JPS5819107B2 - 二乗関数発生装置 - Google Patents
二乗関数発生装置Info
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- JPS5819107B2 JPS5819107B2 JP51134481A JP13448176A JPS5819107B2 JP S5819107 B2 JPS5819107 B2 JP S5819107B2 JP 51134481 A JP51134481 A JP 51134481A JP 13448176 A JP13448176 A JP 13448176A JP S5819107 B2 JPS5819107 B2 JP S5819107B2
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- Japan
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- transistor
- emitter
- diode
- current
- resistors
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- Control Of Eletrric Generators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は入力信号の二乗の関数として出力を得る二乗
関数発生装置に関するものである。
関数発生装置に関するものである。
従来電力量を測定するためにアナログ乗算を行う場合、
和差二乗装置が用いられていた。
和差二乗装置が用いられていた。
先ず、従来の二乗装置を第1図に従って説明する。
第1図において、1及び2は例えばトランスの二次側等
の入力信号源に接続される入力端子で信号電圧の大きさ
を■で示す。
の入力信号源に接続される入力端子で信号電圧の大きさ
を■で示す。
Qはトランジスタ、rs及びr、〜roは抵抗、D1〜
D2n−2はダイオードである。
D2n−2はダイオードである。
更に構成を詳述すると、トランジスタQはコレクタが接
続線L1を介して直流電源E。
続線L1を介して直流電源E。
の正極に、ベースが抵抗r8を介して前記入力端子2に
、エミッタが抵抗r1及び接続線L2を介して前記直流
電源E。
、エミッタが抵抗r1及び接続線L2を介して前記直流
電源E。
の負極に接続され、このトランジスタQはエミッタホロ
ワ接続されている。
ワ接続されている。
ダイオードD1は、陽極側が接続点C1において前記ト
ランジスタQのエミッタ側に接続され、このダイオード
D1に直列にダイオードD2が接続されていνる。
ランジスタQのエミッタ側に接続され、このダイオード
D1に直列にダイオードD2が接続されていνる。
更に抵抗r2は一端が接続点C2において前記ダイオー
ドD2の陰極側に他端が接続点り、を介して直流電源E
。
ドD2の陰極側に他端が接続点り、を介して直流電源E
。
の負極に接続されている。以下図示するようにダイオー
ドD3〜D2n−2は直列に接続されており、抵抗r3
〜r11 1は接続点C3〜cn−tlにおいて各々一
端がダイオードD4 + D6 +・・・D2n−1の
陰極側に、各々他端が接続線L2を介して直流電源E。
ドD3〜D2n−2は直列に接続されており、抵抗r3
〜r11 1は接続点C3〜cn−tlにおいて各々一
端がダイオードD4 + D6 +・・・D2n−1の
陰極側に、各々他端が接続線L2を介して直流電源E。
の負極に接続されている。更にトランジスタQのエミッ
タに接続された最終段の抵抗rnは一端がダイオードD
2 n −2の陰極側に他端が各々接;続線L2を介し
て直流電源E。
タに接続された最終段の抵抗rnは一端がダイオードD
2 n −2の陰極側に他端が各々接;続線L2を介し
て直流電源E。
の負極に接続されている。
Aは図示するように各抵抗r1〜rnに流れる電流の総
和が流れる接続線L2に接続された電流計である。
和が流れる接続線L2に接続された電流計である。
尚、動作の説明によってダイオードD、〜D2 n−2
を適宜ダイオードDと総称する。
を適宜ダイオードDと総称する。
次にこのように構成されたものの動作について説明する
。
。
前記トランジスタQ、及びダイオードDの順方向電圧電
流特性が第2図の実線で示すような理想的な特性をもつ
ものであれば、前記抵抗rk(k=1 s 2 t”・
t n )を流れる各電流1rk・(k=1,2.・・
・、n)はrl”” r2”” r3=・”・・’=r
k=−rn=r (以下抵抗r1ゝrnを適宜抵抗rと
総称する。
流特性が第2図の実線で示すような理想的な特性をもつ
ものであれば、前記抵抗rk(k=1 s 2 t”・
t n )を流れる各電流1rk・(k=1,2.・・
・、n)はrl”” r2”” r3=・”・・’=r
k=−rn=r (以下抵抗r1ゝrnを適宜抵抗rと
総称する。
)として1、に== (v (2k l )Vt
) ・・・・・・・・・(1)で表わされる。
) ・・・・・・・・・(1)で表わされる。
但しVt:)ランジスタQ、及びダイオードDの幅方向
の電圧降下 従って、各抵抗r1〜rnを流れる電流Ir1〜’rn
の練和l(コレクタ電流)はトランジスタQの電流増巾
率が充分太きければ 1= Σ lrkニー(nv−n”Vt ) =−−
(2)1(:l r で表わされる。
の電圧降下 従って、各抵抗r1〜rnを流れる電流Ir1〜’rn
の練和l(コレクタ電流)はトランジスタQの電流増巾
率が充分太きければ 1= Σ lrkニー(nv−n”Vt ) =−−
(2)1(:l r で表わされる。
すなわち、v=2Vt−n(n=1.2.3・・・・・
・)なる離散的な点においては、(2)式は次式のよう
に表わされる。
・)なる離散的な点においては、(2)式は次式のよう
に表わされる。
■2
4 V t 、r ”””””””””°°”””
””(3)すなわち、電流iは入力電圧■の二乗に比例
し。
””(3)すなわち、電流iは入力電圧■の二乗に比例
し。
二乗関数発生装置が得られる。
尚、前述の二乗関数発生装置においては、二乗関数を示
す放物線上の点2Vt−n(n=1.2゜・・・)にお
ける接線近似としての二乗関数が得られ。
す放物線上の点2Vt−n(n=1.2゜・・・)にお
ける接線近似としての二乗関数が得られ。
抵抗rの個数(nの数)は、接線近似の二乗関数の成立
する上限を決め、抵抗rkと抵抗rk+1との間のダイ
オードDの個数は前記接線近似の精度を定める。
する上限を決め、抵抗rkと抵抗rk+1との間のダイ
オードDの個数は前記接線近似の精度を定める。
ところで、前記(1)式は前述の如く、トランジスタQ
及びダイオードDの順方向電圧電流特性が第2図の実線
で示された特性をもつものとして導出したが、周知のよ
うに、トランジスタ及びダイオードの順方向電圧電流特
性は第2図の破線で示されるような指数関数特性を有し
ている。
及びダイオードDの順方向電圧電流特性が第2図の実線
で示された特性をもつものとして導出したが、周知のよ
うに、トランジスタ及びダイオードの順方向電圧電流特
性は第2図の破線で示されるような指数関数特性を有し
ている。
一方、前記トランジスタQには抵抗r、〜rnに分流す
る全ての電流が流れしかもダイオードD1 +D2には
抵抗r2以降に流れる電流が流れダイオードDkの添字
kが小さいダイオードDk程通流する電流が太きい。
る全ての電流が流れしかもダイオードD1 +D2には
抵抗r2以降に流れる電流が流れダイオードDkの添字
kが小さいダイオードDk程通流する電流が太きい。
よって、トランジスタQ及びダイオードD1〜D2n−
2における順方向電圧降下は同一ではない。
2における順方向電圧降下は同一ではない。
従って、r 、 = r 2=−= r k =−−r
H= rなる関係では正確な二乗特性が得られず、r
1 > r 2 >−> r k>”・> r nな
る関係において、二乗特性を満足するために、各抵抗r
1〜rnを微細に調整する必要がある。
H= rなる関係では正確な二乗特性が得られず、r
1 > r 2 >−> r k>”・> r nな
る関係において、二乗特性を満足するために、各抵抗r
1〜rnを微細に調整する必要がある。
このことは、この装置が大量生産を必要とする場合には
、非常に大きな障害となる。
、非常に大きな障害となる。
この種の装置を大量生産する場合には、IC化特にモノ
シリツクIC化が可能なことが、製造コストの低減、高
信頼化の必須の条件となる。
シリツクIC化が可能なことが、製造コストの低減、高
信頼化の必須の条件となる。
すなわち、第1図に示す装置では、高精度の二乗特性を
得ようとすれば抵抗r1〜rnを調整する必要があるば
かりではなく、r>r ・・・>rk>・・・> r
nなる関係が必然的に生ずるためモノシリツクIC化は
極めて困難であり、又モノシリツク化を行なったとして
もその製造コストは非常に高いものとなり更に信頼性の
面においても同一チップ内に多種の抵抗で作り込むこと
は製造プロセスの面からも好ましくない。
得ようとすれば抵抗r1〜rnを調整する必要があるば
かりではなく、r>r ・・・>rk>・・・> r
nなる関係が必然的に生ずるためモノシリツクIC化は
極めて困難であり、又モノシリツク化を行なったとして
もその製造コストは非常に高いものとなり更に信頼性の
面においても同一チップ内に多種の抵抗で作り込むこと
は製造プロセスの面からも好ましくない。
この発明は、従来の実情に鑑みてなされたもので抵抗r
1〜rnが同一の値で精度の優れた二乗関数発生装置を
提供せんとするものである。
1〜rnが同一の値で精度の優れた二乗関数発生装置を
提供せんとするものである。
以下第3図に従ってこの発明の詳細な説明する。
尚第3図において第1図の符号と同一符号は同−又は相
当部分を示すにつき符号の説明は適宜省略する。
当部分を示すにつき符号の説明は適宜省略する。
第3図において、Q1〜Qnは同一特性のトランジスタ
、D1〜Dn−t は同一特性のダイオード、r1〜r
nは同一抵抗値の抵抗である。
、D1〜Dn−t は同一特性のダイオード、r1〜r
nは同一抵抗値の抵抗である。
尚トランジスタQ1〜Qn、ダイオードD1〜Dn−い
抵抗r、〜rnを各々適宜トランジスタQkダイオード
Dk抵抗rk(k二1,2.・・・・・・n)と記し、
トランジスタQ1〜Qn、ダイオードD1〜Dnヨ、抵
抗r1〜rHを総称する場合は各々トランジスタQ、ダ
イオードD、抵抗rと記す。
抵抗r、〜rnを各々適宜トランジスタQkダイオード
Dk抵抗rk(k二1,2.・・・・・・n)と記し、
トランジスタQ1〜Qn、ダイオードD1〜Dnヨ、抵
抗r1〜rHを総称する場合は各々トランジスタQ、ダ
イオードD、抵抗rと記す。
構成を詳述すると、トランジスタQ、〜Qnの各コレク
タは接続線L1を介して直流電源E。
タは接続線L1を介して直流電源E。
の正極に接続され、各エミッタにはそれぞれ抵抗値の等
しい抵抗r1〜rnを接続し、これら抵抗r1〜rnの
他端は接続線L2を介して直流電源E。
しい抵抗r1〜rnを接続し、これら抵抗r1〜rnの
他端は接続線L2を介して直流電源E。
の負極に接続され、各トランジスタは、エミッタホロワ
接続されている。
接続されている。
更に各トランジスタQ、〜Qnは図示するように、前段
のトランジスタQkのエミッタと後段のトランジスタQ
k−4−1のベースとは順方向に接続されたダイオー
ドDkを介して遂次縦続接続されている。
のトランジスタQkのエミッタと後段のトランジスタQ
k−4−1のベースとは順方向に接続されたダイオー
ドDkを介して遂次縦続接続されている。
更に抵抗rl(とダイオードDkの陽極側とは接続点C
kにおいて接続されている。
kにおいて接続されている。
初段のトランジスタQ1のベースエミッタ間には抵抗r
8が接続され、この抵抗r5の両端は入力端子1,2に
各々接続されている。
8が接続され、この抵抗r5の両端は入力端子1,2に
各々接続されている。
またエミッタに接続された各抵抗r1〜rHに流れる電
流の総和を検出するよう接続線L2に電流計Aが接続さ
れている。
流の総和を検出するよう接続線L2に電流計Aが接続さ
れている。
次に、以上のように構成されたものの動作について説明
する。
する。
トランジスタQのベース・エミッタ間はダイオードDと
、同一の第2図の破線で示すような順方向電圧電流特性
を有している。
、同一の第2図の破線で示すような順方向電圧電流特性
を有している。
先ず、トランジスタQ1に注目すれば抵抗r1をエミッ
タ負荷とするエミッタホロワ接続されていることから、
トランジスタQ1の電流増巾率が充分大きいものであれ
ば、そのコレクタ電流(エミッタ電流に殆んど等しい。
タ負荷とするエミッタホロワ接続されていることから、
トランジスタQ1の電流増巾率が充分大きいものであれ
ば、そのコレクタ電流(エミッタ電流に殆んど等しい。
)11 は−Vt
11−□ ・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・(4)1 で表わされる。
・・・・・・・・・(4)1 で表わされる。
同様にして、二番目のトランジスタQ2のコレクタ電流
12は、トランジスタQ2のベースはダイオードD1を
介してトランジスタQ1のエミッタに接続されているの
で、 v −3V t 12−□ ・・・・・・・・・(4′)
2 となる。
12は、トランジスタQ2のベースはダイオードD1を
介してトランジスタQ1のエミッタに接続されているの
で、 v −3V t 12−□ ・・・・・・・・・(4′)
2 となる。
すなわち、k番目のトランジスタQkのコレクタ電流i
kは ■−(2に−1)Vt ik−□ ・・・・・・・・・・・・(5)rl( で表わされる。
kは ■−(2に−1)Vt ik−□ ・・・・・・・・・・・・(5)rl( で表わされる。
一方各コレクタ電流ikの総和は各トランジスタQ1〜
Qnのエミッタに接続された抵抗r、〜rnを通れる電
流(irkと記す)の総和に等しい。
Qnのエミッタに接続された抵抗r、〜rnを通れる電
流(irkと記す)の総和に等しい。
従って、入力電圧■に対する出力電流iは
i−Σ ik= Σ jrk
i = 1 i = 1
n v−(2に−1)Vt
= Σ □ ・・・・・・・・・(6)i = 1
rk で表わされる。
rk で表わされる。
前述のように各抵抗r1〜rnを同一のものを用いてい
るのでその値をrとすれば(6)式は、■−2V1−n
(n=1.2.・・・)なる離散的な点において
□ “′ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・(7)V1−r となり(3)式と同一の結果即ち、二乗特性が得られる
。
るのでその値をrとすれば(6)式は、■−2V1−n
(n=1.2.・・・)なる離散的な点において
□ “′ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・(7)V1−r となり(3)式と同一の結果即ち、二乗特性が得られる
。
ところで実施例のものは、前述の如くエミッタホロワの
縦続接続のトランジスタQ1〜Qnの前段のトランジス
タのベースと次段のトランジスタのエミッタとをダイオ
ードを介し゛て接続しているので、入力端子1,2にお
ける入力インピーダンス及び接続点(J以降のトランジ
スタ群の入力インピーダンスは従来の入力端子1,2に
おける入力インピーダンス及び接続点Ck以降のダイオ
ード群の入力インピーダンスよりも著しく太きい。
縦続接続のトランジスタQ1〜Qnの前段のトランジス
タのベースと次段のトランジスタのエミッタとをダイオ
ードを介し゛て接続しているので、入力端子1,2にお
ける入力インピーダンス及び接続点(J以降のトランジ
スタ群の入力インピーダンスは従来の入力端子1,2に
おける入力インピーダンス及び接続点Ck以降のダイオ
ード群の入力インピーダンスよりも著しく太きい。
そしてトランジスタQ1〜Qnのベース・エミッタ間及
びダイオードD1〜Dn 、にはトランジスタQ1〜
Qnのコレクタ電流11〜jHの電流増巾重分の−の電
流が流れるのみであるので、ダイオ−)’1)1〜Dn
−1を流れる各電流は従来のものの各ダイオードを流れ
る各電流よりも著しく減少する。
びダイオードD1〜Dn 、にはトランジスタQ1〜
Qnのコレクタ電流11〜jHの電流増巾重分の−の電
流が流れるのみであるので、ダイオ−)’1)1〜Dn
−1を流れる各電流は従来のものの各ダイオードを流れ
る各電流よりも著しく減少する。
しかもトランジスタQ1〜Qnのコレクタ電流及びダイ
オードD1〜Dnヨを流れる電流の変化量は極めて小さ
くなるためにトランジスタQ1〜Qnのベース・エミッ
タ間及びダイオードD1〜Dn−1の両端での順方向電
圧降下は殆んど変わらない。
オードD1〜Dnヨを流れる電流の変化量は極めて小さ
くなるためにトランジスタQ1〜Qnのベース・エミッ
タ間及びダイオードD1〜Dn−1の両端での順方向電
圧降下は殆んど変わらない。
従って、各抵抗r1〜rnは従来のようにrl〉r2〉
・・・>rl(>・・・> r nなる関係に選ぶこと
なく、同一のものを用いることができる。
・・・>rl(>・・・> r nなる関係に選ぶこと
なく、同一のものを用いることができる。
尚、実施例のものも従来装置と同様抵抗rの個数(nの
数)は接線近似の二乗関数の成立する上限を決め、トラ
ンジスタQkのエミッタとトランジスタQk+1のベー
スとの間に設けられたダイオードDの数は、前記接線近
似の精度を定める。
数)は接線近似の二乗関数の成立する上限を決め、トラ
ンジスタQkのエミッタとトランジスタQk+1のベー
スとの間に設けられたダイオードDの数は、前記接線近
似の精度を定める。
従って、所定の精度に応じてトランジスタQkとトラン
ジスタQk+1の間に設けたダイオードDの数を増減(
ダイオードDの数が多い程精度が向上する。
ジスタQk+1の間に設けたダイオードDの数を増減(
ダイオードDの数が多い程精度が向上する。
)すればよい。例えばトランジスタQkのエミッタとQ
k+1のベースを直結した場合には、抵抗r1〜rHは
数種の整数比のものを用いるだけで、これらの抵抗r1
〜rnを微調整しなくてもよい。
k+1のベースを直結した場合には、抵抗r1〜rHは
数種の整数比のものを用いるだけで、これらの抵抗r1
〜rnを微調整しなくてもよい。
以上、実施例ではNPN)ランジスタを用いた場合につ
いて動作の説明を行なったが、PNPトランジスタを使
用すれば入力電圧の極性、直流電源E。
いて動作の説明を行なったが、PNPトランジスタを使
用すれば入力電圧の極性、直流電源E。
の極性、及び出力電流の方向等が全く反対で相補的な動
作をする二乗関数発生装置を得ることができる。
作をする二乗関数発生装置を得ることができる。
従って、この二乗関数発生装置を二個用いて一方に乗算
すべき二つの量の和を、他方に前記二つの量の差を入力
してこの両者の二乗関数発生装置の出力電流の差を取れ
ば、この差電流は前記乗算すべき量の積に等しくなる。
すべき二つの量の和を、他方に前記二つの量の差を入力
してこの両者の二乗関数発生装置の出力電流の差を取れ
ば、この差電流は前記乗算すべき量の積に等しくなる。
よって、この二乗関数発生装置を二個用いて乗算回路が
構成でき、前記乗算すべき二つの量として電圧、電流を
入力すれば乗算回路の出力は電力に比例するので、電力
検出装置、更にはこの出力を周波数変換、計数表示すれ
ば電力量計をも構成できる。
構成でき、前記乗算すべき二つの量として電圧、電流を
入力すれば乗算回路の出力は電力に比例するので、電力
検出装置、更にはこの出力を周波数変換、計数表示すれ
ば電力量計をも構成できる。
尚、実施例では、一般のバイポーラ接合トランジスタを
用いたものを示したが、例えばMO8EETのようなユ
ニポーラの素子であってもよい。
用いたものを示したが、例えばMO8EETのようなユ
ニポーラの素子であってもよい。
この場合ベース、コレクタ、エミッタは各々ゲート、ド
レイン、ソースに相当する。
レイン、ソースに相当する。
以上のように、この発明では、前段のトランジスタのエ
ミッタを次段のトランジスタに直接に又はダイオードを
介して遂次所定数段縦続し、且つエミッタに各々抵抗を
接続してこれらトランジスタをエミッタホロワ接続し、
初段のトランジスタのベースには入力信号を接続し前記
各々の抵抗を流れる電流の総和を入力信号の二乗の関数
とじて得る二乗関数発生装置を構成したので、前記各抵
抗を数種の整数比のもの又は同一のものを用いることが
できる。
ミッタを次段のトランジスタに直接に又はダイオードを
介して遂次所定数段縦続し、且つエミッタに各々抵抗を
接続してこれらトランジスタをエミッタホロワ接続し、
初段のトランジスタのベースには入力信号を接続し前記
各々の抵抗を流れる電流の総和を入力信号の二乗の関数
とじて得る二乗関数発生装置を構成したので、前記各抵
抗を数種の整数比のもの又は同一のものを用いることが
できる。
従って、設計が容易であるとともに大量生産に適した二
乗関数発生装置が得られる効果がある。
乗関数発生装置が得られる効果がある。
第1図は従来の二乗関数発生装置の主要回路図、第2図
はトランジスタのベース・エミッタ間もしくはダイオー
ドの順方向電圧電流特性図、第3図はこの発明の一実施
例の二乗関数発生装置の主要回路図である。 図において、1,2は入力端子、Q、〜Qnはトランジ
スタ、D1〜Dn−1はダイオード、r1〜rnは抵抗
、Aは電流計、Eoは直流電源である。 尚、図中同一符号は同−或は相当部分を示す。
はトランジスタのベース・エミッタ間もしくはダイオー
ドの順方向電圧電流特性図、第3図はこの発明の一実施
例の二乗関数発生装置の主要回路図である。 図において、1,2は入力端子、Q、〜Qnはトランジ
スタ、D1〜Dn−1はダイオード、r1〜rnは抵抗
、Aは電流計、Eoは直流電源である。 尚、図中同一符号は同−或は相当部分を示す。
Claims (1)
- 1 前段のトランジスタのエミッタがダイオードを介し
て次段のトランジスタのベースに遂次所定数段継続接続
され、且つエミッタが各々抵抗を介して共通電位に接続
されたエミッタホロワのトランジスタ群を備え、前記ト
ランジスタ群のうち初段のトランジスタのベースに入力
信号源を接続し、各々のトランジスタのエミッタに接続
された各々の抵抗を流れる電流の総和を入力信号の二乗
の関数として得るようにした二乗関数発生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51134481A JPS5819107B2 (ja) | 1976-11-08 | 1976-11-08 | 二乗関数発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51134481A JPS5819107B2 (ja) | 1976-11-08 | 1976-11-08 | 二乗関数発生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5358743A JPS5358743A (en) | 1978-05-26 |
JPS5819107B2 true JPS5819107B2 (ja) | 1983-04-16 |
Family
ID=15129322
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51134481A Expired JPS5819107B2 (ja) | 1976-11-08 | 1976-11-08 | 二乗関数発生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5819107B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5039441A (ja) * | 1973-08-10 | 1975-04-11 | ||
JPS5339039A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-10 | Mitsubishi Electric Corp | Transistor squaring circuit |
-
1976
- 1976-11-08 JP JP51134481A patent/JPS5819107B2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5039441A (ja) * | 1973-08-10 | 1975-04-11 | ||
JPS5339039A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-10 | Mitsubishi Electric Corp | Transistor squaring circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5358743A (en) | 1978-05-26 |
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