JPS58186903A - 電圧非直線抵抗体の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体の製造方法Info
- Publication number
- JPS58186903A JPS58186903A JP57069358A JP6935882A JPS58186903A JP S58186903 A JPS58186903 A JP S58186903A JP 57069358 A JP57069358 A JP 57069358A JP 6935882 A JP6935882 A JP 6935882A JP S58186903 A JPS58186903 A JP S58186903A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spinel
- voltage
- linear resistor
- voltage non
- producing voltage
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発ｗＡ社籠化臘船を主成分とする鋺紬体の鋺紬―勧に
おいてＩＩｋ俊ｌで自形を胤り不純物を混入した電圧＃
直鉢抵飢体の論造方法に関する。
おいてＩＩｋ俊ｌで自形を胤り不純物を混入した電圧＃
直鉢抵飢体の論造方法に関する。
近年ＩＣ，）ランシスタ、！イリスタなどの半畳体重子
および半櫓体−路とそのＪ６川の急速な発皺にともなイ
ＪｂＪｌｌｋｌｌｉ１ｍ！ＩＩ 、 ｓｔｉｎｋｍ＞
Ｘ ヒをカー−における牛場体嵩子および半暮体−路の
使用が普及しこれらの４ｍ１ｋの小智化、烏性総１しが
急造に朧嶽している。しかしＩ！方で口このようなＡ慶
にともないこれらのｍ−やその部品の細電圧、ｌＩｆす
−ジおよび剛ノイズ性−社十分といえない。このため仁
れらの一−中郷品を＾Ｓな−！−ジやノイズから昧−す
ることや−路電圧を安定化することがきわめて１曽な謙
−になっている。これらの牌−のためにすぐれた電圧非
直−抵抗体として鹸化劇船系バリスタが＠＠されている
。バリスタの電圧電流特性は一般につ電の間係 １− （Ｖ／Ｃ）“ で衣不される。ここでＶはバリスタに印加されている電
圧でるシＩはバリスタを流れる電流である。
および半櫓体−路とそのＪ６川の急速な発皺にともなイ
ＪｂＪｌｌｋｌｌｉ１ｍ！ＩＩ 、 ｓｔｉｎｋｍ＞
Ｘ ヒをカー−における牛場体嵩子および半暮体−路の
使用が普及しこれらの４ｍ１ｋの小智化、烏性総１しが
急造に朧嶽している。しかしＩ！方で口このようなＡ慶
にともないこれらのｍ−やその部品の細電圧、ｌＩｆす
−ジおよび剛ノイズ性−社十分といえない。このため仁
れらの一−中郷品を＾Ｓな−！−ジやノイズから昧−す
ることや−路電圧を安定化することがきわめて１曽な謙
−になっている。これらの牌−のためにすぐれた電圧非
直−抵抗体として鹸化劇船系バリスタが＠＠されている
。バリスタの電圧電流特性は一般につ電の間係 １− （Ｖ／Ｃ）“ で衣不される。ここでＶはバリスタに印加されている電
圧でるシＩはバリスタを流れる電流である。
またＣ祉与えられた電流を流したときの電圧に対沁する
定数である。ここではパリス＃特性なＣとαで表わすか
わシに１ｌｌＡ＆：おける立上９亀圧Ｖ ｌ ｍムと―
で表わす仁ととする・−社非１ＩＩＬ總偽数で−−１ｒ
ｔオ”−ムの法−にしたがう１１過の抵抗体であ夛αが
大きい線ど非直線性がすぐれているといえる。藺配謙化
愈船糸バリスタｕＶｌ鳳ムの値の多植の−のが論量され
ていゐ・腕軸体厚さ１■における立上）電圧をｖ１／腸
とするとおおよそＶｌ／ｍ−２２Ｖ、４０Ｖ、１００Ｖ
、２００Ｖｆ）４ 楓１ｉのバリスタがｍ造されている
・これらのｖｌ／■をもつ敞化臘船系バリスタにおいて
ｖ１７’−ロ鮎一体内の麹化亜鉛を主成分とする結晶粒
の大虐さによって決まる＠低いＶｌ ／ｗａを優るため
に轄結晶粒を大きく成員させることか、また高いＶｌ／
■を得るためには結晶粒の成員を小さく抑える仁とが必
要となる。しかしこれらのＶｌ ７ｍ ＠： ４ち、か
つ高い非直−４Ｉｋ＆αと高い伽職性を有する脚結体を
得るために社結晶粒の１ｂＩＩＩｌが龜子価−一などの
一体戻応的手法によることからそれぞれ組成と腕軸条件
を大−に変えなければならない・また一定のＶｌ／閣を
も９１＃、細体で広い電庄軛−のバリスタを！Ｉｌｌ金
すると腕紬体の廖葛を１趨に麺〈するか逆に−−に凧く
しなければならず１１１ｉｆｉ条件が＊−で−ｍ−麹と
なりしか４ｍ格が高くなる欠点がめった〇本発明は上記
のような欠点を鋳絢するために鹸化ＩＩＬ帽を主成分と
するｍ細体の１ｉ４結−撫で一化座船！Ｉｌｌ晶粒昇に
紋後まで１拳を一つ不義物を混入して＃ｈＩＩＩｋ粒界
の参勤を抑−し紬晶粒成阪を抑−することにより同一条
件で＾い非直巌倫敞αと＾い偏−性を会し広い電圧職−
の任意のＶｌ／ａｓを一つ電比＃直＃ＩＩ砥抗体の鶴愈
方法を皇供髪んとするものである。
定数である。ここではパリス＃特性なＣとαで表わすか
わシに１ｌｌＡ＆：おける立上９亀圧Ｖ ｌ ｍムと―
で表わす仁ととする・−社非１ＩＩＬ總偽数で−−１ｒ
ｔオ”−ムの法−にしたがう１１過の抵抗体であ夛αが
大きい線ど非直線性がすぐれているといえる。藺配謙化
愈船糸バリスタｕＶｌ鳳ムの値の多植の−のが論量され
ていゐ・腕軸体厚さ１■における立上）電圧をｖ１／腸
とするとおおよそＶｌ／ｍ−２２Ｖ、４０Ｖ、１００Ｖ
、２００Ｖｆ）４ 楓１ｉのバリスタがｍ造されている
・これらのｖｌ／■をもつ敞化臘船系バリスタにおいて
ｖ１７’−ロ鮎一体内の麹化亜鉛を主成分とする結晶粒
の大虐さによって決まる＠低いＶｌ ／ｗａを優るため
に轄結晶粒を大きく成員させることか、また高いＶｌ／
■を得るためには結晶粒の成員を小さく抑える仁とが必
要となる。しかしこれらのＶｌ ７ｍ ＠： ４ち、か
つ高い非直−４Ｉｋ＆αと高い伽職性を有する脚結体を
得るために社結晶粒の１ｂＩＩＩｌが龜子価−一などの
一体戻応的手法によることからそれぞれ組成と腕軸条件
を大−に変えなければならない・また一定のＶｌ／閣を
も９１＃、細体で広い電庄軛−のバリスタを！Ｉｌｌ金
すると腕紬体の廖葛を１趨に麺〈するか逆に−−に凧く
しなければならず１１１ｉｆｉ条件が＊−で−ｍ−麹と
なりしか４ｍ格が高くなる欠点がめった〇本発明は上記
のような欠点を鋳絢するために鹸化ＩＩＬ帽を主成分と
するｍ細体の１ｉ４結−撫で一化座船！Ｉｌｌ晶粒昇に
紋後まで１拳を一つ不義物を混入して＃ｈＩＩＩｋ粒界
の参勤を抑−し紬晶粒成阪を抑−することにより同一条
件で＾い非直巌倫敞αと＾い偏−性を会し広い電圧職−
の任意のＶｌ／ａｓを一つ電比＃直＃ＩＩ砥抗体の鶴愈
方法を皇供髪んとするものである。
以下本尭明の一実一−につ１！図−を参膳しながら説明
する。すなわち鹸化亜鉛を主成分としてこれにＭｇＯ，
Ｂ１ｓＯｓａ８ｂｍＯｓｍＣｏＯｍＭｎＯ。
する。すなわち鹸化亜鉛を主成分としてこれにＭｇＯ，
Ｂ１ｓＯｓａ８ｂｍＯｓｍＣｏＯｍＭｎＯ。
Ｃｒ５Ｏｓｓ）’＊ｇＯｓ＊ム１ｇｏｓｓＳｉｎｓａＴ
ｉｅｓｍＳｎ Ｏａ ＃ Ｃｕ Ｏａ Ｂ ａ Ｏａ
Ｃａ Ｏ＃ Ｎ ｉ Ｏ＊ Ｐ ｂ Ｏ＃ Ｂ 怠Ｏｓ
ａＭｏＯｓｓＬＬｓＯａＶｍＯｓｍＺｒＯｍａ１ｍｓ
ＯｓａＷＯｓａＴ＊ｔａＯｓａ８ｒＯａＧｍｍＯｓａＧ
ｅＯｓ ｔｋどの鉋の撤＾鹸化物な赦麺＃に鰯加し、
かつ胱結過掘て鏝化亜船結晶粒界にＩＩＲ後まて１影を
一つＦ・Ｃｒ ＠ ０４ 。
ｉｅｓｍＳｎ Ｏａ ＃ Ｃｕ Ｏａ Ｂ ａ Ｏａ
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かつ胱結過掘て鏝化亜船結晶粒界にＩＩＲ後まて１影を
一つＦ・Ｃｒ ＠ ０４ 。
ＣｏＣｒｍ０ａ ｊＮ１ｃｒｍ０４ａＭｘｃｒｍｏ４ｍ
Ｚ鳳ｃｒｓｏｂまたｕ Ｍ ｇ Ｃｒ ｍ ０４ な
どのスピネル脂ターム化合物からなる不純物を混入する
◎該不純物ｋｉ翫細体１ ｍ”中の不純物粒子の価数が
１０”〜ｇｘｌｏ’伽の鵬−で混入しこれらを十分に混
合して１５ｍｌｌＸＩＭｔの寸法の円＆麺ニ成渥し１０
００−１４５０’０の空気中高温でｗａｍし＊ｏ＊ｚに
Ｖｌ／ｍ−２２Ｖ。
Ｚ鳳ｃｒｓｏｂまたｕ Ｍ ｇ Ｃｒ ｍ ０４ な
どのスピネル脂ターム化合物からなる不純物を混入する
◎該不純物ｋｉ翫細体１ ｍ”中の不純物粒子の価数が
１０”〜ｇｘｌｏ’伽の鵬−で混入しこれらを十分に混
合して１５ｍｌｌＸＩＭｔの寸法の円＆麺ニ成渥し１０
００−１４５０’０の空気中高温でｗａｍし＊ｏ＊ｚに
Ｖｌ／ｍ−２２Ｖ。
４０Ｖ、１００Ｖ、２００Ｖ の本尭明０実纏−による
バリスタの組成と嵐ｍ−嵐について上記のような不義物
を−ｗｍ人しない従来の龜考憫との比較をボす。
バリスタの組成と嵐ｍ−嵐について上記のような不義物
を−ｗｍ人しない従来の龜考憫との比較をボす。
（以下余白）
１０
嶽１かり−らかなようにスビネルークリム化合物ｋｉ最
後壜で自形を−って輿物として存在するため上記の不純
物の九人ｋｔｔ表えてもバリスタとしての組成は変わら
ず一定であり、かつ鋺結協嵐−一定でめる。したがって
実鵬−（２）小）（Ｃ）は組成中裂造条杵を薫く変更す
ることなく単に上記の不純物をｍｓ体１ａＩＩ？中の不
純物粒子の個数を１０”〜２ＸＩＯ？−の職−で混入す
る友けで任意の立上ルミ圧のバリスタをきわめて−単に
Ｉｋ蕪することがで自る。
後壜で自形を−って輿物として存在するため上記の不純
物の九人ｋｔｔ表えてもバリスタとしての組成は変わら
ず一定であり、かつ鋺結協嵐−一定でめる。したがって
実鵬−（２）小）（Ｃ）は組成中裂造条杵を薫く変更す
ることなく単に上記の不純物をｍｓ体１ａＩＩ？中の不
純物粒子の個数を１０”〜２ＸＩＯ？−の職−で混入す
る友けで任意の立上ルミ圧のバリスタをきわめて−単に
Ｉｋ蕪することがで自る。
警純物の腿入墓が１０６憤／−３未満では効果がなく、
また２ Ｘ Ｉ Ｏ’ ＠／Ｃｍ” を亀えるとｍ！
１体の誕結性が恋く闘−粂杵でのｗ４ｉＩｉ１が不司能
になる。つ盲に第１−に不純物の混入蓋を変えたときの
ＺｍＯ結１粒子の平均粒径の変化、旭２図に不純物の混
入りを費えたときのＶｌ／■の変化をボす。これによれ
ｄ不−物の混入量、すなわち不純物の存在皐によってＺ
ｎＯ結晶粒子の成長を抑ｂＬＶｌ／ｍを任意に制−でき
ることかわかる。Ｉ！３−に表１の参考−と実鳩−（４
）とのＶｌ／■に対応する非直劇係歇αの比較、第４図
に電流波形が８×２０声−で１０００ムの＊＊電施をｌ
〇−印加したと龜のＶｌ／■に対めするＶ１ｍムの変化
率の比較をボす。これによれば実論−（４）社組成およ
び１Ｉｉｉ最条件を変えないて単に不純物の混入りを変
えるだけで畠考鉤と−じ特性の慟られることがわかる＠ 以上Ｗ述したように本発狗によれば鹸化亀船を主成分と
すゐ腕結体の腕！Ｈａ撫て鋤化臘船緬晶粒？、＃に最後
まで自形を保つスピネル握夕田＾化合物／ からなる不純物を混入して結晶粒１／＃のＳ動を抑制し
結晶粒１７ｊｔ員を抑−することにより―で条件で広い
電圧軛−の任意のＶｌ／麿をもつ亀°圧非直−抵夙体の
ｌ＆１ｉ１１方法を提供することがて自る・
また２ Ｘ Ｉ Ｏ’ ＠／Ｃｍ” を亀えるとｍ！
１体の誕結性が恋く闘−粂杵でのｗ４ｉＩｉ１が不司能
になる。つ盲に第１−に不純物の混入蓋を変えたときの
ＺｍＯ結１粒子の平均粒径の変化、旭２図に不純物の混
入りを費えたときのＶｌ／■の変化をボす。これによれ
ｄ不−物の混入量、すなわち不純物の存在皐によってＺ
ｎＯ結晶粒子の成長を抑ｂＬＶｌ／ｍを任意に制−でき
ることかわかる。Ｉ！３−に表１の参考−と実鳩−（４
）とのＶｌ／■に対応する非直劇係歇αの比較、第４図
に電流波形が８×２０声−で１０００ムの＊＊電施をｌ
〇−印加したと龜のＶｌ／■に対めするＶ１ｍムの変化
率の比較をボす。これによれば実論−（４）社組成およ
び１Ｉｉｉ最条件を変えないて単に不純物の混入りを変
えるだけで畠考鉤と−じ特性の慟られることがわかる＠ 以上Ｗ述したように本発狗によれば鹸化亀船を主成分と
すゐ腕結体の腕！Ｈａ撫て鋤化臘船緬晶粒？、＃に最後
まで自形を保つスピネル握夕田＾化合物／ からなる不純物を混入して結晶粒１／＃のＳ動を抑制し
結晶粒１７ｊｔ員を抑−することにより―で条件で広い
電圧軛−の任意のＶｌ／麿をもつ亀°圧非直−抵夙体の
ｌ＆１ｉ１１方法を提供することがて自る・
１ｇ１図は不純物の混入量を変ええときのＺｏ。
結晶粒子の平均粒径の変化を示す−ａｍ、菖２−社不純
物の混入量を表えたと自のＶｌ／■の変化を示す曲線図
、第３図祉Ｖｌ／■に対応する非直麹係歇−の比較を示
す曲線図、ｊＩ４図は衡撃電流を印加したときのｖｌ／
■に対応するｖ１鵬ムの変化率の比較を示す曲１１１図
である。
物の混入量を表えたと自のＶｌ／■の変化を示す曲線図
、第３図祉Ｖｌ／■に対応する非直麹係歇−の比較を示
す曲線図、ｊＩ４図は衡撃電流を印加したときのｖｌ／
■に対応するｖ１鵬ムの変化率の比較を示す曲１１１図
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （刀鹸化鬼船を主成分とする胸紬体のｍａｉｍ−で緻化
亀船結晶粒界に鍛後まて自形を一つスピネル−クロム化
合物からなる不純物を直入してＳａ！＃することを特徴
とする電圧＊＊−抵抗体の１金方法。 （２ｉ）スピネル曽りシム化合ＩＩＩがＦ＊Ｃｒ５Ｏａ
。 ＣｏＣｒｍＵａ、ＮｉＣｒ５Ｏａ、ＭｍＣｒｍ０４ｍＺ
ｎＣｒｍＯａま＊ ｔｔ Ｍ ｇ Ｃｒ 謬０４である
ことを特徴とする特許請求の乾固第（１１１１記職の電
圧非直線抵抗体の製造方法。 （４不純物の混入量が貌結体１６１’中の不純物粒子の
４１敵が１０６〜２ＸＩＯ’個であることを特徴とする
特許請求の鵬ｊ１１！＆（υ哀または第（２）項記載の
電圧非直線抵抗体の製造方法・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57069358A JPS58186903A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57069358A JPS58186903A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58186903A true JPS58186903A (ja) | 1983-11-01 |
Family
ID=13400249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57069358A Pending JPS58186903A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58186903A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5637604A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-11 | Marukon Denshi Kk | Method of manufacturing voltage nonnlinear resistance element |
-
1982
- 1982-04-23 JP JP57069358A patent/JPS58186903A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5637604A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-11 | Marukon Denshi Kk | Method of manufacturing voltage nonnlinear resistance element |
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