JPS5820153B2 - 化合物半導体発光素子の製法 - Google Patents
化合物半導体発光素子の製法Info
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- JPS5820153B2 JPS5820153B2 JP53044031A JP4403178A JPS5820153B2 JP S5820153 B2 JPS5820153 B2 JP S5820153B2 JP 53044031 A JP53044031 A JP 53044031A JP 4403178 A JP4403178 A JP 4403178A JP S5820153 B2 JPS5820153 B2 JP S5820153B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＩｎＰ系、ＧａＡｓ系等のへテロ接合型レー
ザダイオード構成を有する化合物半導体発光素子の製法
に関する。
ザダイオード構成を有する化合物半導体発光素子の製法
に関する。
ＩｎＰ系のへテロ接合型レーザダイオードは、所定の伝
導型式を有する■ｎＰでなる化合物半導体基板上に、エ
ピタキシャル成長法によって一般にＧａＸＩｎＩ ＸＡ
ｓｙＰｙ （但しＯｋ≦１゜ｌＯ≦Ｖ≦１）で表される
所定の電導型式を有する複数の半導体層を、少くとも１
つのへテロ接合を形成すべく成長せしめて、これ等化合
物半導体基板及び複数の半導体層よりなる半導体積層体
を得、次にその半導体積層体の基板側及びそれとは反対
・側の面上に導電性層を附し、次に斯く導電性層の附さ
れた半導体積層体をその積層方向に延長せるべき開面に
沿って複数個の素子に分割する工程を含んで、その素子
を以て得られるを普通とし、又ＧａＡｓ系のダブルへテ
ロ型レーザダイオードは、ｉ所定の電導型式を有するＧ
ａＡｓでなる化合物半導体基板上に、エピタキシャル成
長法によって、一般にＧａＸＡｌ□−ＸＡｓで表される
所定の電導型式を有する複数の半導体層を、少くとも１
グンケロＮ接合を形成すべく成長せしめて、これ等化合
物、半導体基板及び複数の半導体層よりなる半導体積層
体を得、以下上述せると同様に導電性層を附し、次に複
数の素子に分割する工程を含んで、その素子を以て得ら
れるを普通とするものである。
導型式を有する■ｎＰでなる化合物半導体基板上に、エ
ピタキシャル成長法によって一般にＧａＸＩｎＩ ＸＡ
ｓｙＰｙ （但しＯｋ≦１゜ｌＯ≦Ｖ≦１）で表される
所定の電導型式を有する複数の半導体層を、少くとも１
つのへテロ接合を形成すべく成長せしめて、これ等化合
物半導体基板及び複数の半導体層よりなる半導体積層体
を得、次にその半導体積層体の基板側及びそれとは反対
・側の面上に導電性層を附し、次に斯く導電性層の附さ
れた半導体積層体をその積層方向に延長せるべき開面に
沿って複数個の素子に分割する工程を含んで、その素子
を以て得られるを普通とし、又ＧａＡｓ系のダブルへテ
ロ型レーザダイオードは、ｉ所定の電導型式を有するＧ
ａＡｓでなる化合物半導体基板上に、エピタキシャル成
長法によって、一般にＧａＸＡｌ□−ＸＡｓで表される
所定の電導型式を有する複数の半導体層を、少くとも１
グンケロＮ接合を形成すべく成長せしめて、これ等化合
物、半導体基板及び複数の半導体層よりなる半導体積層
体を得、以下上述せると同様に導電性層を附し、次に複
数の素子に分割する工程を含んで、その素子を以て得ら
れるを普通とするものである。
従ってヘテロ接合型レーザダイオードは、それ・がＩｎ
Ｉ’系であれ、ＧａＡｓ系であれ、共振器長を決める相
対向するべき開面を有し、一方そのへき開面にはへテロ
ＰＮ接合が臨んでいるを普通としているものである。
Ｉ’系であれ、ＧａＡｓ系であれ、共振器長を決める相
対向するべき開面を有し、一方そのへき開面にはへテロ
ＰＮ接合が臨んでいるを普通としているものである。
この為ＩｎＰ系及びＧａＡｓ系のへテロ接合型レーザダ
イオードを、前述せる素子を以て、その素子のままで得
ただけでは、そのヘテロ接合型レーザダイオードは、そ
のへき開面が外部に露呈し、又そのへき開面にヘテロ接
合が臨んているので、そのへき開面が劣化したり、へき
開面上をヘテロ接合を横切って電流が流れたりすること
に基づき、長期に亘って効率良く作動し得るものとして
は得られないものである。
イオードを、前述せる素子を以て、その素子のままで得
ただけでは、そのヘテロ接合型レーザダイオードは、そ
のへき開面が外部に露呈し、又そのへき開面にヘテロ接
合が臨んているので、そのへき開面が劣化したり、へき
開面上をヘテロ接合を横切って電流が流れたりすること
に基づき、長期に亘って効率良く作動し得るものとして
は得られないものである。
依って従来は、ＩｎＰ系及びＧａＡｓ系のへテロ接合型
レーザダイオードを、前述せる如くに、前述せる素子を
以て得るも、その素子を得て後、その素子のへき開面上
へそれが保護せらるべき面であるとして、必要に応じて
化学エツチングを施して後真空蒸着、スパッタリング、
化学気相反応、陽極酸化処理等により絶縁性材でなるフ
ァブリペロ−の反射膜兼保護膜としての膜（通常この膜
は絶縁性誘導体材でなる）を形成するを普通としていた
。
レーザダイオードを、前述せる如くに、前述せる素子を
以て得るも、その素子を得て後、その素子のへき開面上
へそれが保護せらるべき面であるとして、必要に応じて
化学エツチングを施して後真空蒸着、スパッタリング、
化学気相反応、陽極酸化処理等により絶縁性材でなるフ
ァブリペロ−の反射膜兼保護膜としての膜（通常この膜
は絶縁性誘導体材でなる）を形成するを普通としていた
。
然しなから本発明者等は種々の実験の結果、ＩｎＰ系及
びＧａＡｓ系のへテロ接合型レーザダイオードを、前述
せる如く、前述せる素子を得、然る後そのへき開面にそ
れが保護せられるべき面であるとして前述せる如くにフ
ァブリペロ−の反射膜兼保護膜としての膜を形成して得
るとしても、そのヘテロ接合型レーザダイオードの寿命
、効率等が、ファブリペローの反射膜兼保護膜としての
膜を形成する前に、保護せられるべき面たるへき開面が
如何なる雰囲気にさらされたか、又ファブリペローの反
射膜兼保護膜としての膜の形成がいかなる雰囲気でなさ
れたか、更にファブリペロ−の反射膜兼保護膜としての
膜がいかなる種類の材料で形成されたか等に大きく依存
し、依って前述せる如くにノアブリペローの反射膜兼保
護膜を形。
びＧａＡｓ系のへテロ接合型レーザダイオードを、前述
せる如く、前述せる素子を得、然る後そのへき開面にそ
れが保護せられるべき面であるとして前述せる如くにフ
ァブリペロ−の反射膜兼保護膜としての膜を形成して得
るとしても、そのヘテロ接合型レーザダイオードの寿命
、効率等が、ファブリペローの反射膜兼保護膜としての
膜を形成する前に、保護せられるべき面たるへき開面が
如何なる雰囲気にさらされたか、又ファブリペローの反
射膜兼保護膜としての膜の形成がいかなる雰囲気でなさ
れたか、更にファブリペロ−の反射膜兼保護膜としての
膜がいかなる種類の材料で形成されたか等に大きく依存
し、依って前述せる如くにノアブリペローの反射膜兼保
護膜を形。
成するにつき、その膜の形成前及びその膜の形成時の雰
囲気、及びその膜の材料に考慮を払う必要があることを
確認するに到った。
囲気、及びその膜の材料に考慮を払う必要があることを
確認するに到った。
又本発明者等は種々の実験の結果、ＩｎＰ系及びＧａＡ
ｓ系のへテロ接合型レーザダイオードを、前述せる如く
に前述せる素子を得、然る後、そのへき開面上にそれを
保護せられるべき面として、前述せる如く、ファブリペ
ロ−の反射膜兼保護膜としての膜を形成するにつき、へ
き開面を酸素を含まざる不活性ガスの雰囲気にさら１然
る後その酸素を含まざる不活性ガスの雰囲気中で、へき
開面上に、窒素を含む絶縁性材でなる膜をファブリペロ
ーの反射膜兼保護膜として形成すれば、得られるヘテロ
接合型レーザダイオードが他の場合に比し長寿命、高効
率を有するものとして得られるという効果の得られるこ
とを確認するに到った。
ｓ系のへテロ接合型レーザダイオードを、前述せる如く
に前述せる素子を得、然る後、そのへき開面上にそれを
保護せられるべき面として、前述せる如く、ファブリペ
ロ−の反射膜兼保護膜としての膜を形成するにつき、へ
き開面を酸素を含まざる不活性ガスの雰囲気にさら１然
る後その酸素を含まざる不活性ガスの雰囲気中で、へき
開面上に、窒素を含む絶縁性材でなる膜をファブリペロ
ーの反射膜兼保護膜として形成すれば、得られるヘテロ
接合型レーザダイオードが他の場合に比し長寿命、高効
率を有するものとして得られるという効果の得られるこ
とを確認するに到った。
この場合、酸素を含まざる不活性ガスの雰囲気としては
、窒素、アルゴン、ヘリウム、水素等のガスの雰囲気と
し得、又酸素を含まざる不活性ガスの雰囲気を窒素ガス
と他の不活性ガスとの混合ガス雰囲気とする場合、その
混合ガスに占める窒素ガスが５容量％以上である場合、
上述せる効果が得られるも、窒素ガスの雰囲気とする場
合、及び高周波放電によって活性化された窒素ガス（Ｎ
？ 。
、窒素、アルゴン、ヘリウム、水素等のガスの雰囲気と
し得、又酸素を含まざる不活性ガスの雰囲気を窒素ガス
と他の不活性ガスとの混合ガス雰囲気とする場合、その
混合ガスに占める窒素ガスが５容量％以上である場合、
上述せる効果が得られるも、窒素ガスの雰囲気とする場
合、及び高周波放電によって活性化された窒素ガス（Ｎ
？ 。
Ｎ２で表される励起状態の窒素ガス）の雰囲気とする場
合は上述せる効果が顕著に得られた。
合は上述せる効果が顕著に得られた。
又へき開面を酸素を含まざる不活性ガスの雰囲気にさら
し、そしてその雰囲気中で、へき開面上に窒素を含む絶
縁性材でなる膜をファブリペロ−の反射膜兼保護膜とし
て形成するにつき、前述せる如くに得られる素子がＩｎ
Ｐ系のへテロ接合型レーザダイオードとなるべき一般に
ＧａＸＩｎ□−エＡ ｓ ｙ Ｐ １イで表されるＩｎ
Ｐ系の材料で構成されていることによシ、へき開面がＩ
ｎＰ系の材料面である場合は、そのへき開面が酸素を含
まざる不活性の雰囲気にさらされる前に酸素を含む空気
にさらされたとしても、上述せる効果が得られることに
つき実質的に問題はないが、前述せる如くに得られる素
子がＧａＡｓ系のへテロ接合型レーザダイオードとなる
べき一般にＧａｘＡｌ １−ＸＡｓで表されるＧ５Ａｓ
系の材料で構成されていることにより、へき開面がＧａ
Ａｓ系の材料面である場合は、そのへき開面が酸素を含
まざる不活性ガスの雰囲気にさらされる前に酸素を含む
空気にさらされれば、上述せる効果が実質的に得られな
いものである。
し、そしてその雰囲気中で、へき開面上に窒素を含む絶
縁性材でなる膜をファブリペロ−の反射膜兼保護膜とし
て形成するにつき、前述せる如くに得られる素子がＩｎ
Ｐ系のへテロ接合型レーザダイオードとなるべき一般に
ＧａＸＩｎ□−エＡ ｓ ｙ Ｐ １イで表されるＩｎ
Ｐ系の材料で構成されていることによシ、へき開面がＩ
ｎＰ系の材料面である場合は、そのへき開面が酸素を含
まざる不活性の雰囲気にさらされる前に酸素を含む空気
にさらされたとしても、上述せる効果が得られることに
つき実質的に問題はないが、前述せる如くに得られる素
子がＧａＡｓ系のへテロ接合型レーザダイオードとなる
べき一般にＧａｘＡｌ １−ＸＡｓで表されるＧ５Ａｓ
系の材料で構成されていることにより、へき開面がＧａ
Ａｓ系の材料面である場合は、そのへき開面が酸素を含
まざる不活性ガスの雰囲気にさらされる前に酸素を含む
空気にさらされれば、上述せる効果が実質的に得られな
いものである。
このことは、へき開面を酸素を含まざる不活性ガスとし
ての窒素ガスの雰囲気と空気の雰囲気とに交互にさらし
て、へき開面のフォトルミネセンス強度を測定した結果
、そのフォトルミネセンス強度が、へき開面がＩｎＰ系
の材料である場合は、第１図に示す如く、窒素ガスの雰
囲気であるが空気の雰囲気であるかに応じて前者が大、
後者が小なる値で得られるも、へき開面１＞’−、Ｇａ
Ａｓ系の材料面である場合は、第２図Ａ及びＢに示す如
く、へき開面が空気の雰囲気にさらされることなしに最
初に窒素ガスの雰囲気にさらされた場合のみ、大なる値
で得られ、それ以外の場合は、たとえ窒素ガスの雰囲気
にさらされても、小なる値で得られる、ということより
しても了解されるものである。
ての窒素ガスの雰囲気と空気の雰囲気とに交互にさらし
て、へき開面のフォトルミネセンス強度を測定した結果
、そのフォトルミネセンス強度が、へき開面がＩｎＰ系
の材料である場合は、第１図に示す如く、窒素ガスの雰
囲気であるが空気の雰囲気であるかに応じて前者が大、
後者が小なる値で得られるも、へき開面１＞’−、Ｇａ
Ａｓ系の材料面である場合は、第２図Ａ及びＢに示す如
く、へき開面が空気の雰囲気にさらされることなしに最
初に窒素ガスの雰囲気にさらされた場合のみ、大なる値
で得られ、それ以外の場合は、たとえ窒素ガスの雰囲気
にさらされても、小なる値で得られる、ということより
しても了解されるものである。
尚へき開面のフォトルミネセンス強度が大であるという
ことは、へき開面での電子と正孔の再結合速度が小であ
ることを意味し、又その再結合速度が小であることは、
へき開面が電子を正孔との再結合によって劣化したりす
る要因のない状態であることを意味するものである。
ことは、へき開面での電子と正孔の再結合速度が小であ
ることを意味し、又その再結合速度が小であることは、
へき開面が電子を正孔との再結合によって劣化したりす
る要因のない状態であることを意味するものである。
更にへき開面上へのファブリペロ−の反射膜兼保護膜は
、窒素を含む絶縁性材の真空蒸着、スパッタリング化学
気相反応、スピナコーテング等の処理によって得ること
が出来るも、特にスパッタリング処理による場合、上述
せる効果が顕著に得られた。
、窒素を含む絶縁性材の真空蒸着、スパッタリング化学
気相反応、スピナコーテング等の処理によって得ること
が出来るも、特にスパッタリング処理による場合、上述
せる効果が顕著に得られた。
この場合、へき開面が２００℃以下の表面温度である場
合、上述せる効果がよシ顕著に得られた。
合、上述せる効果がよシ顕著に得られた。
又へき開面上に形成されるファブリペローの反射膜兼保
護膜としての膜は、Ｉ ｎＮ 、 Ｇ ａＮ Ｉ Ｓ
ｔ ３ Ｎ４ 。
護膜としての膜は、Ｉ ｎＮ 、 Ｇ ａＮ Ｉ Ｓ
ｔ ３ Ｎ４ 。
ＡＩＮ、窒素を含むポリイミド等の有機化合物とし得る
も、特にＩｎＮ、ＯａＮ、ＡＩＮのどとき■族金属の窒
化物とした場合、上述せる効果が顕著に得られた。
も、特にＩｎＮ、ＯａＮ、ＡＩＮのどとき■族金属の窒
化物とした場合、上述せる効果が顕著に得られた。
この場合、酸素を含まざる不活性ガスの雰囲気が窒素ガ
スの雰囲気、活性化された窒素ガスの雰囲気である場合
、上述せる効果がより顕著に得られた。
スの雰囲気、活性化された窒素ガスの雰囲気である場合
、上述せる効果がより顕著に得られた。
更に本発明者等は種々の実験の結果、前述せるＩｎＰ系
及びＧａＡｓ系のへテロ接合型レーザダイオードを得る
場合に準じて前述せるＩｎＰ系及びＧａＡｓ系以外の化
合物半導体を用いたヘテロ接合型レーザダイオード構成
の種々の化合物半導体発光素子を、そのへき開面を、上
述せる如く、酸素を含まざる不活性ガスの雰囲気にさら
し、然る後そのへき開面上に、酸素を含まざる不活性ガ
スの雰囲気中で且つへき開面を２００℃以下の低い表面
温度とした状態で、窒素を含む絶縁性材でなる膜をファ
ブリペロ−の反射膜兼保護膜として形成して得れば、前
述せるＩｎＰ系及びＧａＡｓ系のへテロ接合型レーザダ
イオードを得る場合の前述せる確認事項と同様の事項を
確認するに到った。
及びＧａＡｓ系のへテロ接合型レーザダイオードを得る
場合に準じて前述せるＩｎＰ系及びＧａＡｓ系以外の化
合物半導体を用いたヘテロ接合型レーザダイオード構成
の種々の化合物半導体発光素子を、そのへき開面を、上
述せる如く、酸素を含まざる不活性ガスの雰囲気にさら
し、然る後そのへき開面上に、酸素を含まざる不活性ガ
スの雰囲気中で且つへき開面を２００℃以下の低い表面
温度とした状態で、窒素を含む絶縁性材でなる膜をファ
ブリペロ−の反射膜兼保護膜として形成して得れば、前
述せるＩｎＰ系及びＧａＡｓ系のへテロ接合型レーザダ
イオードを得る場合の前述せる確認事項と同様の事項を
確認するに到った。
依って此処に、化合物半導体基板上に複数の化合物半導
体層を少くとも１つのへテロ接合を形成すべく成長せし
めてなる半導体積層体を得、該半導体積層体を積層方向
に延長せるへき開面に沿って分割してヘテロ接合型レー
ザダイオード構成を有する複数の化合物半導体発光素子
を得、次に、該複数の化合物半導体発光素子の夫々につ
き、その上記にへき開面を酸素を含まざる不活性ガス雰
囲気にさらし、然る后、上記酸素を含まざる不活性ガス
雰囲気中で且つ上記へき開面を２００℃以下の表面温度
とした状態で、上記へき開面上に、窒素を含む絶縁性材
でなる膜をファブリペロ−の反射膜兼保護膜として形成
する工程を含む事を特徴とする化合物半導体発光素子の
製法を提案するに到ったものである。
体層を少くとも１つのへテロ接合を形成すべく成長せし
めてなる半導体積層体を得、該半導体積層体を積層方向
に延長せるへき開面に沿って分割してヘテロ接合型レー
ザダイオード構成を有する複数の化合物半導体発光素子
を得、次に、該複数の化合物半導体発光素子の夫々につ
き、その上記にへき開面を酸素を含まざる不活性ガス雰
囲気にさらし、然る后、上記酸素を含まざる不活性ガス
雰囲気中で且つ上記へき開面を２００℃以下の表面温度
とした状態で、上記へき開面上に、窒素を含む絶縁性材
でなる膜をファブリペロ−の反射膜兼保護膜として形成
する工程を含む事を特徴とする化合物半導体発光素子の
製法を提案するに到ったものである。
次に本発明による化合物半導体素子の製法の実施例を述
べよう。
べよう。
実施例 １
発光波長１．３μｍのＩｎＰ系のダブルへテロ接合型レ
ーザダイオードを得べく、所定の電導型式を有するＩｎ
Ｐでなる化合物半導体基板上に、エピタキシャル成長法
によって、一般的にＧａＸＩｎ１ＸＡＳＹＰ１イで表さ
れる所定の電導型式を有する複数の化合物半導体層を成
長せしめて、これ等化合物半導体基板及び複数の化合物
半導体層による半導体積層体を得、次にその半導体積層
体の化合物半導体基板側及びそれとは反対側の面上に、
導電性層を附し、次に斯く導電性層の附された半導体積
層体を、空気中で、その積層方向に延長せるへき開面に
沿って分割して、複数個のダブルへテロ接合型レーザダ
イオードの構成を有する素子を得、その複数個の素子の
個々につき、これを１気圧の窒素ガスの雰囲気中に配し
て、その素子のへき開面を窒素ガスの雰囲気に約１０分
間さらし、次にその個々の素子を、そのへき開面が空気
中にさらされることのない様にして窒素ガスの雰囲気を
有する高周波スパッタリング装置に移し、然してその装
置を用いて、そのへき開面に対する窒素ガスの雰囲気中
での高周波スパッタリング処理により、へき開面上に、
Ｓｉ３Ｎ４でなるファブリペロ−の反射膜兼保護膜とし
ての膜を１００ＯＡ（７）厚さで形成し、斯くて、目的
とするＩｎｐ系のダブルへテロ接合型レーザダイオード
を得た。
ーザダイオードを得べく、所定の電導型式を有するＩｎ
Ｐでなる化合物半導体基板上に、エピタキシャル成長法
によって、一般的にＧａＸＩｎ１ＸＡＳＹＰ１イで表さ
れる所定の電導型式を有する複数の化合物半導体層を成
長せしめて、これ等化合物半導体基板及び複数の化合物
半導体層による半導体積層体を得、次にその半導体積層
体の化合物半導体基板側及びそれとは反対側の面上に、
導電性層を附し、次に斯く導電性層の附された半導体積
層体を、空気中で、その積層方向に延長せるへき開面に
沿って分割して、複数個のダブルへテロ接合型レーザダ
イオードの構成を有する素子を得、その複数個の素子の
個々につき、これを１気圧の窒素ガスの雰囲気中に配し
て、その素子のへき開面を窒素ガスの雰囲気に約１０分
間さらし、次にその個々の素子を、そのへき開面が空気
中にさらされることのない様にして窒素ガスの雰囲気を
有する高周波スパッタリング装置に移し、然してその装
置を用いて、そのへき開面に対する窒素ガスの雰囲気中
での高周波スパッタリング処理により、へき開面上に、
Ｓｉ３Ｎ４でなるファブリペロ−の反射膜兼保護膜とし
ての膜を１００ＯＡ（７）厚さで形成し、斯くて、目的
とするＩｎｐ系のダブルへテロ接合型レーザダイオード
を得た。
斯く得られたＩｎＰ系のダブルへテロ接合型レーザダイ
オードにつき、電流密度７０００ Ａ ／ｒＡ。
オードにつき、電流密度７０００ Ａ ／ｒＡ。
温度７０℃、相対湿度８０係の空気の雰囲気での°寿命
試験をなした結果、それが、上述せる如くに、複数の素
子を分割して得た場合のその此処の素子をそのまま目的
とせるＩｎＰ系のダブルへテロ接合型のレーザダイオー
ドとせる場合に比し、約２倍の寿命、約１．５倍の効率
を示した。
試験をなした結果、それが、上述せる如くに、複数の素
子を分割して得た場合のその此処の素子をそのまま目的
とせるＩｎＰ系のダブルへテロ接合型のレーザダイオー
ドとせる場合に比し、約２倍の寿命、約１．５倍の効率
を示した。
実施例 ２
発光波長０．８５μｍのＧａＡｓ系のダブルへテロ接合
型レーザダイオードを得べく、実施例１に準じて、実施
例１に準じた導電性層の附された半導体積層体を得、次
にその半導体積層体を、１気圧の窒素ガスの雰囲気中で
、実施例１に準じて、複数に分割して、複数個のダブル
へテロ接合型レーザダイオードの構成を有する素子を得
、引き続きその個々の素子を、同じ窒素ガスの雰囲気中
に放置して、その素子のへき開面を窒素ガスの雰囲気に
約５分間さらし、次に実施例１に準じて、スパッタリン
グによりＳｉ３Ｎ、ｚでなるファブリペロ−の反射膜兼
保護膜としての膜を１５００Ｘの厚さで形成し、斯くて
、目的とするＧａＡｓ系のダブルへテロ接合型レーザダ
イオードを得た。
型レーザダイオードを得べく、実施例１に準じて、実施
例１に準じた導電性層の附された半導体積層体を得、次
にその半導体積層体を、１気圧の窒素ガスの雰囲気中で
、実施例１に準じて、複数に分割して、複数個のダブル
へテロ接合型レーザダイオードの構成を有する素子を得
、引き続きその個々の素子を、同じ窒素ガスの雰囲気中
に放置して、その素子のへき開面を窒素ガスの雰囲気に
約５分間さらし、次に実施例１に準じて、スパッタリン
グによりＳｉ３Ｎ、ｚでなるファブリペロ−の反射膜兼
保護膜としての膜を１５００Ｘの厚さで形成し、斯くて
、目的とするＧａＡｓ系のダブルへテロ接合型レーザダ
イオードを得た。
斯く得られたＧａＡｓ系のダブルへテロ接合型レーザダ
イオードにつき、電流密度８０００Ａ／ｃｒｆｌ、温度
９０℃、相対湿度８０係の空気中での寿命試験をなした
結果、それが、上述せる如くに、複数の素子を分割して
得た場合のその個々の素子をそのまま目的とせるＧａＡ
ｓ系のダブルへテロ接合型レーザダイオードとせる場合
に比し、約２倍の寿命、約１６５倍の効率を示した。
イオードにつき、電流密度８０００Ａ／ｃｒｆｌ、温度
９０℃、相対湿度８０係の空気中での寿命試験をなした
結果、それが、上述せる如くに、複数の素子を分割して
得た場合のその個々の素子をそのまま目的とせるＧａＡ
ｓ系のダブルへテロ接合型レーザダイオードとせる場合
に比し、約２倍の寿命、約１６５倍の効率を示した。
実施例 ３
発光波長０．８５μｍのＧａＡｓ系のダブルへテロ接合
型レーザダイオードを得べく、実施例１の準じて、実施
例１に準じた導電性層の附された半導体積層体を得、次
にその半導体積層体を、１気圧の窒素ガスの雰囲気中で
、実施例１に準じて、複数に分割して、複数個のダブル
へテロ接合型レーザダイオードの構成を有する素子を得
、その個々の素子を酸素を含んだ雰囲気にさらすことな
く、１３．５ＭＨ７、ＩＫＷＯ高周波で励起された窒素
ガスの雰囲気にされし、以下実施例２に準じて実施例２
に準じた目的とするＧａＡｓ系のダブルへテロ接合型レ
ーザダイオードを得た。
型レーザダイオードを得べく、実施例１の準じて、実施
例１に準じた導電性層の附された半導体積層体を得、次
にその半導体積層体を、１気圧の窒素ガスの雰囲気中で
、実施例１に準じて、複数に分割して、複数個のダブル
へテロ接合型レーザダイオードの構成を有する素子を得
、その個々の素子を酸素を含んだ雰囲気にさらすことな
く、１３．５ＭＨ７、ＩＫＷＯ高周波で励起された窒素
ガスの雰囲気にされし、以下実施例２に準じて実施例２
に準じた目的とするＧａＡｓ系のダブルへテロ接合型レ
ーザダイオードを得た。
斯く得られたＧａＡｓ系のダブルへテロ接合型レーザダ
イオードにつき、実施例２と同様の試験をなした結果、
上述せる如くに複数の素子を分割して得た場合のその個
々の素子をそのまま目的とせるＧ ａ Ａ ｓ系のダブ
ルへテロ接合型レーザダイオードとせる場合に比し、約
２．５倍の寿命と、約１．６倍の効率を示した。
イオードにつき、実施例２と同様の試験をなした結果、
上述せる如くに複数の素子を分割して得た場合のその個
々の素子をそのまま目的とせるＧ ａ Ａ ｓ系のダブ
ルへテロ接合型レーザダイオードとせる場合に比し、約
２．５倍の寿命と、約１．６倍の効率を示した。
第１図は本発明の説明に供するＩｎＰ系の化合物半導体
発光素子のへき開面を窒素ガスの雰囲気と空気の雰囲気
と交互にさらした場合のそのへき開面のフォトルミネセ
ンス強度を示す図、第２図Ａ及びＢは第１図と同様の、
但し化合物半導体発光素子がＧａＡｓ系である場合のフ
ォトルミネセンス強度を示す図である。
発光素子のへき開面を窒素ガスの雰囲気と空気の雰囲気
と交互にさらした場合のそのへき開面のフォトルミネセ
ンス強度を示す図、第２図Ａ及びＢは第１図と同様の、
但し化合物半導体発光素子がＧａＡｓ系である場合のフ
ォトルミネセンス強度を示す図である。
Claims (1)
- １ 化合物半導体基板上に複数の化合物半導体層を少く
とも１つのへテロ接合を形成すべく成長せしめてなる半
導体積層体を得、該半導体積層体を積層方向に延長せる
べき開面に沿って分割してヘテロ接合型レーザダイオー
ド構成を有する複数の化合物半導体発光素子を得、次に
、該複数の化合物半導体発光素子の夫々につき、その上
記へき開面を酸素を含まざる不活性ガス雰囲気にさらし
、然る后、上記酸素を含まざる不活性ガス雰囲気中で且
つ上記へき開面を２００℃以下の表面温度とした状態で
、上記へき開面上に、窒素を含む絶縁性材でなる膜をフ
ァブリペロ−の反射膜保護膜として形成する工程を含む
事を特徴とする化合物半導体発光素子の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53044031A JPS5820153B2 (ja) | 1978-04-14 | 1978-04-14 | 化合物半導体発光素子の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53044031A JPS5820153B2 (ja) | 1978-04-14 | 1978-04-14 | 化合物半導体発光素子の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54136282A JPS54136282A (en) | 1979-10-23 |
| JPS5820153B2 true JPS5820153B2 (ja) | 1983-04-21 |
Family
ID=12680262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53044031A Expired JPS5820153B2 (ja) | 1978-04-14 | 1978-04-14 | 化合物半導体発光素子の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5820153B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61230285A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-14 | 中島 昭 | 立体的多角錐体を装備する放射盤 |
| JPS6289795U (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-09 | ||
| JPH037851B2 (ja) * | 1982-01-21 | 1991-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57198682A (en) * | 1981-06-01 | 1982-12-06 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor laser |
| JPS6016487A (ja) * | 1984-06-04 | 1985-01-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JP2650769B2 (ja) * | 1989-02-03 | 1997-09-03 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| JP2659830B2 (ja) * | 1989-11-06 | 1997-09-30 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JPH10209562A (ja) * | 1997-01-24 | 1998-08-07 | Nec Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4931270A (ja) * | 1972-07-20 | 1974-03-20 |
-
1978
- 1978-04-14 JP JP53044031A patent/JPS5820153B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4931270A (ja) * | 1972-07-20 | 1974-03-20 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH037851B2 (ja) * | 1982-01-21 | 1991-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS61230285A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-14 | 中島 昭 | 立体的多角錐体を装備する放射盤 |
| JPS6289795U (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-09 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54136282A (en) | 1979-10-23 |
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