JPH11317293A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH11317293A JPH11317293A JP11075444A JP7544499A JPH11317293A JP H11317293 A JPH11317293 A JP H11317293A JP 11075444 A JP11075444 A JP 11075444A JP 7544499 A JP7544499 A JP 7544499A JP H11317293 A JPH11317293 A JP H11317293A
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Abstract
提供することを目的とする。 【解決手段】 透光性を有する基板上に、陽極、有機化
合物からなる有機層、及び陰極からなり素子を構成する
積層体と、陽極又は陰極の何れか一方に対し接続される
接続ラインと、絶縁層と、が形成され、基板上において
異なる接続ラインが交差するように配された有機エレク
トロルミネッセンス素子であって、絶縁層は、接続ライ
ンの交差する領域において互いに交差する接続ラインの
間に配されるとともに、少なくとも陽極の領域内におい
て素子の発光表示領域を型取る抜け部分を有する。
Description
表示素子である有機エレクトロルミネセンス素子に関す
る。
て図4に示す有機エレクトロルミネセンス素子(以下有
機EL素子)がある。同図に示されるように、有機EL
素子は、基板上に第1電極(陽極)、有機化合物からな
る有機層、第2電極(陰極)が積層されて構成される。
有機EL素子は、電流注入型の素子であるため、素子の
発光効率は、電極ラインの低抵抗化に大きく依存する。
したがって、電極ラインの抵抗が高いと、流れる電流に
よって大きな電圧降下が起こり、輝度ムラを生じ表示品
位を損ねる。
で表示品位の高い有機EL素子を提供することを目的と
する。
発明は、透光性を有する基板上に、陽極、有機化合物か
らなる有機層、及び陰極からなり素子を構成する積層体
と、陽極又は陰極の何れか一方に対し接続される接続ラ
インと、絶縁層と、が形成され、基板上において異なる
接続ラインが交差するように配された有機エレクトロル
ミネッセンス素子であって、絶縁層は、接続ラインの交
差する領域において互いに交差する接続ラインの間に配
されるとともに、少なくとも陽極の領域内において素子
の発光表示領域を型取る抜け部分を有することを特徴と
する。
機エレクトロルミネセンス素子において、積層体は基板
上に複数個形成されことを特徴とする。
に記載の有機エレクトロルミネセンス素子において、接
続ラインの交差領域において、絶縁膜から基板側に位置
する一方の接続ラインはITOからなり、他方の接続ラ
インは金属材料からなることを特徴とする。
て図に基づいて以下に説明する。図1は、本発明の第1
の実施形態における有機EL素子が形成される過程を示
す図である。
上に、例えばITOなどを用いた第1電極(陽極)2を
所定の形状にパターニングする(図1(a))。
る接続部2aも同時に形成する。
に、例えばTPD/Alq3 からなる有機層3を形成す
る(図1(b))。この際、有機層3の形状は、図1
(b)に示すように、第1電極(陽極)の接続部2aを
避けて形成する。
イン5を同時に形成する(図1(c))。これは、例え
ば、第2電極(陰極)4とメタルバスライン5の材料と
してAlを用いて蒸着を行うことにより、第1電極(陽
極)2上に有機層が形成された領域に、さらにAl第2
電極(陰極)4が蒸着積層されて、素子の発光表示領域
を形成し、その他のAl蒸着部分がメタルバスライン5
を含んで形成される。
a上にメタルバスライン5の一部が蒸着されるので接続
部2aとメタルバスライン5が同時に電気的に接続され
る。
ける有機EL素子が形成される。
べる。図2〜図3は、本発明の第2の実施形態における
有機EL素子が形成される過程を示す図であり、図3は
図2に続く過程を示している。先ず、図2において、透
光性を有するガラスなどの基板6上に、例えばITOな
どを用いた第1電極(陽極)7をそれぞれ所定の形状に
パターニングする(図2(a))。
は、図2(a)に示すように、必ずしも同一形状でなく
ても良いが、後述するバスラインを接続する接続部7a
をそれぞれ備えて形成される。
2 などを用いた絶縁層8を積層形成する(図2
(b))。絶縁層8の形状は、図2(b)に示すよう
に、素子の発光表示領域を型取る抜け部分と、第1電極
(陽極)7と後述するバスラインを接続するためのスル
ーホールに対応する開部8aを除いて、基板6上に形成
される。
1電極(陽極)7上であって、素子の発光表示領域を型
取る絶縁層8の抜け部分を覆う領域に、例えば、TPD
/Alq3 からなる有機層9を形成する(図3
(a))。この際、有機層9の形状は、開口部8aを避
け、且つ、少なくとも素子の発光表示領域を覆うように
形成する。
ライン11を同時に形成する(図3(b))。これは、
例えば、第2電極(陰極)10とメタルバスライン11
の材料としてAlを用いて蒸着を行うことにより、第1
電極(陽極)7上に有機層9が形成された領域に、さら
にAl第2電極(陰極)10が蒸着積層されて、素子の
発光表示領域を形成し、その他のAl蒸着部分がメタル
バスライン11を含んで形成される。
a上にメタルバスライン11の一部が蒸着されるので接
続部7aとメタルバスライン11が同時に電気的に接続
される。また、先に形成した開口部8aにおいても、接
続部7aとメタルバスライン11が同時に電気的に接続
される。以上により、本発明の第2の実施形態における
有機EL素子が形成される。
示品位の高い有機EL素子を実現できる。
が形成される過程を示す図である。
が形成される過程を示す図である。
が形成される過程を示す図である(図2の過程の続
き)。
Claims (3)
- 【請求項1】 透光性を有する基板上に、陽極、有機化
合物からなる有機層、及び陰極からなり素子を構成する
積層体と、前記陽極又は前記陰極の何れか一方に対し接
続される接続ラインと、絶縁層と、が形成され、前記基
板上において異なる接続ラインが交差するように配され
た有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記絶
縁層は、前記接続ラインの交差する領域において互いに
交差する接続ラインの間に配されるとともに、少なくと
も前記陽極の領域内において素子の発光表示領域を型取
る抜け部分を有することを特徴とする有機エレクトロル
ミネセンス素子。 - 【請求項2】 前記積層体は前記基板上に複数個形成さ
れことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロル
ミネセンス素子。 - 【請求項3】 前記接続ラインの交差領域において、前
記絶縁膜から前記基板側に位置する一方の接続ラインは
ITOからなり、他方の接続ラインは金属材料からなる
ことを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレク
トロルミネセンス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07544499A JP3455128B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07544499A JP3455128B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8182764A Division JPH1012386A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11317293A true JPH11317293A (ja) | 1999-11-16 |
JP3455128B2 JP3455128B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=13576441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07544499A Expired - Lifetime JP3455128B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3455128B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013522852A (ja) * | 2010-03-22 | 2013-06-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 空間的に隔離した発光領域を備えたoledの製造方法 |
TWI448193B (zh) * | 2011-02-17 | 2014-08-01 | Au Optronics Corp | 有機電激發光元件及其製造方法 |
CN109671873A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-23 | 上海晶合光电科技有限公司 | 一种可分立控制的底电极图案化有机电致发光器件及其制备方法 |
-
1999
- 1999-03-19 JP JP07544499A patent/JP3455128B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
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---|---|---|---|---|
JP2013522852A (ja) * | 2010-03-22 | 2013-06-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 空間的に隔離した発光領域を備えたoledの製造方法 |
US9379349B2 (en) | 2010-03-22 | 2016-06-28 | Koninklijke Philips N.V. | OLED device with spatially isolated light-emitting areas |
TWI448193B (zh) * | 2011-02-17 | 2014-08-01 | Au Optronics Corp | 有機電激發光元件及其製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3455128B2 (ja) | 2003-10-14 |
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