JPS5868726A - エレクトロクロミツク表示装置 - Google Patents
エレクトロクロミツク表示装置Info
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- JPS5868726A JPS5868726A JP56168426A JP16842681A JPS5868726A JP S5868726 A JPS5868726 A JP S5868726A JP 56168426 A JP56168426 A JP 56168426A JP 16842681 A JP16842681 A JP 16842681A JP S5868726 A JPS5868726 A JP S5868726A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/153—Constructional details
- G02F1/1533—Constructional details structural features not otherwise provided for
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエレクトロクロミック表示装置（以下ＥＣＤ装
置と称する。）に関する９、 従来ＥＣＤ装置は、所謂電解液からなるイオン伝導体を
用いて形成されていた。しかし、電解液を用いてＥＣＤ
装置を作る場合、気密ソールする必要があり、ＥＣＤ装
置の構造が複雑になる欠点がある。この欠点をなくすた
め、イオン伝導体の固体化が試みられ、例えば銀、銅な
どの化合物、例えばこ汎らのハロゲン化物からなる固体
イオン伝導体が形成され、これらのＥＣＤ装置への実用
性が検討さｆｌできた。しかしながら、従来のこの＋小
の装置は、表示の時間応答が例えば数１００ｍ５ｅｃ以
−にと遅かったり、あるいは製造時における特性のバラ
ツキ−や装置の信頼性が不十分てあった／、−め、実用
に十分たえ得るもので（ｄなか−）だ。
置と称する。）に関する９、 従来ＥＣＤ装置は、所謂電解液からなるイオン伝導体を
用いて形成されていた。しかし、電解液を用いてＥＣＤ
装置を作る場合、気密ソールする必要があり、ＥＣＤ装
置の構造が複雑になる欠点がある。この欠点をなくすた
め、イオン伝導体の固体化が試みられ、例えば銀、銅な
どの化合物、例えばこ汎らのハロゲン化物からなる固体
イオン伝導体が形成され、これらのＥＣＤ装置への実用
性が検討さｆｌできた。しかしながら、従来のこの＋小
の装置は、表示の時間応答が例えば数１００ｍ５ｅｃ以
−にと遅かったり、あるいは製造時における特性のバラ
ツキ−や装置の信頼性が不十分てあった／、−め、実用
に十分たえ得るもので（ｄなか−）だ。
本発明者は、新しい固体薄膜電解質からなるイオン伝導
体を発見Ｉ−１この発見に基ついて、従来のＥＣＤ装置
の欠点を除去した。改良されたＥＣＤ装置を発明した。
体を発見Ｉ−１この発見に基ついて、従来のＥＣＤ装置
の欠点を除去した。改良されたＥＣＤ装置を発明した。
本発明の目的は、新規な固体薄膜電解質を用いた薄膜固
体ＥＣＤ装置を提供するものである。
体ＥＣＤ装置を提供するものである。
以下に図面を用い本発明を説明する。
第１図に示すように、本発明にかかるＥＣＤ装置は、エ
レクトロクロミック膜（以下ＥＣ膜と称する。、）１１
々、固体電解質膜１２との積層構造からなる６、この積
層構造は、−１一部電極１３と下部電極１４０間に挿入
されるとともに、基板１５上に保持さＪｌている。この
場合、上部電極１３あるいは下部電極１４の少なくとも
一方は、透明な電導膜、例えば、ＩＴ○膜、Ｓｎ○膜、
ＴｉＯ２−ｘ膜などで構成されている。基板１５は、透
明ガラス板あるいはアルミナ磁器板なとを用いるが、表
面が一１７滑てさえあれば特に材料の種類はこれらに限
定されたものではない。寸だ、上記積層構造さえ保持で
きねば基板は必ず１７も必要ではない。
レクトロクロミック膜（以下ＥＣ膜と称する。、）１１
々、固体電解質膜１２との積層構造からなる６、この積
層構造は、−１一部電極１３と下部電極１４０間に挿入
されるとともに、基板１５上に保持さＪｌている。この
場合、上部電極１３あるいは下部電極１４の少なくとも
一方は、透明な電導膜、例えば、ＩＴ○膜、Ｓｎ○膜、
ＴｉＯ２−ｘ膜などで構成されている。基板１５は、透
明ガラス板あるいはアルミナ磁器板なとを用いるが、表
面が一１７滑てさえあれば特に材料の種類はこれらに限
定されたものではない。寸だ、上記積層構造さえ保持で
きねば基板は必ず１７も必要ではない。
本発明者は、この種のＥＣＤ装置において、固体電解質
膜の材料を詳細に調べた結果、固体電解質膜の化学組成
とその結晶構造に最適の薄膜があることを確認した。す
なわち、本発明者はアモルファスリチウム化合物、例え
ばアモルファスニオブ酸リチウム薄膜が固体電解質とし
て有効であることを発見１〜、この発見に基づいて、特
性の優れｆ４ Ｅ ＣＤ装置が実現さオ９−ることを確
認した。
膜の材料を詳細に調べた結果、固体電解質膜の化学組成
とその結晶構造に最適の薄膜があることを確認した。す
なわち、本発明者はアモルファスリチウム化合物、例え
ばアモルファスニオブ酸リチウム薄膜が固体電解質とし
て有効であることを発見１〜、この発見に基づいて、特
性の優れｆ４ Ｅ ＣＤ装置が実現さオ９−ることを確
認した。
この場合、ＥＣ膜として、金属酸化物薄膜、例えば還元
発色性の酸化タングステン膜が有効であることも本発明
者は確認（７だ。
発色性の酸化タングステン膜が有効であることも本発明
者は確認（７だ。
本発明にがかるＥＣＤ装置の固体電解質膜およびＥＣ膜
の形成には、スパッタ蒸着法が有効である。とりわけ、
固体電解質膜であるアモルファスリチウム化合物薄膜の
形成には、低温におけるスパッタ蒸着が有効であること
を本発明者は確認した４、すなわち、通常リチウム化合
物、例えはニオブ酸すチウノ、は、室温においてスパッ
タ蒸着すれば、例えばＸ線回折法によってもハローパタ
ンが見らＪする所謂アモルファス状の薄膜が形成される
。
の形成には、スパッタ蒸着法が有効である。とりわけ、
固体電解質膜であるアモルファスリチウム化合物薄膜の
形成には、低温におけるスパッタ蒸着が有効であること
を本発明者は確認した４、すなわち、通常リチウム化合
物、例えはニオブ酸すチウノ、は、室温においてスパッ
タ蒸着すれば、例えばＸ線回折法によってもハローパタ
ンが見らＪする所謂アモルファス状の薄膜が形成される
。
この秤の酸化物は、室温以下に温度を下げて形成しても
、その構造はやはりアモルファスで、電気特性には顕著
な差異がないと常識的には考えられるが、本発明者は低
温、例えば液体窒素温度程度でスパッタ蒸着すると、こ
のアモルファス状の薄膜のイオン伝導率がより大きくな
り、この種のＥＣＤ装置の形成により有効であることも
確認した５、 なお、電極１３．１４の構造、材料について、ＥＣＤ装
置として、例えば電極１３を透明電極にし、電極１４を
白色の不透明電極にすると、電極１３側から明瞭な着色
像を見ることができる。この白色電極としては、例えば
表面が粗な金属膜、例えば表面の結晶粒が成長したアル
ミニウム薄膜などが実用的である。
、その構造はやはりアモルファスで、電気特性には顕著
な差異がないと常識的には考えられるが、本発明者は低
温、例えば液体窒素温度程度でスパッタ蒸着すると、こ
のアモルファス状の薄膜のイオン伝導率がより大きくな
り、この種のＥＣＤ装置の形成により有効であることも
確認した５、 なお、電極１３．１４の構造、材料について、ＥＣＤ装
置として、例えば電極１３を透明電極にし、電極１４を
白色の不透明電極にすると、電極１３側から明瞭な着色
像を見ることができる。この白色電極としては、例えば
表面が粗な金属膜、例えば表面の結晶粒が成長したアル
ミニウム薄膜などが実用的である。
以上の説明で本発明が理解されたと思わｔするが、より
一層本発明を理芹ｒできるようにするために、以下具体
的に本発明の詳細な説明する。。
一層本発明を理芹ｒできるようにするために、以下具体
的に本発明の詳細な説明する。。
実施例（１）
本発明にがかるＥＣＤ装置は、例えば次のような手順で
形成する。寸ず透明導電膜が表面に被覆されたネサガラ
ス」二に、酸化タングステン膜を厚さ０．６〜１ ｌｔ
程度形成する。酸化タングステン膜は、酸化タングステ
ンのターゲットを酸素雰囲気中の高周波スパッタ蒸着で
形成する。この場合、蒸着中の形成温度を１００°Ｃ以
上に高めないように留意する。このためには、マグネト
ロン型スノ々７タ装置を用い、例えばスパック電力１０
０Ｗに１〜て、２時間程度スパッタする。次に、厚さ０
．１〜０．３７ｚ程度のニオブ酸リチウム膜を、同じく
高周波スパッタ蒸着で、」二記酸化タングステン膜上に
積層する。この場合、形成温度は液体窒素にしの場合、
スパッタ電力を１ ｏＯＷにて、２〜３時間スパッタす
る。さらに、このニオブ酸リチウム膜−１骨こ透明電極
を設けろ。この透明電極は、同じくマグネトロン型の高
周波スパッタ装置で、■Ｔ。
形成する。寸ず透明導電膜が表面に被覆されたネサガラ
ス」二に、酸化タングステン膜を厚さ０．６〜１ ｌｔ
程度形成する。酸化タングステン膜は、酸化タングステ
ンのターゲットを酸素雰囲気中の高周波スパッタ蒸着で
形成する。この場合、蒸着中の形成温度を１００°Ｃ以
上に高めないように留意する。このためには、マグネト
ロン型スノ々７タ装置を用い、例えばスパック電力１０
０Ｗに１〜て、２時間程度スパッタする。次に、厚さ０
．１〜０．３７ｚ程度のニオブ酸リチウム膜を、同じく
高周波スパッタ蒸着で、」二記酸化タングステン膜上に
積層する。この場合、形成温度は液体窒素にしの場合、
スパッタ電力を１ ｏＯＷにて、２〜３時間スパッタす
る。さらに、このニオブ酸リチウム膜−１骨こ透明電極
を設けろ。この透明電極は、同じくマグネトロン型の高
周波スパッタ装置で、■Ｔ。
ターゲノ）・をスパ、ｙり蒸着して形成する。この場合
、スパッタ電力１００Ｗで、低ガス圧（〜４×１Ｏ−３
Ｔｏｒｒ ）のアルゴン雰囲気で、１５分程度スパッタ
する。
、スパッタ電力１００Ｗで、低ガス圧（〜４×１Ｏ−３
Ｔｏｒｒ ）のアルゴン雰囲気で、１５分程度スパッタ
する。
最後に、この透明型４ｉＬ）にペイントで白色に着色す
る６、 この装置でに１２、動作電圧１〜２Ｖ、消費電気量１〜
２ ｍ Ｑ ／ ａ４ 、応答時間１０〜１００ｍ５
ｅｃ である。特にメモリ機能が顕著て、２００時間以
十のメモリを確認し、でいる。
る６、 この装置でに１２、動作電圧１〜２Ｖ、消費電気量１〜
２ ｍ Ｑ ／ ａ４ 、応答時間１０〜１００ｍ５
ｅｃ である。特にメモリ機能が顕著て、２００時間以
十のメモリを確認し、でいる。
この例では、ニオブ酸リチウム膜の作製に、化学組成が
ＬｉＮｂＯ２のターゲットを用いているが、例えばリチ
ウム量がＬ ｌ ｏ 、 ５〜Ｌ ｌ ２程度寸で増減
してもよい。
ＬｉＮｂＯ２のターゲットを用いているが、例えばリチ
ウム量がＬ ｌ ｏ 、 ５〜Ｌ ｌ ２程度寸で増減
してもよい。
実施例（２）
実施例（１）と同様に、主としてスパッタ法で層状構造
０ＥＣＤ装置を作製する。ただ、酸化タングステン膜を
蒸着後、厚さ０．１〜０２μのタングステン酸リチウム
膜を同じくマグネトロン型のスパッタ装置で形成し、し
かる後ニオブ酸リチウム膜を積層する○この場合には実
施例１より寿命が１桁以上長かった０ 第２図に、これらの実施例において用いた、本発明にが
かるＥＣＤ装置の主要構成材料のニオブ酸リチウム膜の
Ｘ線回折パターンを示す。・・ローパターンで、アモル
ファス構造と推定される。これらの膜のイオン伝導率Ｕ
室温で１０−４〜１０−６０ ’ｒｒｎ’ 程度にあ
る。
０ＥＣＤ装置を作製する。ただ、酸化タングステン膜を
蒸着後、厚さ０．１〜０２μのタングステン酸リチウム
膜を同じくマグネトロン型のスパッタ装置で形成し、し
かる後ニオブ酸リチウム膜を積層する○この場合には実
施例１より寿命が１桁以上長かった０ 第２図に、これらの実施例において用いた、本発明にが
かるＥＣＤ装置の主要構成材料のニオブ酸リチウム膜の
Ｘ線回折パターンを示す。・・ローパターンで、アモル
ファス構造と推定される。これらの膜のイオン伝導率Ｕ
室温で１０−４〜１０−６０ ’ｒｒｎ’ 程度にあ
る。
以下より具体的なＥＣＤ装置の実施例を示す。
実施例（３）
第３図に示すようにガラス基板３１上に透明導電体層３
２を設け、次に特定のパターンで酸化タングステン膜３
３を２ｏｏｏ５にの厚さに蒸着する。
２を設け、次に特定のパターンで酸化タングステン膜３
３を２ｏｏｏ５にの厚さに蒸着する。
次に実施例（１）と同様にして、アモルファスニオブ酸
リチウム膜をスパッタリング法で２０ｏｏ’Ａの厚さに
蒸着して固体電解質層３４とし、」一部電極３５として
表面に金薄膜３６を圧着した金属リチウムを用いる。
リチウム膜をスパッタリング法で２０ｏｏ’Ａの厚さに
蒸着して固体電解質層３４とし、」一部電極３５として
表面に金薄膜３６を圧着した金属リチウムを用いる。
このように［７て構成した素子の蒸着層側をエポキシ樹
脂３７によりモールドした。この素子の透明導電体層３
２と上部電極３５とを０．５秒間短絡することによりコ
ントラスト た。この状態で回路を開放した１１時間放置したのちの
コントラスト比は１：２．２となった。上部電極３５を
基準として透明導電体層３２に＋３、ＯＶｏ．５秒間，
○Ｖ Ｏ．５秒間電圧を印加する操作を１サイクルとし
て１×１０ ザイクル，５×１０６サイクル経過後の発
消色時のコントラスト比を測定し７たところそれぞれ１
：２．４，１ ：２．３であつ／こ０ 丑だ周囲温度をｅｏ’ｃに保ち、前記表示装置を開路状
態で１週間放置したのち、その時の特性として０．５秒
間矧絡されて得られたコントラスト比を測定したところ
１：２４であった。
脂３７によりモールドした。この素子の透明導電体層３
２と上部電極３５とを０．５秒間短絡することによりコ
ントラスト た。この状態で回路を開放した１１時間放置したのちの
コントラスト比は１：２．２となった。上部電極３５を
基準として透明導電体層３２に＋３、ＯＶｏ．５秒間，
○Ｖ Ｏ．５秒間電圧を印加する操作を１サイクルとし
て１×１０ ザイクル，５×１０６サイクル経過後の発
消色時のコントラスト比を測定し７たところそれぞれ１
：２．４，１ ：２．３であつ／こ０ 丑だ周囲温度をｅｏ’ｃに保ち、前記表示装置を開路状
態で１週間放置したのち、その時の特性として０．５秒
間矧絡されて得られたコントラスト比を測定したところ
１：２４であった。
実施例（４）
実施例（１）〜（３）では固体電解質材料としてニオブ
酸リチウムを用いＥＣＤ装置を構成したが、との場合に
は固体電解質材料としてタンタル酸リチウムを用いＥＣ
Ｄを構成した。他の構成要素を実施例（３）と全く同様
とした場合、本ＥＣＤを実施例（３）と同じ条件でコン
トラスト比を測定すると１＝２、９であり、１時間放置
後のコントラスト比は１：２．４であった。さらに実施
例１と同じ試験条件で発色消色ザイクルを行なったのち
コン］・ラスト比を測定すると１×１０サイクルて１：
２．５。
酸リチウムを用いＥＣＤ装置を構成したが、との場合に
は固体電解質材料としてタンタル酸リチウムを用いＥＣ
Ｄを構成した。他の構成要素を実施例（３）と全く同様
とした場合、本ＥＣＤを実施例（３）と同じ条件でコン
トラスト比を測定すると１＝２、９であり、１時間放置
後のコントラスト比は１：２．４であった。さらに実施
例１と同じ試験条件で発色消色ザイクルを行なったのち
コン］・ラスト比を測定すると１×１０サイクルて１：
２．５。
５ Ｘ １ ０６サイクルて１：２３となった。
実施例（６）
第４図に本実施例を示す。
第４図において４１はガラス基板、４２は透明導電体で
あり、前記実施例の透明導電体と同様に形成した。
あり、前記実施例の透明導電体と同様に形成した。
４３は還元発色性ＥＣ材料としての酸化モリブデン膜、
４４は固体電解質層でニオブ酸リチウムをそれぞれ実施
例１と同様に形成した。次に還元発色性ＥＣ材料と同一
パターンで重なる位置に酸化発色性ＥＣ材料として酸化
イリジウム膜４０を２５００′Ａ厚さに蒸着し、次に透
明導電体４５を形成し、絶縁層４９として５１０２を蒸
着し、以上の蒸１１層の周辺をエポキシ樹脂４７で禎覆
しだ。透明導電体４２と透明導電体４５占の間に１．２
Ｖ１秒間電Ｔ１−を印加したとき、消色時とのコントラ
スト比は１：６．６であった。着色後回路を開放し１時
間放置後のコントラスト比に、１：４．９であった。
４４は固体電解質層でニオブ酸リチウムをそれぞれ実施
例１と同様に形成した。次に還元発色性ＥＣ材料と同一
パターンで重なる位置に酸化発色性ＥＣ材料として酸化
イリジウム膜４０を２５００′Ａ厚さに蒸着し、次に透
明導電体４５を形成し、絶縁層４９として５１０２を蒸
着し、以上の蒸１１層の周辺をエポキシ樹脂４７で禎覆
しだ。透明導電体４２と透明導電体４５占の間に１．２
Ｖ１秒間電Ｔ１−を印加したとき、消色時とのコントラ
スト比は１：６．６であった。着色後回路を開放し１時
間放置後のコントラスト比に、１：４．９であった。
実施例１と同一試験条件で発色消色ザイクノシを行なっ
たのちコントラスト比を測定するとそれぞれ１ＸｉＯ’
→ノ−イクル後で１：５．４．５×１０パサイクル後で
１：４３であった。斗／こ６０’Ｃの周囲温度て保存し
たのちのコントラスト比ば１：６．３であ一〕だ１、 この例では還元発色性ＥＣ材料と酸化発色性ＥＣ材料、
１は同時に発色、消色を行なうためコントラスト比が大
きくなる０、寸だこの例のＥＣ表示素了ｋｌ、透明であ
るためコントラス）・の測定時に裏面に標べＣ・散乱板
を置いて行なった。
たのちコントラスト比を測定するとそれぞれ１ＸｉＯ’
→ノ−イクル後で１：５．４．５×１０パサイクル後で
１：４３であった。斗／こ６０’Ｃの周囲温度て保存し
たのちのコントラスト比ば１：６．３であ一〕だ１、 この例では還元発色性ＥＣ材料と酸化発色性ＥＣ材料、
１は同時に発色、消色を行なうためコントラスト比が大
きくなる０、寸だこの例のＥＣ表示素了ｋｌ、透明であ
るためコントラス）・の測定時に裏面に標べＣ・散乱板
を置いて行なった。
実施例（６）
第５図に本実施例を示す。
第５図においてガラス基板５１．透明導電膜５２゜還元
発色性ＥＣＣ月別酸化タングステン膜５３は前記実施例
と同様にして作製し、この上にＳ １３Ｎ４５８を厚さ
１０ｏｉにマグネトロン型スパッタで蒸着したのち固体
電解質層５４としてタンタル酸リチウムをニオブ酸リチ
ウムと同様に蒸着１７、更に８１３Ｎ４５９を１０ＯＡ
の厚さにスパッタ蒸着［７、次に実施例３と同様に酸化
発色性ＥＣＣ月別酸化イリジウム膜５０を蒸着する。次
に導電体５６と１−で金を蒸着し、エポキシ樹脂５７で
モールドｌ−でＥＣ表示素子を作製した。
発色性ＥＣＣ月別酸化タングステン膜５３は前記実施例
と同様にして作製し、この上にＳ １３Ｎ４５８を厚さ
１０ｏｉにマグネトロン型スパッタで蒸着したのち固体
電解質層５４としてタンタル酸リチウムをニオブ酸リチ
ウムと同様に蒸着１７、更に８１３Ｎ４５９を１０ＯＡ
の厚さにスパッタ蒸着［７、次に実施例３と同様に酸化
発色性ＥＣＣ月別酸化イリジウム膜５０を蒸着する。次
に導電体５６と１−で金を蒸着し、エポキシ樹脂５７で
モールドｌ−でＥＣ表示素子を作製した。
この例の表示素子は金色の背景色をもち、固体電解質５
４の上下両面に８１３Ｎ４の層を設けることにより蒸着
膜の剥離を著１〜く減少さぜることかできた。なお、こ
こで５１３Ｎ４の他に例えばＴ ａ ２ Ｑ ５等でも
同様の効果が得られた。
４の上下両面に８１３Ｎ４の層を設けることにより蒸着
膜の剥離を著１〜く減少さぜることかできた。なお、こ
こで５１３Ｎ４の他に例えばＴ ａ ２ Ｑ ５等でも
同様の効果が得られた。
以上の説明では、固体電解質の具体例として、アモルフ
ァス二オフ酸リチウム、アモルファスタジルコン酸リチ
ウム、・・フニウム酸リチウムなどのリチウノ、化合物
も同様に有効である。
ァス二オフ酸リチウム、アモルファスタジルコン酸リチ
ウム、・・フニウム酸リチウムなどのリチウノ、化合物
も同様に有効である。
さらに、ＥＣ膜としても、以上に具体例として述べた酸
化タングステン、酸化モリブデン、酸化イリジウノ、以
外に、酸化ニッケルなどの金属酸化物膜も有効である。
化タングステン、酸化モリブデン、酸化イリジウノ、以
外に、酸化ニッケルなどの金属酸化物膜も有効である。
本発明にかかるＥＣＤ装置は、アモルファスリチウノ、
化合物薄膜、とりわけニオブ酸リチウムやタンタル酸リ
チウムなどの高温材料をアモルファス状態でリチウムの
イオン伝導体として用いるととるが最も重要な特徴であ
る。本発明にがかるＥ ＣＤ 装Ｗに用いるアモルファ
スリチウム化合物の詳細な特性は明らかでないが、高温
材料であるため、従来の電解液あるいは銀、銅などの）
・ロゲノ化合物膜に比べて本質的に経年変化が少ない上
、リチウノ・のイオン半径が銀、銅などのイオンに比べ
て小さいから、本質的にイオンの移動度が大きい１、そ
の結果経年変化が小さく、しかも応答の速＋・・ 本出願にかかるＥＣＤ装置は、固体薄膜で構成さね、そ
の製造も、スパッタ蒸着により容易であるとともに、大
面積のＥＣＤ装置の製造も可能である。このことは、液
晶などでは到底実現できないことであり、本発明の工業
的価値は高い。
化合物薄膜、とりわけニオブ酸リチウムやタンタル酸リ
チウムなどの高温材料をアモルファス状態でリチウムの
イオン伝導体として用いるととるが最も重要な特徴であ
る。本発明にがかるＥ ＣＤ 装Ｗに用いるアモルファ
スリチウム化合物の詳細な特性は明らかでないが、高温
材料であるため、従来の電解液あるいは銀、銅などの）
・ロゲノ化合物膜に比べて本質的に経年変化が少ない上
、リチウノ・のイオン半径が銀、銅などのイオンに比べ
て小さいから、本質的にイオンの移動度が大きい１、そ
の結果経年変化が小さく、しかも応答の速＋・・ 本出願にかかるＥＣＤ装置は、固体薄膜で構成さね、そ
の製造も、スパッタ蒸着により容易であるとともに、大
面積のＥＣＤ装置の製造も可能である。このことは、液
晶などでは到底実現できないことであり、本発明の工業
的価値は高い。
第１図、第３図、第４図、第５図はそれぞれ本発明によ
るエレクトロクロミック表示装置の断面図、第２図は前
記表示装置の要部をなすニオブ酸リチウム膜のＸ線回折
パターンを示す図である。 １１ ・・・・・・エレクトロクロミック膜、１２ ・
・・・・・固体電解質膜、３３．５３・・・・・・酸化
タングステン膜、３４．４４．５４・・・・・・固体電
解質層、４０．５０・・・・・・酸化イリジウム膜、４
３・・・・・・酸化モリブデン膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 回 ）午 個 １１５プ［角 （３０〕 ３３ｊ ５ 第４図 第５図
るエレクトロクロミック表示装置の断面図、第２図は前
記表示装置の要部をなすニオブ酸リチウム膜のＸ線回折
パターンを示す図である。 １１ ・・・・・・エレクトロクロミック膜、１２ ・
・・・・・固体電解質膜、３３．５３・・・・・・酸化
タングステン膜、３４．４４．５４・・・・・・固体電
解質層、４０．５０・・・・・・酸化イリジウム膜、４
３・・・・・・酸化モリブデン膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 回 ）午 個 １１５プ［角 （３０〕 ３３ｊ ５ 第４図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） エレクトロクロミック膜とアモルファスリチ
ウノ・化合物で構成された固体電解質膜との積層構造を
有することを特徴とするエレクトロクロミック表示装置
３、 （２、特許請求の範囲第１項の記載において、アモルフ
ァスリチウム化合物がアモルファスニオブ酸リチウムお
よびアモルファスタンタル酸リチウムのいずれかである
ことを特徴とするエレン）ｏクロミック表示装置い （３）特πＦ ｉ７＋求の範囲第１項の記載において、
エレクトロクｏ ミ７り膜が金属酸化物薄膜で構成され
／こことを特徴とするエレクトロクロミック表示装置１
１ （４）特許請求の範囲第３項の記載において、金属酸化
物薄膜が酸化タングステン、酸化モリブデン。 酸化二、ケル、酸化イリジウムのうちの一種で構成され
たことを特徴とするエレクトロクロミック表示装置。 （５）％許請求の範囲第１項の記載において、固体電解
質膜がスパッタ蒸着法で形成されたアモルファスリチウ
ム化合物で構成されたことを特徴とするエレクトロクロ
ミック表示装置。 （６）特許請求の範囲第１項の記載において、エレクト
ロクロミック膜に白色金属膜電極が設けられたことを特
徴とするエレクトロクロミック表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56168426A JPS5868726A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | エレクトロクロミツク表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56168426A JPS5868726A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | エレクトロクロミツク表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5868726A true JPS5868726A (ja) | 1983-04-23 |
Family
ID=15867898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56168426A Pending JPS5868726A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | エレクトロクロミツク表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5868726A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4835061A (en) * | 1984-11-09 | 1989-05-30 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Conductive laminate |
| EP0509276A2 (de) * | 1991-04-12 | 1992-10-21 | SCHÜCO International KG | Elektrochromes System |
| CN102460757A (zh) * | 2009-04-01 | 2012-05-16 | 科学与技术学院里斯本新大学 | 使用功能化或非功能化的玻璃陶瓷的、聚合物的、金属的或者天然的、合成的或混合纤维质纸的衬底的具有横向或垂直结构的电致变色薄膜晶体管的形成与制造的方法 |
| US9581875B2 (en) | 2005-02-23 | 2017-02-28 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
| CN112596318A (zh) * | 2020-12-14 | 2021-04-02 | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 | 一种电致变色智能玻璃复合薄膜及其制备方法 |
| JP2022141789A (ja) * | 2015-07-14 | 2022-09-29 | ビュー， インコーポレイテッド | エレクトロクロミックデバイス用の対電極 |
-
1981
- 1981-10-20 JP JP56168426A patent/JPS5868726A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4835061A (en) * | 1984-11-09 | 1989-05-30 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Conductive laminate |
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| US10061174B2 (en) | 2005-02-23 | 2018-08-28 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
| US11567383B2 (en) | 2005-02-23 | 2023-01-31 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
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| JP2022141789A (ja) * | 2015-07-14 | 2022-09-29 | ビュー， インコーポレイテッド | エレクトロクロミックデバイス用の対電極 |
| CN112596318A (zh) * | 2020-12-14 | 2021-04-02 | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 | 一种电致变色智能玻璃复合薄膜及其制备方法 |
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