JPS5819022B2 - 液化ガスによる極低温恒温方法 - Google Patents
液化ガスによる極低温恒温方法Info
- Publication number
- JPS5819022B2 JPS5819022B2 JP54029515A JP2951579A JPS5819022B2 JP S5819022 B2 JPS5819022 B2 JP S5819022B2 JP 54029515 A JP54029515 A JP 54029515A JP 2951579 A JP2951579 A JP 2951579A JP S5819022 B2 JPS5819022 B2 JP S5819022B2
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- refrigerant
- sample
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は炭酸ガスや窒素等の液化ガスを冷媒源として、
恒温槽内に収納した試料を例えば、−１７０℃などの目
標極低温となるよう恒温制御するための方法に関する。
恒温槽内に収納した試料を例えば、−１７０℃などの目
標極低温となるよう恒温制御するための方法に関する。
従来この種装置として用いられているものには第１図の
イ、田こ示す二つの恒温方式が採択されている。
イ、田こ示す二つの恒温方式が採択されている。
先ずイでは図示しない液化ガス源から矢印Ａのようにガ
ス化されたガス冷媒を恒温槽Ｂ内へ、常に一定量だけ吹
き込み、同種Ｂ内に設けた１、５ＫＷ程度のヒータＣに
よる加熱により、槽内のガス温度を制御しようとするも
ので、このため槽内の温度検知素子りによる温度調整器
Ｅの応動によって、上記ヒータＣの温度制御が行われる
こととなり、槽内温度の均一化が必要となるところから
槽内にファンＦを設備しである。
ス化されたガス冷媒を恒温槽Ｂ内へ、常に一定量だけ吹
き込み、同種Ｂ内に設けた１、５ＫＷ程度のヒータＣに
よる加熱により、槽内のガス温度を制御しようとするも
ので、このため槽内の温度検知素子りによる温度調整器
Ｅの応動によって、上記ヒータＣの温度制御が行われる
こととなり、槽内温度の均一化が必要となるところから
槽内にファンＦを設備しである。
従って常時一定量のガス冷媒が供給されるから、比較的
槽内温度の冷却□速度が速いとはいえるが、恒温槽内全
体を冷却しなければならないから冷却速度の改善にも限
界があり、さらに大きな難点は定量供給のガス冷媒を槽
内のヒータＣで温度制御するため、どうしても恒温制御
に際してのガス冷媒消費が大きくなってしまうというこ
とである。
槽内温度の冷却□速度が速いとはいえるが、恒温槽内全
体を冷却しなければならないから冷却速度の改善にも限
界があり、さらに大きな難点は定量供給のガス冷媒を槽
内のヒータＣで温度制御するため、どうしても恒温制御
に際してのガス冷媒消費が大きくなってしまうというこ
とである。
またファンＦを使用しなければならないところから温度
検知素子りの設置場所如何により均一化されたガス温度
を正確に検知できず、槽内の温度安定精度が充分でない
ばかりか、ファンＦからの外部への熱放散もあるなど、
冷却空間に可動部分があるため、これが各種のトラブル
発生原因となることも欠点の一つとなっている。
検知素子りの設置場所如何により均一化されたガス温度
を正確に検知できず、槽内の温度安定精度が充分でない
ばかりか、ファンＦからの外部への熱放散もあるなど、
冷却空間に可動部分があるため、これが各種のトラブル
発生原因となることも欠点の一つとなっている。
次に口はイのようなヒータＣを設けることなく、恒温槽
Ｂ′内の温度検知素子Ｄ′により制御器Ｅ′を応動させ
、これによって電磁バルブＧを開閉制御するようにし、
結局ガス冷媒の供給流量制御によって槽内温度の恒温制
御を行うようにした方式を採っている。
Ｂ′内の温度検知素子Ｄ′により制御器Ｅ′を応動させ
、これによって電磁バルブＧを開閉制御するようにし、
結局ガス冷媒の供給流量制御によって槽内温度の恒温制
御を行うようにした方式を採っている。
従って口の場合にも恒温槽Ａ′内の冷却速度が遅いこと
、またファンＦ′を必要とすることなどの欠点を解消で
きず、液化ガスの消費量の点で改善は認められるもの＼
、ガス冷媒の供給、遮断に。
、またファンＦ′を必要とすることなどの欠点を解消で
きず、液化ガスの消費量の点で改善は認められるもの＼
、ガス冷媒の供給、遮断に。
よる温度制御であるから、供給流量の断続に対する温度
のレスポンスが悪く、この結果槽内温度の安定精度が低
いという欠点が指摘できる。
のレスポンスが悪く、この結果槽内温度の安定精度が低
いという欠点が指摘できる。
。本発明はこのような諸問題に根本的な解決を与えよう
とするもので、その構成を第２図の一実施。
とするもので、その構成を第２図の一実施。
例によって詳記すれば、先ず本発明では恒温槽１内に収
納される試料Ｔに向は冷媒Ｘが噴出されるようスプレー
ノズル２，２′が臨設されており、従って槽内温度を均
一化させるのではなく同ノズル２，２′から噴出される
冷媒Ｘにより試料Ｔが。
納される試料Ｔに向は冷媒Ｘが噴出されるようスプレー
ノズル２，２′が臨設されており、従って槽内温度を均
一化させるのではなく同ノズル２，２′から噴出される
冷媒Ｘにより試料Ｔが。
直接に冷却されるのであり、従って試料Ｔの近傍雰囲気
だけを局部的に恒温化しようとするものである。
だけを局部的に恒温化しようとするものである。
図中３，３′は試料Ｔを所定位置に支持するため、必要
に応じ恒温槽１に貫設した支持杆であり、このスプレー
ノズル２，２′へは、液化ガス源４−移送管５−熱交換
器６−給供管７−供給取入ロ８−分岐管９，９′を介し
て冷媒が供給されるよう構成しである。
に応じ恒温槽１に貫設した支持杆であり、このスプレー
ノズル２，２′へは、液化ガス源４−移送管５−熱交換
器６−給供管７−供給取入ロ８−分岐管９，９′を介し
て冷媒が供給されるよう構成しである。
さらに１０は試料Ｔの表面温度を検知する温度・検知素
子、１０′はスプレーノズル２，２′から噴出する冷媒
Ｘの温度を検知するため、上記供給取入口８内に設けた
温度検知素子であり、同素子１０ 、１０’の検知結果
により応動する温度調整器１１によって、前記熱交換器
６の熱源１２が温度を制御されるよう構成しである。
子、１０′はスプレーノズル２，２′から噴出する冷媒
Ｘの温度を検知するため、上記供給取入口８内に設けた
温度検知素子であり、同素子１０ 、１０’の検知結果
により応動する温度調整器１１によって、前記熱交換器
６の熱源１２が温度を制御されるよう構成しである。
こ−で熱交換器６は第３図のように構成することができ
るもので、当該例示は移送管５と連結される入口１３と
供給管７に連結の出口１４を、器体１５に開設し、該器
体１５内に熱源１５としての電気ヒータ１６と、その外
周に被嵌充填された伝熱流路１γとを設け、これにより
入口１３から入流した冷媒Ｘが該流路１７を通過する間
に充分；電気ヒータ１６により加温されるようにしであ
る。
るもので、当該例示は移送管５と連結される入口１３と
供給管７に連結の出口１４を、器体１５に開設し、該器
体１５内に熱源１５としての電気ヒータ１６と、その外
周に被嵌充填された伝熱流路１γとを設け、これにより
入口１３から入流した冷媒Ｘが該流路１７を通過する間
に充分；電気ヒータ１６により加温されるようにしであ
る。
そして上記伝熱流路１７としては環状に成型した燃結金
属や金属細線を用いるのがよく、図中１８ 、１８’は
同ヒータ１６のリード線を示す。
属や金属細線を用いるのがよく、図中１８ 、１８’は
同ヒータ１６のリード線を示す。
そこでこれを用いて試料Ｔの恒温状態を得るには液体窒
素容器等による液化ガス源４より液体窒素等の液体冷媒
を移送管５−熱交換器６−供給管７を介して恒温槽１内
に導入し、スプレーノズル２．２′から当該液体冷媒を
試料Ｔに向は噴出するのである。
素容器等による液化ガス源４より液体窒素等の液体冷媒
を移送管５−熱交換器６−供給管７を介して恒温槽１内
に導入し、スプレーノズル２．２′から当該液体冷媒を
試料Ｔに向は噴出するのである。
そしてこの際スプレーノズル２，２′として１ｔ／ｍ（
ＩＫｑ／ｃｄ圧）のものを使用したとすれば、液体窒素
の場合０．８０８ Ｋｇ／ｖｉｙｔの質量だけ試料Ｔに
一１９６℃の同窒素が噴霧されることになるから（−１
９６℃の液比型０．８０８）、充分に低温かつ多量の冷
媒により試料Ｔは冷却され、第４図のイに示す通り時間
に対しスプレーノズル２，２′からスプレーされる冷媒
温度は、室温ＲＴから冷媒温度曲線ＳＧＴのように急勾
配で低下して液体媒体温ＬＴに達し、この状態を保持す
ることにより試料Ｔの表面温度は試料表面温度曲線ＴＳ
Ｔの如く急速に目標温度ＯＴに近似するまで降温を続け
る。
ＩＫｑ／ｃｄ圧）のものを使用したとすれば、液体窒素
の場合０．８０８ Ｋｇ／ｖｉｙｔの質量だけ試料Ｔに
一１９６℃の同窒素が噴霧されることになるから（−１
９６℃の液比型０．８０８）、充分に低温かつ多量の冷
媒により試料Ｔは冷却され、第４図のイに示す通り時間
に対しスプレーノズル２，２′からスプレーされる冷媒
温度は、室温ＲＴから冷媒温度曲線ＳＧＴのように急勾
配で低下して液体媒体温ＬＴに達し、この状態を保持す
ることにより試料Ｔの表面温度は試料表面温度曲線ＴＳ
Ｔの如く急速に目標温度ＯＴに近似するまで降温を続け
る。
このように試料Ｔの表面温度が目標温度ＯＴの土、下近
傍まで低下してきたとき、温度検知素子１０がこれを検
知して温度調整器１１を応動させ、同調整器１１が熱交
換器６の電気ヒータ１６へ通電を行い、この結果、同ヒ
ータ１６が熱交換器６を通過する液体冷媒を加温して、
これをガス冷媒化し、従ってスプレーされる冷媒温度は
同図のように急上昇する。
傍まで低下してきたとき、温度検知素子１０がこれを検
知して温度調整器１１を応動させ、同調整器１１が熱交
換器６の電気ヒータ１６へ通電を行い、この結果、同ヒ
ータ１６が熱交換器６を通過する液体冷媒を加温して、
これをガス冷媒化し、従ってスプレーされる冷媒温度は
同図のように急上昇する。
この際電気ヒータ１６の過熱防止のためハイリミット温
度ＨＬＴを設定するが、同図の口に示す如く試料Ｔの温
度検知素子１〇一温度調整器１１−サイリスタ１８−リ
レー１９−電気ヒータ１６の回路にあって、同ヒータ１
６にバイリミットセンサ２０を設け、同センサ２０によ
り該ヒータ１６の温度を検知して、０Ｎ−ＯＦＦ調整器
２１を応動させこれによりリレー１９の導通を遮断して
同ヒータ１６がＨＬＴより過熱されないようにしてあり
、従ってスプレーされる冷媒温度は急降下して目標温度
以下まで下り、同図のイの場合にはその後も試料Ｔの表
面温度を温度検知素子１０によりモニターしながり、試
料Ｔの表面温度が目標温度ＯＴを保持するようスプレー
されるガス冷媒の温度を熱交換器６により制御するので
ある。
度ＨＬＴを設定するが、同図の口に示す如く試料Ｔの温
度検知素子１〇一温度調整器１１−サイリスタ１８−リ
レー１９−電気ヒータ１６の回路にあって、同ヒータ１
６にバイリミットセンサ２０を設け、同センサ２０によ
り該ヒータ１６の温度を検知して、０Ｎ−ＯＦＦ調整器
２１を応動させこれによりリレー１９の導通を遮断して
同ヒータ１６がＨＬＴより過熱されないようにしてあり
、従ってスプレーされる冷媒温度は急降下して目標温度
以下まで下り、同図のイの場合にはその後も試料Ｔの表
面温度を温度検知素子１０によりモニターしながり、試
料Ｔの表面温度が目標温度ＯＴを保持するようスプレー
されるガス冷媒の温度を熱交換器６により制御するので
ある。
次に第５図に示す恒温制御の場合には試料Ｔを冷却する
当初は第４図と同じく試料Ｔの表面温度を温度検知素子
１０により検知して目標温度ＯＴへの降温制御を行うが
、当該表面温度が目標温度ＯＴに近似即ち近傍か合致し
た時点で、今度は前記温度検知素子１０′により、スプ
レーされるべきガス冷媒温の制御に切換え、これによっ
て試料Ｔの表面温度を目標温度ＯＴに恒温制御しており
、図中一点鎖線で示したのは第２図のように支持杆３．
３′により試料Ｔを支持した場合の試料表面温度を示し
ており、ＯＴより若干高めの恒温に試料温度が保持され
ることを意味している。
当初は第４図と同じく試料Ｔの表面温度を温度検知素子
１０により検知して目標温度ＯＴへの降温制御を行うが
、当該表面温度が目標温度ＯＴに近似即ち近傍か合致し
た時点で、今度は前記温度検知素子１０′により、スプ
レーされるべきガス冷媒温の制御に切換え、これによっ
て試料Ｔの表面温度を目標温度ＯＴに恒温制御しており
、図中一点鎖線で示したのは第２図のように支持杆３．
３′により試料Ｔを支持した場合の試料表面温度を示し
ており、ＯＴより若干高めの恒温に試料温度が保持され
ることを意味している。
こ＼で第６図は前記恒温制御と異なり、最初からすべて
温度検知素子１０′による冷媒温度の検知によって恒温
制御を行った場合を示し、ＳＧＴはＯＴ以下とならず従
って第４．第５図の場合に比し試料の冷却速度は遅くな
る。
温度検知素子１０′による冷媒温度の検知によって恒温
制御を行った場合を示し、ＳＧＴはＯＴ以下とならず従
って第４．第５図の場合に比し試料の冷却速度は遅くな
る。
以上のように第１の発明では液化ガス源４からの冷媒Ｘ
が、熱交換器６を介して恒温槽１内のスプレーノズル２
，２′より同槽内に収納した試料Ｔに向は噴出するよう
にしたので、恒温槽１内全域を冷却するのではなく試料
Ｔ近傍の局部的冷却ですむため、冷却速度も極めて速く
、槽内温均−化のためのファンなども不要となると共に
レスポンスの向上にも効果的となり、もちろん試料Ｔへ
の直接噴射による局部的恒温状態を保持するだけでよい
から、冷媒を節減できる。
が、熱交換器６を介して恒温槽１内のスプレーノズル２
，２′より同槽内に収納した試料Ｔに向は噴出するよう
にしたので、恒温槽１内全域を冷却するのではなく試料
Ｔ近傍の局部的冷却ですむため、冷却速度も極めて速く
、槽内温均−化のためのファンなども不要となると共に
レスポンスの向上にも効果的となり、もちろん試料Ｔへ
の直接噴射による局部的恒温状態を保持するだけでよい
から、冷媒を節減できる。
さらに試料Ｔの当初冷却時には上記冷媒として液体冷媒
自体を試料Ｔに噴射させるようにしたから、前記した通
り０．８０８Ｋｇ／ｍｉｘ、−１９６℃の液体窒素を噴
出するといったことが可能となり、従って従来方法に比
し飛躍的冷却速度を急勾配にでき、液体窒素による本発
明方法によれば、室温から一１００℃まで試料の表面温
度を降下させるのに約２０分ですみ、その後適時前記熱
交換器６によって当該液体冷媒のガス冷媒化と同ガス冷
媒の温度制御を行って、試料を目標温度に恒温制御する
ようにしたので、例えば液化窒素をガス化して一１００
℃で温度制御しているときは、−１００℃のガス比重は
０．００２であるから、０．００２Ｋｙ／−のガス噴出
量に自動的な制御が行われることメなり、この結果温度
制御時の冷媒消費量が極めて少くなる。
自体を試料Ｔに噴射させるようにしたから、前記した通
り０．８０８Ｋｇ／ｍｉｘ、−１９６℃の液体窒素を噴
出するといったことが可能となり、従って従来方法に比
し飛躍的冷却速度を急勾配にでき、液体窒素による本発
明方法によれば、室温から一１００℃まで試料の表面温
度を降下させるのに約２０分ですみ、その後適時前記熱
交換器６によって当該液体冷媒のガス冷媒化と同ガス冷
媒の温度制御を行って、試料を目標温度に恒温制御する
ようにしたので、例えば液化窒素をガス化して一１００
℃で温度制御しているときは、−１００℃のガス比重は
０．００２であるから、０．００２Ｋｙ／−のガス噴出
量に自動的な制御が行われることメなり、この結果温度
制御時の冷媒消費量が極めて少くなる。
従って同制御時の熱交換器６における熱源１２も、その
ヒータパワーが小さくてすみ、実献上従来装置で１．５
ＫＷを要したものが０．５ＫＷ程度で恒温制御を行うこ
とができた。
ヒータパワーが小さくてすみ、実献上従来装置で１．５
ＫＷを要したものが０．５ＫＷ程度で恒温制御を行うこ
とができた。
また本発明方法では上記のように冷媒を常時噴出してい
るから前記従来方法のように冷媒の０Ｎ−ＯＦＦがなく
、従って冷媒流動停止時の配管による熱損失によって冷
媒が昇温し、ＯＮの際に昇温冷媒が噴出されることにな
って恒温制御が不安定となることもないから、温度安定
精度も±０．５℃程度とすることが可能であり、しかも
冷媒は液化、ガス化の２通りを使い分けるので温度調整
範囲が広く、制御性もよくなる。
るから前記従来方法のように冷媒の０Ｎ−ＯＦＦがなく
、従って冷媒流動停止時の配管による熱損失によって冷
媒が昇温し、ＯＮの際に昇温冷媒が噴出されることにな
って恒温制御が不安定となることもないから、温度安定
精度も±０．５℃程度とすることが可能であり、しかも
冷媒は液化、ガス化の２通りを使い分けるので温度調整
範囲が広く、制御性もよくなる。
次に第２の発明にあっては前記液体冷媒の噴出による降
温によって、試料が目標温度に近似したことを試料の温
度により検知し、当該検知による温度調整器１１の応動
によって熱交換器６の熱源温度制御を行うよう構成した
から、第４図のイに示す如き恒温制御が確実になされ、
さらに第３の発明では上記降温により目標温度に近接し
た試料の温度を検知し、当該検知による温度調整器の応
動により熱交換器の熱源温度制御を行い、これにより液
体冷媒のガス冷媒化と同ガス冷媒の温度を制御させるが
、これによって試料を目標温度に近似させたならば、以
後は当該ガス冷媒の温度を検知して、これによる熱交換
器の熱源温度制御に切換えるようにしたから、第５図に
示すような恒温制御を行うことができ、より一層レスポ
ンスの良好な制御を実現することが可能となる。
温によって、試料が目標温度に近似したことを試料の温
度により検知し、当該検知による温度調整器１１の応動
によって熱交換器６の熱源温度制御を行うよう構成した
から、第４図のイに示す如き恒温制御が確実になされ、
さらに第３の発明では上記降温により目標温度に近接し
た試料の温度を検知し、当該検知による温度調整器の応
動により熱交換器の熱源温度制御を行い、これにより液
体冷媒のガス冷媒化と同ガス冷媒の温度を制御させるが
、これによって試料を目標温度に近似させたならば、以
後は当該ガス冷媒の温度を検知して、これによる熱交換
器の熱源温度制御に切換えるようにしたから、第５図に
示すような恒温制御を行うことができ、より一層レスポ
ンスの良好な制御を実現することが可能となる。
；図面の簡単な説明
第１図の４９口は従来の極低温恒温方法を示した側面説
明図、第２図は本発明に係る同方法の側面略示図、第３
図は同方法の熱交換器を示した縦断側面図、第４図のイ
は第２の発明方法により恒温制御した時間と制御温度と
の関係図表、同図の口は同方法に用いたバイリミット回
路の接続図、第５図は、第３の発明方法により恒温制御
した時間と制御温度との関係図表、第６図は第４、第５
図とは異なる恒温制御手段によって制御した場合の時間
と制御温度との関係図表である。
明図、第２図は本発明に係る同方法の側面略示図、第３
図は同方法の熱交換器を示した縦断側面図、第４図のイ
は第２の発明方法により恒温制御した時間と制御温度と
の関係図表、同図の口は同方法に用いたバイリミット回
路の接続図、第５図は、第３の発明方法により恒温制御
した時間と制御温度との関係図表、第６図は第４、第５
図とは異なる恒温制御手段によって制御した場合の時間
と制御温度との関係図表である。
１・・・・・・恒温槽、２，２’・・・・・・スプレー
ノズル、４・・・・・・液化ガス源、６・・・・・・熱
交換器、１１・・・・・・温度調整器、１２・・・・・
・熱交換器の熱源、Ｔ・・・・・・試料、Ｘ・・・・・
・冷媒、ＯＴ・・・・・・目標温度。
ノズル、４・・・・・・液化ガス源、６・・・・・・熱
交換器、１１・・・・・・温度調整器、１２・・・・・
・熱交換器の熱源、Ｔ・・・・・・試料、Ｘ・・・・・
・冷媒、ＯＴ・・・・・・目標温度。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 液化ガス源からの冷媒が、熱交換器を介して。 恒温槽内のスプレーノズルより、同槽内に収納した試料
に向は噴出するようにし、試料の当初冷却時には上記冷
媒として液体冷媒を噴出せしめて試料を目標温度に向は
降温させ、適時前記熱交換器によって当該液体冷媒のガ
ス冷媒化と同ガス冷媒の温度制御を行うことにより、該
試料を目標温度に恒温制御するようにしたことを特徴と
する液化ガスによる極低温恒温方法。 ２ 液化ガス源からの冷媒が、熱交換器を介して恒温槽
内のスプレーノズルから、内槽内に収納した試料に向は
噴出するようにし、試料の当初冷却時には上記冷媒とし
て液体冷媒を噴出せしめて試料の目標温度に向は降温さ
せ、この降温により目標温度に近似した試料の温度を検
知し、当該検知による温度調整器の応動によ、り前記熱
交換器の熱源温度制御を行い、これにより前記液体冷媒
のガス冷媒化と同ガス冷媒の温度を制御して、試料を目
標温度に恒温制御するようにしたことを特徴とする液化
ガスによる極低温恒温方法。 ３ 液化ガス源からの冷媒が、熱交換器を介して恒温槽
内のスプレーノズルから、同槽内に収納した試料に向は
噴出するようにし、試料の当初冷却時には上記冷媒とし
て液体冷媒を噴出せしめて試料の目標温度に向は降温さ
せ、この降温により目標温度に近接した試料の温度を検
知し、当該検知による温度調整器の応動により前記熱交
換器の熱源温度制御を行い、これにより前記液体冷媒の
ガス冷媒化と同ガス冷媒の温度を制御して、試料を目標
温度に近似させ、以後は当該ガス冷媒の温度を検知して
、これによる上記熱交換器の、熱源温度制御に切換え、
これにより試料を目標温度に恒温制御するようにしたこ
とを特徴とする液化ガスによる極低温恒温方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54029515A JPS5819022B2 (ja) | 1979-03-14 | 1979-03-14 | 液化ガスによる極低温恒温方法 |
| AU56253/80A AU544052B2 (en) | 1979-03-14 | 1980-03-07 | Cryostat system |
| NL8001408A NL8001408A (nl) | 1979-03-14 | 1980-03-10 | Cryostaatinrichting gebruikmakend van een vloeibaar gemaakt gas en dito werkwijze. |
| GB8008115A GB2049900B (en) | 1979-03-14 | 1980-03-11 | Cryostat system utilizing a liquefied gas |
| US06/129,485 US4295339A (en) | 1979-03-14 | 1980-03-11 | Cryostat system utilizing a liquefied gas |
| DE19803009402 DE3009402A1 (de) | 1979-03-14 | 1980-03-12 | Kuehlmittelfluessiggasbetriebenes kyrostatsystem |
| FR8005617A FR2451560A1 (fr) | 1979-03-14 | 1980-03-13 | Systeme cryostatique utilisant un gaz liquefie pour controler thermostatiquement la temperature d'un objet ou substance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54029515A JPS5819022B2 (ja) | 1979-03-14 | 1979-03-14 | 液化ガスによる極低温恒温方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55121366A JPS55121366A (en) | 1980-09-18 |
| JPS5819022B2 true JPS5819022B2 (ja) | 1983-04-15 |
Family
ID=12278225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54029515A Expired JPS5819022B2 (ja) | 1979-03-14 | 1979-03-14 | 液化ガスによる極低温恒温方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5819022B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6149825U (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-03 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5560033B2 (ja) * | 2009-12-21 | 2014-07-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 冷却試料ホールダ及び試料の冷却加工方法 |
-
1979
- 1979-03-14 JP JP54029515A patent/JPS5819022B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6149825U (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-03 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55121366A (en) | 1980-09-18 |
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