JPS5819394B2 - レ−ザヨウセツホウホウオヨビ ソウチ - Google Patents

レ−ザヨウセツホウホウオヨビ ソウチ

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JPS5819394B2
JPS5819394B2 JP50108737A JP10873775A JPS5819394B2 JP S5819394 B2 JPS5819394 B2 JP S5819394B2 JP 50108737 A JP50108737 A JP 50108737A JP 10873775 A JP10873775 A JP 10873775A JP S5819394 B2 JPS5819394 B2 JP S5819394B2
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JP
Japan
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pulsed laser
laser
output
laser beam
voltage
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JP50108737A
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JPS5232854A (en
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石川憲
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はレーザ溶接方法及び装置に関し、特にパルスレ
ーザ光を用いて溶接するに際して溶接部の溶は込み深さ
を深くしようとするものである。
パルスレーザ光を用いた従来のレーザ溶接装置として、
第1図に示す如く、レーザ発振器1からのパルスレーザ
光を集光レンズ2によって集束して金属溶接物3A及び
3Bの接合部に照射し、かくして接合部にスポット4を
形成して溶接するものがある。
この場合パルスレーザ光の出力波形としては。
第2図に示す様に、先ずパルスの立上り部5(時点t。
−tlの区間)の出力Pを太きくシ、これにより金属表
面を加熱して金属の表面反射率を下げ。
これに続く区間t□〜t2において出力Pを低下させた
接続部6を形成し、これにより溶融金属が蒸発しない様
にするものが用いられている。
この様にすれば、レーザ光が照射されたスポット4部分
の金属が蒸発することはなく、かくしてクレータをつく
らずに第3図Aに示す如く溶接物3A及び3Bを溶接部
7によって溶接できることになる。
ところで第2図の様な出力波形をもつパルスレーザ光を
用いたレーザ溶接装置に依れば、溶接部7の溶は込み深
さを深くしようとしても、ある一定値以上には深くなら
ない。
例えば第2図の持続部6の持続時間T2(二t、〜t2
)を長くしてもその溶は込み深さはある値で飽和してし
まう。
実際上例えば厚さ17n11Lのステンレスの板の場合
、溶は込み深さは0.5 mmで飽和し、持続部6の時
間T2を7X10−3秒以上持続しても0.5 mm以
上には溶は込まない。
そこで本発明は溶接部7の溶は込み深さについてのかか
る制限を解決して溶は込み深さを一段と深くしようとす
るものである。
以下図面について本発明の一例を詳述するに。
パルスレーザ出力についての細かい測定結果によれば、
第2図の出力波形のパルスレーザを用いた場合に溶は込
み深さに飽和が生ずるのは1次の理由によることが明ら
かになった。
パルスレーザ光を例えばYAGレー−チ、ガラスレーザ
、ルビレーザ等の固体レーザロッドによって発生させる
場合、レーザ光の集光スポットは、−般に知られている
様に、レーザビーム広がり角θと、集光レンズの焦点距
離fとに基づいて直径がf・θの大きさとなる。
しかるに本願発明者の実験に依れば、1つのパルスが発
生している間にレーザビーム広がり角θは経時変化をし
、パルス立上り時には小さく、5〜1oxio−3秒後
には初期のビーム広がり角の数倍になることが明らかに
なった。
そしてその広がりはレーザ物質の熱的な歪み作用によっ
て生じ。
その度合はレーザ物質の種類、励起波形1強度、共振器
構成等によって決まり、一般に共振器が平面鏡や凹面鏡
の組合せ構造である場合には、θが増加する傾向がある
従って従来の様に接続部6の持続時間を長くしても、ス
ポット4のエネルギー密度は小さくなるので、溶は込み
深さに一定の限度が生ずると考えることができる。
以上の点を考慮して本発明においては、かかる問題点を
次の様にして解決する。
すなわち本発明に依るレーザ溶接方法においては、パル
スレーザ光としてその出力波形が第4図Aに示す如く1
期間T□の初期立上り部11及びこれに続く期間T2の
持続部12に続いて1期間T3の出力増強部13をもつ
ものを用いる。
かくすれば、レーザ光のビーム広がり角θは第4図Bに
示す様に順増させることができる。
しかるにレンズによって集束されたレーザ光の焦点近傍
のスポットのエネルギー密度はスポット直径の2乗に比
例する。
従って第4図Aの様にパルスレーザ光の後半期間におい
て出力増強部13によって出力を太きくしても、エネル
ギー密度は第4図Cに示ヂ如く増加することがない様に
できる。
この様な出力増強部13を設ければ、溶融点のエネルギ
ー密度がほぼ一定になるので、金属表面からの蒸発によ
るクレータの発生を抑えることができると共に、溶融点
が内部と混り合って第3図Bに示す如く溶融域14をよ
り深X進行させることができる。
尚上述においては、溶融点のエネルギー密度がほぼ一定
となる様に出力増強部13の波形を選定したが、これに
代え、被溶接金属の飛散が激しく起らない程度にエネル
ギー密度を強める様な波形に選定しても良い。
上述の本発明に依るレーザ溶接方法は、第5図に示す如
きレーザ溶接装置によって実現できる。
この装置は被溶接物3A及び3Bに対してパルスレーザ
光を照射するためのパルスレーザ光発生部21と、その
励起回路部22とを具える。
パルスレーザ光発生部21は、レーザ発生源として固体
レーザランド23を有し、これがフラッシュランプ24
によってそのトリガコイル25にトリガ信号が与えられ
たとき励起され1例えば楕円筒反射鏡等で構成された集
光鏡26、及び共振器ミラー27及び28によって発振
動作をし、その発振レーザ光が集光レンズ29を介して
被溶接物3A及び3Bに照射する様になされている。
励起回路部22は、初期立上りピーク部11及び持続部
12(第4図A)を形成するための第1及び第2の充放
電コンデンサ31及び32と、出力増強部13を形成す
るための第3の充放電コンデンサ33とを有し、これら
のコンデンサ31゜32及び33は溶接動作に先立って
それぞれ例えばサイリスク構成のスイッチ回路34,3
5及び36を通じて電圧源37,38及び39によって
充電される。
第1のコンデンサ31の出力側端は出力用ダイオード4
1を介して、一端をフラッシュランプ24に接続された
第1の波形整形コイル44の中点に接続され、又第2の
コンデンサ32の出力側端が出力用ダイオード42を介
してコイル44の他端に接続されている。
又第3のコンデンサ33の出力側端は例えばサイリスク
構成の出力用スイッチ43を介して、一端をコイル44
に接続された第2の波形整形コイル45の他端に接続さ
れている。
ここで第2のコンデンサ32に対応する電圧源38の出
力電圧■2は、第1及び第3のコンデンサ31及び33
に対応する電圧源37及び39の出力電圧v1及びv3
より小さい値に選定されている。
第5図の構成において、先ずスイッチ回路34〜36が
、順次又は同時に予定の時間の間導通され、従ってコン
デンサ31〜33に充電電圧v1〜V3(V2<Vl
、 V3 )が与えられる。
この状態において、第4図Aのパルスレーザ発生開始時
点t。
において、フランシュトリガコイル25に高圧パルスが
与えられる。
このとき、コンデンサ31及び32のうち高い充電電圧
v1が与えられているコンデンサ31がダイオード41
及びコイル44の一部を通じてフラッシュランプ24に
放電される。
この場合ランプ24に与えられる電圧の時間的変化はコ
ンデンサ31及びコイル44の一部で構成される放電回
路の小さい値のりアクタンスによって比較的急激に生じ
、かくしてレーザ発生部21から送出されるパルスレー
ザの出力波形は第4図Aの立上りピーク部11を形成す
ることになる。
その後コンデンサ31の放電が進んでその充電電圧が時
点t1においてコンデンサ32の充電電圧とほぼ等しく
なると、以後コンデンサ31及び32がそれぞれダイオ
ード41及び42を介して同時に放電する様になる。
しかるにコンデンサ32及びコイル44で構成される放
電回路のりアクタンスは、コンデンサ31及びコイル4
4で構成される放電回路のりアクタンスより十分大きい
値に予め選定され、従ってランプ24に与えられる電圧
の時間的変化はゆるやかに生じ、かくしてパルスレーザ
光発生部21から送出されるパルスレーザ光の出力波形
は、第4図Aの持続部12を形成することになる。
その後時点t2においてスイッチ回路43を導通させて
これを通じ、更にコイル45及び44を順次通じてコン
デンサ33がフラッシュランプ24に放電される。
この場合ランプ24に与えられる電圧の時間的変化は、
コンデンサ33及びコイル45及び′44で構成される
放電回路のりアクタンスによって比較的急激に生じ、か
くしてパルスレーザ光発生部21から送出されるパルス
レーザ光の出力波形は第4図Aの出力増強部13を形成
することになる。
上述の様に本発明のレーザ溶接装置に依れば、パルスレ
ーザ波形として、初期立上りピーク部11と、その後に
生ずる出力増強部13との2つのピーク部をもつものを
発生し得、従って第1のピーク部によって被溶接物上に
エネルギー密度の高いスポットを形成してこのスポット
部を溶融させた後に、第2のピーク部によってビーム広
がり角の増大に伴うスポット面積の拡大に見合ったレー
ザ出力の増強をすることにより溶融部の溶は込み深さを
一段と深めることができる。
尚第5図の実施例の場合、レーザ光出力に2つのピーク
部を形成させるにつき、1本のフラッシュランプの励起
電圧波形を制(財)する様にしたが。
これに代え、2本のフラッシュランプを用意して一方の
フラッシュランプをコンデンサ31及び32の放電を利
用して点灯させると共に、これとは別に他方のフラッシ
ュランプをコンデンサ33の放電を利用して点灯させる
様にする等、種々の変形をし得る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のレーザ溶接方法ないし装置の説明に供す
る路線図、第2図はそのパルスレーザ光の出力波形を示
す曲線図、第3図は溶は込み深さの説明に供する被溶接
物の断面図、第4図は本発明に依るレーザ溶接方法及び
装置の説明に供する曲線図、第5図は本発明に依るレー
ザ溶接装置の一例を示す路線的接続図である。 1・・・・・・レーザ発振器、2・・・・・・集光レン
ズ、3A。 3B・・・−・・被溶接物、4・・・・・・レーザ光ス
ポット、5・・・・・・立上り部、6・・・・・・持続
部、7・・・・・・溶接部、11・・・・・・初期立上
りピーク部、12・・・・・・持続部。 13・・・・・・出力増強部、21・・・・・・パルス
レーザ光発生部、22・・・・・・励起回路部、23・
・・・・・固体レーザロッド、24・・・・・・フラッ
シュランプ、25・・・・・・トリガコイル、26・・
・・・・集光鏡、27,28・・・・・・共振ミラー、
29・・・・・・集光レンズ、31〜33・・・・・・
充放電コンデンサ、34〜36・・・・・・スイッチ回
路。 37〜39・・・・・・電圧源、41,42・・・・・
・出力ダイオード、43・・・・・・出力スイッチ回路
、44,45・・・・・・波形整形コイル。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 被溶接物をこれにパルスレーザ光を集光照射するこ
    とにより溶接するレーザ溶接方法において。 上記パルスレーザ光としてその波形が初期立上りピーク
    部と、この初期立上りピーク部の発生後に発生する出力
    増強部とを持つパルスレーザ光を用いることを特徴とす
    るレーザ溶接方法。 2 フラッシュランプの点灯によって励起発振する固体
    レーザロッドを持ち、上記固体レーザロッドからのパル
    スレーザ光を被溶接物に集光照射するパルスレーザ光発
    生部と、上記フラッシュランプに対する励起電圧を発生
    する励起回路部とを具え、上記励起回路部は、パルスレ
    ーザ光の発生の初期において上記励起電圧の一部となる
    第1のピーク電圧を形成する第1の放電回路と、パルス
    レーザ光の後半期間に上記励起電圧の他部となる第2の
    ピーク電圧を形成する第2の放電回路とを有することを
    特徴とするレーザ溶接装置。
JP50108737A 1975-09-08 1975-09-08 レ−ザヨウセツホウホウオヨビ ソウチ Expired JPS5819394B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JPH0721990B2 (ja) * 1985-08-30 1995-03-08 株式会社東芝 シヤドウマスク構体の製造方法

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