JPS58178562A - 薄膜トランジスタ - Google Patents
薄膜トランジスタInfo
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- JPS58178562A JPS58178562A JP6143882A JP6143882A JPS58178562A JP S58178562 A JPS58178562 A JP S58178562A JP 6143882 A JP6143882 A JP 6143882A JP 6143882 A JP6143882 A JP 6143882A JP S58178562 A JPS58178562 A JP S58178562A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は金属配置の断細を防止し得る構造を備え友薄膜
トランジスタに関する。
トランジスタに関する。
本発明は金属配線材料としてアルミニウム（以下Ｍと略
記する）を用いて説明するが、他の金属材料にも適用す
る。
記する）を用いて説明するが、他の金属材料にも適用す
る。
薄膜トランジスタは高価なシリコン基鈑上に形成する半
導体素子に比べ、安価なガラス基鈑上ＶＣ形成できると
共に、工程数を少なくできる等の利点も峙っている。
導体素子に比べ、安価なガラス基鈑上ＶＣ形成できると
共に、工程数を少なくできる等の利点も峙っている。
４１ＫＪ明着叡上に博験トランジスタアレイを形成し種
晶ディスプレイを横取したフラットパネル等でに、裏面
に反射率の良い反射板をセットする参により、コントラ
ストの良い表不を得ることができる。
晶ディスプレイを横取したフラットパネル等でに、裏面
に反射率の良い反射板をセットする参により、コントラ
ストの良い表不を得ることができる。
識１図（ａ）（ｂバｃ）ｋ用いて従来の薄膜トランジス
タの痢造に序し、その欠点を述べる。
タの痢造に序し、その欠点を述べる。
ガラス轟、＠１上に多結晶シリコン麟等の能動素子とな
る薄膜のａ６２を形成したのちに、ゲート族となる杷−
膿３管形威し、ケート電極配＃４を形成する。次に弗ａ
ｌ尋に工９ケート電極４をマスクに４ｅｉｌｌ［５にエ
ラ争ング除去し、ソース・ドレイン拡敵層５１ｒ形叙し
たｔのｔ第１図（ａ）に示す。
る薄膜のａ６２を形成したのちに、ゲート族となる杷−
膿３管形威し、ケート電極配＃４を形成する。次に弗ａ
ｌ尋に工９ケート電極４をマスクに４ｅｉｌｌ［５にエ
ラ争ング除去し、ソース・ドレイン拡敵層５１ｒ形叙し
たｔのｔ第１図（ａ）に示す。
次Ｋｍｎａ１８ｍＷＡ ６ ｋ形成Ｌ７ｔＯ％ＩＩＣ、
コンタＩトホールを開口し、Ｍ配置７を形成したのちに
、透明電惚８′ｋｍ１図（ｂ）の機に形成する。
コンタＩトホールを開口し、Ｍ配置７を形成したのちに
、透明電惚８′ｋｍ１図（ｂ）の機に形成する。
透嘴電惚としてＦｉ醗化スズ躾、−化スズ膜と酸化イン
ジウム膿の混合吻等が掲げられるが、ホトリソ技術によ
り電接として形成する場合、金属である態とのエツチン
グ選択性がなく、酸化スズ躾等ノ透明電極ｔエツ千ング
除去しパターニングする際ＫＡｉ配線の一部がエツチン
グされ、断＃鴎９を引き起してしまう。
ジウム膿の混合吻等が掲げられるが、ホトリソ技術によ
り電接として形成する場合、金属である態とのエツチン
グ選択性がなく、酸化スズ躾等ノ透明電極ｔエツ千ング
除去しパターニングする際ＫＡｉ配線の一部がエツチン
グされ、断＃鴎９を引き起してしまう。
又、Ｍ配＃を透明電極のパターニング時にレジスト膜で
傍いエツチングする７ｊ法ヲ提案されているが、レジス
ト膜のピンホール及び合せつれ寺でＡｌ＠の保護が不光
分にな９断勿踏９を引き匙こ丁。
傍いエツチングする７ｊ法ヲ提案されているが、レジス
ト膜のピンホール及び合せつれ寺でＡｌ＠の保護が不光
分にな９断勿踏９を引き匙こ丁。
さらにこの場合は、Ｍ配線と透明電極との闇で透明電極
材である錘化スズ展のエツチング時の残協物によるリー
ク直流が流れる場合が多い。又、ホトリソグラフィー技
術によるレジスト躾形成時でのパターン合わせ不良によ
るＭ配線と透明電極とのショート等も発生するので透明
電極のパターン形状も２０ずと制約されてし筐い、躯勧
電惨比卓も高められない。
材である錘化スズ展のエツチング時の残協物によるリー
ク直流が流れる場合が多い。又、ホトリソグラフィー技
術によるレジスト躾形成時でのパターン合わせ不良によ
るＭ配線と透明電極とのショート等も発生するので透明
電極のパターン形状も２０ずと制約されてし筐い、躯勧
電惨比卓も高められない。
本発明は、この様な従来の欠点を除去したものであり、
その目的とするところは、金楓配−を形成後、該金属配
−の表向上陽極酸化したのちに、“拳化スズｗ４等の透
明電極形成時ル化とにょ９、金属配縁の断＃を防止でき
る構造ｔ−有する薄膜トランジスタを傭供することであ
る。
その目的とするところは、金楓配−を形成後、該金属配
−の表向上陽極酸化したのちに、“拳化スズｗ４等の透
明電極形成時ル化とにょ９、金属配縁の断＃を防止でき
る構造ｔ−有する薄膜トランジスタを傭供することであ
る。
以下ＩＲＺ図（ａＪ（ｂバＣ）音用いて不発明の詳細な
説明する。
説明する。
ガラスｊ！叡１１上に多結晶シリコン膜等の能動素子と
なる薄膜のＭ１２に形成したのちに、ゲート鵬となる絶
−膳１３ｔ−形成し、ゲート電憧配線１４ｔ−形成する
。次に弗緩等にょジ、ケート電極１４９マスクに絶−３
ｌｌ １ｓ １（エツチング除去し、ソース・ドレイン
拡散層ｔｓ；１ｔＶ３成したもの第２図（ａ） Ｋ序丁
。
なる薄膜のＭ１２に形成したのちに、ゲート鵬となる絶
−膳１３ｔ−形成し、ゲート電憧配線１４ｔ−形成する
。次に弗緩等にょジ、ケート電極１４９マスクに絶−３
ｌｌ １ｓ １（エツチング除去し、ソース・ドレイン
拡散層ｔｓ；１ｔＶ３成したもの第２図（ａ） Ｋ序丁
。
ＦＫ−壱閣ＩＩＡ憾膜１６を形成したのちに、コンタク
トホール【開口し、Ｍ配−１７’ｌ形成する。次にクエ
ン醗−１％１等により、Ｍ配−を陽極酸化し、拳化アル
ミニウム展１８に一形成したのちに１ ドレイン−のＭ
表向上の鹸化アルミニウムｍｔ−除去し１１＠電他１９
’ｔｌ！２図（ｂ）の様に形成する。
トホール【開口し、Ｍ配−１７’ｌ形成する。次にクエ
ン醗−１％１等により、Ｍ配−を陽極酸化し、拳化アル
ミニウム展１８に一形成したのちに１ ドレイン−のＭ
表向上の鹸化アルミニウムｍｔ−除去し１１＠電他１９
’ｔｌ！２図（ｂ）の様に形成する。
この際Ｍ配廖上は酸化アルミニウム展で覆われているの
で、透明電極である酸化スズ躾等のエツチング時にはエ
ツチングされない。
で、透明電極である酸化スズ躾等のエツチング時にはエ
ツチングされない。
酸化アルミニウム膿は酸化スズ膜寺のエツチング液に対
して充分の耐エツチング性′Ｊｊｔ不丁と共に弗醗等に
よる鹸化アルミニウム農の除去も量率であり制御も容易
である。
して充分の耐エツチング性′Ｊｊｔ不丁と共に弗醗等に
よる鹸化アルミニウム農の除去も量率であり制御も容易
である。
父、Ｍ配−の表面を陽極酸化する場合はクエン酸＃１液
等により簡単圧し力１も大量に形成することができ、そ
の制＠を容易にできる。
等により簡単圧し力１も大量に形成することができ、そ
の制＠を容易にできる。
ｍ２図（ｃ）から刊〃為る様に透明電極のパターニング
時にＭ配−上をレジスト膜で嶺うことによりＭ配−の断
４１を皆無にすることができる。
時にＭ配−上をレジスト膜で嶺うことによりＭ配−の断
４１を皆無にすることができる。
なぜならＦｉ、たとえレジスト膜にピンホールがあって
も、Ａｊ配崎上に鹸化アルミニウム展がめるのでＮＬ配
−は透明電極膜のエツチング時にエツチングされない。
も、Ａｊ配崎上に鹸化アルミニウム展がめるのでＮＬ配
−は透明電極膜のエツチング時にエツチングされない。
又、醸化アルミニウム膿にピンホールがめったとしてｔ
ｌその上にレジスト膜のピンホール力１ならない限りＭ
配線の断層はないη為らであり、その確率は非’４に低
いからである。
ｌその上にレジスト膜のピンホール力１ならない限りＭ
配線の断層はないη為らであり、その確率は非’４に低
いからである。
父、４明電極のパターニング時にパターン合セづれｔ−
ａこして−Ｍ配縁は酸化アルミニウム膿で覆われている
のでエツチングきれずｍ４１ｔ−引き起こさない。さら
にａ明電極のエツチング時に酸化スズ麟等のエツチング
残りがあっても％Ｍ配−は鹸化アルミニウムで横われて
いるので、リーク電流＃ｉ流れない。
ａこして−Ｍ配縁は酸化アルミニウム膿で覆われている
のでエツチングきれずｍ４１ｔ−引き起こさない。さら
にａ明電極のエツチング時に酸化スズ麟等のエツチング
残りがあっても％Ｍ配−は鹸化アルミニウムで横われて
いるので、リーク電流＃ｉ流れない。
以上−明した如く不発明によれば透明電極形成時のＭ配
−の断−を皆無にするばかりでなく１種々の優れ九効米
ｔｌ！するものである。
−の断−を皆無にするばかりでなく１種々の優れ九効米
ｔｌ！するものである。
Ｗ！４１図は従来の博膿トランジスタの断面図である。
綱２図は不発明による夾織例會が丁断面凶である。
図中１．１１はガラスＡａｉ、 ２ ＊ １２はトラ
ンジスタとなる多結晶シリコンの島、ｓ＋ＩＳはゲート
膿となる絶−麟、４．１４はゲート電−１５，１５はソ
ースあるいはドレイン、６−１６は層間４８−膿、７１
１７はＭ配線、１ｆ３ｔ １９は透明電極、１Ｂは鹸化
アルばニウム躾である。 第１図 ４ 第２図 ４
ンジスタとなる多結晶シリコンの島、ｓ＋ＩＳはゲート
膿となる絶−麟、４．１４はゲート電−１５，１５はソ
ースあるいはドレイン、６−１６は層間４８−膿、７１
１７はＭ配線、１ｆ３ｔ １９は透明電極、１Ｂは鹸化
アルばニウム躾である。 第１図 ４ 第２図 ４
Claims (1)
- 石英ガラスあるいはソータガラス等の透明基鈑上に形成
する薄膜トランジスタにおいて、該薄膜トランジスタは
、金属配縁及び透明電億と接続されており、１ｉｔｌｋ
″金属配紐は表面が１ＩＩＩ極師化膿で債われているこ
とｔ−Ｗ−とする薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6143882A JPS58178562A (ja) | 1982-04-13 | 1982-04-13 | 薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6143882A JPS58178562A (ja) | 1982-04-13 | 1982-04-13 | 薄膜トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58178562A true JPS58178562A (ja) | 1983-10-19 |
Family
ID=13171066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6143882A Pending JPS58178562A (ja) | 1982-04-13 | 1982-04-13 | 薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58178562A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4805921A (en) * | 1987-03-04 | 1989-02-21 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Mechanical shaft joint boot |
| US4880753A (en) * | 1988-02-19 | 1989-11-14 | The General Electric Company, P.L.C. | Method of fabricating a polysilicon thin film transistor |
-
1982
- 1982-04-13 JP JP6143882A patent/JPS58178562A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4805921A (en) * | 1987-03-04 | 1989-02-21 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Mechanical shaft joint boot |
| US4880753A (en) * | 1988-02-19 | 1989-11-14 | The General Electric Company, P.L.C. | Method of fabricating a polysilicon thin film transistor |
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