JPS58189548A - Ａｌの陽極酸化薄膜を用いた湿度センサ素子及びその製造方法 - Google Patents
Ａｌの陽極酸化薄膜を用いた湿度センサ素子及びその製造方法Info
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- JPS58189548A JPS58189548A JP57070520A JP7052082A JPS58189548A JP S58189548 A JPS58189548 A JP S58189548A JP 57070520 A JP57070520 A JP 57070520A JP 7052082 A JP7052082 A JP 7052082A JP S58189548 A JPS58189548 A JP S58189548A
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- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＡ４の酸化薄膜を利用した湿度センサ索子の製
造方法に関するものである。湿度センサは従来湿度観測
用として一部に使用されていたのであるが、最近に至っ
て家電機器等に利用されるに至って用途は急激に拡大さ
れた。
造方法に関するものである。湿度センサは従来湿度観測
用として一部に使用されていたのであるが、最近に至っ
て家電機器等に利用されるに至って用途は急激に拡大さ
れた。
Ａｌ皮膜を用いたセンサは既に幾つか公知となっている
。その代表的なものは次の通りである。
。その代表的なものは次の通りである。
（イ）特願昭５１−８３５０７号（アルミニュウムの陽
−研究報告第６号；１９７６年、５１頁〜５６頁）（ハ
）ｌ＠極化成Ａｔの封孔処理効果（ｆ３ｅａｌｉｎｇ
ＥｆｆｅＣ６８ｎｅａｒ ｔｈｅ Ｂａｒｒｉｅｒ−Ｐ
ｏｒｏｕｓ Ｌａｙｅｒ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ ｏｆ
ＡｒｗｄｉｃＡｌｕｍｉｎａｓ ； ５ｏｌｉｄ ５ａ
ｔｅ ５ｉｅｔｖ、ｅ、 ｓｅｐ、、 １９７０ ）そ
の製法を、第１図を参照して極めて聞単に説明する。図
はこの棟のセンサ素子の平面図である。
−研究報告第６号；１９７６年、５１頁〜５６頁）（ハ
）ｌ＠極化成Ａｔの封孔処理効果（ｆ３ｅａｌｉｎｇ
ＥｆｆｅＣ６８ｎｅａｒ ｔｈｅ Ｂａｒｒｉｅｒ−Ｐ
ｏｒｏｕｓ Ｌａｙｅｒ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ ｏｆ
ＡｒｗｄｉｃＡｌｕｍｉｎａｓ ； ５ｏｌｉｄ ５ａ
ｔｅ ５ｉｅｔｖ、ｅ、 ｓｅｐ、、 １９７０ ）そ
の製法を、第１図を参照して極めて聞単に説明する。図
はこの棟のセンサ素子の平面図である。
図において１はセラミック基板、２は真空蒸着又はスパ
ッタ法によって形成した櫛（＜シ）状薄膜電極である。
ッタ法によって形成した櫛（＜シ）状薄膜電極である。
即ちＴｉなとのバルブ金属を用いて基板１の全面に亘っ
て蒸着法又はスパッタ法によって薄膜を形成した後、フ
ォトエツチングによって所要のくし形電極を形成する。
て蒸着法又はスパッタ法によって薄膜を形成した後、フ
ォトエツチングによって所要のくし形電極を形成する。
次にアルミニュウム薄膜をマスク蒸着にょ９、くし状電
極部分の全面に形成し、後硫酸２ｇ酸等の酸を用いて陽
極酸化法により酸化ＡｔＯ薄［３（疎＃線で示す）を形
成する。次に、センサ素子完成後に外部引出しリード線
５を半田付するためにマスク蒸着法によりＡｕ、の端子
部４を設ける。その後肢素子を純水を沸とうさせた熱湯
中に６０分くらい浸漬して、いわゆる封孔処理（Ｓｅａ
ｌｉｎｇ ）を行い、最後にリード線５をＡｕ端子部４
に半田づけする。
極部分の全面に形成し、後硫酸２ｇ酸等の酸を用いて陽
極酸化法により酸化ＡｔＯ薄［３（疎＃線で示す）を形
成する。次に、センサ素子完成後に外部引出しリード線
５を半田付するためにマスク蒸着法によりＡｕ、の端子
部４を設ける。その後肢素子を純水を沸とうさせた熱湯
中に６０分くらい浸漬して、いわゆる封孔処理（Ｓｅａ
ｌｉｎｇ ）を行い、最後にリード線５をＡｕ端子部４
に半田づけする。
前述のようにして作られたセンサ素子は幾多の特徴があ
るが、−刃欠のような欠点がある。
るが、−刃欠のような欠点がある。
（１）湿度に対するヒステリシスが大きい。
即ち第１図のリード線５，５間のコンダクタンスが湿度
の上昇と共に増加するのであるが、逆に湿度を減少する
と、コンダクタンス値が、上昇のときと異なる径路（パ
ス）を通シ、その差が大きい。、いわゆるヒステリシス
現象を生ずる。
の上昇と共に増加するのであるが、逆に湿度を減少する
と、コンダクタンス値が、上昇のときと異なる径路（パ
ス）を通シ、その差が大きい。、いわゆるヒステリシス
現象を生ずる。
（２） 低湿度の中では、時間と共に感度が除徐に下
がる。
がる。
即ち前記リード＠５．５間の湿度に対するコンダクタン
ス値及びそのスロープが時間と共に減少する。
ス値及びそのスロープが時間と共に減少する。
（３）高湿度の中では、感度が増加し、かつ不安定とな
る。
る。
即ち相対湿度が８０％Ｒ，Ｈ，以上の高湿度中では、感
度が次第に増加し、かつ不安定となる。
度が次第に増加し、かつ不安定となる。
本発明の目的は前記の欠点を除去し、もしくは著しく改
善して実用に供し得る、特性の優れた酸化Ａｔ薄膜セン
サ素子の製造方法を提供することにある。
善して実用に供し得る、特性の優れた酸化Ａｔ薄膜セン
サ素子の製造方法を提供することにある。
前記の目的を達成するため本発明に係るＡｌの陽極酸化
薄膜を用いた湿度センサ素子の製造方法は、絶縁基板の
上に形成された薄膜状バルブ金属の電極上の全面に亘っ
て設けられたＡｔ薄膜を陽極酸化し−て生じた酸化Ａｔ
の表面を、透水性を肴する導電性金属４膜（以下透水膜
と略称する）で被覆して成ることを特徴としたものであ
る。
薄膜を用いた湿度センサ素子の製造方法は、絶縁基板の
上に形成された薄膜状バルブ金属の電極上の全面に亘っ
て設けられたＡｔ薄膜を陽極酸化し−て生じた酸化Ａｔ
の表面を、透水性を肴する導電性金属４膜（以下透水膜
と略称する）で被覆して成ることを特徴としたものであ
る。
次に本発明の構成について説明する。
本発明は同一の出願人、同一の発明者によってなされた
出願、即ち昭和５７年４月１４日の符許出顧に係る発明
、即ち発明の名称「Ａｌの陽極酸化薄膜を用いた湿度セ
ンサ素子」（以下前出願と略称する）の製造方法に関す
るものである。
出願、即ち昭和５７年４月１４日の符許出顧に係る発明
、即ち発明の名称「Ａｌの陽極酸化薄膜を用いた湿度セ
ンサ素子」（以下前出願と略称する）の製造方法に関す
るものである。
それ故簡単に前出願について説明する１゜前出願の湿度
センサ素子は、絶縁基板の上に形成された薄膜状バルブ
金属の電極上の全面に亘って設（づられたＡｌ薄膜ｔ１
陽、蟻酸化して得られた酸化Ａ／の表面を界面活性剤で
被覆し、更にその上に透水性の導直薄膜の層を設けるこ
とを特徴としたものである。
センサ素子は、絶縁基板の上に形成された薄膜状バルブ
金属の電極上の全面に亘って設（づられたＡｌ薄膜ｔ１
陽、蟻酸化して得られた酸化Ａ／の表面を界面活性剤で
被覆し、更にその上に透水性の導直薄膜の層を設けるこ
とを特徴としたものである。
即ち前出願の新規にして進歩性の大なる点は、前記透水
膜を設けた点で、これによって次に示す多くの効果を生
じた。
膜を設けた点で、これによって次に示す多くの効果を生
じた。
（１）入力インピーダンスが低いので、該素子を用いた
湿度測定回路の標準抵抗、増幅器（以下アンプと略称す
る）等から成る回路が安定し、かつ価格も低廉となる。
湿度測定回路の標準抵抗、増幅器（以下アンプと略称す
る）等から成る回路が安定し、かつ価格も低廉となる。
（２）本出願人と同一の出願人によってなされた、特願
昭５６−００８６０１号の発明に係るセンサ素子は、１
０Ｈｚ前後の励振周波数で良好な特性を示したが、５０
）（ｚ以上になると特性は低下する。前出願の素子はｌ
ＯＨ２〜１００ ＫＨｚの広範囲で良好な特性を示す１
゜従って応用範囲が非常に大きくなる。
昭５６−００８６０１号の発明に係るセンサ素子は、１
０Ｈｚ前後の励振周波数で良好な特性を示したが、５０
）（ｚ以上になると特性は低下する。前出願の素子はｌ
ＯＨ２〜１００ ＫＨｚの広範囲で良好な特性を示す１
゜従って応用範囲が非常に大きくなる。
（３）その他の緒特性は、−膜島に比し前出願と同様な
優れた特性を有する。
優れた特性を有する。
これ等の諸点については既に前出願で詳細に述べたとこ
ろであり、かつ前述した従来のセンサに関する諸欠点も
、前記特願昭５６−００８６０１号で詳述したので、量
率のため省略し、直ちに本発明の構成につき、実施例を
用いて詳述する。
ろであり、かつ前述した従来のセンサに関する諸欠点も
、前記特願昭５６−００８６０１号で詳述したので、量
率のため省略し、直ちに本発明の構成につき、実施例を
用いて詳述する。
第２図は本発明の１実施例の平面図である。第１図と同
一の部分については同じ符号を付して説明を省略する。
一の部分については同じ符号を付して説明を省略する。
２１は本発明の特徴である透水膜の一部を示す。実際に
は２１の透水膜は６の粗斜巌の部分を全部覆っているの
であるが、説明の便宜上、図のように示したものである
。
は２１の透水膜は６の粗斜巌の部分を全部覆っているの
であるが、説明の便宜上、図のように示したものである
。
１のセラミック基板は高純度のアルミナ磁器を用い、寸
法は１０ ａｌｌ ｘ １５ ａｌｌ Ｘα６１鳳であ
る。これを充分に洗滌、乾燥する。次にこの基板を高周
波スパッタ槽に収容し、表面にＴａ膜をスパッタする。
法は１０ ａｌｌ ｘ １５ ａｌｌ Ｘα６１鳳であ
る。これを充分に洗滌、乾燥する。次にこの基板を高周
波スパッタ槽に収容し、表面にＴａ膜をスパッタする。
膜厚は２．００ＯＡである。次に化学エツチングにより
くし状電極２を形成する。くし状歯の幅は５０μｍ。
くし状電極２を形成する。くし状歯の幅は５０μｍ。
間隔は５０μｍとした。
次に高真空中でマスク蒸着法により、柑斜？ＩＭ５で示
す部分にＡｌ薄膜（厚さ５，０ＯＯＡ〜７，０ＯＯＡ）
及び４で示すＡｕ端子部を形成する。次いで６のＡｌ膜
と４のＡｕ端子部との間に、幅数ｊＩＩＫのレジンの絶
縁帯を作る。
す部分にＡｌ薄膜（厚さ５，０ＯＯＡ〜７，０ＯＯＡ）
及び４で示すＡｕ端子部を形成する。次いで６のＡｌ膜
と４のＡｕ端子部との間に、幅数ｊＩＩＫのレジンの絶
縁帯を作る。
次に該基板を、端子部４をコンモンにして６の部分を権
硫酸又は蓚酸の電解液中に懸垂して陽極とする。この場
合前記レジン帯の中心線付近まで浸漬する。このように
するのは陽極酸化時に表面近くに電流の集中するのを防
止し、以後の酸化が全面に亘って均一に行なわれるよう
にするためである６１次に純度の高いバルブ金属である
ＴｃＬ片を電解液中に懸垂して陰極とする。前記Ｉ＠陰
陰極極間、最初に定′成流を流して充分に化成し、次に
やや高い醒圧による定電圧化成を行なって陽極化成の工
程を終る。
硫酸又は蓚酸の電解液中に懸垂して陽極とする。この場
合前記レジン帯の中心線付近まで浸漬する。このように
するのは陽極酸化時に表面近くに電流の集中するのを防
止し、以後の酸化が全面に亘って均一に行なわれるよう
にするためである６１次に純度の高いバルブ金属である
ＴｃＬ片を電解液中に懸垂して陰極とする。前記Ｉ＠陰
陰極極間、最初に定′成流を流して充分に化成し、次に
やや高い醒圧による定電圧化成を行なって陽極化成の工
程を終る。
陽極化成時にパルプ金属を用いる必要性及び陽極化成時
の化学現象等については前記、特願昭５６゛−００８６
０１号で詳述したので煩雑を避けるため省略する。
の化学現象等については前記、特願昭５６゛−００８６
０１号で詳述したので煩雑を避けるため省略する。
化成終了後充分に洗滌し、６００℃〜３５０℃の安定化
熱処理を２時間程度行なう。
熱処理を２時間程度行なう。
次に純水の那とう水中で充分に封孔処理（Ｓｅαｌｉｎ
ｇ）をする。封孔処理についても、前記、特願昭５６−
００８６０１号に詳述したので煩雑を避けるため省略す
る。
ｇ）をする。封孔処理についても、前記、特願昭５６−
００８６０１号に詳述したので煩雑を避けるため省略す
る。
次に該基板の粗斜線６で示した酸化Ａｊ層の表面にｋｕ
の透水膜を、高真空中で蒸着する。ＡｌＬの蒸着膜の厚
さと表面固有抵抗（以下比抵抗と略称する）ρ′（Ω／
：コ）との関係は、実測すると第３図のようになる。そ
れ故ρ′の値をモニターすればその膜厚が分る。実験の
結果によるとＡｍの透水膜の厚さは５００ Ａｍ２，０
ＯＯＡの範囲が好結果を与える。％に２，００ＯＡ＠後
がよい。
の透水膜を、高真空中で蒸着する。ＡｌＬの蒸着膜の厚
さと表面固有抵抗（以下比抵抗と略称する）ρ′（Ω／
：コ）との関係は、実測すると第３図のようになる。そ
れ故ρ′の値をモニターすればその膜厚が分る。実験の
結果によるとＡｍの透水膜の厚さは５００ Ａｍ２，０
ＯＯＡの範囲が好結果を与える。％に２，００ＯＡ＠後
がよい。
最後にリード巌５をＡシ端子都４に半田付けする。
このようにして完成した製品の絶縁抵抗を測定すると、
５−５間の端子抵抗が極めて低いものが 。
５−５間の端子抵抗が極めて低いものが 。
相当生じた。ことに酸化＃５の厚さが小である場合に著
しい。この現象は生産の歩どまりを上げるのに障害とな
る。研究の結果酸化ＡＩの層は、厚さが薄いときは相当
ポーラスであることが分った。
しい。この現象は生産の歩どまりを上げるのに障害とな
る。研究の結果酸化ＡＩの層は、厚さが薄いときは相当
ポーラスであることが分った。
そうすると、その酸化膜の上にＡｕを蒸着すると前記多
孔質部をｋｕの分子が埋めてゆくことになる。
孔質部をｋｕの分子が埋めてゆくことになる。
即ち模型的に表わすとその断面は第４図のようなＳ造で
表わされる。図において１は基板、６は酸化Ａ１０層で
４はＡｕの透水膜の層で必る。２ａ、２ｂはくし状電極
の相隣る２木片を表わす。そうすると第２図から明らか
なように、端子５−５間の抵抗を測れば結局、くシ状歯
の間の抵抗を測ることになるから、もし第４図のような
構造になっていると２ ａ ２ ｂ間の抵抗は明らか
に極めて小となり、甚だしいときはＡｕの微粒子でショ
ートされることになる。
表わされる。図において１は基板、６は酸化Ａ１０層で
４はＡｕの透水膜の層で必る。２ａ、２ｂはくし状電極
の相隣る２木片を表わす。そうすると第２図から明らか
なように、端子５−５間の抵抗を測れば結局、くシ状歯
の間の抵抗を測ることになるから、もし第４図のような
構造になっていると２ ａ ２ ｂ間の抵抗は明らか
に極めて小となり、甚だしいときはＡｕの微粒子でショ
ートされることになる。
それ故本発明者は２ａ−２ｂ間に適当な成圧を印加すれ
ば、その電極に接近したＡｕの微粒子は一瞬にして蒸気
化し、従って２ａ−２ｂ間の絶縁が回復すること、即ち
自己回復（セルフヒーリング： ５ｅｌｆ ｈｅα−１
ｉｎσ）させることが出来ることに気づいた。実験の結
果によるとＡｎの膜厚が２．ｏｏｏＸ以下くらいである
と、セルフヒーリングが極めて短時間に終了して、絶縁
が回復することが分った。
ば、その電極に接近したＡｕの微粒子は一瞬にして蒸気
化し、従って２ａ−２ｂ間の絶縁が回復すること、即ち
自己回復（セルフヒーリング： ５ｅｌｆ ｈｅα−１
ｉｎσ）させることが出来ることに気づいた。実験の結
果によるとＡｎの膜厚が２．ｏｏｏＸ以下くらいである
と、セルフヒーリングが極めて短時間に終了して、絶縁
が回復することが分った。
即ち第４図に示す酸化Ａ１０層の膜厚が５ 、０００
Ａ〜７．ＤＯＯＡの場合、端子部４−４に印加する電圧
。
Ａ〜７．ＤＯＯＡの場合、端子部４−４に印加する電圧
。
即ちセルフヒーリング電圧は１６０■〜１５０Ｖが適当
であること、かつセルフヒーリング時間は酸化Ａｔの膜
厚にもよるが、前記したよりな膜厚ならば１秒以ｒでよ
いから、実用上は１０秒も見れば充分であることを確か
めた。ともかくこのようにして歩どまりの問題は解決で
きることが分った。ちなみにセルフヒーリングの技術は
金属化紙を用いたキャパシターの製造においては古くか
ら実用されている。
であること、かつセルフヒーリング時間は酸化Ａｔの膜
厚にもよるが、前記したよりな膜厚ならば１秒以ｒでよ
いから、実用上は１０秒も見れば充分であることを確か
めた。ともかくこのようにして歩どまりの問題は解決で
きることが分った。ちなみにセルフヒーリングの技術は
金属化紙を用いたキャパシターの製造においては古くか
ら実用されている。
なおセルフヒーリング電圧は、できるだけ小さくするこ
とが望ましい。あまシ大きくすると酸化Ａｔ膜に損傷を
与え、ひいてはセンサ特性に悪影響を及ぼすからである
。また電圧が低過ぎるとセルフヒーリングはしない。そ
れ故適当な電圧は実験によって簡単に定めることができ
る。前記のセルフヒーリングの電圧は実験によって定め
たものである。なお本発明におけるセルフヒーリングの
技術の利用の態様は金属化紙キャパシターの場合と異な
っている。
とが望ましい。あまシ大きくすると酸化Ａｔ膜に損傷を
与え、ひいてはセンサ特性に悪影響を及ぼすからである
。また電圧が低過ぎるとセルフヒーリングはしない。そ
れ故適当な電圧は実験によって簡単に定めることができ
る。前記のセルフヒーリングの電圧は実験によって定め
たものである。なお本発明におけるセルフヒーリングの
技術の利用の態様は金属化紙キャパシターの場合と異な
っている。
最後にセンサとしての特性を更に安定し、向上させるた
めには非イオ／性界面剤ポリオキシエチレンアルキルフ
ェニールエーテルを用いて処理スればよい。その技術に
ついては本出願人と同一の出願人による特許出願、特願
昭５６−１２８１７０号に詳述しであるので省略する。
めには非イオ／性界面剤ポリオキシエチレンアルキルフ
ェニールエーテルを用いて処理スればよい。その技術に
ついては本出願人と同一の出願人による特許出願、特願
昭５６−１２８１７０号に詳述しであるので省略する。
次に本発明の効果について簡単に述べる。
（１）セルフヒーリングの技術を開発することにより、
透水膜を設けた、入力インピーダンスの低いセンサ素子
が容易に量産できるようになり、従って安価に提供する
ことができる。
透水膜を設けた、入力インピーダンスの低いセンサ素子
が容易に量産できるようになり、従って安価に提供する
ことができる。
（１１）セルフヒーリングを適当な条件のもとに実施す
ることにより電極間の絶縁抵抗を高く保持することがで
きるようになった。従ってセンサ特性を安定に保つこと
ができる。
ることにより電極間の絶縁抵抗を高く保持することがで
きるようになった。従ってセンサ特性を安定に保つこと
ができる。
（ｉｔｉ）酸化Ａｔｌ−の膜厚が５ 、 ＯＤＤ Ａ〜
７ 、００１ｊ Ａ であれはセルフヒーリング電圧は
１６０Ｖ〜１５０ｖで充分であり、印加時間は実用上１
０秒以下でよい。
７ 、００１ｊ Ａ であれはセルフヒーリング電圧は
１６０Ｖ〜１５０ｖで充分であり、印加時間は実用上１
０秒以下でよい。
（１ｖ）本発明に係るセンサ素子の緒特性については前
出願で詳細に述べたので、簡単のため省略する
出願で詳細に述べたので、簡単のため省略する
第１図は皮膜形（薄膜形を含む）センサ素子の平面図、
第２図は本発明に係るセ／す素子の平面図、第６図はＡ
ｕ蒸着膜の厚さと表面固有抵抗との関係を示すグラフ、 第４図は基板、くシ状電極素片、酸化Ａｔ層、透水膜を
含む部分の断面の模型図である。 図において、 １・・・セラミック基板 ４・・・くし状電極の
端子１２・・・くし状（薄膜）電極 ５・・・リード線
６・・・酸化１！膜 ２１・・・透水性の導電
性薄１（透水膜）である。 代理人 弁理士 岡 １）梧 部１ １１Ａ３ 回 ■ 関 、 ２ の
ｕ蒸着膜の厚さと表面固有抵抗との関係を示すグラフ、 第４図は基板、くシ状電極素片、酸化Ａｔ層、透水膜を
含む部分の断面の模型図である。 図において、 １・・・セラミック基板 ４・・・くし状電極の
端子１２・・・くし状（薄膜）電極 ５・・・リード線
６・・・酸化１！膜 ２１・・・透水性の導電
性薄１（透水膜）である。 代理人 弁理士 岡 １）梧 部１ １１Ａ３ 回 ■ 関 、 ２ の
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 絶縁基板の上に形成された薄膜状バルブ金属の電
極上の全面に亘って設けられたＡｔ薄膜をＩ＠極酸酸化
て生じた酸化Ａｌの表面を、透水性を有する導電性金属
薄膜（以下透水膜と略称する）で被覆して成ることを特
徴とする、Ａｔの陽極酸化薄膜を用いた湿度センサ素子
の製造方法。 ２、 第１項記載の透水膜は” ＋Ａａ 、Ｃｒ 、Ｎ
ｉ等の不銹性の金属薄膜とすることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のＡｔの陽極酸化薄膜を用いた湿度
センサ素子の製造方法。 ６ 第２項記載のＡ％Ｌの透水膜の厚さを５００ Ｘ〜
２．０ＯＯＡ とすることを特徴とする特許請求の範囲
第２項記載のＡｔ陽極酸化薄膜を用いた湿度センサ素子
の製造方法。 ４、 第１項記載のバルブ金属の電極は櫛（〈シ）状の
形状とし、その両Ｍ極間に適当な電圧を印加することに
より、該両÷電極間を短絡し、もしくは絶縁抵抗を低下
させている前記透水膜の一部を自己回復（セルフヒーリ
ング； ５ｅＬｆｈｅａｌｉ■）させることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項〜第６項の何れか１つに記載の
ｋｌの陽極酸化薄膜を用いた湿度センサ素子の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57070520A JPH0244023B2 (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | Alnoyokyokusankahakumakuomochiitashitsudosensasoshioyobisonoseizohoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57070520A JPH0244023B2 (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | Alnoyokyokusankahakumakuomochiitashitsudosensasoshioyobisonoseizohoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58189548A true JPS58189548A (ja) | 1983-11-05 |
| JPH0244023B2 JPH0244023B2 (ja) | 1990-10-02 |
Family
ID=13433879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57070520A Expired - Lifetime JPH0244023B2 (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | Alnoyokyokusankahakumakuomochiitashitsudosensasoshioyobisonoseizohoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244023B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0665303A1 (en) * | 1994-01-18 | 1995-08-02 | Vaisala Oy | Method of producing a microporous, gas permeable electrode structure and a microporous, gas permeable electrode structure |
| US6824739B1 (en) * | 2000-11-03 | 2004-11-30 | Agere Systems Inc. | Oxidation sensor for an electrical circuit and a method of manufacture therefor |
| RU196451U1 (ru) * | 2019-07-18 | 2020-03-02 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ) | Устройство для изготовления электретов |
-
1982
- 1982-04-28 JP JP57070520A patent/JPH0244023B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0665303A1 (en) * | 1994-01-18 | 1995-08-02 | Vaisala Oy | Method of producing a microporous, gas permeable electrode structure and a microporous, gas permeable electrode structure |
| US6824739B1 (en) * | 2000-11-03 | 2004-11-30 | Agere Systems Inc. | Oxidation sensor for an electrical circuit and a method of manufacture therefor |
| RU196451U1 (ru) * | 2019-07-18 | 2020-03-02 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ) | Устройство для изготовления электретов |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0244023B2 (ja) | 1990-10-02 |
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