JPS58199657A - 半導体部品端子の予備ハンダ付け方法 - Google Patents
半導体部品端子の予備ハンダ付け方法Info
- Publication number
- JPS58199657A JPS58199657A JP8003882A JP8003882A JPS58199657A JP S58199657 A JPS58199657 A JP S58199657A JP 8003882 A JP8003882 A JP 8003882A JP 8003882 A JP8003882 A JP 8003882A JP S58199657 A JPS58199657 A JP S58199657A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- flux
- terminal
- terminals
- soldering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K3/00—Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
- B23K3/06—Solder feeding devices; Solder melting pans
- B23K3/0646—Solder baths
- B23K3/0653—Solder baths with wave generating means, e.g. nozzles, jets, fountains
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は半導体部品端子の予備はんだ付けｂ法に関する
ものであって、特に端子を噴流けんだに浸漬して予備は
んだ付けする方法において、噴席けんだ表面が端子に塗
布したフラックスの作用により汚れ、この汚れによ抄予
備はんだ付は効果が損われる欠点を除くために端子を異
にる噴流けんだに少くとも２度＃漬するようにした予イ
ーけんだ付は方法に関する。 ＩＣ，トン／シスタ、タイオードなどの半導体部品しｔ
１半２浄体の小片に多数のり一ド＾子’ｒ４＋している
。これらσ、 ＋７−ド端子ｆ：を半導体部品が−）路
基板に組込１れるとさに、ｌ
ものであって、特に端子を噴流けんだに浸漬して予備は
んだ付けする方法において、噴席けんだ表面が端子に塗
布したフラックスの作用により汚れ、この汚れによ抄予
備はんだ付は効果が損われる欠点を除くために端子を異
にる噴流けんだに少くとも２度＃漬するようにした予イ
ーけんだ付は方法に関する。 ＩＣ，トン／シスタ、タイオードなどの半導体部品しｔ
１半２浄体の小片に多数のり一ド＾子’ｒ４＋している
。これらσ、 ＋７−ド端子ｆ：を半導体部品が−）路
基板に組込１れるとさに、ｌ
【１１路パターンの導体部
にはんだ付ν】されろ。、１：ころで、ζｔ１ら半２Ｓ
体部品が回路基板に組込まれる１でシ′こＱゴ、数カ月
の長期間をＬＩｉＬすることがあるので、例えば鉄−ニ
ッケル合金あるいは鋼からなる端子はその保イを中に例
えば空気酸化されることに↓り好時変化をおこし、後の
けんだ付けを不良にすることがある。そこでこれらの４
子の表Ｓｔ保■することが竹われるが、この保嚢方法の
１つとしてすずの荀′２１メツギ法が使用されて（へる
。ところが、このすすの耐久メッキ法は、メッキされだ
すずそのものが空気中で経時変化して耐墳鳩性が悪いう
えに、公害ｆ、１自トの排水規制上メッキ廃液処理にた
くの手間と費用がかかる。そこで、端子をすすと鉛から
々るけんだで保縛することも考えられる。これ目すすだ
けの場合に比べ、後に回路基板にはんだ付けするとき、
そのはんだ付は性を良くすることからものぞましい。 ところで、このはんだで端子を保霞するＫＦｉ、先ず端
子表面にフラックスを塗布し、十の＊に溶融はんだに接
触させて端子にはんだ儂慢鱗を形成する。この際、端子
はフシックス塗布彼、１００〜２００℃、２〜３分間予
備加熱される。これは２４０〜２５０℃のはんだに端子
が直接接触することにより端子の熱膨張が急におこり、
半導体部品本体との間に急激な熱応力が生じないようＫ
するためである。このように予備加熱されると、フラッ
クスの作用も活性化されてフラックスとしての機能も増
大する。 しかしながら、この７ラツクスの作用の活性化は、端子
が高温の噴流はんだに接触するときにこのはんだに対し
て酸化を促、進させ、あるいはこのはんだとの間に反応
生成物を生じさせる。このフラックスの作用は使用され
るフラックスにより異るが、酸性の強い水性フラックス
を使用するときにその効果が著しい。ところか例え１ｉ
ｌｃの半導体部品は、樹脂あるい＃′ｉナラミックスで
モールドされるとき、例！えは３００℃で３分間も加熱
されることがあるが、この場合端子Ｆｉ酸化され易いの
でその酸化物を除くために強い酸性の水性フラックスを
使用することが多い。そのため、噴流はんだに対するこ
のフラックスの作用も大きいので、はんだに酸化物ある
いはフラックスとの反応生成物が生じ易く、これが噴流
はんだの表面に汚染物として浮遊することになる。また
、端子表面のフラックス換も噴［；１ん次により剥ぎと
られ、これがはんだ表面に＃遊する。このような汚染物
は常にわき出る新鮮なはんだに押しのけられて流下する
が、この汚染物が端子表面に付着することもある。この
ようになると、端子表面にじみが生じ光沢のない表面を
生じるので外観を害するのみならず、この汚染物、廻え
ばフラックスに塩ｆ＃／＃Ａが含まれているときにキロ
た塩化錫のようなものが端子表面を鵬蝕する原因となっ
たり、あるいけ水性フラックスの残留物が端子と４子の
間の絶縁を損うことかある。このように端子が腐蝕され
たに、絶縁が害されると、ＩＣの性能を損うことＫなる
。 上記のことは、特に半導体部品が流れ作業にしたがって
連続的に供給され、端子が順次噴流はんだに接触するよ
うな場合には、先行する端子の７ラツクスによる浮遊物
が未だ流下されない内Ｋｖｋ続の端子が供給されて搬出
されるときにこの浮遊物を端子表面に多く付着すること
になる。このようなことを防止するには、半導体部品の
供給間隔を大きくしなけれにならないなど、生産能率を
低下させる原因になるのでその改良が景望されていた。 したがって、本発明は、以上のように、従来、噴流はん
だによる半導体部品端子の予備はんだ付けが良く行ハれ
力かった問題点を改善するために端子を別個の噴流はん
だに少くとも２回接触させることにより端子に良好表予
備はんだ付けを行うようにした半導体部品端子の予備は
んだ付は方法を提供するものである。 そのために本発明の半導体部品端子の予備はんだ付は方
法は、半導体部品端子に７ラツクスの膜管形成し、つい
でこの半導体部品を予備加熱してはんだ付は装置に導き
、とのはＸ７だ付は装置に独立し九少くとも２つのけん
だｑｍを設けてこれらの噴ｆＩ１．はんだの頂部に上記
半導体部品の端子を順次接触させ、これによりそれぞれ
の噴ｔＪ″’ｒｔｌｄんだにより重複して６んだ付を行
うことを％僧とするものである。 次に本発明の一実施例を第１図及び第２図にもとづいて
説明する。 第１図は本実施例に使用する装置の概略別硯図、第２図
はこの実施例の工程説明図である。 図中、ｌＦｉけんだ付は装置であって、このはんだ付は
装置１は、はんだ槽２にノズル装置３が設けられている
。このノズル装置３は２つのノズル４および５を有し、
それぞれのノズル４および５はそれぞれ両＠縁に案内板
４ｍ、４ｂおよび５ ｍ ＋５ｂを有している。そして
、これらのノズル４と５の開けそれぞれの側壁によりＶ
字型に連続した溝６を構成している。この１１１６の上
端の巾および深さけ、ノズル４から噴出したけんだによ
り形成され走出とノズル５から噴出し九はんだにより形
成された山が相互に影響されず独立しており、ノズル４
のはんだの山に浮遊した浮遊物がノズル５のはんだの山
に移行しないようになっている。仁の＄６の底部に溜っ
たはんだはｍ６の両端より常に溢出し、その表面は常に
けんだ槽２のはんだと同一レベルに保九れている。なお
はんだ槽２に収容された溶融はんだは図示省略した羽根
車の作動により、ノズル４および５から噴出される。 このようなはんだ付は装置１を用いて、ＩＣの半導体部
品Ａの端子ａ、ａ・−・・・の予備はんだ付けを行うに
は、第２図に示すように先ずこの半導体部品Ａの端子ａ
、ａ・・・・・・をフラックス装置７の水性フラックス
に浸漬し、ついでヒータ８によ６ｉ１００〜２００℃、
２〜３分加熱する。この俵半導体部品Ａをはんだ付は装
置ＩＫ供給する。はんだ付は装置ｌではそれぞれのノズ
ル４および５からはんだを噴出させておき、先ずノズル
４から噴出しているはんだに上記半導体部品Ａの端′子
烏。 ａ・・・・・・を順次接触させる。このとき高温のはん
だは端子表向のフラックスの作用により酸化物あるいは
フラックスとの反応生成物を生じはんだ−ｐ面に浮遊す
る。これとともに洩子表ｆｌｌ＋のフラックス本一部は
ん疋の圧力により剥き増らね、はんだ表面に浮遊する。 そしてこれらの浮遊物１１１けんだの流れにしたがって
両側の案内板４ｍ、４ｂに沿って流下される。このよう
に供給される端子毎に浮遊物が生じ、端子は順次連続的
に供給゛されてくるので、新鮮なはんだが噴出されても
この浮遊物Ｆｉ流下し終らないうちに後続の端子に接触
し、これに付着することに々る。これが順次供給される
半導体部品毎に行われると、後続の半導体部品の端子＃
１ど、表面にじみが生じたようになり、一様なはんだの
被Ｓ膜が全面に形成されないことになる。 このようなじみの生じたよりな端子かノズル５に供給さ
れ、ノズル５からの噴出はんだに接触すると、今度は端
子表向のフラックス量は少く、ま九このフラックスの作
用も刹められているので、はんだはこのフラックスによ
る影響が少く、常に新鮮なげん友が供給される。そして
このはんだの圧力により端子に付着した上配浮遊物は洗
い流され、端子には光沢のある一様表はんだ膜が形成さ
れる。これは半導体部品が連続的に供給されても同じで
ある。彦おこの際フラックスはけんだが端子からツララ
のように垂下しない程度に残留している。 このようにして予備はんだ付けされた端子は洗浄装置９
により水洗され、残留しているフラックスが除去される
。この際すでに２度はんだ付けされているので、残留フ
ラックスの量も少くできるため、水洗液に含まれるフラ
ックスの量も少くでき、公害上の排水規制：（有利であ
る。 上記のようＫして予備はんだ付けされた端子は、上記の
ように塩化錫のような腐蝕原因物質や水性フラックス験
のような導電性物がほとんどないので端子の腐蝕も々く
、端子間の絶縁を害することもない。なお、水性フラッ
クスの残留程度を検査するには、予備はんだ付けした端
子を純水に浸し、その導電率を測定するが、上記のよう
に２度はんだ付けしたものはその変化が＃１とんどなか
った。 なお、上記はんだ付は装置１は、第３図に示すようにノ
ズル口１０を２分するように丸棒１１を横架し、それぞ
れの分割された分割ノズル口１０ａ。 １０ｂからはんだを第４図にｚｌ＜すように噴流させて
も良い。 以上故明したように、結局本発明によれば、半導体部品
端子を少くとも２回に分けて噴流はんだに接触させるよ
うにしたので、上記端子を噴流はんだに１回接触させる
友けの場合に比べ、均一なはんだ被横層を形成できる。 そのため光沢ある外観を与えるとともに、フラックスに
もとプ゛く腐蝕性物１Ｆ−？導電性物質の少い予備はん
だ層を形成できるので、半導体部品としての信頼性も高
く保つことができる。さらに、噴流する溶融はんだに対
するフラックスのマイナスの作用は、端子が最初に接触
する噴流はんだのところでほとんど減殺でき、次の噴流
はんだに端子が接触すると６はこのフラックスの影響を
少くできるので、はんだに対する酸化力の強い強力なフ
ラックスを使用することができる。そのため酸化物を多
く生成している端子の噴流けＪによるけんだ付けを容易
にすることができ、予備はんだ付けの応用範囲を拡大で
きる。 このようにして噴漬けんだにより性能のよい予備けんだ
付性が可能になると、流れ作業による生産性の利点を生
かすことができる。特に半導体部品を近接して連続供給
しても、１紀のように高性能の予備はんだ付けが可能に
な炒、生産性を著しく向上することができる。これは、
電気メッキのようにロフト毎に不連続的にメッキ処理す
る場合に比べ、省力化と生産性の点で格段の相違となる
。
にはんだ付ν】されろ。、１：ころで、ζｔ１ら半２Ｓ
体部品が回路基板に組込まれる１でシ′こＱゴ、数カ月
の長期間をＬＩｉＬすることがあるので、例えば鉄−ニ
ッケル合金あるいは鋼からなる端子はその保イを中に例
えば空気酸化されることに↓り好時変化をおこし、後の
けんだ付けを不良にすることがある。そこでこれらの４
子の表Ｓｔ保■することが竹われるが、この保嚢方法の
１つとしてすずの荀′２１メツギ法が使用されて（へる
。ところが、このすすの耐久メッキ法は、メッキされだ
すずそのものが空気中で経時変化して耐墳鳩性が悪いう
えに、公害ｆ、１自トの排水規制上メッキ廃液処理にた
くの手間と費用がかかる。そこで、端子をすすと鉛から
々るけんだで保縛することも考えられる。これ目すすだ
けの場合に比べ、後に回路基板にはんだ付けするとき、
そのはんだ付は性を良くすることからものぞましい。 ところで、このはんだで端子を保霞するＫＦｉ、先ず端
子表面にフラックスを塗布し、十の＊に溶融はんだに接
触させて端子にはんだ儂慢鱗を形成する。この際、端子
はフシックス塗布彼、１００〜２００℃、２〜３分間予
備加熱される。これは２４０〜２５０℃のはんだに端子
が直接接触することにより端子の熱膨張が急におこり、
半導体部品本体との間に急激な熱応力が生じないようＫ
するためである。このように予備加熱されると、フラッ
クスの作用も活性化されてフラックスとしての機能も増
大する。 しかしながら、この７ラツクスの作用の活性化は、端子
が高温の噴流はんだに接触するときにこのはんだに対し
て酸化を促、進させ、あるいはこのはんだとの間に反応
生成物を生じさせる。このフラックスの作用は使用され
るフラックスにより異るが、酸性の強い水性フラックス
を使用するときにその効果が著しい。ところか例え１ｉ
ｌｃの半導体部品は、樹脂あるい＃′ｉナラミックスで
モールドされるとき、例！えは３００℃で３分間も加熱
されることがあるが、この場合端子Ｆｉ酸化され易いの
でその酸化物を除くために強い酸性の水性フラックスを
使用することが多い。そのため、噴流はんだに対するこ
のフラックスの作用も大きいので、はんだに酸化物ある
いはフラックスとの反応生成物が生じ易く、これが噴流
はんだの表面に汚染物として浮遊することになる。また
、端子表面のフラックス換も噴［；１ん次により剥ぎと
られ、これがはんだ表面に＃遊する。このような汚染物
は常にわき出る新鮮なはんだに押しのけられて流下する
が、この汚染物が端子表面に付着することもある。この
ようになると、端子表面にじみが生じ光沢のない表面を
生じるので外観を害するのみならず、この汚染物、廻え
ばフラックスに塩ｆ＃／＃Ａが含まれているときにキロ
た塩化錫のようなものが端子表面を鵬蝕する原因となっ
たり、あるいけ水性フラックスの残留物が端子と４子の
間の絶縁を損うことかある。このように端子が腐蝕され
たに、絶縁が害されると、ＩＣの性能を損うことＫなる
。 上記のことは、特に半導体部品が流れ作業にしたがって
連続的に供給され、端子が順次噴流はんだに接触するよ
うな場合には、先行する端子の７ラツクスによる浮遊物
が未だ流下されない内Ｋｖｋ続の端子が供給されて搬出
されるときにこの浮遊物を端子表面に多く付着すること
になる。このようなことを防止するには、半導体部品の
供給間隔を大きくしなけれにならないなど、生産能率を
低下させる原因になるのでその改良が景望されていた。 したがって、本発明は、以上のように、従来、噴流はん
だによる半導体部品端子の予備はんだ付けが良く行ハれ
力かった問題点を改善するために端子を別個の噴流はん
だに少くとも２回接触させることにより端子に良好表予
備はんだ付けを行うようにした半導体部品端子の予備は
んだ付は方法を提供するものである。 そのために本発明の半導体部品端子の予備はんだ付は方
法は、半導体部品端子に７ラツクスの膜管形成し、つい
でこの半導体部品を予備加熱してはんだ付は装置に導き
、とのはＸ７だ付は装置に独立し九少くとも２つのけん
だｑｍを設けてこれらの噴ｆＩ１．はんだの頂部に上記
半導体部品の端子を順次接触させ、これによりそれぞれ
の噴ｔＪ″’ｒｔｌｄんだにより重複して６んだ付を行
うことを％僧とするものである。 次に本発明の一実施例を第１図及び第２図にもとづいて
説明する。 第１図は本実施例に使用する装置の概略別硯図、第２図
はこの実施例の工程説明図である。 図中、ｌＦｉけんだ付は装置であって、このはんだ付は
装置１は、はんだ槽２にノズル装置３が設けられている
。このノズル装置３は２つのノズル４および５を有し、
それぞれのノズル４および５はそれぞれ両＠縁に案内板
４ｍ、４ｂおよび５ ｍ ＋５ｂを有している。そして
、これらのノズル４と５の開けそれぞれの側壁によりＶ
字型に連続した溝６を構成している。この１１１６の上
端の巾および深さけ、ノズル４から噴出したけんだによ
り形成され走出とノズル５から噴出し九はんだにより形
成された山が相互に影響されず独立しており、ノズル４
のはんだの山に浮遊した浮遊物がノズル５のはんだの山
に移行しないようになっている。仁の＄６の底部に溜っ
たはんだはｍ６の両端より常に溢出し、その表面は常に
けんだ槽２のはんだと同一レベルに保九れている。なお
はんだ槽２に収容された溶融はんだは図示省略した羽根
車の作動により、ノズル４および５から噴出される。 このようなはんだ付は装置１を用いて、ＩＣの半導体部
品Ａの端子ａ、ａ・−・・・の予備はんだ付けを行うに
は、第２図に示すように先ずこの半導体部品Ａの端子ａ
、ａ・・・・・・をフラックス装置７の水性フラックス
に浸漬し、ついでヒータ８によ６ｉ１００〜２００℃、
２〜３分加熱する。この俵半導体部品Ａをはんだ付は装
置ＩＫ供給する。はんだ付は装置ｌではそれぞれのノズ
ル４および５からはんだを噴出させておき、先ずノズル
４から噴出しているはんだに上記半導体部品Ａの端′子
烏。 ａ・・・・・・を順次接触させる。このとき高温のはん
だは端子表向のフラックスの作用により酸化物あるいは
フラックスとの反応生成物を生じはんだ−ｐ面に浮遊す
る。これとともに洩子表ｆｌｌ＋のフラックス本一部は
ん疋の圧力により剥き増らね、はんだ表面に浮遊する。 そしてこれらの浮遊物１１１けんだの流れにしたがって
両側の案内板４ｍ、４ｂに沿って流下される。このよう
に供給される端子毎に浮遊物が生じ、端子は順次連続的
に供給゛されてくるので、新鮮なはんだが噴出されても
この浮遊物Ｆｉ流下し終らないうちに後続の端子に接触
し、これに付着することに々る。これが順次供給される
半導体部品毎に行われると、後続の半導体部品の端子＃
１ど、表面にじみが生じたようになり、一様なはんだの
被Ｓ膜が全面に形成されないことになる。 このようなじみの生じたよりな端子かノズル５に供給さ
れ、ノズル５からの噴出はんだに接触すると、今度は端
子表向のフラックス量は少く、ま九このフラックスの作
用も刹められているので、はんだはこのフラックスによ
る影響が少く、常に新鮮なげん友が供給される。そして
このはんだの圧力により端子に付着した上配浮遊物は洗
い流され、端子には光沢のある一様表はんだ膜が形成さ
れる。これは半導体部品が連続的に供給されても同じで
ある。彦おこの際フラックスはけんだが端子からツララ
のように垂下しない程度に残留している。 このようにして予備はんだ付けされた端子は洗浄装置９
により水洗され、残留しているフラックスが除去される
。この際すでに２度はんだ付けされているので、残留フ
ラックスの量も少くできるため、水洗液に含まれるフラ
ックスの量も少くでき、公害上の排水規制：（有利であ
る。 上記のようＫして予備はんだ付けされた端子は、上記の
ように塩化錫のような腐蝕原因物質や水性フラックス験
のような導電性物がほとんどないので端子の腐蝕も々く
、端子間の絶縁を害することもない。なお、水性フラッ
クスの残留程度を検査するには、予備はんだ付けした端
子を純水に浸し、その導電率を測定するが、上記のよう
に２度はんだ付けしたものはその変化が＃１とんどなか
った。 なお、上記はんだ付は装置１は、第３図に示すようにノ
ズル口１０を２分するように丸棒１１を横架し、それぞ
れの分割された分割ノズル口１０ａ。 １０ｂからはんだを第４図にｚｌ＜すように噴流させて
も良い。 以上故明したように、結局本発明によれば、半導体部品
端子を少くとも２回に分けて噴流はんだに接触させるよ
うにしたので、上記端子を噴流はんだに１回接触させる
友けの場合に比べ、均一なはんだ被横層を形成できる。 そのため光沢ある外観を与えるとともに、フラックスに
もとプ゛く腐蝕性物１Ｆ−？導電性物質の少い予備はん
だ層を形成できるので、半導体部品としての信頼性も高
く保つことができる。さらに、噴流する溶融はんだに対
するフラックスのマイナスの作用は、端子が最初に接触
する噴流はんだのところでほとんど減殺でき、次の噴流
はんだに端子が接触すると６はこのフラックスの影響を
少くできるので、はんだに対する酸化力の強い強力なフ
ラックスを使用することができる。そのため酸化物を多
く生成している端子の噴流けＪによるけんだ付けを容易
にすることができ、予備はんだ付けの応用範囲を拡大で
きる。 このようにして噴漬けんだにより性能のよい予備けんだ
付性が可能になると、流れ作業による生産性の利点を生
かすことができる。特に半導体部品を近接して連続供給
しても、１紀のように高性能の予備はんだ付けが可能に
な炒、生産性を著しく向上することができる。これは、
電気メッキのようにロフト毎に不連続的にメッキ処理す
る場合に比べ、省力化と生産性の点で格段の相違となる
。
第１図は本発明の一実施例に使用するはんだ付は装−〇
概略斜視図、第２図はこの実施例の工程説明図、第３図
は他の実施例に使用するはんだ付は装置の要部の斜視図
、第４図はその使用状態の断面図である。
、。 図中、ｌはけんだ付は装置、２Ｆｉはんだ槽、３けノズ
ル装置、４，５ｉｊノズル、４畠、４ｂ。 ５ ｍ ＋ ５ ｂ案内板、６ｔｆ壽、７ｔｉフラツク
ス装置、８ ｒｊ上ヒータ９は水洗装置、ｌ０Ｖｉノズ
ル１］。 １０ｍ、１０ｂは分割ノズル口、ＩＩＪｒｉ丸棒、Ａは
半導体部品、ａｅａ・・・・・・Ｖｉ宿ｆである。 昭木１５７年５月１４日 発明者 宮野山廣 出 願 人 タムラ化研株式会社 第１図 第 ３１ツ１ １
概略斜視図、第２図はこの実施例の工程説明図、第３図
は他の実施例に使用するはんだ付は装置の要部の斜視図
、第４図はその使用状態の断面図である。
、。 図中、ｌはけんだ付は装置、２Ｆｉはんだ槽、３けノズ
ル装置、４，５ｉｊノズル、４畠、４ｂ。 ５ ｍ ＋ ５ ｂ案内板、６ｔｆ壽、７ｔｉフラツク
ス装置、８ ｒｊ上ヒータ９は水洗装置、ｌ０Ｖｉノズ
ル１］。 １０ｍ、１０ｂは分割ノズル口、ＩＩＪｒｉ丸棒、Ａは
半導体部品、ａｅａ・・・・・・Ｖｉ宿ｆである。 昭木１５７年５月１４日 発明者 宮野山廣 出 願 人 タムラ化研株式会社 第１図 第 ３１ツ１ １
Claims (1)
- （１）半導体部品端子にフラックスの膜を形成し、つい
でこの半導体部品を予備加熱してはんだ付は装置に導き
、このはんだ付は装置に独立した少くとも２つのはんだ
噴鵡ｔ、を設けてこれらの噴流はんだの頂部に上記半導
体部品の端子を順次接触させ、これによシそれぞれの噴
流はんだにより重複してはんだ付けを行うことを特徴と
する半導体部品端子の予備はんだ付は方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8003882A JPS58199657A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 半導体部品端子の予備ハンダ付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8003882A JPS58199657A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 半導体部品端子の予備ハンダ付け方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58199657A true JPS58199657A (ja) | 1983-11-21 |
Family
ID=13707073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8003882A Pending JPS58199657A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 半導体部品端子の予備ハンダ付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58199657A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06137319A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-05-17 | Toyo Kohan Co Ltd | 熱交換ロールおよびこれを用いた加熱、冷却ロール装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4913704U (ja) * | 1972-05-08 | 1974-02-05 | ||
| JPS5051449A (ja) * | 1973-09-07 | 1975-05-08 | ||
| JPS563152A (en) * | 1979-06-13 | 1981-01-13 | Mitsubishi Metal Corp | Soldering and cutting tool with surface-covered hard alloy metal tip |
-
1982
- 1982-05-14 JP JP8003882A patent/JPS58199657A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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