JPS58204598A - セラミツク多層回路基板の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明ばてラミック多層回路基板の製造法：で関する。

従来−ラミック＋藷１回各基板は、予め焼結さｆ′ｌ−
た七ラミック基板上に４苓ペーストを媚犀１１゜乾Ｉ秦
≠、絶徽ペーストケ臼刷、屹桑し、これ金運数回くり返
して多層回路全形成した後焼成して具造していたが、こ
の方法によると焼成の際に絶縁層は基板より収縮が犬で
あるため、クランクが生じたり９反りなどが発生する欠
点があった。

この欠点を補うためセラミックグリーンシート（以下グ
１１−ンンートという）上（て前述のごとく導体ペース
トと絶縁ペーストと金交巨に印刷、乾桑し、多層回路を
形成し、同時焼成する方法が試みらｎたが、この方法で
も多層印刷した絶縁層にクランク、反シなどが発生する
欠点があった。これらの欠点を防止するため４本ペース
ト全印刷した後、こ、ｆＬヲ平滑化させるためプＶスで
圧着する工１哩をとり入几之がクラック。

反９などの発生を防止すること＋ｉできなかった。

本発明はこルらの欠点のないセラミック多・１回４基板
の製造矢金提供でることを目的とするもＣ）である。

本発明者らは絶縁層に発生するクラック、反９Ｌど、；
也諌・１ノ〕跣結不足に起１することに隋目し、・１々
演討し、て鈷呆、従来使用してい１ヒ塘赦ペースト：こ
代えて、グ１１−ンノートｖｃ含ま几るフラックスより
低融点のフラックスを含み。

かつグリーンシートに含１れるセラミック原料粉と同一
材・賃でセラミック原料粉より平均粒径の小さいセラミ
ック原料粉を含む絶縁ペーストを使用したところ焼結不
足が解消し、クラック。

反りなどのな・ハセラミック多層回路基板が製造でさる
ことを見い出した。

本発明は１本ペーストとセラミックａの絶縁ペーストと
ｔグリーンシート上に複数回印刷し。

同時・焼成してセラミック多Ｊａ回路基板を製造する方
法に２いて、グリーンシートに含まれるフラックスよジ
低融点のフラックスを含み、かつグリーン７−トに含ま
れ１セラミツク原料粉と１ト１１ 同−材質でセラミック原、＊ａより平均粒径の小さ′ハ
モラミ２２軍料粉を含む絶縁ペーストを使用するセラミ
ック多層回路基板の製造法に関する。

なお本発明に２いてセラミック誓は何ら、＠限されるも
のではなく、一般にアルミナなどが使用される。またグ
リーンノートの厚さ、材誓などについても何ら制限され
ない。

絶縁ペーストはグリーンノートに含′！沈るフラックス
より低融点のフランクスｔｔ有することが必要であり、
グリーンシート・て含まれるフラックスの融点と同等又
はグリーン７−トｌζ含まれるフラックスより高蝶点の
フラックス全含有させると絶縁層の・暁結不足ｆｆ：％
消することはでさず９本発明の目的を達成することかで
さｔい。

ま之絶峰ペーストに使用さするセラミック東料粉はグリ
ーンシートに含まれるセラミック５東科扮と同一材質で
セラミック原料粉より平均粒径の小さいセラミック原料
、扮？含む絶縁ペーストを使用することが必要であり、
グ１１−７ノートシて含まれるセラミック原料粉と相違
する材質。

平均粒径がセラミック、祭叫扮と同等苔しくはそれ以上
のセラミック原＋４粉で使用するとｔ４述と、４１尿艷
録層の焼結不足て′弄ｌ肖丁め・ことはできず。

２に発明の目面、ｒ運す父することかできない、。

絶嫌ベース：Ｉ？：ｉ更用ぜ几るフラックスはグリーン
シート；（使用さｎるフラックスより低温で咄４するも
のであればよく種類につ°ハては特に制限ｖ′ｉない。

１之融点は特に限定するものではない。

導体ペーストの１類などは回ら制限はなく。

Ｗ（タングステン’　＋　Ｍ□　Ｉモリブデンｌ、Ｍｏ
−Ｍｎ（マンガン）などの金属粉の他にフラックスを含
有させても何らモしつかえない。

以下実遁例によジ不発明を親羽する。

実施例１ 平均粒径２μｍの高純度アルミナ（アルミナ純度９９、
５　Ｓ以上）９６．２重量部に第１表に示すフラックス
１を３．８１量部添加し均一に混合して原料粉λとした
。

この原料粉Ａ１００重量部にバイ７ダーとしてポリビニ
ルブチラール樹脂８重量部、可塑剤としてフタル酸エス
テル４重量部、＠剤としてブタノール２１）重看邪、ト
リクロルエチレン５０喧量部を添加し、ボールミルにて
５０４間均一に混合してセラミックスリップとした後テ
ープキャスティング法により厚さ０，８鵡のグリーンシ
ートを得た。

一方平均粒、蚤１．５μｍの高純度アルミナ（アルミナ
純度９９．５係Ｊ−１）＞９６．２貢量部に第１表に示
すフラックス２：３．８重量部添加し、均一に混合して
原料粉Ｂとした後、上記と同様な方法でセラミックスリ
ップとし、これを絶縁ペースト１とした。

次Ｉ′ｃ前述のグリーンシートに宣蚤０．３−φ）のス
ルーホールを形成した後このスルーホールにＷ（タング
ステン）導体ペースト（アサヒ化学製。

商品名３ＴＷ−１０００）を塗布し、さらにグリーンノ
ートの表、裏それぞれに前述と同様のＷ導体ペーストを
印刷して回路を形成し、その上部に前述の絶縁ペースト
１を３０μｍの゛厚さに印刷し、この工程を表側４回、
裏側２回くり返し６層の多層よ 回路を形成した。その後空気中で３００’（：で５゜△ ℃／時間の昇温速度で加熱し、３０１）’Ｃからは水素
手囲気中で３１〕’Ｃ／時間の昇温速度で１５００℃１
で昇温さぞてグ１１−ンンート、導体ベースト。

及び絶縁ペースト１を同時焼成しセラミック多、１回路
辛板を得た。

このセラミック多ノ層回路基板について外観を視祭し之
が絶禄層にクラック、反りなどｄ発生しなかった。

第１表 比収例１ 実施列ｌで使用し之グ′ｊ−ノ／−ト上に平均埒径２μ
ｍの高純度アルミナ（アルミナ軸度つ９．５福す上１９
６．２’ｉ量部ｆｌ鷹１表に示すフラックス１を３．８
重責部宮有さぞたセラミックスリップを絶縁ペースト２
として使用し、実施例１と同様な方法で６層の多層回路
を形、戊した差、以下実施例１と同様の条件でグリーン
シート、導体ペースト及び絶縁ペースト２を同時焼成し
てセラミック多層回路基板を得た。

このセラミック多層回洛基板について外観を観察したと
ころ絶縁１１にわずかにクランク、反りなどが発生した
。

本発明は、グ１１−ン／−トに含ま７″Ｌろフラックス
より低融点のフラックスを含み、かつグリ−７ノートに
含まれるセラミック原ｑ粉と同一材質でセラミック漿料
扮より平均粒至の小さいセラミック原料粉を含む絶縁ペ
ーストチ使用するＤで、庖盪層の尭結不尼が解消さ１ク
ラツク、反りなどの発生のないセラミック多、１回路基
板を製造することができる。

代理人　弁理士　扁　林　邦　奢１そ−、ｆ′−− （−・ °・−Ｌ〕

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、導体ベース−１とセラミック質の絶縁ペーストとを
   セラミックグリーンノート上に複数回印刷し、同時焼成
   してセラミック多層回、洛基板を製造する方法において
   、セラミツフグ１１−７７−　）に含まれるフラックス
   より低融点のフラックスを含み、かつセラミックグリー
   ンノートに含１するセラミック漿料撥と同−材質でセラ
   ミック頁料扮より平均粒径の小さいセラミック東料扮七
   含む絶巌ペーストを使用すること金持・致とするでラミ
   ック多層回路基板の製造法。