JPS58188095A - エレクトロルミネセンス素子 - Google Patents
エレクトロルミネセンス素子Info
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- JPS58188095A JPS58188095A JP57073182A JP7318282A JPS58188095A JP S58188095 A JPS58188095 A JP S58188095A JP 57073182 A JP57073182 A JP 57073182A JP 7318282 A JP7318282 A JP 7318282A JP S58188095 A JPS58188095 A JP S58188095A
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- JP
- Japan
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- electrode
- layer
- insulator layer
- electroluminescent element
- striped
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマトリクス電極を有するエレクトロルミネセン
ス素子（ＥＬ）に関するものである。
ス素子（ＥＬ）に関するものである。
従来のマ） ＩＪクス電極を有する薄膜ＥＬ索子は、第
１図に示す如く、透光性ガーラス基板＋１１と、この基
板（口上にスパッタリング又は真空蒸着婢によって被着
され且つ縞状（ストライプ状）Ｋ配設された透光性の第
１の電極（２１即ち透明電極と、この第１の電極（２）
の上にスパッタリング又は真空蒸着等によって設けられ
た”ｔＯｓＱ！から成るＪｌｌの絶縁体層（３）と、こ
の第１の絶縁体層（３）の上にスパッタリング又は真空
蒸着等によって設けられたＺｎＳ：Ｍｎ等より成る発光
体層（４）と、この発光体層（４）の上にスパッタリン
グ又は真空蒸着醇で設けられたＹ＊ ｏ ｓ等から成る
第２の絶縁体層（５）と、この第２の絶縁体ｍ ＋５１
の上にスパッタリング又は真空蒸着等で被着され且つ第
１の電極（２）に交差する縞状に形成されたアルさニウ
ム膜等から成る第２の電極（６）即ち背面電極と全具備
し、マ） ＩＪクス電極を構成する一第１及び第２の電
極＋２１ ＋６）の１ｊｌＩ御により選択的に発光する
ように構成されている。ところで、第１の電極（２）が
縞状に形成されているために、この厚さに相当する分だ
け、ｇｉの絶縁体層（３）、発光体層（４）、第２の絶
縁体層（５）、及び第２の電極（６）に凹部が生じ、且
つこの凹部の底に向う傾斜部が生じる。
１図に示す如く、透光性ガーラス基板＋１１と、この基
板（口上にスパッタリング又は真空蒸着婢によって被着
され且つ縞状（ストライプ状）Ｋ配設された透光性の第
１の電極（２１即ち透明電極と、この第１の電極（２）
の上にスパッタリング又は真空蒸着等によって設けられ
た”ｔＯｓＱ！から成るＪｌｌの絶縁体層（３）と、こ
の第１の絶縁体層（３）の上にスパッタリング又は真空
蒸着等によって設けられたＺｎＳ：Ｍｎ等より成る発光
体層（４）と、この発光体層（４）の上にスパッタリン
グ又は真空蒸着醇で設けられたＹ＊ ｏ ｓ等から成る
第２の絶縁体層（５）と、この第２の絶縁体ｍ ＋５１
の上にスパッタリング又は真空蒸着等で被着され且つ第
１の電極（２）に交差する縞状に形成されたアルさニウ
ム膜等から成る第２の電極（６）即ち背面電極と全具備
し、マ） ＩＪクス電極を構成する一第１及び第２の電
極＋２１ ＋６）の１ｊｌＩ御により選択的に発光する
ように構成されている。ところで、第１の電極（２）が
縞状に形成されているために、この厚さに相当する分だ
け、ｇｉの絶縁体層（３）、発光体層（４）、第２の絶
縁体層（５）、及び第２の電極（６）に凹部が生じ、且
つこの凹部の底に向う傾斜部が生じる。
このため、第１の電極（２）と第２の電極（６）との間
に交流電界を印加すると、傾斜部分に電界が集中した状
態となり、ＢＬｇ子の破壊が傾斜部分に大きく依存する
。従って、第１及び第２の絶縁体層（３）（５１ｔ−充
分に厚くすることが必要になり、駆動電圧゛。
に交流電界を印加すると、傾斜部分に電界が集中した状
態となり、ＢＬｇ子の破壊が傾斜部分に大きく依存する
。従って、第１及び第２の絶縁体層（３）（５１ｔ−充
分に厚くすることが必要になり、駆動電圧゛。
も必然的に高くなった。また傾斜を少なくするために、
第１の電極（２１の厚さを小さくすれば、この部分での
電圧降下やジュール熱の発生等が問題となり、信頼性の
高いｎＬ素子を得ることが困難になった。
第１の電極（２１の厚さを小さくすれば、この部分での
電圧降下やジュール熱の発生等が問題となり、信頼性の
高いｎＬ素子を得ることが困難になった。
そこで、本発明の目的は、信頼性の高いマドＩＪクス構
成のＥＬ素子を提供することにある。
成のＥＬ素子を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明は、基板と、前記基板
上に縞状に設けられた第１の電極と、前記第１の電極上
及び前記第１の電極が設けられていない前記基板上に設
けられた第１の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層上に設
けられた発光体層と、前記発光体層上に設けられた第２
の絶縁体層と、前記第２の絶縁体層上に前記第１の電極
に交差する方向の縞状に設けられた第２の電極とを具備
し、且つ前記縞状の第１の電極の相互間に対応する位置
に於ける前記基板と前記第１の絶縁体層と前記発光体層
と前記第２の絶縁体層と前記第２の電極との夫々の間の
内の１つ又は複数の間に、前記第１の電極の相互間に対
応する位置に於いて前記第１の電極から前記第２の電極
金離らかすための部分を具備していることｅ％徴とする
エレクトロルミネセンス素子に係わるものである。
上に縞状に設けられた第１の電極と、前記第１の電極上
及び前記第１の電極が設けられていない前記基板上に設
けられた第１の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層上に設
けられた発光体層と、前記発光体層上に設けられた第２
の絶縁体層と、前記第２の絶縁体層上に前記第１の電極
に交差する方向の縞状に設けられた第２の電極とを具備
し、且つ前記縞状の第１の電極の相互間に対応する位置
に於ける前記基板と前記第１の絶縁体層と前記発光体層
と前記第２の絶縁体層と前記第２の電極との夫々の間の
内の１つ又は複数の間に、前記第１の電極の相互間に対
応する位置に於いて前記第１の電極から前記第２の電極
金離らかすための部分を具備していることｅ％徴とする
エレクトロルミネセンス素子に係わるものである。
上記発明によれば、縞状の第１の電極の相互間に対応す
る位置に％第１の電極から第２のｔ極を離らかすための
部分全段けるので、第１の電極と第２の電極との対向部
分く電界が有効に生じるようになり、第１の電極の縁と
第２の電極との間に電界が集中しなくなる。従って、信
頼性を大幅に向上させることが可能になる。また、信頼
性を従来と同一にすれば、駆動電圧の低下が可能になる
。
る位置に％第１の電極から第２のｔ極を離らかすための
部分全段けるので、第１の電極と第２の電極との対向部
分く電界が有効に生じるようになり、第１の電極の縁と
第２の電極との間に電界が集中しなくなる。従って、信
頼性を大幅に向上させることが可能になる。また、信頼
性を従来と同一にすれば、駆動電圧の低下が可能になる
。
また、第１の電極を厚くしてここに於ける電圧降下やジ
ュール熱を低減させることも可能になる。
ュール熱を低減させることも可能になる。
次に、図面を一照して本発明の実施例について述べる。
但し第２図〜第４図、第７図及び第８図に於いて符号ｆ
ｌＪ〜（６）で示すものは、第１図で同一符号で示すも
のと実質的忙同−であるので、その説明を省略する。
ｌＪ〜（６）で示すものは、第１図で同一符号で示すも
のと実質的忙同−であるので、その説明を省略する。
第２図〜第４図は本発明の第１の実施例に係わるｇＬ素
子を示すものである。このＥＬ素子を形成する場合には
、第１の電極（２）を縞状に形成した後に第１の絶縁体
層（３）、発光体層（４）、及び第２の絶縁体層（５）
金スパツタリング又は蒸着で順次積層配設する。次に、
第２の絶縁体層（５３上に例えばＡＺ−１３５０Ｊ等の
ホトレジストｔ−を塗布し、しかる後、写真蝕刻にて第
１の電極（２）の相互間部分のみに対応させてレジスト
層（７）を縞状に残存させる。即ち、第２の絶縁体層（
５）に縞状に生じている複数の凹部を埋めるような状態
にレジスト層（７）を縞状に配設する。尚、し少スト層
（７）は第２の絶縁体＃ １５１の凸部から少し突出す
る程度の厚さに形成する。しかる後、アルミニウム等の
電極材料をスパッタリング又は蒸着等で全面に被着させ
、レジスト塗布後写真蝕刻して第２の電極（６）全縞状
に形成する。この結果、第１の電極（２）から第２の電
極（６）までの距離はこれ等が平行に対向する部分即ち
交差部分に於いて最小になり、この交差部分外に於ける
′４１の電極（２）の縁部分から第２の電極（６）まで
の距離が第１図に比較して大きくなる。従って、第１の
電極（２）の緑と第２の電極（６）との間に電界が集中
することが阻止される。このため、第１及び第２の絶縁
体／ｉｌ ｆ３１ （５１ｆ：薄くすることが可能にな
り、ＥＬ素子の駆動電圧の低減が可能になる。
子を示すものである。このＥＬ素子を形成する場合には
、第１の電極（２）を縞状に形成した後に第１の絶縁体
層（３）、発光体層（４）、及び第２の絶縁体層（５）
金スパツタリング又は蒸着で順次積層配設する。次に、
第２の絶縁体層（５３上に例えばＡＺ−１３５０Ｊ等の
ホトレジストｔ−を塗布し、しかる後、写真蝕刻にて第
１の電極（２）の相互間部分のみに対応させてレジスト
層（７）を縞状に残存させる。即ち、第２の絶縁体層（
５）に縞状に生じている複数の凹部を埋めるような状態
にレジスト層（７）を縞状に配設する。尚、し少スト層
（７）は第２の絶縁体＃ １５１の凸部から少し突出す
る程度の厚さに形成する。しかる後、アルミニウム等の
電極材料をスパッタリング又は蒸着等で全面に被着させ
、レジスト塗布後写真蝕刻して第２の電極（６）全縞状
に形成する。この結果、第１の電極（２）から第２の電
極（６）までの距離はこれ等が平行に対向する部分即ち
交差部分に於いて最小になり、この交差部分外に於ける
′４１の電極（２）の縁部分から第２の電極（６）まで
の距離が第１図に比較して大きくなる。従って、第１の
電極（２）の緑と第２の電極（６）との間に電界が集中
することが阻止される。このため、第１及び第２の絶縁
体／ｉｌ ｆ３１ （５１ｆ：薄くすることが可能にな
り、ＥＬ素子の駆動電圧の低減が可能になる。
また、第１の電極（２）を厚くすることが可能となるの
で、この部分での電圧降下やジュール熱の発生を低減す
ることが可能になり、信頼性の高い素子の提供が可能に
なる。
で、この部分での電圧降下やジュール熱の発生を低減す
ることが可能になり、信頼性の高い素子の提供が可能に
なる。
尚、基板１１】からｊｇ２の絶縁体層（５）までの部分
の構成を第１図と第２図とで同一とした場合に於ける、
第２図のＥＬ素子及び第１図のＥＬ累子の動作経過時間
と輝度との関係を求めたところ、第５図となった。この
第５図に於いて、人は第２図のＥＬ累子の特性を示し、
Ｂは第１図の従来のＢＬ素子の特性を示す。
の構成を第１図と第２図とで同一とした場合に於ける、
第２図のＥＬ素子及び第１図のＥＬ累子の動作経過時間
と輝度との関係を求めたところ、第５図となった。この
第５図に於いて、人は第２図のＥＬ累子の特性を示し、
Ｂは第１図の従来のＢＬ素子の特性を示す。
第６図は、第２図の第１及び第２の絶縁体層（３１（５
１を第１図のそれよりも薄くしたｈｉＬ素子と、第１図
のＥＬ素子との駆動電圧対輝度の関係を示し、（ａｌが
第２図のＥＬ素子の特性図、ｌｂｌが第１図のＥＬＸ子
の特性図である。これから明らかなように、従来よりも
低い駆動電圧で従来と同一の輝度に４ることか可能にな
る。
１を第１図のそれよりも薄くしたｈｉＬ素子と、第１図
のＥＬ素子との駆動電圧対輝度の関係を示し、（ａｌが
第２図のＥＬ素子の特性図、ｌｂｌが第１図のＥＬＸ子
の特性図である。これから明らかなように、従来よりも
低い駆動電圧で従来と同一の輝度に４ることか可能にな
る。
次に、本発明の第２の実施例に係わるＫＬ素子會示す第
７図について述べる。このＫＬ素子に於いては、第２図
のレジスト層（７）の代りに、金鵜の陽極化成層（７ａ
沙玉設けられている。この陽極化成層（７ａ）を形成す
る際には、第２の絶縁体層（５）上全面にアルきニウム
膜を形成し、レジスト塗布後写真蝕刻し、１１ｇ１の電
極（２）に対応するように縞状にレジスト膜ｔ−残し、
その後、２％しゆうＶ浴液中にて陽極化成を行なう。こ
れにより、第７図に示すように陽極化成層（７ａ）即ち
アルミニウムの酸化皮膜が形成される。しかる後、レジ
スト＃を剥離し、スパッタリング又は蒸着でアルミニウ
ムを全面に付着させ、フォトエツチング処理でアルミニ
ウム膜を縞状に残存させることにより第２の′に極（６
）とする。このように構成しても第１の実施例と全く同
様な作用効果を得ることが出来る。
７図について述べる。このＫＬ素子に於いては、第２図
のレジスト層（７）の代りに、金鵜の陽極化成層（７ａ
沙玉設けられている。この陽極化成層（７ａ）を形成す
る際には、第２の絶縁体層（５）上全面にアルきニウム
膜を形成し、レジスト塗布後写真蝕刻し、１１ｇ１の電
極（２）に対応するように縞状にレジスト膜ｔ−残し、
その後、２％しゆうＶ浴液中にて陽極化成を行なう。こ
れにより、第７図に示すように陽極化成層（７ａ）即ち
アルミニウムの酸化皮膜が形成される。しかる後、レジ
スト＃を剥離し、スパッタリング又は蒸着でアルミニウ
ムを全面に付着させ、フォトエツチング処理でアルミニ
ウム膜を縞状に残存させることにより第２の′に極（６
）とする。このように構成しても第１の実施例と全く同
様な作用効果を得ることが出来る。
次に、本発明の第３の実施例に係わるＥＬ累子を示す第
８図について述べる。この実施例では、アルミニウムの
陽極化成層（７ａ）が発光体層（４）に於ける凹部に埋
め込まれた状態に設けられている。
８図について述べる。この実施例では、アルミニウムの
陽極化成層（７ａ）が発光体層（４）に於ける凹部に埋
め込まれた状態に設けられている。
従って、第２の絶縁体層（５）及び第２の電極（６）は
ほぼ平担に形成され、縞状の第１の電極（２）の相互間
の上に位置する第２の電極（６）と第１の１１億（２）
の鍬との距離の増大が図られている。この結果、第２図
及び第７図のＢＬ素子と同様な作用効果を優ることが出
来る。
ほぼ平担に形成され、縞状の第１の電極（２）の相互間
の上に位置する第２の電極（６）と第１の１１億（２）
の鍬との距離の増大が図られている。この結果、第２図
及び第７図のＢＬ素子と同様な作用効果を優ることが出
来る。
以上、本発明の実施例について述べたが、本発明はこれ
に限定されるものではな（、本発明の蒙旨を逸脱しない
範囲で種々変形可能なものである。
に限定されるものではな（、本発明の蒙旨を逸脱しない
範囲で種々変形可能なものである。
例えば、第２図のレジスト層（７）を除去してここを空
間としても全く同様な効果が得られる。また、第７図及
び第８１図の１１１Ｍ極化成層（７ａ）を設けるための
化成時の浴液としてリン酸、硫酸、クロム酸、スルフォ
ン酸、クエン酸等を使用してもよい。また、アルミニウ
ムの代りに、マグネシウム、タンタル、チタニウム、ニ
オビウム等を使用し、これ号の陽極化成＃全形成しても
よい。また、陽極化成層（７り又はレジスト層（７）を
層色して発光部分を見易くしてもよい。また、縞状の第
１０′ｗＬ極（２）の相互間に対応する全部にレジスト
層（７）又はｌｌ１Ｍ極化成層（７りのような第２の電
極（６）を離らかすための部分を設けずに、第１の電極
（２）の轍近傍に対応する部分にのみ配してもよい。要
するに、第１の電極（２）と第２の１１１億（６）との
最短距離部分がこれ等の交差部分に一致するようにすれ
ばよい。また、最短距離部分が第１及び第２の電極ｔ２
１ （６）の交差部分とならなくとも、＠１の電極（２
）の縁部分と第２の電極（６）との間隔が従来よりも大
になる部分を設ければ、それなりの効果があるので、レ
ジスト層（７）又は化成層（７りの厚さは実施例に限定
されるものでない。また、レジスト層（７）及び化成層
（１）ｔ−他の絶縁物に置き換えても勿論差支えない。
間としても全く同様な効果が得られる。また、第７図及
び第８１図の１１１Ｍ極化成層（７ａ）を設けるための
化成時の浴液としてリン酸、硫酸、クロム酸、スルフォ
ン酸、クエン酸等を使用してもよい。また、アルミニウ
ムの代りに、マグネシウム、タンタル、チタニウム、ニ
オビウム等を使用し、これ号の陽極化成＃全形成しても
よい。また、陽極化成層（７り又はレジスト層（７）を
層色して発光部分を見易くしてもよい。また、縞状の第
１０′ｗＬ極（２）の相互間に対応する全部にレジスト
層（７）又はｌｌ１Ｍ極化成層（７りのような第２の電
極（６）を離らかすための部分を設けずに、第１の電極
（２）の轍近傍に対応する部分にのみ配してもよい。要
するに、第１の電極（２）と第２の１１１億（６）との
最短距離部分がこれ等の交差部分に一致するようにすれ
ばよい。また、最短距離部分が第１及び第２の電極ｔ２
１ （６）の交差部分とならなくとも、＠１の電極（２
）の縁部分と第２の電極（６）との間隔が従来よりも大
になる部分を設ければ、それなりの効果があるので、レ
ジスト層（７）又は化成層（７りの厚さは実施例に限定
されるものでない。また、レジスト層（７）及び化成層
（１）ｔ−他の絶縁物に置き換えても勿論差支えない。
第１図は従来のＥＬ水素子断面図、第２図は本発明の第
ｌの実施例に係わるＥＬ累子の断面図、第３図は第２図
の１−１線断面図、第４図は５ｇ２図のバー■縁断面図
、第５図は本発明の実施例に係わるＥＬ水素子び従来の
ＨＬ素子の経過時間対輝度の関係を示す特性図、第６図
は本発明の実施例に係わるＥＬ索子及び従来のＥＬ累子
の駆動電圧と１４度との関係を示す特性図、第７図は本
発明の第２の実施例に係わるＥＬ水素子示す断面図、第
８図は本発明の第３の実施例に係わるＢＬ索子を示すｆ
ｆｒ面図である。 尚図面に用いられている符号に於いて、（１）はガラス
基板、（２）は第１の電極、（３）は第１のｅ縁体虐、
（４）は発光体層、（５）は第２の絶縁体層、（６）は
第２の′＠極、（７）はレジスト層、（７ａ）は陽極化
成層である。 ■Ｊ１ｙＪ 第６図 ＠５図 、〜動電圧（ν「□５）
ｌの実施例に係わるＥＬ累子の断面図、第３図は第２図
の１−１線断面図、第４図は５ｇ２図のバー■縁断面図
、第５図は本発明の実施例に係わるＥＬ水素子び従来の
ＨＬ素子の経過時間対輝度の関係を示す特性図、第６図
は本発明の実施例に係わるＥＬ索子及び従来のＥＬ累子
の駆動電圧と１４度との関係を示す特性図、第７図は本
発明の第２の実施例に係わるＥＬ水素子示す断面図、第
８図は本発明の第３の実施例に係わるＢＬ索子を示すｆ
ｆｒ面図である。 尚図面に用いられている符号に於いて、（１）はガラス
基板、（２）は第１の電極、（３）は第１のｅ縁体虐、
（４）は発光体層、（５）は第２の絶縁体層、（６）は
第２の′＠極、（７）はレジスト層、（７ａ）は陽極化
成層である。 ■Ｊ１ｙＪ 第６図 ＠５図 、〜動電圧（ν「□５）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１基板と、前記基板上に縞状に設けられた第１の電
極と、前記第１の電極上及び前記第１の電極が設けられ
ていない前記基板上に設けられた第１の絶縁体層と、前
記第１の絶縁体層上に設けられた発光体層と、前記発光
体層上に設けられた第２の絶縁体層と、前記第２の絶縁
体層上に前記第１の電極に交差する方向の縞状に設けら
れたｍ２の電極とを具備し、且つ前記縞状の第１の電極
の相互間に対応する位置に於ける前記基板と前記第１の
絶縁体層と前記発光体層と前記第２の絶縁体層と前記第
２の電極との夫々の間の内の１つ又は複数の間に、前記
第１の電極の相互間に対応する位１ｆｌｉＫ於いて前記
第１の電極から前記第２の電極を離らかすための部分を
具備していることを％徴とするエレクトロルミネセンス
素子。 （２） 前記離らかすための部分は、レジスト膚であ
る特許請求の範囲＠ｉ項記載のエレクトロルミネセンス
素子。 （３）前記離らかすための部分は、金属の陽極化成層で
ある特許請求の範囲第１項記載のエレクトロルミネセン
ス素子。 （４）前記離らかす部分は空間である特許請求の範囲第
１項記載のエレクトロルミネセンス素子。 （５）＠紀離らかす部分は前記第１の電極の厚さ以上の
厚さを有する部分である特許請求の範囲第１項又は第２
項又は第３項又は第４項記載のエレクトロル建ネセンス
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57073182A JPS58188095A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | エレクトロルミネセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57073182A JPS58188095A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | エレクトロルミネセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58188095A true JPS58188095A (ja) | 1983-11-02 |
Family
ID=13510736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57073182A Pending JPS58188095A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | エレクトロルミネセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58188095A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11092253B2 (en) | 2016-08-17 | 2021-08-17 | W. L. Gore & Associates Gmbh | Check valve |
-
1982
- 1982-04-28 JP JP57073182A patent/JPS58188095A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11092253B2 (en) | 2016-08-17 | 2021-08-17 | W. L. Gore & Associates Gmbh | Check valve |
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