JPH07226615A - 偏波ダイバーシティ用マイクロストリップアンテナ - Google Patents
偏波ダイバーシティ用マイクロストリップアンテナInfo
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- JPH07226615A JPH07226615A JP6016493A JP1649394A JPH07226615A JP H07226615 A JPH07226615 A JP H07226615A JP 6016493 A JP6016493 A JP 6016493A JP 1649394 A JP1649394 A JP 1649394A JP H07226615 A JPH07226615 A JP H07226615A
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- microstrip antenna
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- antenna
- dielectric
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイバーシティ切換スイッチ内蔵で小型のマ
イクロストリップ偏波ダイバーシティアンテナを提供す
る。 【構成】 第１の誘電体基板１と、地板２と、第２の誘
電体基板３とを積層し、第１の誘電体基板の表面にマイ
クロストリップアンテナを形成し、第２の誘電体基板３
の表面にダイバーシティ切換スイッチを含むマイクロ波
回路を形成し、接地電位を与える地板２を共通にする。
イクロストリップ偏波ダイバーシティアンテナを提供す
る。 【構成】 第１の誘電体基板１と、地板２と、第２の誘
電体基板３とを積層し、第１の誘電体基板の表面にマイ
クロストリップアンテナを形成し、第２の誘電体基板３
の表面にダイバーシティ切換スイッチを含むマイクロ波
回路を形成し、接地電位を与える地板２を共通にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロストリップア
ンテナを用いた偏波ダイバーシティアンテナの改良に関
するものである。
ンテナを用いた偏波ダイバーシティアンテナの改良に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】屋内，屋外で準マイクロ波帯の通信を行
なうと、電波は建造物や樹木等で反射，回折しながら多
重波として伝播するため、受信点では、受信電界強度は
フェージングを伴う。フェージングを伴った受信波の包
絡線レベルは、受信機の熱雑音レベルまで頻繁に落込む
ため、高品質通信を実現する場合の障害となる。このフ
ェージングの影響を軽減する技術として、２つ以上の受
信信号を利用するダイバーシティ受信が広く知られてい
る。
なうと、電波は建造物や樹木等で反射，回折しながら多
重波として伝播するため、受信点では、受信電界強度は
フェージングを伴う。フェージングを伴った受信波の包
絡線レベルは、受信機の熱雑音レベルまで頻繁に落込む
ため、高品質通信を実現する場合の障害となる。このフ
ェージングの影響を軽減する技術として、２つ以上の受
信信号を利用するダイバーシティ受信が広く知られてい
る。
【０００３】図７は、共平面給電のマイクロストリップ
アンテナの従来の一例の斜視図である。誘電体基板２０
上に表面の導体をエッチング等で加工して形成された放
射導体である導体パッチ２２と、第１の偏波放射用の第
１の給電線路２３ａと、導体パッチ２２のインピーダン
スと第１の給電線路２３ａのインピーダンスとの整合を
とるための第１の１／４λインピーダンス変成器２４ａ
と、第２の偏波放射用の第２の給電線路２３ｂと導体パ
ッチ２２のインピーダンスと第２の給電線路２３ｂのイ
ンピーダンスとの整合をとるための１／４λインピーダ
ンス変成器２４ｂを有し、該誘電体基板２０の裏面には
地板２１を設けマイクロストリップアンテナが形成され
ている。
アンテナの従来の一例の斜視図である。誘電体基板２０
上に表面の導体をエッチング等で加工して形成された放
射導体である導体パッチ２２と、第１の偏波放射用の第
１の給電線路２３ａと、導体パッチ２２のインピーダン
スと第１の給電線路２３ａのインピーダンスとの整合を
とるための第１の１／４λインピーダンス変成器２４ａ
と、第２の偏波放射用の第２の給電線路２３ｂと導体パ
ッチ２２のインピーダンスと第２の給電線路２３ｂのイ
ンピーダンスとの整合をとるための１／４λインピーダ
ンス変成器２４ｂを有し、該誘電体基板２０の裏面には
地板２１を設けマイクロストリップアンテナが形成され
ている。
【０００４】図８は図７のマイクロストリップアンテナ
の給電部分に背面よりのオフセット給電を用いた従来の
他の例の斜視図である。誘電体基板２０上にエッチング
された導体パッチ２２と、導電性ピン等（図示せず）で
誘電体基板２０の背面の図示されていない給電線路より
第１および第２の偏波を給電する第１および第２の給電
点２５，２６を有し、誘電体基板２０の裏面には地板２
１を設けてある。
の給電部分に背面よりのオフセット給電を用いた従来の
他の例の斜視図である。誘電体基板２０上にエッチング
された導体パッチ２２と、導電性ピン等（図示せず）で
誘電体基板２０の背面の図示されていない給電線路より
第１および第２の偏波を給電する第１および第２の給電
点２５，２６を有し、誘電体基板２０の裏面には地板２
１を設けてある。
【０００５】このような構成からなる従来の偏波ダイバ
ーシティマイクロストリップアンテナは、第１の給電線
路２３ａまたは第１の給電点２５から給電した場合をア
ンテナブランチ１，第１の給電線路２３ｂまたは第２の
給電点２６から給電した場合をアンテナブランチ２とす
ると、アンテナブランチ１によって励振されるモード
と、アンテナブランチ２によって励振されるモードとは
互いに直交しており、低結合で独立なブランチとなり、
互いに直交する２個の偏波を有するダイバーシティアン
テナとなる。
ーシティマイクロストリップアンテナは、第１の給電線
路２３ａまたは第１の給電点２５から給電した場合をア
ンテナブランチ１，第１の給電線路２３ｂまたは第２の
給電点２６から給電した場合をアンテナブランチ２とす
ると、アンテナブランチ１によって励振されるモード
と、アンテナブランチ２によって励振されるモードとは
互いに直交しており、低結合で独立なブランチとなり、
互いに直交する２個の偏波を有するダイバーシティアン
テナとなる。
【０００６】図９は２個の偏波を切換えるダイバーシテ
ィ切換用スイッチの従来の回路図の一例である。信号入
力端子９１の一方は、第１のＤＣカットコンデンサ９２
ａを介し、第１および第２のダイオード９３ａ，９４ａ
の陽極に接続されるとともに、第１のＲＦチョークコイ
ル９５ａを介し接地される。第１および第２のダイオー
ド９３ａ，９４ａの陰極はそれぞれ第３および第４のダ
イオード９３ｂ，９４ｂの陽極と、第２および第３のＲ
Ｆチョークコイル９５ｂ，９５ｃの一方の端子と、第１
および第２の出力端子９６，９７の一方に接続される。
第３および第４のダイオード９３ｂ，９４ｂの陰極は接
地される。第２および第３のＲＦチョークコイル９５
ｂ，９５ｃの他方の端子は、第２および第３のＤＣカッ
トコンデンサ９２ｂ，９２ｃと、第１および第２のバイ
アス端子９８ａ，９８ｂの一方の端子に接続される。第
１および第２のバイアス端子９８ａ，９８ｂの他方の端
子は接地される。第１および第２のバイアス端子９８
ａ，９８ｂのそれぞれの両端子は、第２および第３のＤ
Ｃカットコンデンサ９２ｂ，９２ｃの両端に接続される
ことになる。
ィ切換用スイッチの従来の回路図の一例である。信号入
力端子９１の一方は、第１のＤＣカットコンデンサ９２
ａを介し、第１および第２のダイオード９３ａ，９４ａ
の陽極に接続されるとともに、第１のＲＦチョークコイ
ル９５ａを介し接地される。第１および第２のダイオー
ド９３ａ，９４ａの陰極はそれぞれ第３および第４のダ
イオード９３ｂ，９４ｂの陽極と、第２および第３のＲ
Ｆチョークコイル９５ｂ，９５ｃの一方の端子と、第１
および第２の出力端子９６，９７の一方に接続される。
第３および第４のダイオード９３ｂ，９４ｂの陰極は接
地される。第２および第３のＲＦチョークコイル９５
ｂ，９５ｃの他方の端子は、第２および第３のＤＣカッ
トコンデンサ９２ｂ，９２ｃと、第１および第２のバイ
アス端子９８ａ，９８ｂの一方の端子に接続される。第
１および第２のバイアス端子９８ａ，９８ｂの他方の端
子は接地される。第１および第２のバイアス端子９８
ａ，９８ｂのそれぞれの両端子は、第２および第３のＤ
Ｃカットコンデンサ９２ｂ，９２ｃの両端に接続される
ことになる。
【０００７】以下、信号入力端子９１が第１の出力端子
９６側へスイッチされる場合について述べる。第１のバ
イアス端子９８ａに＋Ｖc ボルトのＤＣ電圧がかけら
れ、第２のバイアス端子９８ｂに−Ｖc ボルトのＤＣ電
圧がかけられる。このとき第１および第４のダイオード
９３ａ，９４ｂは導通し、第２および第３のダイオード
９４ａ，９３ｂは非導通となる。このとき、信号入力端
子９１からのＲＦ信号は、ダイオード９３ａを通り第１
の出力端子９６に出力される。この際、第２のダイオー
ド９４ａが非導通、第４のダイオード９４ｂが導通にな
っているため、第２のダイオード９４ａの陽極から見た
インピーダンスが大きくなり、第２の出力端子９７への
ＲＦ信号の漏れは非常に小さくなる。同様に第１のバイ
アス端子９８ａに−、第２のバイアス端子９８ｂに＋の
ＤＣ電圧がかけられた場合、第２および第３のダイオー
ド９４ａ，９３ｂが導通、第１および第４のダイオード
９３ａ，９４ｂが非導通となり、信号入力端子９１から
のＲＦ信号は第２の出力端子９７へ出力される。
９６側へスイッチされる場合について述べる。第１のバ
イアス端子９８ａに＋Ｖc ボルトのＤＣ電圧がかけら
れ、第２のバイアス端子９８ｂに−Ｖc ボルトのＤＣ電
圧がかけられる。このとき第１および第４のダイオード
９３ａ，９４ｂは導通し、第２および第３のダイオード
９４ａ，９３ｂは非導通となる。このとき、信号入力端
子９１からのＲＦ信号は、ダイオード９３ａを通り第１
の出力端子９６に出力される。この際、第２のダイオー
ド９４ａが非導通、第４のダイオード９４ｂが導通にな
っているため、第２のダイオード９４ａの陽極から見た
インピーダンスが大きくなり、第２の出力端子９７への
ＲＦ信号の漏れは非常に小さくなる。同様に第１のバイ
アス端子９８ａに−、第２のバイアス端子９８ｂに＋の
ＤＣ電圧がかけられた場合、第２および第３のダイオー
ド９４ａ，９３ｂが導通、第１および第４のダイオード
９３ａ，９４ｂが非導通となり、信号入力端子９１から
のＲＦ信号は第２の出力端子９７へ出力される。
【０００８】なお、上記ダイバーシティ切換用スイッチ
回路は、誘電体基板２０上の導体パッチ２２が形成され
ているのと同じ面、またはケーブル等で接続されたダイ
バーシティ切換スイッチ専用基板上に形成される。
回路は、誘電体基板２０上の導体パッチ２２が形成され
ているのと同じ面、またはケーブル等で接続されたダイ
バーシティ切換スイッチ専用基板上に形成される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】一般に、マイクロスト
リップアンテナは、誘電体の共振を利用するため、その
共振周波数は、誘電体基板の誘電率，厚みに左右され
る。それゆえ、量産時の誘電率，厚みのばらつき，温度
特性による共振周波数のずれ等を考慮すると、帯域の広
いことが望まれる。そのため、誘電体基板としては、誘
電率の低い基板厚の厚いものが使用される。また、ダイ
バーシティアンテナとしては、信号処理を行なうＲＦ回
路と切り離して使用することを考慮すると、ＲＦ接続ケ
ーブルができるだけ少なくなる、たとえば、１本になる
ダイバーシティ切換スイッチ内蔵アンテナが望まれる。
リップアンテナは、誘電体の共振を利用するため、その
共振周波数は、誘電体基板の誘電率，厚みに左右され
る。それゆえ、量産時の誘電率，厚みのばらつき，温度
特性による共振周波数のずれ等を考慮すると、帯域の広
いことが望まれる。そのため、誘電体基板としては、誘
電率の低い基板厚の厚いものが使用される。また、ダイ
バーシティアンテナとしては、信号処理を行なうＲＦ回
路と切り離して使用することを考慮すると、ＲＦ接続ケ
ーブルができるだけ少なくなる、たとえば、１本になる
ダイバーシティ切換スイッチ内蔵アンテナが望まれる。
【００１０】しかし、従来のマイクロストリップアンテ
ナでは、共平面給電の場合誘電体基板が上述のように誘
電率の低いものが使用されると、マイクロストリップラ
インの幅が太くなり、また１／４λインピーダンス変成
器も誘電体基板の波長短縮率が小さくなるため大型とな
る。このため、ダイバーシティ切換スイッチを内蔵する
と、全体としてのアンテナ寸法が大きくなる。また、背
面給電の場合は、ダイバーシティ切換スイッチを接地す
る場所がない。
ナでは、共平面給電の場合誘電体基板が上述のように誘
電率の低いものが使用されると、マイクロストリップラ
インの幅が太くなり、また１／４λインピーダンス変成
器も誘電体基板の波長短縮率が小さくなるため大型とな
る。このため、ダイバーシティ切換スイッチを内蔵する
と、全体としてのアンテナ寸法が大きくなる。また、背
面給電の場合は、ダイバーシティ切換スイッチを接地す
る場所がない。
【００１１】本発明は、係る問題に鑑み考えだされるも
のであり、ダイバーシティ切換スイッチを内蔵した小型
の偏波ダイバーシティ用マイクロストリップアンテナを
提供することを目的とする。
のであり、ダイバーシティ切換スイッチを内蔵した小型
の偏波ダイバーシティ用マイクロストリップアンテナを
提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】偏波ダイバーシティ用マ
イクロストリップアンテナにおいて、接地電位を与える
ための地板の両面に、単一または複数の誘電体で形成さ
れる第１の誘電体基板と第２の誘電体基板を配置し、第
１の誘電体基板の地板に対向しない面には放射導体を設
け、複数偏波放射用マイクロストリップアンテナを形成
するとともに、前記第２の誘電体基板の地板に対向しな
い面には少なくともダイバーシティ切換スイッチを含む
マイクロ波回路を形成し、マイクロストリップアンテナ
とマイクロ波回路の接地導体を共有させる。
イクロストリップアンテナにおいて、接地電位を与える
ための地板の両面に、単一または複数の誘電体で形成さ
れる第１の誘電体基板と第２の誘電体基板を配置し、第
１の誘電体基板の地板に対向しない面には放射導体を設
け、複数偏波放射用マイクロストリップアンテナを形成
するとともに、前記第２の誘電体基板の地板に対向しな
い面には少なくともダイバーシティ切換スイッチを含む
マイクロ波回路を形成し、マイクロストリップアンテナ
とマイクロ波回路の接地導体を共有させる。
【００１３】
【作用】本発明によれば、接地電位を与えるための地板
の両側に、マイクロストリップアンテナ用の第１の誘電
体基板と、ダイバーシティ切換スイッチを含むマイクロ
波回路用の第２の誘電体基板を前記地板を共有して配置
している。したがって、マイクロストリップアンテナは
第１の誘電体基板の誘電率，誘電体損失にのみ影響を受
けアンテナとして動作する。マイクロ波回路は第２の誘
電体基板の誘電率，誘電体損失にのみ影響を受けマイク
ロ波回路として動作する。それぞれに最も適した誘電体
基板を使用することにより効率のよい偏波ダイバーシテ
ィ用マイクロストリップアンテナを得ることができる。
の両側に、マイクロストリップアンテナ用の第１の誘電
体基板と、ダイバーシティ切換スイッチを含むマイクロ
波回路用の第２の誘電体基板を前記地板を共有して配置
している。したがって、マイクロストリップアンテナは
第１の誘電体基板の誘電率，誘電体損失にのみ影響を受
けアンテナとして動作する。マイクロ波回路は第２の誘
電体基板の誘電率，誘電体損失にのみ影響を受けマイク
ロ波回路として動作する。それぞれに最も適した誘電体
基板を使用することにより効率のよい偏波ダイバーシテ
ィ用マイクロストリップアンテナを得ることができる。
【００１４】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例の斜視図、図２
は図１のＸ−Ｘ′断面図、図３は図１の第２の誘電体基
板３の平面図である。
は図１のＸ−Ｘ′断面図、図３は図１の第２の誘電体基
板３の平面図である。
【００１５】これらの図に示されるように、このダイバ
ーシティアンテナは第１の誘電体１上の金属薄膜にエッ
チング等により形成された導体パッチ４と、第１および
第２の給電点５，６を有して、第１の誘電体基板１の裏
面には、地板２が積層され、マイクロストリップアンテ
ナを形成する。さらに、地板２の反対側には第２の誘電
体基板３が積層され、第１の誘電体基板１，地板２，第
２の誘電体基板３は３層の構造となっている。第２の誘
電体基板３の表面には、第１および第２の給電点５，６
と、第１および第２の誘電体基板１，３を地板２に接触
しないように貫通するピン７で接続される第３および第
４の給電点９ａ，９ｂと、公知のダイオード等で構成さ
れたピンダイオードスイッチ１０と、該ピンダイオード
スイッチ１０の第１および第２の端子と第３および第４
の給電点９ａ，９ｂとを結ぶ、第１および第２のマイク
ロストリップライン１２ａ，１２ｂと、該ピンダイオー
ドスイッチ１０の第３の端子に接続された第３のマイク
ロストリップライン１１と、第１および第２のマイクロ
ストリップライン１２ａ，１２ｂに接続された第１およ
び第２のＤＣライン８ａ，８ｂを有する。第１および第
２のＤＣライン８ａ，８ｂは、約１／４λの長さを有し
ており、端子１３ａ，１３ｂで地板２にスルーホール等
を用いて接地されており、ＲＦチョークとして動作す
る。
ーシティアンテナは第１の誘電体１上の金属薄膜にエッ
チング等により形成された導体パッチ４と、第１および
第２の給電点５，６を有して、第１の誘電体基板１の裏
面には、地板２が積層され、マイクロストリップアンテ
ナを形成する。さらに、地板２の反対側には第２の誘電
体基板３が積層され、第１の誘電体基板１，地板２，第
２の誘電体基板３は３層の構造となっている。第２の誘
電体基板３の表面には、第１および第２の給電点５，６
と、第１および第２の誘電体基板１，３を地板２に接触
しないように貫通するピン７で接続される第３および第
４の給電点９ａ，９ｂと、公知のダイオード等で構成さ
れたピンダイオードスイッチ１０と、該ピンダイオード
スイッチ１０の第１および第２の端子と第３および第４
の給電点９ａ，９ｂとを結ぶ、第１および第２のマイク
ロストリップライン１２ａ，１２ｂと、該ピンダイオー
ドスイッチ１０の第３の端子に接続された第３のマイク
ロストリップライン１１と、第１および第２のマイクロ
ストリップライン１２ａ，１２ｂに接続された第１およ
び第２のＤＣライン８ａ，８ｂを有する。第１および第
２のＤＣライン８ａ，８ｂは、約１／４λの長さを有し
ており、端子１３ａ，１３ｂで地板２にスルーホール等
を用いて接地されており、ＲＦチョークとして動作す
る。
【００１６】図１に示す座標系で、ｘ軸上の第１の給電
点５から給電した場合をアンテナブランチ１、ｙ軸上の
第２の給電点６から給電した場合をアンテナブランチ２
とすると、アンテナブランチ１とアンテナブランチ２か
ら放射される電波は、偏波面が互いに直交する低結合で
独立な電波となる。
点５から給電した場合をアンテナブランチ１、ｙ軸上の
第２の給電点６から給電した場合をアンテナブランチ２
とすると、アンテナブランチ１とアンテナブランチ２か
ら放射される電波は、偏波面が互いに直交する低結合で
独立な電波となる。
【００１７】図４はダイバーシティ切換スイッチの他の
一実施例の回路図である。入力端子４１の一方は、第１
のダイオード４３の陽極、第２のダイオード４４の陰極
に接続される。第１のダイオード４３の陰極、第２のダ
イオード４４の陽極は第１および第２のＲＦチョークコ
イル４２ａ，４２ｂを介して接地されるとともに、第１
および第２の出力端子４５，４６に接続される。
一実施例の回路図である。入力端子４１の一方は、第１
のダイオード４３の陽極、第２のダイオード４４の陰極
に接続される。第１のダイオード４３の陰極、第２のダ
イオード４４の陽極は第１および第２のＲＦチョークコ
イル４２ａ，４２ｂを介して接地されるとともに、第１
および第２の出力端子４５，４６に接続される。
【００１８】今、入力端子４１にＲＦ信号に＋Ｖc ボル
トのＤＣ電圧が重畳された場合、第１のダイオード４３
は導通し、第２のダイオード４４は非導通となり、重畳
されたＤＣ電流は、第１のＲＦチョークコイル４２ａを
介して接地される。このとき、ＲＦ信号に対するインピ
ーダンスも、第１のダイオード４３は整合がとられ、第
２のダイオード４４は高インピーダンスとなり、入力端
子４１からのＲＦ信号は、第１のダイオード４３を通り
第１の出力端子４５へ導かれる。このときＲＦチョーク
コイル４２ａは、ＲＦチョークとして働くため、第２の
ダイオード４４の陰極からＲＦチョークコイル４２ａを
見たインピーダンスは高インピーダンスとなり、ＲＦ信
号はＲＦチョークコイル４２ａ側へは流れない。同様
に、入力端子４１にＲＦ信号に−Ｖc ボルトのＤＣ電圧
が重畳された場合は、第１のダイオード４３が非導通、
第２のダイオード４４が導通となり、入力端子４１は第
２の出力端子４６に接続される。
トのＤＣ電圧が重畳された場合、第１のダイオード４３
は導通し、第２のダイオード４４は非導通となり、重畳
されたＤＣ電流は、第１のＲＦチョークコイル４２ａを
介して接地される。このとき、ＲＦ信号に対するインピ
ーダンスも、第１のダイオード４３は整合がとられ、第
２のダイオード４４は高インピーダンスとなり、入力端
子４１からのＲＦ信号は、第１のダイオード４３を通り
第１の出力端子４５へ導かれる。このときＲＦチョーク
コイル４２ａは、ＲＦチョークとして働くため、第２の
ダイオード４４の陰極からＲＦチョークコイル４２ａを
見たインピーダンスは高インピーダンスとなり、ＲＦ信
号はＲＦチョークコイル４２ａ側へは流れない。同様
に、入力端子４１にＲＦ信号に−Ｖc ボルトのＤＣ電圧
が重畳された場合は、第１のダイオード４３が非導通、
第２のダイオード４４が導通となり、入力端子４１は第
２の出力端子４６に接続される。
【００１９】上述のように、入力端子４１（第３のマイ
クロストリップライン１１に対応する）にプラスまたは
マイナスのＤＣ電圧を重畳させることにより、第１およ
び第２の出力端子４５，４６すなわちアンテナブランチ
１，２の切換えを、それぞれ１段のダイオード４３およ
び４４で行ない、小型かつ低消費電力化を実現し、偏波
ダイバーシティを行なうことができる程度のアイソレー
ションを得ることができる。
クロストリップライン１１に対応する）にプラスまたは
マイナスのＤＣ電圧を重畳させることにより、第１およ
び第２の出力端子４５，４６すなわちアンテナブランチ
１，２の切換えを、それぞれ１段のダイオード４３およ
び４４で行ない、小型かつ低消費電力化を実現し、偏波
ダイバーシティを行なうことができる程度のアイソレー
ションを得ることができる。
【００２０】ダイバーシティ切換スイッチとして図９に
示される従来のダイバーシティ切換スイッチを使用する
こともできる。
示される従来のダイバーシティ切換スイッチを使用する
こともできる。
【００２１】第１の誘電体基板１は、マイクロストリッ
プアンテナを形成するための誘電体基板であるため、ア
ンテナの高効率，広帯域化を図るため、低損失，低誘電
率の比較的厚いテフロン基板等の誘電体基板が用いられ
る。一方第２の誘電体基板３は、ピンダイオードスイッ
チ，マイクロストリップラインを含む平面回路用の基板
であるため、回路の小型化の観点から、高誘電率で比較
的薄いガラスエポキシ基板等の誘電体基板が用いられ
る。また、第２の誘電体基板３上の平面回路としては、
ダイバーシティ切換スイッチだけでなく、低雑音増幅器
等のマイクロ波回路を構成してもよい。
プアンテナを形成するための誘電体基板であるため、ア
ンテナの高効率，広帯域化を図るため、低損失，低誘電
率の比較的厚いテフロン基板等の誘電体基板が用いられ
る。一方第２の誘電体基板３は、ピンダイオードスイッ
チ，マイクロストリップラインを含む平面回路用の基板
であるため、回路の小型化の観点から、高誘電率で比較
的薄いガラスエポキシ基板等の誘電体基板が用いられ
る。また、第２の誘電体基板３上の平面回路としては、
ダイバーシティ切換スイッチだけでなく、低雑音増幅器
等のマイクロ波回路を構成してもよい。
【００２２】図５は本発明の第２の実施例の斜視図であ
り、図６はそのＹ／Ｙ′断面図である。図１，２，３の
第１の実施例と異なるところは、第１の誘電体基板１の
代わりに、第３の誘電体基板１４と空気層１５の２層構
造としたことである。第３の誘電体基板１４上に、第１
の実施例と同様に導体パッチ４、第１および第２の給電
点５，６を形成し、その裏面はスペーサ１７によって空
気層１５を介して地板２に重ねられている。７ａおよび
７ｂは、第１および第２の給電点５，６とマイクロスト
リップラインを接続するピンである。地板２の裏面に
は、第２の誘電体基板３が形成され、第２の誘電体基板
３上には、第１の実施例と同様のダイバーシティ切換回
路等の平面回路が形成されている。
り、図６はそのＹ／Ｙ′断面図である。図１，２，３の
第１の実施例と異なるところは、第１の誘電体基板１の
代わりに、第３の誘電体基板１４と空気層１５の２層構
造としたことである。第３の誘電体基板１４上に、第１
の実施例と同様に導体パッチ４、第１および第２の給電
点５，６を形成し、その裏面はスペーサ１７によって空
気層１５を介して地板２に重ねられている。７ａおよび
７ｂは、第１および第２の給電点５，６とマイクロスト
リップラインを接続するピンである。地板２の裏面に
は、第２の誘電体基板３が形成され、第２の誘電体基板
３上には、第１の実施例と同様のダイバーシティ切換回
路等の平面回路が形成されている。
【００２３】この実施例によると、アンテナに対する誘
電体を高誘電率で比較的薄い安価なガラスエポキシ基板
等の第３の誘電体基板１４と空気層１５の積層構成で、
マイクロストリップアンテナの実効誘電率を低くでき、
安価で、前記平面回路用の誘電体基板である第２の誘電
体基板３と第３の誘電体基板１４を同一の材料のできる
という点から、量産性に適したマイクロストリップアン
テナを構成することができる。第２の実施例では、空気
層１５の代わりに、低誘電率，低損失の発泡誘電体を用
いてもよい。この場合は発泡誘電体によりスペーサの代
わりとすることができる。
電体を高誘電率で比較的薄い安価なガラスエポキシ基板
等の第３の誘電体基板１４と空気層１５の積層構成で、
マイクロストリップアンテナの実効誘電率を低くでき、
安価で、前記平面回路用の誘電体基板である第２の誘電
体基板３と第３の誘電体基板１４を同一の材料のできる
という点から、量産性に適したマイクロストリップアン
テナを構成することができる。第２の実施例では、空気
層１５の代わりに、低誘電率，低損失の発泡誘電体を用
いてもよい。この場合は発泡誘電体によりスペーサの代
わりとすることができる。
【００２４】前述の実施例では方形導体パッチを用いて
いるが、円形導体パッチを用いても同様の効果が得られ
る。
いるが、円形導体パッチを用いても同様の効果が得られ
る。
【００２５】
【発明の効果】本発明による偏波ダイバーシティアンテ
ナは、マイクロストリップアンテナの高効率，広帯域化
を実現するために、マイクロストリップアンテナ用の第
１の誘電体基板を低誘電率，低損失のものを使用した場
合でも、ダイバーシティ切換スイッチ等のマイクロ波回
路は、第２の誘電体基板の誘電率によってのみ波長短縮
を受けるため、小型化が可能である。また、マイクロ波
回路は、マイクロストリップアンテナと基板を共有して
一体形成されるため、小型化が可能であるとともに、接
地位置がマイクロストリップアンテナの地板の裏側であ
るため、マイクロストリップアンテナの電波放射に影響
を及ぼさなくなる。
ナは、マイクロストリップアンテナの高効率，広帯域化
を実現するために、マイクロストリップアンテナ用の第
１の誘電体基板を低誘電率，低損失のものを使用した場
合でも、ダイバーシティ切換スイッチ等のマイクロ波回
路は、第２の誘電体基板の誘電率によってのみ波長短縮
を受けるため、小型化が可能である。また、マイクロ波
回路は、マイクロストリップアンテナと基板を共有して
一体形成されるため、小型化が可能であるとともに、接
地位置がマイクロストリップアンテナの地板の裏側であ
るため、マイクロストリップアンテナの電波放射に影響
を及ぼさなくなる。
【図１】本発明の一実施例の斜視図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ′断面図である。
【図３】図１の裏面の平面図である。
【図４】ダイバーシティ切換スイッチの一例の回路図で
ある。
ある。
【図５】本発明の第２の実施例の斜視図である。
【図６】図５のＹ−Ｙ′断面図である。
【図７】従来の一例の斜視図である。
【図８】従来の他の例の斜視図である。
【図９】ダイバーシティ切換スイッチの他の例の回路図
である。
である。
１ 第１の誘電体基板 ２ 地板 ３ 第２の誘電体基板 ４ 導体パッチ ５ 第１の給電点 ６ 第２の給電点 ７，７ａ，７ｂ ピン ８ａ，８ｂ ＤＣライン １０ ピンダイオードスイッチ １１ マイクロストリップライン １２ａ，１２ｂ マイクロストリップライン
Claims (4)
- 【請求項１】 接地電位を与えるための地板の一方の面
に第１の誘電体基板を配置し、該地板の他方の面に第２
の誘電体基板を配置し、第１の誘電体基板の地板と対向
しない面には複数偏波放射用マイクロストリップアンテ
ナを形成し、第２の誘電体基板の地板と対向しない面に
は少なくともダイバーシティー切換スイッチを含むマイ
クロ波回路を形成することを特徴とする偏波ダイバーシ
ティマイクロストリップアンテナ。 - 【請求項２】 第１の誘電体基板および第２の誘電体基
板は、地板の両側に積層して一体に形成されていること
特徴とする、請求項１記載の偏波ダイバーシティ用マイ
クロストリップアンテナ。 - 【請求項３】 地板と第１の誘電体基板をスペーサを介
して一体に形成されていることを特徴とする、請求項１
記載の偏波ダイバーシティ用マイクロストリップアンテ
ナ。 - 【請求項４】 第１の誘電体基板は複数の誘電体で構成
されていることを特徴とする、請求項１記載の偏波ダイ
バーシティ用マイクロストリップアンテナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6016493A JPH07226615A (ja) | 1994-02-10 | 1994-02-10 | 偏波ダイバーシティ用マイクロストリップアンテナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6016493A JPH07226615A (ja) | 1994-02-10 | 1994-02-10 | 偏波ダイバーシティ用マイクロストリップアンテナ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07226615A true JPH07226615A (ja) | 1995-08-22 |
Family
ID=11917818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6016493A Withdrawn JPH07226615A (ja) | 1994-02-10 | 1994-02-10 | 偏波ダイバーシティ用マイクロストリップアンテナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07226615A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005328129A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 折り畳み式携帯無線機 |
| JP2006210971A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Furuno Electric Co Ltd | アンテナ |
| KR101028567B1 (ko) * | 2008-11-05 | 2011-04-11 | 한국과학기술원 | 패치 안테나를 이용한 단일 안테나 구조의 레이더 센서 |
| JP2011097517A (ja) * | 2009-11-02 | 2011-05-12 | Smk Corp | 高周波結合器 |
| JP2011160294A (ja) * | 2010-02-02 | 2011-08-18 | Sony Chemical & Information Device Corp | アンテナ装置、及び、通信装置 |
-
1994
- 1994-02-10 JP JP6016493A patent/JPH07226615A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005328129A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 折り畳み式携帯無線機 |
| JP2006210971A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Furuno Electric Co Ltd | アンテナ |
| KR101028567B1 (ko) * | 2008-11-05 | 2011-04-11 | 한국과학기술원 | 패치 안테나를 이용한 단일 안테나 구조의 레이더 센서 |
| JP2011097517A (ja) * | 2009-11-02 | 2011-05-12 | Smk Corp | 高周波結合器 |
| JP2011160294A (ja) * | 2010-02-02 | 2011-08-18 | Sony Chemical & Information Device Corp | アンテナ装置、及び、通信装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010508 |