JPS58181794A - 板状シリコン結晶製造用ダイ - Google Patents
板状シリコン結晶製造用ダイInfo
- Publication number
- JPS58181794A JPS58181794A JP6510082A JP6510082A JPS58181794A JP S58181794 A JPS58181794 A JP S58181794A JP 6510082 A JP6510082 A JP 6510082A JP 6510082 A JP6510082 A JP 6510082A JP S58181794 A JPS58181794 A JP S58181794A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die
- silicon
- platelike
- crystal
- shaped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/34—Edge-defined film-fed crystal-growth using dies or slits
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は板状シリコン結晶製造用ダイに関する。
板状シリコン結晶はルツボ内でシリコン原料を溶融し、
咳ルツボ上に中空棒状のダイを載設し、咳ダイの中空部
を毛管現象で上昇した＃１１１１ｉＩシリコンを板状１
４１１ｓｌｉ１１を用いて引上げることにより製造され
ている。
咳ルツボ上に中空棒状のダイを載設し、咳ダイの中空部
を毛管現象で上昇した＃１１１１ｉＩシリコンを板状１
４１１ｓｌｉ１１を用いて引上げることにより製造され
ている。
従来、ここに用いられるダイ紘カーボンで形成されてい
た。しかし、カーボンは溶融シリコンと反応して炭化珪
素を生じやすい。こうした炭化珪素がダイの中空部周辺
に形成されるとシ１ｌｌＷシ―晶Ｏ引上げが困−となる
だけでなく炭化珪素の混入により単結晶シリコンとなら
ず多―晶シリコンとなるという欠点があつ九。
た。しかし、カーボンは溶融シリコンと反応して炭化珪
素を生じやすい。こうした炭化珪素がダイの中空部周辺
に形成されるとシ１ｌｌＷシ―晶Ｏ引上げが困−となる
だけでなく炭化珪素の混入により単結晶シリコンとなら
ず多―晶シリコンとなるという欠点があつ九。
そこで、ダイとして結晶質量化珪素で形成されえもｏ−
ｆｉ＊眉逼れるようになって禽てｉる０電化ａｌＡＦｉ
ｇ融シリコンと反応しないのでカーボンのような欠点は
生じない九め単績蟲Ｏ板状シリコンを帰ることがで在る
。
ｆｉ＊眉逼れるようになって禽てｉる０電化ａｌＡＦｉ
ｇ融シリコンと反応しないのでカーボンのような欠点は
生じない九め単績蟲Ｏ板状シリコンを帰ることがで在る
。
ところで、菫化珪１ＡＩ１１ダイは飼えば第１図（ａ）
〜（、ｉ）に示すＩ１１自方法で製造されたものが用い
られてｉる。
〜（、ｉ）に示すＩ１１自方法で製造されたものが用い
られてｉる。
すなわち、板状カーボン基材ｒ （９１図（ａ）図示）
の外周にＣＶＤ法によ如結晶質菫化珪素膜２ｔ−被着さ
せる（第１図（ｂ）図示）。次に、第１図（呻図示の板
状体の両端部を加工して所定の形状にする（第１１１Ｉ
ＣＩ（ｃ）図示）。つづいて、カーボン基材１を蝿ぬ自
して板状シリコン結晶製造用ダイ１を゛纏造する（第１
図（ｄ）図示）。
の外周にＣＶＤ法によ如結晶質菫化珪素膜２ｔ−被着さ
せる（第１図（ｂ）図示）。次に、第１図（呻図示の板
状体の両端部を加工して所定の形状にする（第１１１Ｉ
ＣＩ（ｃ）図示）。つづいて、カーボン基材１を蝿ぬ自
して板状シリコン結晶製造用ダイ１を゛纏造する（第１
図（ｄ）図示）。
しかし、上述した方法で得られたダイ１はカーボン基材
１をｍ−ぬ（−にその中空部内面が酸化を受ける場合が
ある。このように中空部内面が酸化を受けたダイＳを用
いて板状シリコンを引上げると、第２図に示す如く、溶
−シリコよく製造できないという欠点がある。
１をｍ−ぬ（−にその中空部内面が酸化を受ける場合が
ある。このように中空部内面が酸化を受けたダイＳを用
いて板状シリコンを引上げると、第２図に示す如く、溶
−シリコよく製造できないという欠点がある。
上記欠点を解消するために本発明者らは先に％願昭５６
−７０４７７において、板状カーボン基材のかわりに板
状シリコン基材を用い、このシリコン基材の外！！肉に
ＣＶＤ法によシミ化＃＠Ｘ膜を鎧層させた後、シリコン
基材を除去することにより結晶買電化珪素製ダイを製造
する方法を開示した。
−７０４７７において、板状カーボン基材のかわりに板
状シリコン基材を用い、このシリコン基材の外！！肉に
ＣＶＤ法によシミ化＃＠Ｘ膜を鎧層させた後、シリコン
基材を除去することにより結晶買電化珪素製ダイを製造
する方法を開示した。
この方法によれば、カーボン基材を用−九場合のような
欠点は生じないが、酸を用いる等の方法によルシリコン
基材を除去する過機で汚染ｐ′。
欠点は生じないが、酸を用いる等の方法によルシリコン
基材を除去する過機で汚染ｐ′。
が避けられず、板状単結晶シリコンの品質Ｖ悪化すると
いうおそれがあつ九。
いうおそれがあつ九。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであｐ１結晶實
菫化珪素襄Ｏグイ本体の中空部にシリコンを充填するこ
とによυ、所定形状で高品質０４［状拳紬晶Ｖリコンを
効率よく製造し優る板状クリフン結晶製造用ダイを提供
しようとするものである。
菫化珪素襄Ｏグイ本体の中空部にシリコンを充填するこ
とによυ、所定形状で高品質０４［状拳紬晶Ｖリコンを
効率よく製造し優る板状クリフン結晶製造用ダイを提供
しようとするものである。
以下、本発明の実膳例をｗＩｋ３図（ａ）〜（Ｃ）に示
す製造方法を併記して説明する。
す製造方法を併記して説明する。
１ず、多結晶シリコン基材１１ （＠Ｓ図（ハ））図示
）の外表面ｆｃｃＶＤ法に↓如結晶實電化珪素属１１を
被着させた（第３図（ｂ）図示）。
）の外表面ｆｃｃＶＤ法に↓如結晶實電化珪素属１１を
被着させた（第３図（ｂ）図示）。
次に、第３図（ｂ） （ｆｆｌ示の板状体の両端部を加
工して所定の形状にし、結晶質電化珪素で形成され丸中
空枠状のダイ本体１ｊと、こＯダイ本体１１の中空ｓＫ
光項１れ九多結晶シリコン基材１１とからなる板状クリ
フン結晶製造用ダイ１４を製造した（第３図（Ｃ）図示
）。
工して所定の形状にし、結晶質電化珪素で形成され丸中
空枠状のダイ本体１ｊと、こＯダイ本体１１の中空ｓＫ
光項１れ九多結晶シリコン基材１１とからなる板状クリ
フン結晶製造用ダイ１４を製造した（第３図（Ｃ）図示
）。
しかして、このようにして得られ丸板状シリコン結晶製
造用ダイ１４は結晶質電化珪素製のダイ本体ＩＪの中空
部に多結晶シリコン基材ＪＪを充填した構造をなす。か
かる板状シリコン結晶製造用ダイ１４をルツボ内の溶融
シリコン上に載設し、ダイ１４（Ｄ上端側から板状樵結
畠を用いて引上げを行う際、第４１１！ｉｌに示す如く
、ダイ本体１１内に予め光１１１１！ｉれた多結晶シリ
コン基材が溶融して、該ダイ本体１１１（Ｄ中空部を満
たすため、ルツボ内の溶融シリコン１５がグイ本体ＸＳ
Ｏ中空部に効率よく上昇する。し九がって、ダイ本体１
３が結晶質量化珪素であることと、ダイ本体１３への溶
融シリコン１ｊの上昇性がよいことから、板状単結晶シ
リコンを従来のダイに比べて効率よく製造できる。ま九
、多結晶７リコン基材１１を除去しないので、汚染が生
じることはなく、高品質の板状単結晶７リコンを優るこ
とがで自る。
造用ダイ１４は結晶質電化珪素製のダイ本体ＩＪの中空
部に多結晶シリコン基材ＪＪを充填した構造をなす。か
かる板状シリコン結晶製造用ダイ１４をルツボ内の溶融
シリコン上に載設し、ダイ１４（Ｄ上端側から板状樵結
畠を用いて引上げを行う際、第４１１！ｉｌに示す如く
、ダイ本体１１内に予め光１１１１！ｉれた多結晶シリ
コン基材が溶融して、該ダイ本体１１１（Ｄ中空部を満
たすため、ルツボ内の溶融シリコン１５がグイ本体ＸＳ
Ｏ中空部に効率よく上昇する。し九がって、ダイ本体１
３が結晶質量化珪素であることと、ダイ本体１３への溶
融シリコン１ｊの上昇性がよいことから、板状単結晶シ
リコンを従来のダイに比べて効率よく製造できる。ま九
、多結晶７リコン基材１１を除去しないので、汚染が生
じることはなく、高品質の板状単結晶７リコンを優るこ
とがで自る。
なお、本発明に用いられるシリコンは上記寮厖例の如く
多結晶のもＯＫ限らず、単結晶、非畠負のものでもよい
。
多結晶のもＯＫ限らず、単結晶、非畠負のものでもよい
。
以上詳述した如く本発明によれば、所定形状で高品質の
板状単結晶シリコンを効率よく製造し侮る板状シリコン
結晶製造用ダイを提供で寝るものである。
板状単結晶シリコンを効率よく製造し侮る板状シリコン
結晶製造用ダイを提供で寝るものである。
第１因は懺来Ｏ板状シリコン結晶製造用ダイの製造方法
な工橿願に示す前面図、第２図は同ダイ０ＩＩＥ用状態
を示す斜視図、第３図は本発明の実厖ＭＫおける板状シ
リコン結晶製造用ダイＯ捩造方法を工機順に示す＃面図
、第４図は同ダイＯ使用状ｔｉを示す斜視図である。 １１−・シリコン基材、１２・・・績晶簀電化珪素編、
１３・・・ダイ本体、１４・・・板状７リコン結晶製造
用ダイ、ｘｓ−１融シリコン。 出願人代理人 弁理士 錦 江 武 彦３Ｉｐ１図 （ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ）
矛２園 矛３ｒＩＪ （ａ） （ｂ） （ｃ）矛４図 ５ 第１頁の続き ０発 明 者 村岡久志 川崎市幸区小向東芝町１番地束 京芝浦電気株式会社総合研究所 内 ■出 願 人 東京芝浦電気株式会社 川崎市幸区堀川町７２番地
な工橿願に示す前面図、第２図は同ダイ０ＩＩＥ用状態
を示す斜視図、第３図は本発明の実厖ＭＫおける板状シ
リコン結晶製造用ダイＯ捩造方法を工機順に示す＃面図
、第４図は同ダイＯ使用状ｔｉを示す斜視図である。 １１−・シリコン基材、１２・・・績晶簀電化珪素編、
１３・・・ダイ本体、１４・・・板状７リコン結晶製造
用ダイ、ｘｓ−１融シリコン。 出願人代理人 弁理士 錦 江 武 彦３Ｉｐ１図 （ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ）
矛２園 矛３ｒＩＪ （ａ） （ｂ） （ｃ）矛４図 ５ 第１頁の続き ０発 明 者 村岡久志 川崎市幸区小向東芝町１番地束 京芝浦電気株式会社総合研究所 内 ■出 願 人 東京芝浦電気株式会社 川崎市幸区堀川町７２番地
Claims (1)
- 結晶質窒化珪素で形成された中空棒状のダイ本体と、該
ダイ本体の中空部に光ｔ１４ｓれたシリコンとをツーし
九ことを特徴とする板状シリコン結Ｉｆｌ＋製造用ダイ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6510082A JPS58181794A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 板状シリコン結晶製造用ダイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6510082A JPS58181794A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 板状シリコン結晶製造用ダイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58181794A true JPS58181794A (ja) | 1983-10-24 |
Family
ID=13277147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6510082A Pending JPS58181794A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 板状シリコン結晶製造用ダイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58181794A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03127023U (ja) * | 1990-03-31 | 1991-12-20 | ||
| WO2011151757A1 (en) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | International Business Machines Corporation | Producing a mono-crystalline sheet |
| CN103160915A (zh) * | 2011-12-09 | 2013-06-19 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 一种c形硅芯的拉制模板 |
-
1982
- 1982-04-19 JP JP6510082A patent/JPS58181794A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03127023U (ja) * | 1990-03-31 | 1991-12-20 | ||
| WO2011151757A1 (en) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | International Business Machines Corporation | Producing a mono-crystalline sheet |
| GB2494565A (en) * | 2010-05-31 | 2013-03-13 | Ibm | Producing a mono-crystalline sheet |
| JP2013530530A (ja) * | 2010-05-31 | 2013-07-25 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 単結晶シートの製造のための方法およびデバイス |
| GB2494565B (en) * | 2010-05-31 | 2014-04-09 | Ibm | Producing a mono-crystalline sheet |
| US9487884B2 (en) | 2010-05-31 | 2016-11-08 | International Business Machines Corporation | Producing a mono-crystalline sheet of semiconductor material |
| US10066312B2 (en) | 2010-05-31 | 2018-09-04 | International Business Machines Corporation | Device for producing a mono-crystalline sheet of semiconductor material from a molten alloy held between at least two aperture elements |
| CN103160915A (zh) * | 2011-12-09 | 2013-06-19 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 一种c形硅芯的拉制模板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS58181794A (ja) | 板状シリコン結晶製造用ダイ | |
| JPS59213697A (ja) | 単結晶半導体引上装置 | |
| JPH089520B2 (ja) | 薄膜単結晶の製造方法 | |
| EP1085112A2 (en) | Method of fabricating a single crystal | |
| JP2947529B2 (ja) | 整形結晶の製造方法及び製造装置 | |
| JPH0258239B2 (ja) | ||
| US4125425A (en) | Method of manufacturing flat tapes of crystalline silicon from a silicon melt by drawing a seed crystal of silicon from the melt flowing down the faces of a knife shaped heated element | |
| JP2809364B2 (ja) | 四ほう酸リチウム単結晶の製造方法 | |
| JP2810975B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JP2692732B2 (ja) | 単結晶製造方法 | |
| JP2749016B2 (ja) | 単結晶製造用容器の清浄方法および単結晶の製造方法 | |
| SU1236784A1 (ru) | Способ получени кристаллических лент лейкосапфира | |
| JPH11116228A (ja) | シリコン溶解用ルツボおよびその製造方法 | |
| JPH0367995B2 (ja) | ||
| JPS60118696A (ja) | リン化インジウム単結晶の育成方法 | |
| JPS61111991A (ja) | ３−５族化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH01203299A (ja) | ドープド半導体芯材の製造方法 | |
| JPH06128076A (ja) | 複合単結晶の育成方法 | |
| JPS5932431B2 (ja) | 帯状シリコン結晶の製造方法 | |
| JPS5951156B2 (ja) | 単分域化結晶の製造方法 | |
| JPH02188488A (ja) | シリコン単結晶リチャージ引上げ用石英ルツボ | |
| JPS57194519A (en) | Method of crystal growth | |
| JPS61247692A (ja) | 半導体結晶引上げ用るつぼ及びそれを用いた半導体結晶引上げ方法 | |
| JPS5895815A (ja) | 積層構造を有する半導体装置の製造方法 | |
| JPS59114813A (ja) | 単結晶薄膜の形成方法 |