JPS58194846A - 光学活性アミノナフタセン誘導体とその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規な光学活性アミノナフタセン誘導体および
製造法に関するものである。

更に詳しくは一般式〔Ｉ〕 〔式中、Ａは部分式（ａ）あるいは（ｂｌがら選ばれ（
８） る一方を意味する。

Ｋ工は水素原子または一〇〇Ｒ７を意味する。

Ｒ２およびに３は低級アルコキシ基を意味するかあるい
はに２とＲ３でエチレンジオキシ基またはオキソ基を意
味する。Ｒ４およびｋ。

は共に水素原子を意味するか、一方が水素凍原子、ヒド
ロキシ基または一〇Ｃ０Ｒ７を意味する。Ｉｔ７は低級
アルキル基、低級ハロゲノアルキル基または−ｆｆ　　
（Ｘは水素原子またはハロゲン原子を意味する。）を意
味する。９位の立体配置は、１−２−アセチル−２−ア
セトアミノ−１，２，３，４−テトラヒドロ−５，８−
ジメトキシナフタレンの２（９） 位と同配置を意味し、部分式（ａ）および（ｂｌにおい
て、Ｒ６が水素原子である場合を除いて７位のＣ−０結
合と９位のＣＮ結合とは互いにシス配置であることを意
味する。〕 で示される光学活性９−アミノ−７，８，９゜１０−テ
トラヒドロナフタセン誘導体に関するものである。

本発明化合物は抗菌作用および制癌作用を有し、医薬品
として有用なものである。

本発明化合物に係わる一般式ＣＩ）で示される光学活性
９−アミノ−？、８，９．１０−テトラヒドロナフタセ
ン誘導体は下記の方法にて製造することができる。

一般式（ＩＩ） 〔式中、Ｒ７は前記と同じ意味を有し、２位（１０） の立体配置は１−２−アセチル−２−アセトアミノ−１
，２，３，４−テトラヒドロ−５゜８−ジメトキシナフ
タレンの２位と同配置を意味する。〕 で示される光学活性化合物を無水フタル酸とルイス酸の
存在下反応させることにより一般式（［） 〔式中、ｋ７は前記と同じ意味を有し、９位の立体配置
は前記化合物（ＩＩ）の２位と同配置であることを意味
する。〕 で示される光学活性化合物を得ることができる。

ルイス酸としては塩化アルミニウム、臭化アルミニウム
、塩化第二鉄、塩化スズが挙げられるが入手および取り
扱いの容易さから、塩化アルミニウムが好ましい。反応
は通常のＦｒ１ｅｄｅｌＣｒａ　ｆ　ｔ　８　　反応で
用いられる条件下で実施できるが、好ましい条件として
は無溶媒にて塩化ナトリウム等の塩を添加し溶融反応に
より行なう。

必要に応じ一般式（ＩＩ［）で示される光学活性化合物
を通常のアセタール化反応に付すことによ〔式中、Ｒ７
は前記と同じ意味を有し、９位の立体配置は前記化合物
（ＩＩＩ）の９位と同配置であることを意味する。　Ｒ
８およびに、は低級アルキル基を意味するか、Ｒ８とＲ
９でエチレン基を意味する。〕 で示される光学活性化合物を得ることができる。

必要に応じ一般式［１１１］、あるいは一般式（ＩＶ）
で示される光学活性化合物を適当な溶媒中でハロゲン化
剤と反応させることにより一般式〔■〕〔式中、Ｒ２，
Ｒ３およびＲ７は前記と同じ意味を有し、９位の立体配
置は前記化合物〔■〕の９位と同配置を意味し、７位Ｃ
−Ｏ結合は９位ＣＮ結合と互いにシス配置であることを
意味する。〕 で示される光学活性化合物を得ることができる。

ハロゲン化剤としては臭素、塩素、Ｎ−ブロムこはく酸
イミド、Ｎ−クロルこはく酸イミドを好適な例としてあ
げることができる。溶媒としては反応の進行を妨げるも
のでなければ特に制限がないが、四塩化炭素、クロロホ
ルム、ジクロロエタン、テトラクロロエタン等のハロゲ
ン化アルキル系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン
等のエーテル系溶媒、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプ
タン等の脂肪族系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン
等のケトン系溶媒、べ（１３） ンゼン、水、酢酸等の溶媒を単独あるいは任意の混合物
として用いることができる。反応は室温でも進行するが
、反応促進の為に加温し溶媒の沸点付近で行なうことも
できる。また必要に応じ反応促進の為にＮ、Ｎ’−アゾ
ビスインブチロニトリル、ベンゾイルパーオキサイド等
のラジカル開始剤の添加、あるいは可視光線の照射等を
行うことができる。

必要に応じ一般式（Ｖ）で示される光学活性化合物を塩
酸、硫酸等の鉱酸、あるいはｐ−トルエンスルホン酸等
の有機スルホン酸の存在下含水溶媒中加水分解反応に付
すことにより式［ＶＩ）０　α１　αＪ 〔式中、９位の立体配置は前記化合物〔■〕の９位と同
配置を意味し、７位Ｃ−Ｏ結合は９位Ｃ−Ｎ結合と互い
にシス配置であることを意味する。〕 （１４） で示される光学活性化合物を得ることができる。

溶媒としては水だけでも良いか、水と有機溶媒を混合し
たものを用いることもできる。この時の有機溶媒として
メタノール、エタノール、インプロパツール等のアルコ
アル系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエー
テル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン
系溶媒、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化
アルキル系溶媒、酢酸等の溶媒及びこれらの任意の混合
物を挙げることができる。反応は室温でも進行するが反
応を促進する為に溶媒の沸点付近まで加温することもで
きる。

必要に応じ式（ＶＩ）で示された光学活性化合物を一般
式〔■〕 Ｒ７Ｃ０ＯＨ［■］ 〔式中、Ｒ７は前記と同じ意味を有する。〕で示される
化合物、あるいはその反応性誘導体と縮合して一般式〔
■〕 〔式中、Ｒ７は前記と同じ意味を有し、９位の立体配置
は前記化合物（ＶＩ）と同配置を意味し、７位Ｃ−Ｏ結
合と９位ＣＮ結合とは互いにシス配置であることを意味
する。　ｋｏはで示される光学活性化合物を得ることが
できる。

縮合方法としては一般式〔■〕で示される化合物を用い
る場合には、ジシクロヘキシルカルボジイミド けることができ、一般式〔■〕で示される化合物の反応
性誘導体を用いる場合には、塩基の存在下での通常のア
シル化反応をあげることができる。

上記反応で一般式〔■〕で示される化合物あるいは反応
性誘導体の反応に使用するモル数を変えることにより、
一般式〔■〕中で、ｋｏが水素いずれかを得ることがで
きる。一般式〔■〕中、ｋ工がＨである光学活性化合物
を得るには一般式〔■〕で示される化合物あるいはその
反応性誘導体の使用モル数を一般式［ＶＩ）で示される
光学活性化合物に対し１〜３倍モル使用することにより
得ることができ、一般式〔■〕中、ｋｏ　　が般式〔■
〕で示される化合物あるいはその反応性誘導体の使用モ
ル数を一般式（ＶＩ）で示される光学活性化合物に対し
、４倍モル以上使用することにより得ることができる。

反応性誘導体としては一般式〔■〕で示される化合物の
酸ハライド体、あるいは酸無水物体等である。塩基とし
ては炭酸す）　ＩＪウム、炭酸水素ナトリウム、トリエ
チルアミン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、
ルチジン、コリジン等を好適な例としてあげることがで
きる。

（１７） 溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロ
ロエタン等のハロゲン化アルキル系溶媒、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、アセトン、メ
チルエチルケトン等のケトン系溶媒、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキサイド等の溶媒、及びこれらの
任意の混合物を挙げることができるが、油状性塩基を溶
媒として用いてもよい。反応は室温でも進行するが、反
応を促進する為に溶媒の沸点付近まで加温することもで
きる。

必要に応じ一般式〔■〕で示される光学活性な化合物を
通常のアセタール化反応に付すことにより一般式［ＩＸ
］ 〔式中、ｋ□，　Ｒ７，　Ｒ８，　Ｒ，は前記と同じ意
味を有し、９位の立体配置は前記化合物〔■〕（１８） の９位と同配置を意味し、７位Ｃ−Ｏ結合は９位Ｃ−Ｎ
結合と互いにシス配置であることを意味する。

で示される化合物を得ることができる。

本発明化合物の合成原料である一般式［ＩＩ）で示され
る光学活性な化合物は新規化合物であり、反応式（Ａ）
の方法に従い、化合物（４）にて光学分割操作を経て合
成する事ができる。

反応式（Ａ） （１１＋２１　　　　　　　　Ｆ３１ ＋４１　　　　　　　　　　　＋５１ （６１（Ｈ） 〔式中、Ｒ７は前記と同じ意味を有する。〕即ち化合物
（１）を炭酸アンモニウムおよびシアン化カリと反応さ
せ化合物（２）とし、化合物（２）を水酸化バリウムの
存在下加水分解し化合物（３）とする。化合物（３）を
一般式（７） 〔式中、Ｒ７は前記と同じ意味を有する。〕あるいは一
般式（８） 〔式中、Ｒ７は前記と同じ意味を有する。〕で示される
化合物と通常のアシル化反応を行って化合物（４）とす
る。

ラセミ体である化合物（４）は光学分割することにより
、６体と１体とに分離し、光学活性な化合物（４）を得
ることができる。この光学分割パは光学分割剤としてｌ
−エフェドリンあるいはｌ−もしくはｄ−α−フェニル
エチルアミン等の光学活性アミンを用いることにより、
化合物（４）とジアステレオマー塩を形成させ溶解度差
を利用してｄ−化合物（４）・光学活性アミン塩とｌ−
化合物（４）・光学活性アミン塩とに分けた後、各々の
ジアスレオマー塩を鉱酸により分解し、対応する光学活
性（ｄおよびｌ）な化合物（４）を得ることができる。

目的とする立体配置をもつ異性体である光学活性な化合
物（４）をメタノール中、硫酸触媒によりエステル化反
応を行ない光学活性な化合物（５）とした後、ジメチル
スルホキサイドと水素化ナトリウムとから調製したメチ
ルスルフィニルカルバニオンと反応させ光学活性化合物
（６）とし、次にアルミニウムアマルガムあるいは亜鉛
により脱硫化反応を行なうと一般式（ＩＩ）で示される
光学活性な化合物を得ることが（２１） できる。

一般式〔■〕で示される光学活性な化合物は反応式［Ａ
）の方法で合成する事ができるラセミ体である化合物［
ＩＩ）を光学分割する事にても得る事ができる。ここで
光学活性な化合物（４）、（５）、（６）およびＣＩ［
）は、２位の立体配置が１−２−アセチル−２−アセト
アミノ−１，２，３，４−テトラヒドロ−５，８−ジメ
トキシナフタレンの２位と同配置の光学異性体を表わす
。

本発明化合物の合成原料となる光学活性化合物（ｍ）に
は２種の光学異性体（６体および１体）が存在するが、
本発明で用いられる光学活性化合物［ＩＩ）は、２位の
立体配置が、式（、Ｘ）で示される１−２−アセチル−
２−アセトアミノ−１，２，３，４−テトラヒドロ−５
，８−ジメトキシナフタレンの２位と同配置の光学具（
２２） 性体であることを意味する。したがって光学活性化合物
〔■〕を出発原料とし、立体配置を保持して順次誘導さ
れる光学活性化合物［１１）　＊　（ＩＶＩ　。

（Ｖ）　、　（ＶＩ）　、　（■）　ｒ　［’ｉ’ｃ）
および〔■〕においても対応する位置の立体配置は各々
光学活性化合物（ｎ）の２位と同配置、すなわち前記式
〔Ｘ〕の４−２−アセチル−２−アセトアミノ−１，２
゜３．４−テトラヒドロ−５，８−ジメトキシナフタレ
ンの２位と同配置であることを意味する。

また、光学活性化合物（Ｖ）において、７位Ｃ−Ｏ結合
と９位Ｃ−Ｎ結合とは互いにシス配置であることを意味
し、立体配置を保持して順次誘導される光学活性化合物
（ＶＩ）　？　（■）　、　（ＩＸ）およびＣＩ）にお
いても７位の立体配置は各々光学活性化合物〔ｖ〕の７
位と同配置であることを意味する。

さらに具体的に説明するならば、１−２−アセチル−２
−アセトアミノ−１，２，３，４−テトラヒドロ−５，
８−ジメトキシナフタレンが、立体的絶対配置も含めて
式［Ｘａ）であられされる場合には、前記一般式［Ｉ）
の本発明化合物はＡの部分を部分式（Ｘ［ａ］であられ
すことができる。また１−２−アセチル−２−アセトア
ミノ−１，２，３，４−テトラヒ）’Ｃｌ−５、８−ジ
メトキシナフタレンが、立体的絶対配置も含めて式（Ｘ
ｂ） であられされる場合には、前記一般式ＣＩ）の本発明化
合物はＡの部分を部分式〔ＸＩｂ〕であられすことがで
きる。

なお、本明細書中において、低級アルコキシ基とは炭素
数１〜３個のアルコキシ基を、低級アルキル基とは１〜
３個のアルキル基を意味する。また低級ハロゲノアルキ
ル基とは１〜３個のハロゲン原子により置換された炭素
数１〜３個のアルキル基を意味する。ハロゲン原子とは
フッ素、塩素、または臭素原子を意味する。

以下に参考例および実施例を挙゛げ具体的に説明するが
、本発明はこれらに限定されるものではない。

参考例１ ■　１，４−ジメトキシ−６−テトラロン（２５） ８２．４９に水１２００　ｍＺとエチルアルコール１２
００−を加え、次に炭酸アンモニウム３４５．６２とシ
アン化カリ３４゜ｏ２　を加え攪拌下１時間還流した。

減圧下エチルアルコールを留去した後−夜室温にて放置
し、次に氷水にて２゜５時間冷却し析出晶を枦取しスピ
ロ（１，２，３，４−テトラヒドロ−５，８−ジメトキ
シナフタレン−２，４′−ヒダントイン〕を得た。ｍＰ
　２７４−２７６°Ｃ■　上記ヒダントイン体１０２゜
５２に水３０００ｍＺと水酸化バリウム８水和物６３０
ｖを加え３６時間窒素気流下還流した。室温まで冷却し
、反応液に水１０００ｍ／を加えた後６Ｎ−硫酸を室温
にて加え、ｐＨ÷０．６とした。　４０〜４５℃に加温
しセライト３００ｙを加え３０分間攪拌した後、不溶物
を消去した。母液をジエチルアミンにてｐＩ（’−ｅ、
ｏに調製した後、氷水にて２時間冷却し析出品を戸数し
２−アミノ−１，２，３，４−テトラヒドロ−５，８−
ジメトキシ−２−ナフトエ（２６） 酸を得た。　　ｍＰ　２６４〜２６６℃■　上記反応で
得たアミノナフトエ酸誘導体４６゜５Ｆに無水ピリジン
９ｏｏｍｘと無水酢酸９０グを加え室温にて一夜攪拌し
た。減圧下ピリジンを留去した後３％塩酸水７００　ｍ
ｌを加え室温にて３時間攪拌した。析出品を戸数し２−
アセトアミノ−１，２，３，４−テトラヒドロ−５，８
−ジメトキシ−２−ナフトエ酸を得た。ｍＰ　２Ｂ２−
２８４℃ＩＲ（Ｎｕｊｏｌ）　ｖａｎ　　　、　３４４
０　、１７１５　、１６２０　、１５５０　。

１２６０　、１１１０　、１０８０　、９００■−１ラ
セミ−２−アセトアミノ−１，２゜３．４−テトラヒド
ロ−５，８−ジメトキシ−２−ナフトエ酸３０．Ｉ　Ｐ
にメタノール２．５１２　ｆｊｅ加ｔｒ：、後１−α−
フヱニルエチルアミン１２゜５ノを加え還流し、−夜室
温にて放置した。析出した結晶を戸数して塩１３．４９
を得た。　この塩をメタノール１．９ｅから再結晶し、
１−２−アセトアミノ−１，２，３，４−テトラヒドロ
−５，８−（２７） ジメトキシ−２−ナフトエ酸・ｌ−α−フェニルエチル
アミン塩１１．８９　（ｍｐ　　２８０　’Ｃ以上、〔
α）Ｄ−８１゜０°（Ｃ＝０゜３２．ＤＭＦ））を得た
。この塩１１．７Ｆに３％塩酸水８００ｍ１を加え室温
にで１時間攪拌した後、析出品を戸数し、１−２−アセ
トアミノ−１，２゜３．４−テトラヒドロ−５，８−ジ
メトキシ−２−ナフトエ酸７゜７Ｐ（ｍＰ２８０℃以−
ヒ、〔α）Ｄ−６９゜６°　（Ｃ＝１．０　、ＤＭＦ）
）を得た。

上記の塩析出させた母液および再結晶母液を合せ減圧下
メタノールを留去し、残渣に３％塩酸水１１を加え室温
にて２時間攪拌した。析出品を戸数して、６体を多く含
む２−アセトアミノ−１，２，３，４−テトラヒドロ−
５，８−ジメトキシ−２−ナフトエ酸１９゜０２を得、
この結晶にメタノール９００ｍ／、ｄ−α−フェニルエ
チルアミン９．０２を加え還流し、室温にて６時間放置
した。析出した結晶を戸数し塩１４゜５ｖ（２８） を得た。この塩をメタノール１゜５１から再結晶してｄ
−２−アセトアミノ−１，２゜３．４−テトラヒドロ−
５，８−ジメトキシ−２−ナフトエ酸・ｄ−α−フェニ
ルエチルアミン塩７゜８　Ｐ　（ｍＰ　２８０℃以上、
〔α）１）＋６０゜１°（Ｃ＝０．３０　、　ＤＭＦ）
　）を得た。この塩７．５ｙに３％塩酸水５００−を加
え１時間室温にて攪拌し、析出品を戸数し、ｄ−２−ア
セトアミノ−１，２，３，４−テトラヒドロ−５，８−
ジメトキシ−２−ナフトエ酸５．３　ｙ　（ｍｐ　２８
０℃以上、〔α］１．＋６８．８°（Ｃ＝０．９８　、
　ＤＭＦ）　）を得た。

■−２ ラセミ−２−アセトアミノ−１、２，３゜４−テトラヒ
ドロ−５，８−ジメトキシ−２−ナフトエ酸１７．３　
Ｐとｌ−エフェドリン１０Ｆをメタノール２５０ｄに加
熱溶解し、室温にて５時間放置した。析出晶を戸数し塩
を得、続いてメタノールより２回再結晶（２９） を行なって、ｄ−２−アセトアミノ−１゜２．３．４−
テトラヒドロ−５，８−ジメトキシ−２−ナフトエ酸・
ｌ−エフェドリン塩９．ＯＦ　（ｍＰ　　２４７〜２５
０℃、〔α］　ｏ＋３７．８°（Ｃ＝０．５　、　ＤＭ
Ｆ）　）を得た。この塩２．０ｙに３％塩酸水３５０−
を加え室温にて２時間攪拌し、析出品を戸数してｄ−２
−アセトアミノ−１，２，３，４−テトラヒドロ−５，
８−ジメトキシ−２−ナフトエ酸１．１　？　（ｍＰ　
２８０℃以上、〔α）、＋８８．９°（ｃ　−１，Ｑ　
、　ＤＭＦ　）　）　　を得た。

■−１１−２−アセトアミノ−１，２，３゜４−テトラ
ヒドロ−５，８−ジメトキシ−２−ナフトエ酸１０゜８
Ｆ、（［：α）Ｄ−７０゜２゜減圧下メタノールを留去
し、残渣を飽和重曹水にあけ１時間攪拌後析出晶を戸数
し１−２−アセトアミノ−１，２，３，４−テＣ３０） トラヒドロ−５，８−ジメトキシ−２−ナフトエ酸メチ
ルエステルを得た。

ｍＰ　１６９−１７０℃、（α）　Ｄ−１１４，５°（
ｃ−１，０，クロロホルム） ■−２ｄ−２−アセトアミノ−１，２，３゜４−テトラ
ヒドロ−５，８−ジメトキシ−０９０ ２−ナフトエ酸（〔α）　Ｄ　　＋　６０−４　　（ｃ
　＝１゜０　、　ＤＭＦ）　）　１４．５　Ｐを用い上
記■−１と同様に反応し、ｄ−２−アセトアミノ−１゜
２．３．４−テトラヒドロ−５，８−ジメトキシ−２−
ナフトエ酸メチルエステルを得た。ｍＰ　　１６９−１
７０℃、〔α）　、　　＋　１１３．２゜（Ｃ＝１．０
．クロロホルム） ■−１１−２−アセトアミノー１，２，３゜４−テトラ
ヒドロ−５，８−ジメトキシ−２−ナフトエ酸メチルエ
ステル（〔α〕Ｄ−１１４，５（Ｃ＝１．０　、　クロ
ロホルム）　１０．２９をテトラヒドロフラン１２０−
に溶解した溶液を、常法に従って６０％ＮａＨ４ｆ　と
ジメチルスルホキサイド５０−とから調製したメチルス
ルフィニルカルバニオンのジメチルスルホキサイド溶液
に３〜１０℃に冷却下滴下した。滴下後室温にて１時間
攪拌後、反応液を氷水にあけ、濃塩酸にてｐＨ↓３．１
とし、クロロホルムにて抽出した。クロロホルム層を水
洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒を減圧上留去し、
析出品にベンゼンを加え戸数し、１−２−アセトアミノ
−２−（２−メチルスルフィニル−ｉ−、オキソ）エチ
ル−１，２，３，４−テトラヒドロ−５，８−ジメトキ
シナフタレンを得た。

ｍＰ　１８６−１８９℃、〔αｌ］　Ｄ−６５，５°（
ｃ−１，０、クロロホルム） ■−２ｄ−２−アセトアミノ−１，２，３゜４−テトラ
ヒドロ−５，８−ジメトキシ−２−ナフトエ酸メチルエ
ステル （〔α〕。＋１１３．２°（Ｃ＝１．０　、クロロボル
ム））１３゜Ｏｙを用い上記■−１と同様の反応を行っ
てｄ２−アセトアミノ−２− （２−メチルスルフィニル−１−オキソ）エチル−１，
２，３，４−テトラヒドロ−・５．８−ジメトキシナフ
タレンを得た。

ｍＰ　１９０−１９３℃、〔α〕９０＋６６゜工０（ｃ
−１，１，クロロホルム） ■−１４−２−アセトアミノ−２−（２−メチルスルフ
ィニル−１−オキソ）エチル−１，２，３，４−テトラ
ヒドロ−５，８−ジメトキシナフタレン（〔α〕９°−
６５．５゜（Ｃ＝１．０．クロロホルム）９゜ＩＰをテ
トラヒドロフラン５００ｒｎｌと水５０ｒｎｌに溶解後
、常法によりアルミニウムｍ７ｐ、２％ＨｇＣ１！２１
゜５１よす調製したアルミニウムーアマルガムを室温に
て加えた。

室温にて３０分間反応後、不溶物を消去した後減圧下溶
媒を留去してｅ−２−アセチル−２−アセトアミノ−１
，２，３，４−テトラヒドロ−５，８−ジメトキシナフ
タレンを得た。ｍＰ　２２７−２２８℃、〔α〕八へ−
１３１，２°　（Ｃ＝１．０．クロロホルム）■−２ｄ
−２−アセトアミノ−２−（２−（３３） メチルスルフィニル−１−オキソ）エチル−１，２，３
，４−テトラヒドロ−５，８−ジメトキシナフタレン（
〔αＥｏ＋６６．１゜（Ｃ＝１．０．クロロホルム））
１２゜Ｏｆを用いて、上記■−１と同様に反応し、ｄ−
２−アセチル−２−アセトアミノ−１，２，３゜４−テ
トラヒドロ−５，８−ジメトキシナフタレンを得た。ｍ
Ｐ　２２５−２２６℃〔α）　、　＋１３４．２°（ｃ
＝１゜Ｏｌクロロホルム）実施例１ １−２−アセチル−２−アセトアミノ−１１２，３，４
−テトラヒドロ−５，８−ジメトキシナフタレン２．８
　Ｆ　（（α）　Ｄ−１３１，２°（Ｃ−１，０，クロ
ロホルム））、無水フタル酸３．４ｆ１塩化アルミニウ
ム４０ｆＩと塩化ナトリウム８ｖをよくすりつぶし、ま
ぜ合わせたものを、あらかじめ１８０℃に加温したナス
型フラスコの内に一度に加え、１８０’Ｃにて加温を続
けた。溶融後２分間反応させた後、室温まで急冷し、続
いて氷水冷却した飽和のシュ（３４） ウ酸溶液５００　ｍＺに反応物をガｌえた。室温にて１
０分間攪拌後、析出品を戸数し、１−９−アセチル−９
−アセトアミノ−６，１１−ジヒドロキシ−７，８，９
，１０−テトラヒトｏ−５，１２−ナフタセンジオンを
得た。

ｍｐ　ａｏｏ℃以上 ＩＲ（Ｎｕｊｏｌ）　ν（ｎ　１）　：　３３４０　、
１７０５　、１６７０　、１６２０　。

１５８５　、１５２０　、１２５０　、１１１０　。

１０４０　、９７０ 〔α〕Ｉ）−８５°（Ｃ＝０．０５　、　ＤＭＦ）実施
例２ １−９−アセチル−９−アセトアミノ−６゜１１−ジヒ
ドロキシ−７，８，９，１０−テトラヒドロ−５，１２
−ナフタセンジオン６．３８ｖに無水トルエン１４００
　ｒｎｌ、エチレンクリコール２３−とＰ−）ルエンス
ルホン酸１．１２を加え、還流下共飾する水を除きなが
ら５時間半反応させた。反応液を飽和重曹水１１にあけ
た後、トルエン層を分取し、水で洗った後、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下約１００ｍ／まで濃
縮した。析出晶を枦取し、１−９−アセトアミノ−９−
（１−エチレンジオキシ）エチル−６，１１−ジヒドロ
キシ−７，８，９，１０−テトラヒドロ−５゜１２−ナ
フタセンジオンを得た。

ｍｐ　２５９−２６２℃（分解） ＩＲ（Ｎｕｊｏｌ）ν（ｃｓ）　、　３２６０　、１６
６０　、１６１０　、１５８０　。

１２Ｂ０　、１２５０　、１２００　、１１４０　。

８１０　、７９０ 〔α〕Ｄ−３０８°（Ｃ＝０．２３　、クロロホルム）
実施例３ β−９−アセトアミノ−９−（１−エチレンジオキシ）
エチルニｅ、１１−ジヒドロキシ−７、８、９、１０−
テトラヒドロ−５゜１２−ナフタセンジオン５゜５６ｆ
をクロロホルム１６０−と四塩化炭素７００−に還流上
溶解し、次にＮ−ブロモこはく酸イミド４．５３　ｆを
加え５００Ｗ可視光線ランプを照射しながら２０分間還
流した。氷水冷却１時間後、沈澱物を枦取した。沈澱物
をクロロホルムに溶解後、飽和重曹水、５％チオ硫酸ソ
ーダ、水で順次洗った後、硫酸マグネシウムで乾燥した
。

溶媒を留去後イソプロピルエーテルで結晶化させ、ｄ−
９−（１−エチレンジオキシ）エチル−６、１１−ジヒ
ドロキシ−？、８，９゜１０−テトラヒドロ−７，９−
（１−オキサ−３−アザ−２−メチル−２−プロ々））
ナフタセン−５，１２−ジオンヲ得り。

ｍＰ　　１６０−１６５℃ ＩＲ（Ｎｕｊｏｌ）　ν（、−１１）　：　１６６０　
、１６２０　、１５８０　、１２７０　。

１２３０　、１２００　、１１００　、１０３０　。

７０ 〔α）　、　＋　３７６．３°（ｃ＝０．２２　、クロ
ロホルム）実施例４ ｄ−９−（１−エチレンジオキシ）エチル−８，１１−
ジヒドロキシ−７、８、９，１０−テトラヒドロ−７，
９−（１−オキサ−３−アザ−２−メチル−２−プロペ
ノ）ナフタセン−５，１２−ジオン４．３５Ｆにジオキ
サン’ｌ０ｎｆ水７０−と濃塩酸１８−を加え１５時（
３７） 間還流した。減圧上溶媒を留去して得た残渣をメタノー
ル４００−に溶解後、活性炭３５０　ｗ９を加え攪拌し
た。不溶物を消去した後、減圧上濃縮して得た残渣をイ
ソプロピルアルコールで結晶化させて、１−９−アミノ
−９−アセチル−６，７，１１−）ジヒドロキシ−７゜
８．９．１０−テトラヒドロ−５，１２−ナフタセンジ
オン・塩酸塩を得た。

ｍＰ　２２４−２３０℃ ＩＮ（Ｎｕｊｏｌ）ν（ｎ　　）　：　３４００　、１
７２０　、１６２０　、１５９０　。

１２６０　、１２４０　、１１６０　、１１３Ｑ　。

１０００　、９７０ 〔α）Ｄ−８９°（ｃ　＝Ｑ、ｌ　、　ＤＭＦ）実施例
５ １−９−アミノ−９−アセチル−６，７゜１１−トリヒ
ドロキシ−７，８，９，１０−テトラヒドロ−５，１２
−ナフタセンジオン・塩酸塩１３０■を塩化メチレン１
０−、ピリジン１−に溶解し、室温攪拌下、無水トリフ
ロロ酢酸３００■をゆっくりと滴下した。滴下後（３Ｂ
） １時間反応させ、反応液を３チ塩酸水にあけクロロホル
ムにて抽出した後、クロロホルム層を水、飽和重曹水、
水にて順次洗い、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を
減圧上留去して得られた残渣をクロマトグラフィーにて
精！ｌ、ｄ−９−アセチルー９−トリフロロアセトアミ
ノ−６，７，１１−トリヒドロキシ−７、８、９、１０
−テトラヒドロ−５゜１２−ナフタセンジオンを得た。

ｍＰ　２３６−２３８℃ ＩＲ（Ｎｕｊｏｌ）ν（ｎ　　）　、　３５００　、３
３００　、１７２０　、１６２０　。

１５９０　、１５４０　、１２４０　、１２１０　。

１１６０　、９９０ （３９完） ２９９−

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 〔式中、Ａは部分式（ａ）および（ｂｌから選ばれる一
   方を意味する。 ｋ工は水素原子または一〇〇Ｒ７を意味する。 Ｒ２およびＲ３は低級アルコキシ基を意味（１） するか、あるいはＲ２とＲ３でエチレンジオキシ基また
   はオキソ基を意味する。Ｒ４およびＲ５は共に水素原子
   を意味するかあを意味する。Ｒ６は水素原子、ヒドロキ
   シ基または一〇Ｃ０Ｒ７を意味する。Ｒ７は低級アルキ
   ル基、低級ハロゲノアルキル基または　−ｆｆ　　（Ｘ
   は水素原子またはハロゲン原子を意味する。）を意味す
   る。９位の立体配置は、１−２−アセチル−２−アセト
   アミノ−１，２，３，４−テトラヒドロ−５，８−ジメ
   トキシナフタレンの２位と同配置を意味し、部分式（ａ
   ｌおよびｆｂ）において、Ｒ６が水素原子である場合を
   除いて７位のＣ−Ｏ結合と９位のＣ−Ｎ結合とは互いに
   シス配置であることを意味する。〕 で示される光学活性アミノナフタセン誘導体。
2. （２）　　一般式 （２） 〔式中、１与　は低級アルキル基、低級ハロＸ ゲノアルキル基または−Ｑ’　　（Ｘは水素原子または
   ハロゲン原子を意味する。）を意味し、２位の立体配置
   は、１−２−アセチル−２−アセトアミノ−１，２，３
   ，４−テトラヒドロ−５，８−ジメトキシナフタレンの
   ２位と同配置を意味する。〕 で示される光学活性化合物をルイス酸の存在下無水フタ
   ル酸と反応させることを特徴とする一般式 〔式中、９位の立体配置および〜は前記（３） と同じ意味を有する。 で示される光学活性アミノナフタセン誘導体の製造法。
3. （３）一般式 〔式中、ｋ２　　およびＩｔ３は低級アルコキシ基を意
   味するかあるいは−とに３　でエチレンジオキシ基また
   はオキソ基を意味し、■（７は低級アルキル基、低級〕
   １０ゲノアルキル基まｔこは −Ｃｙ’ＣＸは水素原子または・・ロゲン原子を意味す
   る。）を意味する。９位の立体配置は、１−２−アセチ
   ル−２−アセトアミノ−１，２，３，４−テトラヒドロ
   −５゜８−ジメトキシナフタレンの２位と同配置を意味
   する。〕
4. （４） で示される光学活性化合物をハロゲン化剤で処理するこ
   とを特徴とする一般式 〔式中、９位の立体配置、Ｒ２，Ｒ２ｉ　およびに７は
   前記と同じ意味を有する。７位Ｃ−〇結合と９位Ｃ−Ｎ
   結合とは互いにシス配置であることを意味する。〕 で示される光学活性アミノナフタセン誘導体の製造法。 （４）一般式 〔式中、ｋ２　　およびＲ３は低級アルコキシ基を意味
   するかあるいはに２とに、５でエチ（５） レンジオキシ基またはオキソ基を意味し、ｋは低級アル
   キル基、低級／Ａロゲノアルキフ ル基または セチル−２−アセトアミノ−１，２，３゜４−テトラヒ
   ドロ−５，８−ジメトキシナフタレンの２位と同配置を
   意味し、７位Ｃ−〇結合と９位Ｃ−Ｎ結合とは互いにシ
   ス配置であることを意味する。〕 で示される光学活性化合物を加水分解することを特徴と
   する式 〔式中、７位および９位の立体配置は前記と同じ意味を
   有する。〕 で示される光学活性アミノナフタセン誘導体（６） の製造方法
5. （５）一般式 ％式％ 〔式中、９位の立体配置は、１−２−アセチル−２−ア
   セトアミノ−１，２，３，４−テトラヒドロ−５，８−
   ジメトキシナフタレンの２位と同配置をあられし、７位
   のＣ−Ｏ結合と９位のＣ−Ｎ結合とは互いにシス配置で
   あることを意味する。〕 で示される光学活性化合物を一般式 ％式％ 原子またはハロゲン原子を意味する。）を意味する。〕 で示される化合物あるいはその反応性誘導体（７） と縮合することを特徴とする一般式 〔式中、ｋ工は水素原子または一〇〇Ｒ７を意味する。 ７位と９位の立体配置およびＲ７は前記と同じ意味を有
   する。〕 で示される光学活性アミノナフタセン誘導体の製造法。