は第２実施例での静電容量の等価回路図、 第７図は単ダイヤフラム形の静電容量式圧力検出器の第
３実施例の要部の断面図、 第８図は第３実施例での静電容量の等価回路図、 第９図は第３実施例に適当される検出回路図、 第10図は本発明に係る双ダイヤフラム形の静電容量式圧
力検出器の実施例の要部の断面図、 第11図はこの実施例において形成される静電容量の模式
図、 第12図はこの実施例での静電容量の等価回路図、 第13図は単ダイヤフラム形の静電容量式圧力検出器の従
来例における要部の断面図、 第14図はこの従来例における静電容量の等価回路図、 第15図は双ダイヤフラム形の静電容量式圧力検出器の従
来例の要部の断面図、 第16図はこの従来例での静電容量の等価回路図である。 符号説明 1,2、11,12、21,22:固定電極、 3,4:電極本体、5,6:支持体、 7,8、17,18、27,28:ガラス接合部、 9,19,29:ダイヤフラム、 13,14:中心電極体、 15A,16A:環状絶縁体、15B,16B:環状導体、 23:環状絶縁体、30:補正用コンデンサ、 31,32:電極、33:ガラス接合部、 101,102:固定電極、103:中央電極、 104:電極基板、105,106:絶縁板、 107,108:ダイヤフラム、109:導通部、 109a,109b:導通板、109c:導通管、 111,112:ガラス接合部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高野 敏行 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 松田 幹彦 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−44823（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−83440（ＪＰ，Ｕ)
Claims (4)
- 【請求項１】圧力に応じて変位するダイヤフラムとこの
ダイヤフラムの各側に配設された固定電極との間にそれ
ぞれ形成される静電容量に基づいて前記圧力が測定され
る検出器において、前記各固定電極は、前記ダイヤフラ
ムの中央部表面に近接対向する突出部を中央部にもちか
つ圧力用導入孔を設ける電極本体と；この電極本体の前
記突出部の側の周縁部に前記突出部を囲む形で接合さ
れ、かつこの接合部と逆側の端面で前記ダイヤフラムの
周縁部と接合され絶縁材料からなる支持体と；を備える
ことを特徴とする静電容量式圧力検出器。 - 【請求項２】圧力に応じて変位するダイヤフラムとこの
ダイヤフラムの各側に配設された固定電極との間にそれ
ぞれ形成される静電容量に基づいて前記圧力が測定され
る検出器において、前記各固定電極は、一方の端面が前
記ダイヤフラムの中央部表面に近接対向しかつ前記圧力
用導入孔を設ける中心電極体と；この中心電極体の外周
面に接合される環状絶縁体と；この環状絶縁体の外周面
に接合され、一方の端面で前記ダイヤフラムの周縁部と
絶縁的に接合される環状導体と；を備え、前記ダイヤフ
ラムと前記各環状導体とが電気的に接続されることを特
徴とする静電容量式圧力検出器。 - 【請求項３】圧力に応じて変位するダイヤフラムとこの
ダイヤフラムの各側で周縁部同士が絶縁的に接合された
固定電極との間にそれぞれ形成される静電容量に基づい
て前記圧力が測定される検出器において、前記ダイヤフ
ラムと前記各固定電極との前記周縁接合部におけるのと
同じ温度特性の静電容量をもつ補正用コンデンサを備
え、この補正用コンデンサの静電容量によって、前記ダ
イヤフラムと前記各固定電極との前記周縁接合部におけ
る静電容量の影響分が除去されるようにしたことを特徴
とする静電容量式圧力検出器。 - 【請求項４】中央電極と、この中央電極の各側に絶縁的
に接合される第1,第２の各ダイヤフラムと、この第1,第
２各ダイヤフラムと前記接合の反対側でそれぞれ導通的
に接合されこの第1,第２各ダイヤフラムとの間にそれぞ
れ空間を形成する第1,第２の各固定電極とを具備し、前
記中央電極と前記第1,第２各固定電極との間にそれぞれ
形成される静電容量に基づいて、前記第２ダイヤフラム
の両側の空間と前記第１ダイヤフラムの前記中央電極の
側の空間とに導入される一方の圧力と、前記第１固定電
極と前記第１ダイヤフラムとの間の空間に導入される他
方の圧力との差圧が測定される検出器において、 前記中央電極は、電極基板と；この電極基板の各側に接
合される絶縁板と；この各絶縁板の外側の中央部に接合
されかつ前記電極基板と電気的に接続される導通板と；
を備えることを特徴とする静電容量式圧力検出器。
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|---|---|---|---|
| JP1091092A JP2570420B2 (ja) | 1988-06-23 | 1989-04-11 | 静電容量式圧力検出器 |
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| JP15557988 | 1988-06-23 | ||
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| JP30197888 | 1988-11-29 | ||
| JP1091092A JP2570420B2 (ja) | 1988-06-23 | 1989-04-11 | 静電容量式圧力検出器 |
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1989
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- 1989-06-23 DE DE3920674A patent/DE3920674C2/de not_active Expired - Fee Related
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