JPS58200283A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPS58200283A JPS58200283A JP57084604A JP8460482A JPS58200283A JP S58200283 A JPS58200283 A JP S58200283A JP 57084604 A JP57084604 A JP 57084604A JP 8460482 A JP8460482 A JP 8460482A JP S58200283 A JPS58200283 A JP S58200283A
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はカラー表示可能な液晶表示素子に関し、％にコ
ントラストの特性を高めた液晶表示素子を提案するもの
である。
ントラストの特性を高めた液晶表示素子を提案するもの
である。
液晶ドツトマトリックスとそのマトリックス電極に対応
させたパターンを有する多色偏光板とを組合せてなる、
カンフ表示可能な液晶表示素子の開発が進めらｎている
０開発過程における課題として表示密度の向上、演色性
の向上等が挙げらｎる。その解決にはドツトを小さくし
て数を多くするのが有効であるが、液晶はその駆動特性
上、駆動分割数を多くするとクロストークを生じ、表示
品位が低下する。これを防止するには多重マ） ＩＪラ
ックス式〔第３図に、２重マトリックス方式について示
すように、行（又は列）の電極に対し列（又は行）の電
極をｎ （整数、２以上）倍設けであるもの〕に依る必
要がある。この多重マトリックス方式では表示に与る部
分と非表示の部分との比、即ち開口率が小さく、液晶に
よって光の透過、遮断が実際に行わｎる部分に比して、
それ以外の光の漏ｎを生じる部分が広くなりコントラス
トの低下を免れない。
させたパターンを有する多色偏光板とを組合せてなる、
カンフ表示可能な液晶表示素子の開発が進めらｎている
０開発過程における課題として表示密度の向上、演色性
の向上等が挙げらｎる。その解決にはドツトを小さくし
て数を多くするのが有効であるが、液晶はその駆動特性
上、駆動分割数を多くするとクロストークを生じ、表示
品位が低下する。これを防止するには多重マ） ＩＪラ
ックス式〔第３図に、２重マトリックス方式について示
すように、行（又は列）の電極に対し列（又は行）の電
極をｎ （整数、２以上）倍設けであるもの〕に依る必
要がある。この多重マトリックス方式では表示に与る部
分と非表示の部分との比、即ち開口率が小さく、液晶に
よって光の透過、遮断が実際に行わｎる部分に比して、
それ以外の光の漏ｎを生じる部分が広くなりコントラス
トの低下を免れない。
以下こｎにつきいま少し詳しく説明する。
第１図は単純マトリックス方式の電極パターンを示し縦
に並設さｎた横長の電極Ｙ、〜Ｙ４の層と、横に並設さ
ｎた縦長の電極Ｘ１〜Ｘ、の層との間に液晶層（図示せ
ず）が設けら扛、例えば電極Ｙ１〜Ｙ４の膚の下層に電
極Ｘｉ？ Ｘ２〜ｘ６と整合させたノくターンを有す
る着色偏光膜（図示せず）が、また電極Ｘ１＋ ｘ、
〜Ｘ６の上層にニュートラル偏光板（図示せず）が配さ
ｎて直交ニコルを形成するようにしである。そして透明
な両電極Ｘ１＋ ｘ２〜Ｘ６及びＹ１〜Ｙ４間に選択
的課電が行われると、その電極間に挾ま扛た領域（図面
の交叉部分）が着色表示さｎることになる。第２図はこ
のような表示電極部のパターンを表している。斯かる単
純マトリックス方式の場合は同層に形成される電極間間
隔を細くすることによって開口率を高め、また漏ｎの光
を抑制してコントラストを高め得るが、電極形成の際の
エツチングの精度、及び前述のクロストークの問題によ
り限界があるのである。
に並設さｎた横長の電極Ｙ、〜Ｙ４の層と、横に並設さ
ｎた縦長の電極Ｘ１〜Ｘ、の層との間に液晶層（図示せ
ず）が設けら扛、例えば電極Ｙ１〜Ｙ４の膚の下層に電
極Ｘｉ？ Ｘ２〜ｘ６と整合させたノくターンを有す
る着色偏光膜（図示せず）が、また電極Ｘ１＋ ｘ、
〜Ｘ６の上層にニュートラル偏光板（図示せず）が配さ
ｎて直交ニコルを形成するようにしである。そして透明
な両電極Ｘ１＋ ｘ２〜Ｘ６及びＹ１〜Ｙ４間に選択
的課電が行われると、その電極間に挾ま扛た領域（図面
の交叉部分）が着色表示さｎることになる。第２図はこ
のような表示電極部のパターンを表している。斯かる単
純マトリックス方式の場合は同層に形成される電極間間
隔を細くすることによって開口率を高め、また漏ｎの光
を抑制してコントラストを高め得るが、電極形成の際の
エツチングの精度、及び前述のクロストークの問題によ
り限界があるのである。
第３図は２重マ） ＩＪラックス式の場合の電極パター
ンを示しており、横方向に並設さｎた電極ｘＩｔＸ２＋
ｘ３とＸＩ’ ｌ Ｘ２’ ｔ Ｘ３’とが相補的形
状を有しテ形成さｎている点が第１図に示す単純マトリ
ックス方式のものと相異している。
ンを示しており、横方向に並設さｎた電極ｘＩｔＸ２＋
ｘ３とＸＩ’ ｌ Ｘ２’ ｔ Ｘ３’とが相補的形
状を有しテ形成さｎている点が第１図に示す単純マトリ
ックス方式のものと相異している。
第４図はこのような２重マトリックス方式のものの表示
部のパターンを示し、第５図は２ドツト分を拡大して示
している。表示部ＡＩ＋ Ａ２夫々に連なる電極部Ｂ１
．Ｂ２は表示部ＡＩ＋ Ａ２の点灯時にも見えにくくな
るように可及的に細く形成さ扛るが、過度に細くすると
抵抗値が高くなって液晶の駆動に支障を来たすので限度
がある。またＣで示す電極間ギャップ部も表示に与らな
いので狭幅化が望まｎるが、エツチング精度から限界が
ある。
部のパターンを示し、第５図は２ドツト分を拡大して示
している。表示部ＡＩ＋ Ａ２夫々に連なる電極部Ｂ１
．Ｂ２は表示部ＡＩ＋ Ａ２の点灯時にも見えにくくな
るように可及的に細く形成さ扛るが、過度に細くすると
抵抗値が高くなって液晶の駆動に支障を来たすので限度
がある。またＣで示す電極間ギャップ部も表示に与らな
いので狭幅化が望まｎるが、エツチング精度から限界が
ある。
このために開口率（ＡＩ ＋ Ａ２）／（ＡＩ ＋ Ａ
ｌ！ ＋ Ｂｌ ＋ Ｂ、＋ ｃ）Ｘ１００ （％）
（ＡＩｔ Ａ２ｔ ”ｌｓ Ｂ２ｔ ｃは夫々の部分
の面積を示す〕は６０〜７０％と低くならざるを得す、
４重マトリックス方式の場合には５０〜６０％にまで低
下する。
ｌ！ ＋ Ｂｌ ＋ Ｂ、＋ ｃ）Ｘ１００ （％）
（ＡＩｔ Ａ２ｔ ”ｌｓ Ｂ２ｔ ｃは夫々の部分
の面積を示す〕は６０〜７０％と低くならざるを得す、
４重マトリックス方式の場合には５０〜６０％にまで低
下する。
而して、第５図においてＡＩｔ Ａ２がオフである場合
は全面に光が透過するのに対し、１１９ ｈ、がオンで
ある場合はＡＩ ’４＊ ＢＩｓ Ｂ２の部分の光が遮
断さ扛、Ｃの部分の光は透過してくるので、と扛らの両
領域の光強度比、つまりコントラストが低下することに
なるのである。またＡ、のみを点灯させる場合にＢ１が
点灯することもコントラスト低下の要 ′因となっ
ている。
は全面に光が透過するのに対し、１１９ ｈ、がオンで
ある場合はＡＩ ’４＊ ＢＩｓ Ｂ２の部分の光が遮
断さ扛、Ｃの部分の光は透過してくるので、と扛らの両
領域の光強度比、つまりコントラストが低下することに
なるのである。またＡ、のみを点灯させる場合にＢ１が
点灯することもコントラスト低下の要 ′因となっ
ている。
本発明は斯かる現象に着目してなさｎたもので１）、ド
ツトマトリックスを構成する表示電極部Ａｌｅ Ａ２等
以外の部分に光遮断部を設けて領域Ｂ。
ツトマトリックスを構成する表示電極部Ａｌｅ Ａ２等
以外の部分に光遮断部を設けて領域Ｂ。
Ｃ等からの光漏入を防止してコントラストの向上を図っ
た液晶表示素子を提供することを目的とする０ 本発明に係る液晶表示素子は着色偏光層と、液晶層とを
組合せてなるドツトマトリックス式の液晶表示素子にお
いて液晶層への課電用の光示電極部以外の領域に光遮断
部を形成しであることを特徴としている。
た液晶表示素子を提供することを目的とする０ 本発明に係る液晶表示素子は着色偏光層と、液晶層とを
組合せてなるドツトマトリックス式の液晶表示素子にお
いて液晶層への課電用の光示電極部以外の領域に光遮断
部を形成しであることを特徴としている。
第６図は単純マトリックス方式における本発明素子のパ
ターン図であり、表示電極部Ａを残して他の領域を光遮
断部（ハ・ソチングを付して示す）としている。
ターン図であり、表示電極部Ａを残して他の領域を光遮
断部（ハ・ソチングを付して示す）としている。
第７図は２重マトリックス方式における本発明素子のパ
ターン図であや、表示電極部Ａ、、 Ａ２を残して他の
領域を光遮断部（ハツチングを付して示す）としている
。
ターン図であや、表示電極部Ａ、、 Ａ２を残して他の
領域を光遮断部（ハツチングを付して示す）としている
。
第８図はフルカラー表示用液晶表示素子に本発明を適用
した場合のパターン図であシ、４重マトリックス方式と
している。各表示電極部Ａ１．Ａ２゜Ａ３ｓ Ａ４は各
表示電極部間を連結する狭幅電極部（第５図のＢＩｓ
Ｂ２相当部）の形成領域確保のために８つの表示電極部
をｌサイクルとする態様で少しずつ位置をずらせて配し
である。斯かる狭幅電極部及び電極間ギャップ部（第５
図のＣ相当部）には光遮断部（ハツチングを付して示す
）を形成している。縦の同列に並設さ扛ている表示電極
部は夫々同色の発色に与り、図示の部分では最左列から
赤（■）、緑（■）及び青（■）の順に配しである０ このような光遮断部は例えば上記発色に係る着色偏光膜
と同層に、偏光機能を付与することなく光吸収を行わし
める黒色の染料を用いて形成さｎ。
した場合のパターン図であシ、４重マトリックス方式と
している。各表示電極部Ａ１．Ａ２゜Ａ３ｓ Ａ４は各
表示電極部間を連結する狭幅電極部（第５図のＢＩｓ
Ｂ２相当部）の形成領域確保のために８つの表示電極部
をｌサイクルとする態様で少しずつ位置をずらせて配し
である。斯かる狭幅電極部及び電極間ギャップ部（第５
図のＣ相当部）には光遮断部（ハツチングを付して示す
）を形成している。縦の同列に並設さ扛ている表示電極
部は夫々同色の発色に与り、図示の部分では最左列から
赤（■）、緑（■）及び青（■）の順に配しである０ このような光遮断部は例えば上記発色に係る着色偏光膜
と同層に、偏光機能を付与することなく光吸収を行わし
める黒色の染料を用いて形成さｎ。
る。次に第９図に基き本発明素子の製造方法の１例につ
き説明する。まずＰＶＡ膜を一方向に２〜５倍に延伸し
てなる延伸ＰＶＡ膜２をガラス製の透明基板１上に、Ｐ
ＶＡ系接着剤を用いて接着する。〔第９図（イ）〕。次
に第９図←）に示すように膜２上にフォトレジスト３を
適厚に塗着し、次いで第２色（例えば緑）、第３色（例
えは青）の発色を行わせるべき部分が露光するようにし
たパターンのマスク（図示せず）を用いて露光してこの
部分を硬化させ、非露光の未硬化部分を現像処理にて溶
解除去し、第９図（ハ）に示すように第１色（例えば赤
）の発色を行わせるべき部分の膜２表面を露出させる。
き説明する。まずＰＶＡ膜を一方向に２〜５倍に延伸し
てなる延伸ＰＶＡ膜２をガラス製の透明基板１上に、Ｐ
ＶＡ系接着剤を用いて接着する。〔第９図（イ）〕。次
に第９図←）に示すように膜２上にフォトレジスト３を
適厚に塗着し、次いで第２色（例えば緑）、第３色（例
えは青）の発色を行わせるべき部分が露光するようにし
たパターンのマスク（図示せず）を用いて露光してこの
部分を硬化させ、非露光の未硬化部分を現像処理にて溶
解除去し、第９図（ハ）に示すように第１色（例えば赤
）の発色を行わせるべき部分の膜２表面を露出させる。
そして沃素、第１色の染料よシなる偏光インク４にて着
色し〔第９図に）〕、次いで第９図（ホ）に示すように
フォトレジスト３を剥離する。こ扛により一膜２には第
１色着色領域２１が形成されたことになる。
色し〔第９図に）〕、次いで第９図（ホ）に示すように
フォトレジスト３を剥離する。こ扛により一膜２には第
１色着色領域２１が形成されたことになる。
上述のフォトレジスト塗着〜剥離までの工程を第２色、
第３色のために反復すると第９図（へ）に示すように透
明基板１上に第２色着色領域２２及び第３色着色領域２
３が平行形成さｔた状態が得らｎる。
第３色のために反復すると第９図（へ）に示すように透
明基板１上に第２色着色領域２２及び第３色着色領域２
３が平行形成さｔた状態が得らｎる。
更に第９図（ト）に示すように膜２正にフォトレジスト
３′を塗着し、表示電極部となるべき部分だけが露光す
るようにしたパターンのマスク（図示せず）を用いて無
光してこの部分を硬化させ、非露光の未硬化部分を現像
処理にて溶解除去し、第９図（ホ）に示すように光遮断
部を形成すべき部分の膜面を露出させる。そして偏光機
能を与えない光吸収性の染料５にて着色し〔泥９図（’
、Ｉ） 〕、次いで第９図に））Ｋ示すようにフォトレ
ジスト３′を剥離する。
３′を塗着し、表示電極部となるべき部分だけが露光す
るようにしたパターンのマスク（図示せず）を用いて無
光してこの部分を硬化させ、非露光の未硬化部分を現像
処理にて溶解除去し、第９図（ホ）に示すように光遮断
部を形成すべき部分の膜面を露出させる。そして偏光機
能を与えない光吸収性の染料５にて着色し〔泥９図（’
、Ｉ） 〕、次いで第９図に））Ｋ示すようにフォトレ
ジスト３′を剥離する。
と扛によって膜２の所要部に光遮断部２ｏが形成さｎた
ことになる。
ことになる。
第１０図はこのようにして製造された本発明素子の断面
構造を示しておシ、膜２上には透明薄膜５が被着形成さ
ｎｌその上層には着色領域２１゜２２．２３の３１１２
股方向に延びる（換言すｎば着色領域２１，２２．２３
の延びる方向・・・図面の表裏方向・・・と直交する方
向に延びる）多数の平行電極Ｙが形成さｎ１更にその上
層には配向層６．液晶層７及びもう−っの配向層８が設
けらｎｌこの配向層８の上層に電極Ｙと直交する方向（
着色領域２１．２２．２３の延びる方向と同方向）に延
びる電極ＸＩｓ ｘ２＊ ｘ３・・・恥が形成さｎｌ、
更にその上層 ゛に透明基板９が形成さｎ１ニユ
ートラル偏光板１゜が着色さｒした偏光膜と直交ニコル
を構成するように組合さｎる。
構造を示しておシ、膜２上には透明薄膜５が被着形成さ
ｎｌその上層には着色領域２１゜２２．２３の３１１２
股方向に延びる（換言すｎば着色領域２１，２２．２３
の延びる方向・・・図面の表裏方向・・・と直交する方
向に延びる）多数の平行電極Ｙが形成さｎ１更にその上
層には配向層６．液晶層７及びもう−っの配向層８が設
けらｎｌこの配向層８の上層に電極Ｙと直交する方向（
着色領域２１．２２．２３の延びる方向と同方向）に延
びる電極ＸＩｓ ｘ２＊ ｘ３・・・恥が形成さｎｌ、
更にその上層 ゛に透明基板９が形成さｎ１ニユ
ートラル偏光板１゜が着色さｒした偏光膜と直交ニコル
を構成するように組合さｎる。
斯かる本発明素子にあってはコントラストを低下させる
光の漏入を有効に防止できコントラスト向上効果が奏さ
ｎることは勿論、各色の表示も透過白色光にて薄めらｎ
ることがないので色純度も向上することになる。なお本
発明素子と、光遮断部を有していない従来品とにつき白
黒光量比を比較測定したとζろ、従来品では２．０であ
ったのが本発明素子では２．９（但し開口率はともに５
５チ）となシ本発明の効果が実証された。
光の漏入を有効に防止できコントラスト向上効果が奏さ
ｎることは勿論、各色の表示も透過白色光にて薄めらｎ
ることがないので色純度も向上することになる。なお本
発明素子と、光遮断部を有していない従来品とにつき白
黒光量比を比較測定したとζろ、従来品では２．０であ
ったのが本発明素子では２．９（但し開口率はともに５
５チ）となシ本発明の効果が実証された。
第１図は単純マトリックス方式の電極パターン図、第６
図はその表示電極部のパターン図、第３図は２重マトリ
ックス方式の電極パターン図、第４図はその表示電極部
のパターン図、第５図は更にその拡大説明図、第６．７
．８図は本発明素子のパターン図、第９図（イ）〜←）
は本発明素子の製造方法説明図、第１０図は本発明素子
の断面構造図である。 Ａｌｔ ’４＋ Ａａｗ Ａ４・・・表示電極部
１・・・透明基板′Ｉ４ｉ′１−： 礼・・１・偏光膜 ７・・・液晶層 、：：１ Ｘ−！すｘ２．ｘ３・・・ｘｎ、Ｙ、Ｙｌ、Ｙ２…透明
電極特許出願人 三洋電機株式会社 三立電機株式会社 代理人弁理士 河 野 登 夫 ＸＩ Ｘ２−−−−−−−−−−−Ｘ６＄ １ 名 ｘ、 Ｘ２ Ｘ３ ０−口日■■ ■日■■■■ ■−−ロロロ 革 ２ 図 ５２０− ５Ｇ４図 薄う凹 茸Ｇ図 １）開−５８−２００２８３（５）
図はその表示電極部のパターン図、第３図は２重マトリ
ックス方式の電極パターン図、第４図はその表示電極部
のパターン図、第５図は更にその拡大説明図、第６．７
．８図は本発明素子のパターン図、第９図（イ）〜←）
は本発明素子の製造方法説明図、第１０図は本発明素子
の断面構造図である。 Ａｌｔ ’４＋ Ａａｗ Ａ４・・・表示電極部
１・・・透明基板′Ｉ４ｉ′１−： 礼・・１・偏光膜 ７・・・液晶層 、：：１ Ｘ−！すｘ２．ｘ３・・・ｘｎ、Ｙ、Ｙｌ、Ｙ２…透明
電極特許出願人 三洋電機株式会社 三立電機株式会社 代理人弁理士 河 野 登 夫 ＸＩ Ｘ２−−−−−−−−−−−Ｘ６＄ １ 名 ｘ、 Ｘ２ Ｘ３ ０−口日■■ ■日■■■■ ■−−ロロロ 革 ２ 図 ５２０− ５Ｇ４図 薄う凹 茸Ｇ図 １）開−５８−２００２８３（５）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、着色偏光層と液晶層とを組合せてなるドツトマトリ
ックス式の液晶表示素子において、液晶層への課電用の
表示電極部以外の領域に光遮断部を形成しであることを
特徴とする液晶表示素子０ ２、前記光遮断部は、偏光機能を与えない光吸収用染料
を用いてなる特許請求の範囲第１項記載の液晶表示素子
。゛
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57084604A JPS58200283A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57084604A JPS58200283A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58200283A true JPS58200283A (ja) | 1983-11-21 |
| JPH0235966B2 JPH0235966B2 (ja) | 1990-08-14 |
Family
ID=13835282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57084604A Granted JPS58200283A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58200283A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05257155A (ja) * | 1993-02-18 | 1993-10-08 | Seiko Epson Corp | 液晶表示体 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS538596A (en) * | 1976-07-12 | 1978-01-26 | Tokyo Cosmos Electric | Shielding film ink at pattern forming time |
| JPS5560919A (en) * | 1978-11-01 | 1980-05-08 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device |
| JPS5778022U (ja) * | 1980-10-29 | 1982-05-14 |
-
1982
- 1982-05-18 JP JP57084604A patent/JPS58200283A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS538596A (en) * | 1976-07-12 | 1978-01-26 | Tokyo Cosmos Electric | Shielding film ink at pattern forming time |
| JPS5560919A (en) * | 1978-11-01 | 1980-05-08 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device |
| JPS5778022U (ja) * | 1980-10-29 | 1982-05-14 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05257155A (ja) * | 1993-02-18 | 1993-10-08 | Seiko Epson Corp | 液晶表示体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0235966B2 (ja) | 1990-08-14 |
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