JPS58181789A - 単結晶育成装置 - Google Patents
単結晶育成装置Info
- Publication number
- JPS58181789A JPS58181789A JP6391182A JP6391182A JPS58181789A JP S58181789 A JPS58181789 A JP S58181789A JP 6391182 A JP6391182 A JP 6391182A JP 6391182 A JP6391182 A JP 6391182A JP S58181789 A JPS58181789 A JP S58181789A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- single crystal
- furnace
- melting
- growing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B11/08—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation
- C30B11/10—Solid or liquid components, e.g. Verneuil method
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は単結晶育成装置に関し、特に大型の単結晶を育
成するために好適な有酸装置に関する。
成するために好適な有酸装置に関する。
ブリッジマン沃によってフェライト寺の単結晶を製造す
る場合ＶＣは、製造コストの点７１）らいってできるだ
け大型の単結晶とするのが好１しく、このため単結晶育
成用の炉自体を大型化して大型の単結晶を得ることが考
えらでいる。しかし、このような単に大型化した炉を用
いた場合には、１ずその設備に費用がｐ−７２す、かつ
ランニングコスト（主として電気炉の消費電力）がかさ
むものである。その上、小型の炉を用いた場合には、結
晶育成ゾーン（固液界面）で急峻な温度分布が得られた
のに対し、大型の炉を用いｆｃ場合には結晶育成ゾーン
での温度傾斜がゆるや刀島であるため、良好な単結晶を
得るには成長速度を下げなければならなかった。
る場合ＶＣは、製造コストの点７１）らいってできるだ
け大型の単結晶とするのが好１しく、このため単結晶育
成用の炉自体を大型化して大型の単結晶を得ることが考
えらでいる。しかし、このような単に大型化した炉を用
いた場合には、１ずその設備に費用がｐ−７２す、かつ
ランニングコスト（主として電気炉の消費電力）がかさ
むものである。その上、小型の炉を用いた場合には、結
晶育成ゾーン（固液界面）で急峻な温度分布が得られた
のに対し、大型の炉を用いｆｃ場合には結晶育成ゾーン
での温度傾斜がゆるや刀島であるため、良好な単結晶を
得るには成長速度を下げなければならなかった。
不発明は上記の点に鑑みてなされたもので、加熱炉内に
単結晶育成用るつぼを配置し、その単結晶育成用るつぼ
に対して、加熱炉とその内部の高。
単結晶育成用るつぼを配置し、その単結晶育成用るつぼ
に対して、加熱炉とその内部の高。
温部位置に保持された原料溶融のための溶融るっほと全
昇降手段によって移動可能とし、かっ浴融るつぼから単
結晶育成用るっは内へ溶融した原料を順次滴下して単結
晶を成長させるようにしたことで、小型の炉で大型の単
結晶を得ることができるようにしたものである。
昇降手段によって移動可能とし、かっ浴融るつぼから単
結晶育成用るっは内へ溶融した原料を順次滴下して単結
晶を成長させるようにしたことで、小型の炉で大型の単
結晶を得ることができるようにしたものである。
以下本発明を図面に基づいて説明する。
象付図は本発明に係る単結晶育成装置の一実施例を示す
部分断面図である。上端を開放した白金等の高融点材料
刀・ら成る単結晶育成用るつぼ１０は、装置基部１２に
固定された支持筒１４上に支持されている。育成用るつ
ぼ１０を加熱する電気炉１６は、その中空部付近に配置
された発熱体１８とそれを外側刀・ら囲む耐火物２０と
から成る。炉１６はその単結晶育成ゾーンの温度分布が
急峻となるよう従来の小型のものが用いられている。炉
１６の外側には放熱カバー２２が固定されており、その
放熱カバー２２の上部に固定された支持部材２４上に単
結晶の原材料を収容するホッパ−２６が取付けられてい
る。ホッパー２６の下方には、白金等の高融材料から成
る溶融るつは２８が白金線３０によって炉１６の中空部
内の高温部位置に吊下げられており、その浴融ゐつぼ２
８は上端が開放され下端には小径の径（図示せず）が設
けられている。その溶融るつぼ２８はホッパー２６から
の単結晶原材料を受ける位置にあり、その下端に設けら
れた上記小径孔刀・ら浴融した原材ｎを育成用るつぼ１
０内に滴下できる位置に配置される。
部分断面図である。上端を開放した白金等の高融点材料
刀・ら成る単結晶育成用るつぼ１０は、装置基部１２に
固定された支持筒１４上に支持されている。育成用るつ
ぼ１０を加熱する電気炉１６は、その中空部付近に配置
された発熱体１８とそれを外側刀・ら囲む耐火物２０と
から成る。炉１６はその単結晶育成ゾーンの温度分布が
急峻となるよう従来の小型のものが用いられている。炉
１６の外側には放熱カバー２２が固定されており、その
放熱カバー２２の上部に固定された支持部材２４上に単
結晶の原材料を収容するホッパ−２６が取付けられてい
る。ホッパー２６の下方には、白金等の高融材料から成
る溶融るつは２８が白金線３０によって炉１６の中空部
内の高温部位置に吊下げられており、その浴融ゐつぼ２
８は上端が開放され下端には小径の径（図示せず）が設
けられている。その溶融るつぼ２８はホッパー２６から
の単結晶原材料を受ける位置にあり、その下端に設けら
れた上記小径孔刀・ら浴融した原材ｎを育成用るつぼ１
０内に滴下できる位置に配置される。
上記装置基部１２に下端を固定されると共に上端に朱３
２を配した一対の支柱３４・３６′の内側には、それぞ
れねじ切り軸３６・３６′が１１−見られる。それ４０
′によって軸支されており、同期して作動する軸回転装
置４０・４０’の作動によってねじ切り軸３６・３６′
は回転させられる。前記放熱カバー２２の側面にはナツ
ト部を形成した一対の腕４２・４２′が固定されており
、その腕４２・４２′のナツト部とねじ切り軸３６・３
６′が螺合している。従って、軸回転装置４０・４０′
が作動しねじ切り軸３６・３６′が回転することによっ
て、炉１６は上下に移動させられることになる。このよ
うな炉１６を昇降させる手段としては上記の構成に限ら
ず、既知のどのような昇降手段を用いてもよい。
２を配した一対の支柱３４・３６′の内側には、それぞ
れねじ切り軸３６・３６′が１１−見られる。それ４０
′によって軸支されており、同期して作動する軸回転装
置４０・４０’の作動によってねじ切り軸３６・３６′
は回転させられる。前記放熱カバー２２の側面にはナツ
ト部を形成した一対の腕４２・４２′が固定されており
、その腕４２・４２′のナツト部とねじ切り軸３６・３
６′が螺合している。従って、軸回転装置４０・４０′
が作動しねじ切り軸３６・３６′が回転することによっ
て、炉１６は上下に移動させられることになる。このよ
うな炉１６を昇降させる手段としては上記の構成に限ら
ず、既知のどのような昇降手段を用いてもよい。
前Ｒじホッパー２６の下部には手動的または自動的に開
閉する既知の弁手段（図示せず）が備えられており、炉
１６の上昇距離に合わせて所定曾の原材料が溶融るつぼ
２８内に落下供給できるようにされている。
閉する既知の弁手段（図示せず）が備えられており、炉
１６の上昇距離に合わせて所定曾の原材料が溶融るつぼ
２８内に落下供給できるようにされている。
以上のように構成された装置においては、１ず育成用る
つぼ１０内に一定量の種結晶と原料を入れると共に、ホ
ッパー２６内にも単結晶原材料を入れておく。そして軸
回転装置４０・４０′ヲ作動させて、炉１６を育成用る
つぼ１０の下方力・ら一定のゆっくりした速度（例えば
毎時２乃至１０ミリメートル）で徐々に上昇させる。こ
の際、育成用不つぼ１０円に収容された原材料は炉１６
の高温部によって溶融させられ、炉１６の高温部が通過
した後育成るつぼ１０内の溶融した材料は急峻な温度変
化区域を経て単結晶として成長させられる。
つぼ１０内に一定量の種結晶と原料を入れると共に、ホ
ッパー２６内にも単結晶原材料を入れておく。そして軸
回転装置４０・４０′ヲ作動させて、炉１６を育成用る
つぼ１０の下方力・ら一定のゆっくりした速度（例えば
毎時２乃至１０ミリメートル）で徐々に上昇させる。こ
の際、育成用不つぼ１０円に収容された原材料は炉１６
の高温部によって溶融させられ、炉１６の高温部が通過
した後育成るつぼ１０内の溶融した材料は急峻な温度変
化区域を経て単結晶として成長させられる。
本発明においては、炉１６の上昇に合わせてホッパー２
６から浴融るつは２８円に単結晶育成用が順次落下供給
される。浴融るつは２８は常時、炉１６の最高温度位置
に置かれているので、ホッパー２６刀・ら供給された原
材料は溶融るつぼ２８内で溶融される。その浴融された
拐料は浴融るつｌよ２８の下端の小径孔から順次育成用
るつぼ１０内に滴下し、育成用るつぼｌＯ内の浴融した
拐料と融合する。このように育成用るつぼ１０内Ｖこは
溶融るつぼ２８力）らの溶融した材料が単結晶の単位時
間当りの育成垂蓋に応じて順次γ画工されるので、育成
用るつぼ１０円の材料体積が増大する。
６から浴融るつは２８円に単結晶育成用が順次落下供給
される。浴融るつは２８は常時、炉１６の最高温度位置
に置かれているので、ホッパー２６刀・ら供給された原
材料は溶融るつぼ２８内で溶融される。その浴融された
拐料は浴融るつｌよ２８の下端の小径孔から順次育成用
るつぼ１０内に滴下し、育成用るつぼｌＯ内の浴融した
拐料と融合する。このように育成用るつぼ１０内Ｖこは
溶融るつぼ２８力）らの溶融した材料が単結晶の単位時
間当りの育成垂蓋に応じて順次γ画工されるので、育成
用るつぼ１０円の材料体積が増大する。
以上のように本発明による単結晶育成方式によれば、炉
の高温部に溶融るつンまを配置し、溶融るつぼ内で溶融
した単結晶原材料全育成用るつは内に順次滴下供給する
ことができるので、育成用るつぼ内において大型の単結
晶を作ることかできる。
の高温部に溶融るつンまを配置し、溶融るつぼ内で溶融
した単結晶原材料全育成用るつは内に順次滴下供給する
ことができるので、育成用るつぼ内において大型の単結
晶を作ることかできる。
’Ｅｆｃ、溶融るつぼから浴融した原材料が育成用るつ
ぼに滴下供給されるので、育成用るつぼ全体を加熱する
ような大型炉を心安とせず、小型の炉を使用することが
でき、従って大型炉のように成長速匿を下げることなく
大型の単結晶を育成することができる。
ぼに滴下供給されるので、育成用るつぼ全体を加熱する
ような大型炉を心安とせず、小型の炉を使用することが
でき、従って大型炉のように成長速匿を下げることなく
大型の単結晶を育成することができる。
また、育成用るつぼを定位置とし炉を上下に移動させる
ようにした場合には、育ｔａ用るつぼへの振動が少くな
り良質の単結晶′ｆｆ：得ることができる。
ようにした場合には、育ｔａ用るつぼへの振動が少くな
り良質の単結晶′ｆｆ：得ることができる。
添付図は本発明に係る単結晶前取装置の一実施例を示す
部分断面図である。 １０・・・・・単結晶育成用るつぼ、 １６・・・・・加熱炉、 ２８・・・・・溶融るつ
ぼ、３６・３６′・・・・・ねじ切り軸、 ４０・４０′・・・・・軸回転装置、 ４２・４２
′・・・・・腕。 特許出願人 株式会社フユーテツクファーネスＡＯ’
部分断面図である。 １０・・・・・単結晶育成用るつぼ、 １６・・・・・加熱炉、 ２８・・・・・溶融るつ
ぼ、３６・３６′・・・・・ねじ切り軸、 ４０・４０′・・・・・軸回転装置、 ４２・４２
′・・・・・腕。 特許出願人 株式会社フユーテツクファーネスＡＯ’
Claims (1)
- 加熱炉と、その加熱炉内に配置される単結晶育成用るつ
ほと、加熱炉内の高温部位置に常時保持され下面に小孔
を有し前記育成用るつぼ内へ溶融した単結晶原材料を供
給するた、めの浴融るつぼと、前記加熱炉と溶融るつぼ
とを単結晶育成用るつぼに対して移動させるための昇降
手段とを有することを特徴とする単結晶育成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6391182A JPS58181789A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 単結晶育成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6391182A JPS58181789A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 単結晶育成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58181789A true JPS58181789A (ja) | 1983-10-24 |
| JPH0151478B2 JPH0151478B2 (ja) | 1989-11-02 |
Family
ID=13242984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6391182A Granted JPS58181789A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 単結晶育成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58181789A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106544722A (zh) * | 2016-11-04 | 2017-03-29 | 曲靖师范学院 | 一种晶体垂直自动化生长装置 |
-
1982
- 1982-04-19 JP JP6391182A patent/JPS58181789A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106544722A (zh) * | 2016-11-04 | 2017-03-29 | 曲靖师范学院 | 一种晶体垂直自动化生长装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0151478B2 (ja) | 1989-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4203951A (en) | Apparatus for growing single crystals from melt with additional feeding of comminuted charge | |
| CA1261715A (en) | Apparatus and process for growing monocrystals of semiconductor materials from shallow crucibles by czochralski technique | |
| JPS581080B2 (ja) | チヨクラルスキ−のるつぼ引上げ法による高純度単結晶の製造方法 | |
| US5330729A (en) | Single crystal pulling apparatus | |
| JPS58181789A (ja) | 単結晶育成装置 | |
| JPH08175896A (ja) | 単結晶の製造方法及び装置 | |
| CN115044964B (zh) | 一种晶体制备装置 | |
| US2686824A (en) | Electric furnace | |
| US3360405A (en) | Apparatus and method of producing semiconductor rods by pulling the same from a melt | |
| CN208023111U (zh) | 一种安全高效的蓝宝石生长炉 | |
| CN214612842U (zh) | 一种生长氟化锂单晶的装置 | |
| US5196086A (en) | Monocrystal rod pulled from a melt | |
| RU2007112010A (ru) | Способ выращивания полых цилиндрических монокристаллов кремния на основе способа чохральского и устройство для его осуществления | |
| JP2001010892A (ja) | シリコン単結晶引上げ装置の多結晶シリコンの融解方法 | |
| JPH0523580Y2 (ja) | ||
| KR101069911B1 (ko) | 실리콘 단결정 잉곳 성장장치의 제어방법 | |
| JP2019043788A (ja) | 単結晶育成方法及び単結晶育成装置 | |
| JPH02293390A (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
| JPS61132583A (ja) | 半導体単結晶体の製造方法 | |
| JP2677859B2 (ja) | 混晶型化合物半導体の結晶成長方法 | |
| JP2542434B2 (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法および製造装置 | |
| JPH09315887A (ja) | 単結晶の製造方法及びそれに用いられる単結晶製造装置 | |
| JPS63307189A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JPS6321576Y2 (ja) | ||
| JPH11255577A (ja) | シリコン単結晶の引上げ装置及びその引上げ方法 |