JPS61239229A - エレクトロクロミツク素子 - Google Patents
エレクトロクロミツク素子Info
- Publication number
- JPS61239229A JPS61239229A JP7922685A JP7922685A JPS61239229A JP S61239229 A JPS61239229 A JP S61239229A JP 7922685 A JP7922685 A JP 7922685A JP 7922685 A JP7922685 A JP 7922685A JP S61239229 A JPS61239229 A JP S61239229A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- intermediate insulating
- layer
- insulating layer
- film
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は全固体エレクトロクロミンク素子の中間絶縁層
の改良に関するものである。
の改良に関するものである。
エレクトロクロミンク素子はわずかな電流で発色が可能
であり、且つ非常に薄い層による構成が可能である点に
おいて液晶に替る表示体としての用途が期待されている
。
であり、且つ非常に薄い層による構成が可能である点に
おいて液晶に替る表示体としての用途が期待されている
。
全固体エレクトロクロミック素子は第1図に示す如く、
透明な基板lの上に透明導電膜よりなる第1電極2、酸
化発色層である第1エレクトロクロミック層3、誘電体
膜からなる中間絶縁N4゜還元発色層である第2エレク
トロクロミンク層5、透明導電膜よりなる第2電極6を
順次積層してなるものである。
透明な基板lの上に透明導電膜よりなる第1電極2、酸
化発色層である第1エレクトロクロミック層3、誘電体
膜からなる中間絶縁N4゜還元発色層である第2エレク
トロクロミンク層5、透明導電膜よりなる第2電極6を
順次積層してなるものである。
この様な構造を持つ全固体エレクトロクロミック素子は
、:51電極2と第2電極6の間に電圧を印加すること
によって電気化学反応が誘起され。
、:51電極2と第2電極6の間に電圧を印加すること
によって電気化学反応が誘起され。
着色、消色を行なう。
上記、酸化発色層3にIrOx、還元発色層にWO3を
用いたエレクトロクロミンク素子を例にとり、IrOx
側をプラス(+)、WO3側をマイナス(−)とすると
、’1rOx側では、I r Ox +Y H20ad
→I r Ox (OH)y +I H”
+ Y e−・”(1)(但し、H20adはセル
中に含まれる吸着H20)W OG側では、 WO3+ yH・+y e−+Hy WO3=(2)な
る反応が進行し、着色種、I r OX (OH)y、
H,WO3(タングステンブロンズ)が形成されると考
えられている。また電界を逆転することにより、(1)
(2)の逆反応が誘起され消色する。
用いたエレクトロクロミンク素子を例にとり、IrOx
側をプラス(+)、WO3側をマイナス(−)とすると
、’1rOx側では、I r Ox +Y H20ad
→I r Ox (OH)y +I H”
+ Y e−・”(1)(但し、H20adはセル
中に含まれる吸着H20)W OG側では、 WO3+ yH・+y e−+Hy WO3=(2)な
る反応が進行し、着色種、I r OX (OH)y、
H,WO3(タングステンブロンズ)が形成されると考
えられている。また電界を逆転することにより、(1)
(2)の逆反応が誘起され消色する。
なお、これらの反応はセル中に含まれる水分(H20a
dとして表示)により進行する。
dとして表示)により進行する。
ところで、中間絶縁層は、上記着色種の再結合による逆
反応を防ぐ、換言すると電子のブロッキングを行なう、
と共に上記反応におけるイオンの導通の媒体としての働
きを有する。
反応を防ぐ、換言すると電子のブロッキングを行なう、
と共に上記反応におけるイオンの導通の媒体としての働
きを有する。
ところが、以上のような構成の全固体エレクトロクロミ
ック素子の中間絶縁層材料(Ta205やZr02)は
話電体であるが、それ自体はイオン導電性は小さい。
ック素子の中間絶縁層材料(Ta205やZr02)は
話電体であるが、それ自体はイオン導電性は小さい。
従って、従来の全固体エレクトロクロミンク素子におい
ては、中間絶縁層のイオン導電性もやはり膜作成時に雰
囲気中に存在するH20が膜内に自然に取り込まれるこ
とによって生ずるものであった・ ところが、雰囲気中に存在するH20が自然に取り込ま
れることによって中間絶縁層や酸化・還元発色層等セル
中に含まれるに至ったH2Oは外部環境変化(熱や光)
により容易に放出され易く、デバイスの応答性・信頼性
の上で大きな問題となっていた。すなわち、中間絶縁層
であるT a 205層の保水性を改善する必要があっ
た。
ては、中間絶縁層のイオン導電性もやはり膜作成時に雰
囲気中に存在するH20が膜内に自然に取り込まれるこ
とによって生ずるものであった・ ところが、雰囲気中に存在するH20が自然に取り込ま
れることによって中間絶縁層や酸化・還元発色層等セル
中に含まれるに至ったH2Oは外部環境変化(熱や光)
により容易に放出され易く、デバイスの応答性・信頼性
の上で大きな問題となっていた。すなわち、中間絶縁層
であるT a 205層の保水性を改善する必要があっ
た。
上記の如き従来の問題点に鑑み、本発明は中間絶縁層と
H20の親和力を高め環境変化に耐え得るものとし、中
間絶縁層を全固体エレクトロクロミック素子セルにおけ
るH20の供給源としての性能を向上させるために、T
a 2’ 05からなる中間絶縁層の機能を害しない
吸水性のアルカリ土類金属弗化物としてca F2を用
いて中間絶縁層を構成することにより応答性、信頼性、
表示品位の高い全固体エレクトロクロミック素子を提供
しょうとするものである。
H20の親和力を高め環境変化に耐え得るものとし、中
間絶縁層を全固体エレクトロクロミック素子セルにおけ
るH20の供給源としての性能を向上させるために、T
a 2’ 05からなる中間絶縁層の機能を害しない
吸水性のアルカリ土類金属弗化物としてca F2を用
いて中間絶縁層を構成することにより応答性、信頼性、
表示品位の高い全固体エレクトロクロミック素子を提供
しょうとするものである。
すなわち、本発明は電極間に還元発色層・中間絶縁層・
酸化発色層を挟持し、上記中間絶縁層に吸水性の高いア
ルカリ土類金属弗化物を含有せる全固体エレクトロクロ
ミック素子において、中間絶縁層がT a 205及び
ca F2で構成されていることを特徴とする全固体エ
レクトロクロミック素子である。
酸化発色層を挟持し、上記中間絶縁層に吸水性の高いア
ルカリ土類金属弗化物を含有せる全固体エレクトロクロ
ミック素子において、中間絶縁層がT a 205及び
ca F2で構成されていることを特徴とする全固体エ
レクトロクロミック素子である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明にかかる全固体エレクトロクロミック素子は前途
の第1図に示す基本的構造において、基板1は一般的に
ガラス板によって形成されるが、これはガラス板に限ら
ずポリイミド樹脂等プラスチック板などの透明基板なら
ば特に限定されない。
の第1図に示す基本的構造において、基板1は一般的に
ガラス板によって形成されるが、これはガラス板に限ら
ずポリイミド樹脂等プラスチック板などの透明基板なら
ば特に限定されない。
透明導電膜2・6としては、ITOII!(酸化インジ
ウムIn2O3中に酸化錫5n02 をドープしたもの
)やネサ膜(SnO2)等が用いられる。
ウムIn2O3中に酸化錫5n02 をドープしたもの
)やネサ膜(SnO2)等が用いられる。
酸化発色層である第1エレクトロクロミック層3は酸化
イリジウムDr OX ) 、水酸化ニッケル (N+
(OH)2 )等によって形成されている。
イリジウムDr OX ) 、水酸化ニッケル (N+
(OH)2 )等によって形成されている。
中間絶縁層4は、五酸化タンタル(Ta20s )を用
いると共に本発明の特長である吸水性のアルカリ土類金
属弗化物としてca F2を用いて形成する。ca F
2 とT a 205の比率は、好ましくはCa F2
/Ta205 =0.5〜l 0wt% /99.5
〜90wt%である* Ca F 2が0.5wt%よ
り少ないと、CaF2 を入れた効果がほとんど表れず
、また10wt%を越えると母体であるT a 205
の性質が変質してしまう。
いると共に本発明の特長である吸水性のアルカリ土類金
属弗化物としてca F2を用いて形成する。ca F
2 とT a 205の比率は、好ましくはCa F2
/Ta205 =0.5〜l 0wt% /99.5
〜90wt%である* Ca F 2が0.5wt%よ
り少ないと、CaF2 を入れた効果がほとんど表れず
、また10wt%を越えると母体であるT a 205
の性質が変質してしまう。
また還元発色層である第2エレクトロクロミック層5に
は三酸化タングステン(WOx)が用いられる。
は三酸化タングステン(WOx)が用いられる。
本発明にかかるエレクトロクロミック素子において上記
各層の形成は電子ビーム蒸着法、反応性イオンブレーテ
ィング法、反応性スパッタリング法、CVD法、陽極酸
化法等多種の薄膜形成法により行なわれる。
各層の形成は電子ビーム蒸着法、反応性イオンブレーテ
ィング法、反応性スパッタリング法、CVD法、陽極酸
化法等多種の薄膜形成法により行なわれる。
以下、本発明を実施例に従って更に説明する。
ガラス基板上に、透明導電膜としてITOを100OA
の膜厚に反応性イオンブレーティング法で蒸着し、その
上に酸化発色層としてIrOx膜を反応性スパッタリン
グ法で10OAの膜厚に堆積した。
の膜厚に反応性イオンブレーティング法で蒸着し、その
上に酸化発色層としてIrOx膜を反応性スパッタリン
グ法で10OAの膜厚に堆積した。
その上に1wt%CaF2 ・99wt%T a 20
5なる混合ペレットを蒸発源として電子ビーム法により
中間絶縁層を膜厚2000Aに蒸着した。
5なる混合ペレットを蒸発源として電子ビーム法により
中間絶縁層を膜厚2000Aに蒸着した。
ざらにWo3ペレットを蒸発源とした電子ビーム法によ
り還元発色層を400OAの膜厚に逐次蒸着し、最後に
ITOを120OAの膜厚に反応性イオンブレーティン
グ法により形成し、全固体エレクトロクロミック素子を
作製した。
り還元発色層を400OAの膜厚に逐次蒸着し、最後に
ITOを120OAの膜厚に反応性イオンブレーティン
グ法により形成し、全固体エレクトロクロミック素子を
作製した。
得られた本発明にかかる全固体エレクトロクロミック素
子の環境変化に対する耐性を試験するために1.5V印
加200m5ec後の、各レベルの真空度における着色
特性(ΔOD)を測定し、結果を第2図のグラフに示し
た。比較のために同様の方法でT a 205を用いて
作成した従来の全固体エレクトロクロミンク素子につい
ても同様の測定を行なった。
子の環境変化に対する耐性を試験するために1.5V印
加200m5ec後の、各レベルの真空度における着色
特性(ΔOD)を測定し、結果を第2図のグラフに示し
た。比較のために同様の方法でT a 205を用いて
作成した従来の全固体エレクトロクロミンク素子につい
ても同様の測定を行なった。
第2図から明らかなように、従来の全固体エレクトロク
ロミック素子12が真空度の高まりに従って急激にΔO
Dを低下させるのに対して、本発明にかかる全固体エレ
クトロクロミック素子11は5X10−6Torr、と
いう高真空領域でも十分に駆動しており、中間絶縁層中
に含まれているH2Oは放出されることなく保持されて
いることが解る。
ロミック素子12が真空度の高まりに従って急激にΔO
Dを低下させるのに対して、本発明にかかる全固体エレ
クトロクロミック素子11は5X10−6Torr、と
いう高真空領域でも十分に駆動しており、中間絶縁層中
に含まれているH2Oは放出されることなく保持されて
いることが解る。
以上から明らかな如く、本発明によれば中間絶縁層をT
a 205及び吸水性のアルカリ土類金属弗化物とし
てC,F2を用いて構成することにより、デバイス中の
H20量を安定に保持させ、応答性、信頼性、表示品位
の高い全固体エレクトロクロミック素子を提供すること
が可能となった。
a 205及び吸水性のアルカリ土類金属弗化物とし
てC,F2を用いて構成することにより、デバイス中の
H20量を安定に保持させ、応答性、信頼性、表示品位
の高い全固体エレクトロクロミック素子を提供すること
が可能となった。
第1図は全固体エレクトロクロミック素子の基本構成を
示す断面略図であり、第2図は各真空度における電圧印
加200m5ec後の全固体エレクトロクロミック素子
デバイスのΔODを示すグラフ図である。 1・・・基板 2・・・第1電極3・・Φ酸化発
色層 4・・・中間絶縁層5・・・還元発色層 6・・
・第2電極代理人 弁理士 山 下 積 子弟1
図 第2図 1窒度 (Torr、)
示す断面略図であり、第2図は各真空度における電圧印
加200m5ec後の全固体エレクトロクロミック素子
デバイスのΔODを示すグラフ図である。 1・・・基板 2・・・第1電極3・・Φ酸化発
色層 4・・・中間絶縁層5・・・還元発色層 6・・
・第2電極代理人 弁理士 山 下 積 子弟1
図 第2図 1窒度 (Torr、)
Claims (2)
- (1)電極間に還元発色層・中間絶縁層・酸化発色層を
挟持し、上記中間絶縁層に吸水性の高いアルカリ土類金
属弗化物を含有せる全固体エレクトロクロミック素子に
おいて、中間絶縁層がT_a_2O_5及びC_aF_
2で構成されていることを特徴とする全固体エレクトロ
クロミック素子。 - (2)中間絶縁層が、C_aF_2/T_a_2O_5
の比率が0.5〜10wt%/99.5〜90wt%の
混合体原料を用いて蒸着形成されたものである特許請求
の範囲第1項記載の全固体エレクトロクロミック素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7922685A JPS61239229A (ja) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | エレクトロクロミツク素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7922685A JPS61239229A (ja) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | エレクトロクロミツク素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61239229A true JPS61239229A (ja) | 1986-10-24 |
Family
ID=13683986
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7922685A Pending JPS61239229A (ja) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | エレクトロクロミツク素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61239229A (ja) |
-
1985
- 1985-04-16 JP JP7922685A patent/JPS61239229A/ja active Pending
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