JPS58201403A - 超高周波回路 - Google Patents
超高周波回路Info
- Publication number
- JPS58201403A JPS58201403A JP8452882A JP8452882A JPS58201403A JP S58201403 A JPS58201403 A JP S58201403A JP 8452882 A JP8452882 A JP 8452882A JP 8452882 A JP8452882 A JP 8452882A JP S58201403 A JPS58201403 A JP S58201403A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- board
- space
- ferrite
- conductor plate
- ferrite piece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/38—Circulators
- H01P1/383—Junction circulators, e.g. Y-circulators
- H01P1/387—Strip line circulators
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は、超高周波用集積回路に関し、特に集積回路内
にサーキュレータを設ける際に、基板にフェライト片を
収容するための穴あけを行う必要がない、超高周波回路
に関するものである。
にサーキュレータを設ける際に、基板にフェライト片を
収容するための穴あけを行う必要がない、超高周波回路
に関するものである。
（１）
（従来技術と問題点）
従来、サーキュレータを含むマイクロ波集積回路（Ｍ
Ｉ Ｇ）を構成する場合には、例えばセラミック基板面
にマイクロストリップラインによって回路を構成し、基
板をくり抜いて設けた穴にフェライト片をはめ込んでサ
ーキュレータを構成する、ハイブリッド集積回路（ＨＩ
Ｃ）の形式にすることが一般に行われている。
Ｉ Ｇ）を構成する場合には、例えばセラミック基板面
にマイクロストリップラインによって回路を構成し、基
板をくり抜いて設けた穴にフェライト片をはめ込んでサ
ーキュレータを構成する、ハイブリッド集積回路（ＨＩ
Ｃ）の形式にすることが一般に行われている。
第１図は、従来のサーキュレータを含むＭＩＣの構成を
示したものである。同図において（ａ）は斜視図を示し
、１はセラミック基板であって、その上に例えば分岐路
を構成するマイクロストリップライン２，３．４が形成
されている。５はマイクロストリップラインの分岐部で
あって、分岐部５に対応してフェライト片６が設けられ
る。７は基板ｌがその上に設けられる導体板であって下
部アースを構成する。第１図（ｂ）は、第１図（ａ）に
おけるＸ−Ｘ断面図を示し、フェライト片６が基板１に
設けられた六８内に収容されていることが示されている
。９はフェライト片６に対（２） して直流磁界を与えるための磁石、】０は上部アースを
形成する金属ケース、１１はセラミック基板１と金属ケ
ース１０との間に形成される上部空間である。
示したものである。同図において（ａ）は斜視図を示し
、１はセラミック基板であって、その上に例えば分岐路
を構成するマイクロストリップライン２，３．４が形成
されている。５はマイクロストリップラインの分岐部で
あって、分岐部５に対応してフェライト片６が設けられ
る。７は基板ｌがその上に設けられる導体板であって下
部アースを構成する。第１図（ｂ）は、第１図（ａ）に
おけるＸ−Ｘ断面図を示し、フェライト片６が基板１に
設けられた六８内に収容されていることが示されている
。９はフェライト片６に対（２） して直流磁界を与えるための磁石、】０は上部アースを
形成する金属ケース、１１はセラミック基板１と金属ケ
ース１０との間に形成される上部空間である。
このように従来のサーキュレータを含むＭＩＣにおいて
は、サーキュレータを構成するフェライト片を収容する
ために、セラミック基板に穴を設ける必要があった。し
かしながらセラミック材は硬度が高く加工が困難であっ
て、穴あけを行・うために大きな費用を必要とし、これ
がサーキュレータを含むＭＩＣの価格を上昇させる原因
になっていた。
は、サーキュレータを構成するフェライト片を収容する
ために、セラミック基板に穴を設ける必要があった。し
かしながらセラミック材は硬度が高く加工が困難であっ
て、穴あけを行・うために大きな費用を必要とし、これ
がサーキュレータを含むＭＩＣの価格を上昇させる原因
になっていた。
これに対して、第２図に示すようにフェライト片６をセ
ラミック基板１のＬ部に設けて、基板に穴あけしなくて
もよいようにすることが考えられる。しかしながら、こ
のような構造にした場合は電気力線１２は、ストリップ
ライン２．５等と導体板７との間に生じて、フェライト
片６の部分には殆ど通らないため、所望のサーキュレー
タとしての動作を得ることができない。
ラミック基板１のＬ部に設けて、基板に穴あけしなくて
もよいようにすることが考えられる。しかしながら、こ
のような構造にした場合は電気力線１２は、ストリップ
ライン２．５等と導体板７との間に生じて、フェライト
片６の部分には殆ど通らないため、所望のサーキュレー
タとしての動作を得ることができない。
（３）
（発明の目的）
本発明は、このような従来技術の問題点を解決しようと
するものであって、その目的は、サーキュレータを含む
マイクロ波集積回路において、基板にフェライト片を収
容するための穴あけを行う必要がない回路形式を提供す
ることにある。
するものであって、その目的は、サーキュレータを含む
マイクロ波集積回路において、基板にフェライト片を収
容するための穴あけを行う必要がない回路形式を提供す
ることにある。
（発明の実施例）
第３図は、本発明の超高周波回路の一実施例の構成を示
す断面図である。同図において、第１図におけると同じ
部分は同じ番号で示されており、ＩＡはアルミナ（八１
２０３）等からなるセラミ・ンク基板、１３はセラミッ
ク基板ＩＡと導体板７との間に設けられる空間である。
す断面図である。同図において、第１図におけると同じ
部分は同じ番号で示されており、ＩＡはアルミナ（八１
２０３）等からなるセラミ・ンク基板、１３はセラミッ
ク基板ＩＡと導体板７との間に設けられる空間である。
第３図においては、サスペンデッド形ストリップライン
回路によってＭＩＣが構成されている。
回路によってＭＩＣが構成されている。
サスペンデッド形ストリップライン回路は、基板ＩＡの
下面にマイクロストリップライン２．５等を設けるとと
もに、基板ＬＡと下部アースをなす導体板７との間に空
間１３を設けたものであり、従って電気力線１２は空間
１３に集中し、導体板（４） からなる基板７には電気力線が殆ど通らないため、電気
的損失を少なくできる特徴がある。
下面にマイクロストリップライン２．５等を設けるとと
もに、基板ＬＡと下部アースをなす導体板７との間に空
間１３を設けたものであり、従って電気力線１２は空間
１３に集中し、導体板（４） からなる基板７には電気力線が殆ど通らないため、電気
的損失を少なくできる特徴がある。
フェライト片６は空間１３において、分岐部５に対応し
て設けられており、基板ＩＡの反対側に設けられている
磁石９によって直流磁界を与えられている。このように
第３図の構成によれば、フェライト片６は電気力線が集
中している部分に設けられているので、サーキュレータ
としての作用が効果的に行われる。しかもこの際、フェ
ライト片６は基板ＩＡと導体板７との間の空間１３に設
けられるので、基板ＩＡにはフェライト片を収容するた
めの穴あけを必要としない。
て設けられており、基板ＩＡの反対側に設けられている
磁石９によって直流磁界を与えられている。このように
第３図の構成によれば、フェライト片６は電気力線が集
中している部分に設けられているので、サーキュレータ
としての作用が効果的に行われる。しかもこの際、フェ
ライト片６は基板ＩＡと導体板７との間の空間１３に設
けられるので、基板ＩＡにはフェライト片を収容するた
めの穴あけを必要としない。
このように第３図の実施例に示された本発明の超高周波
回路によれば、セラミック基板に穴あけを行う必要がな
く、有効にサーキュレータとしての作用を行わせること
ができる。
回路によれば、セラミック基板に穴あけを行う必要がな
く、有効にサーキュレータとしての作用を行わせること
ができる。
第４図は、本発明の超高周波回路の他の実施例の構成を
示している。同図において、第３図におけると同じ部分
は同し番号で示されており、７Ａは下部アースをなす導
体板、１４．１５はそれぞ（５） れ導体板７Ａのそれぞれ上部、下部に設けられた凹部、
１６は空間１３に設けられた誘電体シート、１７は誘電
体シート１６に設けられた穴である。
示している。同図において、第３図におけると同じ部分
は同し番号で示されており、７Ａは下部アースをなす導
体板、１４．１５はそれぞ（５） れ導体板７Ａのそれぞれ上部、下部に設けられた凹部、
１６は空間１３に設けられた誘電体シート、１７は誘電
体シート１６に設けられた穴である。
第４図の実施例は、サスペンデッド形ス＋リップライン
回路において、基板ＩＡと導体板７Ａとの距離を短くす
る必要がある場合に、一様な厚さを有するテフロン等の
低損失誘電体の薄いシート１６を、空間１３に挾んだ形
式の場合に適したものである。
回路において、基板ＩＡと導体板７Ａとの距離を短くす
る必要がある場合に、一様な厚さを有するテフロン等の
低損失誘電体の薄いシート１６を、空間１３に挾んだ形
式の場合に適したものである。
第４図において、誘電体シート１６にはフェライト片６
に適合した穴１７が設けられているとともに、導体板７
Ａにもフェライト片６に適合した凹部１４が設けられ、
フェライト片６は穴１７と凹部１４の部分に収容されて
いる。また導体板７Ａの下部の凹部１５には、磁石９が
収容されている。フェライト片６は分岐部５に対応して
設けられ、磁石９によって直流磁界を与えられて、サー
キュレータとしての作用を行うことは第３図の場合と同
様である。このように第４図に示された実施例の場合も
、セラミック板に穴あけを行うこと（６） なく、ＭＩＣにおいて号−キュレータを構成することが
できる。
に適合した穴１７が設けられているとともに、導体板７
Ａにもフェライト片６に適合した凹部１４が設けられ、
フェライト片６は穴１７と凹部１４の部分に収容されて
いる。また導体板７Ａの下部の凹部１５には、磁石９が
収容されている。フェライト片６は分岐部５に対応して
設けられ、磁石９によって直流磁界を与えられて、サー
キュレータとしての作用を行うことは第３図の場合と同
様である。このように第４図に示された実施例の場合も
、セラミック板に穴あけを行うこと（６） なく、ＭＩＣにおいて号−キュレータを構成することが
できる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の超高周波回路によれば、
サーキュレータを含むＭＩＣにおいて、セラミック基板
にフェライト片を収容するための穴あけを行うことなく
、サーキュレータを構成して、有効にサーキュレータと
しての作用を行わせることができるので、加工工数を大
幅に削減することができ、サーキュレータを含むＭＩＣ
を経済的に製作することができるので甚だ効果的である
。
サーキュレータを含むＭＩＣにおいて、セラミック基板
にフェライト片を収容するための穴あけを行うことなく
、サーキュレータを構成して、有効にサーキュレータと
しての作用を行わせることができるので、加工工数を大
幅に削減することができ、サーキュレータを含むＭＩＣ
を経済的に製作することができるので甚だ効果的である
。
第１図は従来のサーキュレータを含むマ・イクロ波集積
回路の構成を示す図、第２図はフェライト片をセラミッ
ク基板の上部に設けた場合のマイクロ波集積回路の構成
を示す図、第３図および第４図はそれぞれ本発明の超高
周波回路の一実施例の構成を示す図である。 １、ＩＡ セラミック基板、２，３．４−マイクロスト
リップライン、５−マイクロストリツ（７） ブラインの分岐部、６ フェライト片、７．７Ａ−一下
部アースを形成する導体板、８一基板１に設けられた穴
、９ 磁石、１〇−上部アースを形成する金属ケース、
１１ 上部空間、１２−電気力線、１３−セラミック基
板と導体板との間に設けられる空間、１４．１５−導体
板に設けられた凹部、１６−誘電体シート、１７−誘電
体シートに設けられた穴 特許出願人富士株式会社 代理人 弁理士 玉蟲久五部（外３名）（８）
回路の構成を示す図、第２図はフェライト片をセラミッ
ク基板の上部に設けた場合のマイクロ波集積回路の構成
を示す図、第３図および第４図はそれぞれ本発明の超高
周波回路の一実施例の構成を示す図である。 １、ＩＡ セラミック基板、２，３．４−マイクロスト
リップライン、５−マイクロストリツ（７） ブラインの分岐部、６ フェライト片、７．７Ａ−一下
部アースを形成する導体板、８一基板１に設けられた穴
、９ 磁石、１〇−上部アースを形成する金属ケース、
１１ 上部空間、１２−電気力線、１３−セラミック基
板と導体板との間に設けられる空間、１４．１５−導体
板に設けられた凹部、１６−誘電体シート、１７−誘電
体シートに設けられた穴 特許出願人富士株式会社 代理人 弁理士 玉蟲久五部（外３名）（８）
Claims (1)
- 下面にマイクロストリップラインからなる高周波回路パ
ターンを設けた誘電体基板を下部空間を隔てて下部アー
スを形成する導体板と対向して配置し該誘電体基板の上
面と上部空間を隔ててＦ部アースを配置してなるサスペ
ンデッド形ストリップライン回路において、前記高周波
回路パターンの分岐部に対応して該分岐部と前記導体板
との間にフェライト板を設けるととも、該フェライト板
に直流磁界を与えたことを特徴とする超高周波回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8452882A JPS58201403A (ja) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | 超高周波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8452882A JPS58201403A (ja) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | 超高周波回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58201403A true JPS58201403A (ja) | 1983-11-24 |
Family
ID=13833133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8452882A Pending JPS58201403A (ja) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | 超高周波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58201403A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6190501A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-08 | Tdk Corp | 電子回路装置 |
| US6437654B2 (en) | 1997-11-19 | 2002-08-20 | Nec Corporation | Substrate-type non-reciprocal circuit element and integrated circuit having multiple ground surface electrodes and co-planar electrical interface |
-
1982
- 1982-05-19 JP JP8452882A patent/JPS58201403A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6190501A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-08 | Tdk Corp | 電子回路装置 |
| US6437654B2 (en) | 1997-11-19 | 2002-08-20 | Nec Corporation | Substrate-type non-reciprocal circuit element and integrated circuit having multiple ground surface electrodes and co-planar electrical interface |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2751558A (en) | Radio frequency filter | |
| US4675620A (en) | Coplanar waveguide crossover | |
| JPH07307612A (ja) | 平面アンテナ | |
| EP0903801A3 (en) | Nonreciprocal circuit device | |
| JPS6271305A (ja) | 誘電体共振器 | |
| US4679015A (en) | Ferromagnetic resonator | |
| JP2003133813A (ja) | 共通素子整合構造 | |
| US3854106A (en) | Depressed-puck microstrip circulator | |
| SE0101042D0 (sv) | Circulator and network | |
| JPS58201403A (ja) | 超高周波回路 | |
| US3467918A (en) | Microstrip junction circulator wherein the ferrite body is disposed on the dielectric slab | |
| US3733563A (en) | Microstrip circulator wherein related microstrip patterns are disposed on opposing surfaces of dielectric substrate | |
| US3922620A (en) | Circulator with connecting arms designed in accordance with the MIC technique | |
| JPS61293001A (ja) | Ｍｉｃサ−キユレ−タ | |
| JPH01300701A (ja) | コプラナー型アンテナ | |
| GB1382208A (en) | Phase shifter | |
| JPS6482595A (en) | Printed wiring board | |
| JPS57171805A (en) | Circulator | |
| JPH0715205Y2 (ja) | 非可逆回路素子 | |
| JPH07226615A (ja) | 偏波ダイバーシティ用マイクロストリップアンテナ | |
| JPH03295302A (ja) | マイクロストリップ回路の製造方法 | |
| JPS62224101A (ja) | 静磁波フイルタバンク | |
| JP2595830B2 (ja) | 静磁波装置 | |
| JPH09289403A (ja) | サーキュレータ | |
| JPS6221046Y2 (ja) |