JPS58202543A - 半導体基板の位置決め機構 - Google Patents
半導体基板の位置決め機構Info
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- JPS58202543A JPS58202543A JP8744382A JP8744382A JPS58202543A JP S58202543 A JPS58202543 A JP S58202543A JP 8744382 A JP8744382 A JP 8744382A JP 8744382 A JP8744382 A JP 8744382A JP S58202543 A JPS58202543 A JP S58202543A
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- Japan
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- stage
- semiconductor substrate
- case
- gas flow
- gas
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体基板を位置決めする機構に関するもの
である。
である。
第１図は従来の半導体基板の位置決め機構の一例を示す
平面図である。
平面図である。
図において、（１）は半導体基板、（２）は半導体基板
（１）を載置するステージ、（３ａ）および（３ｂ）は
ステージ（２）の表面上の所定位置に互いに半導体基板
（１）の直径より短い間隔をおいて設けられ半導体基板
（１）の外周端面に当接してこれを位置決めする位置決
めピンである。
（１）を載置するステージ、（３ａ）および（３ｂ）は
ステージ（２）の表面上の所定位置に互いに半導体基板
（１）の直径より短い間隔をおいて設けられ半導体基板
（１）の外周端面に当接してこれを位置決めする位置決
めピンである。
ところで、この従来例の機構では、半導体基板（１）を
ステージ（２）の表面上に載置し、このステージ（２）
の表面上を摺動させて半導体基板（１）の外周端面を位
置決めピン（３ａ）および（３ｂ）に当接させるので、
半導体基板（１）の主面が汚染されるおそれがあった。
ステージ（２）の表面上に載置し、このステージ（２）
の表面上を摺動させて半導体基板（１）の外周端面を位
置決めピン（３ａ）および（３ｂ）に当接させるので、
半導体基板（１）の主面が汚染されるおそれがあった。
この発明は、上述の点に鑑みてなされたもので、ステー
ジの表面上を摺動することなく半導体基板を位置決めす
ることができるようにすることによって、半導体基板の
主面を汚染させるおそれのない半導体基板の位置決め機
構を提供することを目的とする。
ジの表面上を摺動することなく半導体基板を位置決めす
ることができるようにすることによって、半導体基板の
主面を汚染させるおそれのない半導体基板の位置決め機
構を提供することを目的とする。
第２図はこの発明の一実施例の半導体基板の位置決め機
構を示す断面図である。
構を示す断面図である。
図において、αＱは半導体基板（１）を載置するステー
ジ、（ｌＯａ）はステージαｑの半導体基板（１）を載
置すべき部位の半導体基板（１）の′折形寸法より広い
領域内に多数設けられた形状の小さい貫通孔、（１すは
半導体基板（１）の外形寸法と同一の外形寸法を有する
板状体からなりステージαＱの下面との間に所要のすき
まＳをおいて中心部がステージＱ□の半導体基板゛（１
）を載置すべき部位の下面中心部に保持されすきまＳ内
へ流れ込みステージαＱの貫通孔（１０ａ）内を通って
流れ出る気体流を制御する気体流制御板、θ匂はステー
ジα０の下面の貫通孔（１０ａ）の形成領域を囲んで気
体流制御板（１１）を内部に収容するようにステージＱ
りの下面に固着されたケース、（１３ａ）および（１３
ｂ）はそれぞれケース（＋匂の底面部に一方の端部がケ
ース（Ｉ４内に開口するように固着されケース（１′４
内へ高圧気体を導入する導入管およびケース（１′４内
を減圧する排出管である。
ジ、（ｌＯａ）はステージαｑの半導体基板（１）を載
置すべき部位の半導体基板（１）の′折形寸法より広い
領域内に多数設けられた形状の小さい貫通孔、（１すは
半導体基板（１）の外形寸法と同一の外形寸法を有する
板状体からなりステージαＱの下面との間に所要のすき
まＳをおいて中心部がステージＱ□の半導体基板゛（１
）を載置すべき部位の下面中心部に保持されすきまＳ内
へ流れ込みステージαＱの貫通孔（１０ａ）内を通って
流れ出る気体流を制御する気体流制御板、θ匂はステー
ジα０の下面の貫通孔（１０ａ）の形成領域を囲んで気
体流制御板（１１）を内部に収容するようにステージＱ
りの下面に固着されたケース、（１３ａ）および（１３
ｂ）はそれぞれケース（＋匂の底面部に一方の端部がケ
ース（Ｉ４内に開口するように固着されケース（１′４
内へ高圧気体を導入する導入管およびケース（１′４内
を減圧する排出管である。
次に、この実施例の作用について説明する。
まず、半導体基板（１）をステージαＱの上面に載置す
る。次に、導入管（１３ａ）を通して高圧気体をケース
（１匂内へ導入してステージαＱの貫通孔（ｌｏａ）か
ら吹き出させると、ステージＱＯの気体流制御板（１１
）に対向している領域での貫通孔（１０ａ）から吹き出
る気体の流速は、対向していない領域でのそれよシ小さ
くなる。従って、半導体基板（１）の一部分がステージ
αＱの気体流制御板（１１）との対向領域からはみ出し
て載置された場合には、この半導体基板（１）の対向領
域からはみ出した部分が、その直下の貫通孔（１０ａ）
から吹き出される気体流によってステージ（Ｉｔ）の上
面から持ち上げられてステージαＱの気体流制御板（１
１）との対向領域の方向へ移動し、最終的には半導体基
板（１）はステージαりの気体流制御板（１１）との対
向領域に位置するようになる。しかるのち、高圧気体の
導入管（１３ａ）を通してケース（１２）内への導入を
停止し、ケース（１２Ｊ内の気体を排出管（１３ｂ）を
通して排気しケース（１＠内を減圧すると、半導体基板
（１）は、その直下の貫通孔（１０ａ）を通して吸引さ
れステージαりの気体流制御板ｉ１）との対向領域に吸
着されて位置決めされる。
る。次に、導入管（１３ａ）を通して高圧気体をケース
（１匂内へ導入してステージαＱの貫通孔（ｌｏａ）か
ら吹き出させると、ステージＱＯの気体流制御板（１１
）に対向している領域での貫通孔（１０ａ）から吹き出
る気体の流速は、対向していない領域でのそれよシ小さ
くなる。従って、半導体基板（１）の一部分がステージ
αＱの気体流制御板（１１）との対向領域からはみ出し
て載置された場合には、この半導体基板（１）の対向領
域からはみ出した部分が、その直下の貫通孔（１０ａ）
から吹き出される気体流によってステージ（Ｉｔ）の上
面から持ち上げられてステージαＱの気体流制御板（１
１）との対向領域の方向へ移動し、最終的には半導体基
板（１）はステージαりの気体流制御板（１１）との対
向領域に位置するようになる。しかるのち、高圧気体の
導入管（１３ａ）を通してケース（１２）内への導入を
停止し、ケース（１２Ｊ内の気体を排出管（１３ｂ）を
通して排気しケース（１＠内を減圧すると、半導体基板
（１）は、その直下の貫通孔（１０ａ）を通して吸引さ
れステージαりの気体流制御板ｉ１）との対向領域に吸
着されて位置決めされる。
このように、この実施例の機構では、ステージＱ０の上
面上を摺動することなく、半導体基板（１）を位置決め
することができるので、半導体基板（１）の主面が汚染
されるおそれがない。
面上を摺動することなく、半導体基板（１）を位置決め
することができるので、半導体基板（１）の主面が汚染
されるおそれがない。
以上１．説明したように、この発明の半導体基板の位置
決め装置では、ステージの気体流制御板との対向領域の
貫通孔から吹き出る高圧気体の流速が上記対向領域以外
の領域の上記貫通孔から吹き出る上記高圧気体の流速よ
り小さいことを利用することによって上記ステージ上に
載置された半導体基板を上記対向領域に位置させ、この
対向領域に位置させた上記半導体基板を上記対向領域の
上記貫通孔を通して吸着位置決めするので、従来例のよ
うに、上記半導体基板が上記ステージ上を摺動すること
がなく、上記半導体基板の主面が汚染されるおそれがな
い。
決め装置では、ステージの気体流制御板との対向領域の
貫通孔から吹き出る高圧気体の流速が上記対向領域以外
の領域の上記貫通孔から吹き出る上記高圧気体の流速よ
り小さいことを利用することによって上記ステージ上に
載置された半導体基板を上記対向領域に位置させ、この
対向領域に位置させた上記半導体基板を上記対向領域の
上記貫通孔を通して吸着位置決めするので、従来例のよ
うに、上記半導体基板が上記ステージ上を摺動すること
がなく、上記半導体基板の主面が汚染されるおそれがな
い。
第１図は従来の半導体基板の位置決め機構の一例を示す
平面図、第２図はこの発明の一実施例の半導体基板の位
置決め機構を示す断面図である。 図において、（１）は半導体基板、α・はステージ、（
１０ａ）は貫通孔、（１１）は気体流制御板、（１ｇｌ
はケース、（１３ａ）および（１３ｂ）はそれぞれ導入
管および排出管である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一もしくは和尚部分を
示す。
平面図、第２図はこの発明の一実施例の半導体基板の位
置決め機構を示す断面図である。 図において、（１）は半導体基板、α・はステージ、（
１０ａ）は貫通孔、（１１）は気体流制御板、（１ｇｌ
はケース、（１３ａ）および（１３ｂ）はそれぞれ導入
管および排出管である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一もしくは和尚部分を
示す。
Claims (1)
- （１）半導体基板を載置すべき部位の上記半導体基板の
外形寸法より広い領域内に多数の貫通孔が設けられたス
テージ、上記半導体基板の上記外形寸法と同一の外形寸
法を有する板状体からなり上記ステージの下面との間に
所要のすきまをおいて中心部が上記ステージの上記半導
体基板を載置すべき上記部位の下面中心部に保持され上
記すきま内へ流れ込み上記ステージの上記貫通孔内を通
って流れ出る気体流を制御する気体流制御板、上記ステ
ージの上記貫通孔の形成領域を取り囲んで上記気体流制
御板を内部に収容するように上記ステージの下面に固着
されたケース、並びに一方の端部が上記ケース内に開口
するように上記ケースに固層され上記ケース内へ高圧気
体を導入する導入管および上記ケース内を減圧する排出
管を備え、上記導入管を通して上記ケース内へ導入され
た高圧気体の、上記ステージの上記気体流制御板との対
向領域の上記貫通孔から吹き出る流速が上記対向領域以
外の領域の上記貫通孔から吹き出る流速より小さいこと
を利用することによって上記ステージ上に載置された上
記半導体基板を上記対向領域に位置させ、上記ケース内
を上記排出管を通して減圧することによって上記対向領
域に位置させた上記半導体基板を上記ステージ上面に吸
着させ位置決めするようにしたことを特徴とする半導体
基板の位置決め機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8744382A JPS58202543A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 半導体基板の位置決め機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8744382A JPS58202543A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 半導体基板の位置決め機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58202543A true JPS58202543A (ja) | 1983-11-25 |
Family
ID=13914996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8744382A Pending JPS58202543A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 半導体基板の位置決め機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58202543A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1598853A1 (de) * | 2004-05-18 | 2005-11-23 | Erich Dipl.-Ing. Thallner | Justiereinrichtung für Wafer |
-
1982
- 1982-05-21 JP JP8744382A patent/JPS58202543A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1598853A1 (de) * | 2004-05-18 | 2005-11-23 | Erich Dipl.-Ing. Thallner | Justiereinrichtung für Wafer |
| US7432701B2 (en) | 2004-05-18 | 2008-10-07 | Erich Thallner | Adjusting device and arrangement for adjusting a wafer |
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