JPS58178348A - 画像形成法 - Google Patents

画像形成法

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JPS58178348A
JPS58178348A JP57062200A JP6220082A JPS58178348A JP S58178348 A JPS58178348 A JP S58178348A JP 57062200 A JP57062200 A JP 57062200A JP 6220082 A JP6220082 A JP 6220082A JP S58178348 A JPS58178348 A JP S58178348A
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film
photosensitive
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Yoshio Nakano
中野 凱生
Masao Tomita
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/092Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by backside coating or layers, by lubricating-slip layers or means, by oxygen barrier layers or by stripping-release layers or means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/161Coating processes; Apparatus therefor using a previously coated surface, e.g. by stamping or by transfer lamination
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces

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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、プリント配線板、平版印刷板等の製造に用い
られる画像形成法に関するものである。
従来かかる画像形成法としてはポリエチレンテレフタレ
ートフィルム、ポリオレフィンフィルムなどの光透過性
支持体上に感光層を形成させ、さらに必要VcFI3じ
てその上にポリエチレンフィルムなどの保護フィルムを
積層し、この積層物から保護フィルムを剥離除去した後
銅板などの基板忙感光層が接触するように電合密着し、
露光し、支持体を剥離除去し、ついで溶剤、アルカリ水
溶液等の現像液で現像する方法が知られている。
しかしながら光透過性支持体として用いられているポリ
エチレンテレフタレートフィルム等のフィルムは、露光
後の剥離作業中に帯電してフィルムが手圧まつわりつき
やすく、はζりを吸着しやすいという問題があり、また
剥離作業は自動化が極めて困難で人手を要するという経
済的問題もあるO 一方支持体層として水溶性ポリビニルアルコール系MR
W&を積層したものも公知(特開1111356−14
0341等)であり、これ社現像に当って支持体層を剥
離することなく、水またはアルカリ水溶液で溶解除去す
ることが可能となり、さらには現像を同時紀行なうこと
もできるので水不溶性樹脂フィルムを支持体層とするよ
りも作業の自動化が容易となる利点があるものの、溶解
後の水中には必然的にポリビニルアルコール系樹脂が含
まれその廃棄処理に問題のあることが判明した。
該溶解水は初期にはポリビニルアルコール系樹脂の濃度
が低いので循環使用が可能であるが、その濃度が5〜5
%程度以上の高濃度になるとポリビニルアルコール系樹
WiIFc対する溶解速度が著しく低下し、また液循環
時忙発泡しやすいなど作業能率に悪影響を与えかねない
し、かといってかかる希薄溶液からポリビニルアルコー
ル系樹脂を濃縮除去することは経済的負担が大きすぎる
木発明者らは、かかる従来法の問題点を解決すべく検討
を重ねた結果、水圧対して溶解することなく膨潤するポ
リビニルアルコール系樹脂層(5)と感光層(B)とを
積層した積層物を(6)層が基板に接触するよう釦重合
密着し、固層を通して露光した後囚層を水と接触せしめ
てこれを分散除去せしめ、ついで(8)層を現像する方
決によって解決できるこることなく膨潤するポリビニル
アルコール系樹脂いが膨潤して部分的に伸縮し、短時間
K (B)―と分離し、小片状となって分散除去される
のである。
かかるポリビニルアルコール系樹脂フィルム片の分散物
を含む液は粗い金網などでF遇することによってポリビ
ニルアルコール系樹脂と水とを容易に分離することがで
きるのでポリビニルアルコール系樹脂が溶解した水を処
理する場合に比して実用上極めて有利である。しかもか
かる方法忙よってもポリビニルアルコール系樹脂層の除
去速度は従来の溶解除去法忙比較して遜色はなく、かつ
その後の現像工程にも何ら悪い影響を与えるものではな
い。さら忙フィルム剥離法忙比較しても工程の自動化が
容易になるという太き表利点を有する。
本発明忙おいて用いられるポリビニルアルコール系樹脂
は常温ないし40℃程度の温度範囲の水圧対しては溶解
することなく膨潤するのみのものに限定される。こ\で
溶解しないとは50℃の温水1/に大島さ10mX 1
0alI、厚さ10〜50μのポリビニルアルコール系
fsIt脂フィルムを浸漬して10分間撹拌し、膨潤し
たフィルムを取出し乾燥し、浸漬前後のポリビニルアル
コール系樹脂の重量差から求めた溶解率が5%以下、好
ましくは3%以下であることを云う。
かかるポリビニルアルコール系樹脂の具体例をあげると
、平均重合度500−5000.好ましくけ1000〜
2500.ケン化度94モル%以上好ましくは96モル
%以上のポリビニルアルコールのフィルムを熱処理した
ものがあげられる。
熱処理条件は温度80〜240℃、好ましくけ90〜2
00℃で時間0.5秒〜60分好ましくは1秒〜10分
の範囲から選択される。またかかるフィルムを一軸また
け二軸に延伸した本のも使用できる。さらに変性ポリビ
ニルアルコールも使用可能であり、酢酸ビニルとエチレ
ン、プロピレンから炭素数的20までの各種α−オレフ
ィンとを1〜40モル%共賞合し、ケン化したもの、ホ
ルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ブチルアルデヒド
ナトのアルデヒド類と反応させたアセタール化物、アク
リル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、7マ
ル陵などの共菫合可能な不飽和酸類tたけそのエステル
類と酢酸ビニルとの共重合体ケン化物、ビニルエーテル
類と酢酸ビニルとの共重合体ケン化物などもいずれも使
用可能であり、これらくついても熱処理、延伸処理され
たものが含まれるうこれら変性ポリビニルアルコールの
溶解性は変性の種類、変性度、ケン化度などの組合せに
よって複雑忙変化するので個々の場合に応じて本発明の
目的に合致するよう条件を選定する。これらポリビニル
アルコール系樹脂は単独8穐のみならず、複数品種のも
のを併用してもよく、さらKこれらに少量のデンプン、
セルロース誘導体、カゼインなどを併用しても差支えな
い。
さらに可塑剤、界面活性剤、滑剤などを配合することも
できる。
感光層としてけ特忙限定はなく、公知のアルカリ水溶液
現像タイプ、溶剤現像タイプのいずれも使用できる。
した三層構成物とし、cmを剥離して使用する場合も含
まれる。0層としてはポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリエステル、などが用いられる。
感光性積層物の厚さは通常A層が5〜10011、好ま
しく Fil 0〜50 p、Bliが5〜100Il
好ましくけ10〜70μの範囲から選択される。
ポリビニルアルコール系樹脂のフィルムをつくるKは、
その溶解性[33じて溶剤として水、水−アルコール混
合液、ジメチルスル7オキシド、ジメチルホルムアミド
などの有機溶剤を適宜選択して流派製膜する方法や湾融
押出成形法などが採用される。
AとBとよりなる感光性積層物は、銅、アルミニウム、
ポリアミドなどの基板とB111とが接触するように重
ね、加圧接着する。通常は加熱ロールを用いて接着する
。ついで回路パターンのフォトマスクをA層の上から重
ねて、例えば紫外線などの活性光を露光する。
露光後、ポリビニルアルコール系樹脂層は水と接触せし
める。木発明のポリビニルアルコール系樹脂1け水に対
して溶解することはないが、木質的に親木性であるから
膨潤し、部分的忙伸縮して小片状に分散除去される。水
の温度Fio〜50’C1好ましくけ10〜40℃の範
囲から選択される。
木発明忙おいてけ水単独のみならずアルカリ水溶液も同
様に使用できる。アルカリとしては水酸化ナトリウム、
水酸化カリクム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム
、第1リン峻ナトリクム、第2リン酸ナトリクムなどが
あげられる。十の濃度は一般KO01〜10]l量%、
好ましくは0.5〜5重量%の範囲から選択される。さ
らに水またはアルカリ水溶液中に界面活性剤やアルコー
ル類などの水の浸透性を助長する物質を添加したり、振
動を与えたり、超音波、高周波などを加える方法、水ま
たはアルカリ水溶液をノズルからAIFIK噴射する方
法などがいずれも採用しうる。
水を用いた場合にはA層が分散除去された後B−を現像
する。現像けBliの種類釦応じてアルカリ水溶液ま九
はトリクロロエタン、塩化メチレンなどつ有機溶剤によ
り行われる。またアルカリ水溶液を用いた場合でかっB
層がアルカリ現像タイプである場合に#′1Aiiの分
散除去とB#!の現像とけ同時にあるいは引続いて行わ
れる。
現像後に必要に応じて基板の鋼メッキ、エツチング、ハ
ンダメッキなどが行われる。
次Vc%施例をあげて木発明を真体的忙説明する。
実施例I A層;ポリビニルアルコール(重合度1800ケン化度
99.8%)100部、及び氷400部よりなる水溶液
を流派製膜して厚さ22μのポリビニルアルコールフィ
ルムを得た。ついで100℃で15秒間熱処理した。
B層;アルカリ可溶型のアクリル共重合体感光性樹脂 厚さ25μのポリエチレンテレフタレートフィルム(C
1hKロールコータ−を用いてBのメチルエチルケトン
溶液を塗布、乾燥し、乾燥後のBの厚さ50μの積層物
を得、ついでB層の上に上記入フィルムを熱ロールで圧
着し、A/B/C三層積層物を得た。
上記三層積層物からCIを剥離しながら、銅貼り積層板
上にB層が接触するよう忙熱圧着し、ついでA層の上か
らパターンマスクフィルムを載せ、露光機により露光し
た。
その後A層を剥離することなく積層物のA層表面に水(
液温55℃)を口径1.5111のノズルから吐出圧力
1贅、ノズルからの距離12■で1分間噴射した。
A層4は直ちに膨潤除去され、氷中に浮遊し、これけ金
網でp過することにより容易に除去できた。
水中にはポリビニルアルコールは溶解していなかった。
lA層が分散除去された感光性積層物は濃度1.5%の
炭酸ソーダ水溶液で現像を行った。解像力が高く、スル
ホールのテンティング強度も良好な画像がえられた。
実施例2 よりなる水溶液を流延製膜して厚さ2511のポリビニ
ルアルコールフィルムを得た。
次いで、110℃で50秒間熱処理した。
実施例IKおけるAjFiKかえて上記A層を用いた以
外は同様にして感光性積層物を製造し、露光機により露
光した。
その後A層を剥離することなく積層物のA14表面に水
(液温55℃)を口径1.2−のノズルから吐出圧力1
贅、ノズルからの距離10国で1分間噴射した。
Allは直ちに膨潤しついで小片状となり水中に分散し
た。これは金網でF遇することKより容易忙除去できた
。水中忙ポリビニルアルコールは溶解していなかった。
ついで炭酸ソーダ水溶液で現像を行なったが何ら支障#
′iaめられなかった。
実施例3 エチレン含量10モル%のエチレン−酢酸ビニル共重合
体の酢酸ビニル成分の99.3モル%をケン化したエチ
レン−ビニルアルコール共重谷体を水−露−プロパツー
ル混合液(混合比重量で8:2)K溶解し流延製膜した
。厚さ15JI+のフィルムを得た。
実施例1のポリビニルアルコールフィルムにかえて該エ
チレン−ビニルアルコール共重合体フィルムを用いた以
外は同様にして実験した。その結果は良好であった□ 実施例4 α−ドデセンを3モル%含有するα−ドデセン−酢酸ビ
ニル共重合体の酢酸ビニル成分の99.5モル%をケン
化し、α−ドデセン−ビニルアルコール共重合体を得た
。これをジメチルスル7オキシドに溶解し流派製膜した
厚さ20声のフィルムを得り。
実施例1のポリビニルアルコールフィルbK−l)hえ
て該α−ドデセン−ビニルアルコール共重合フィルムを
用いた以外は同様にして実験した。その結果は良好であ
った。
実施例5 Awj 実施例2のものと同− Bji)IJクレン可溶型アクリル共重合体感光性樹脂 C@  ポリエチレンテレフタレート(厚さ25X)と
ポリプロピレン(厚さ25μ)の積層物 6層のポリプロピレン面上にロールコータ−忙より8w
4の感光性樹脂(ブチルエチルケトン消和を塗布しく乾
燥後のB層の厚さ25#)、ついでその上にA層を熱ロ
ールで圧着しA/B/C三層積層物をえた。
上記三層積層物からCHIを剥離しながら、銅貼り積層
板上KBli%が接触するよう(熱圧着し、ついでA層
の上からパターンマスクフィルムラ載せ、露光機により
露光した。
その後、A−を剥離することなく積層物のAl1表面に
水(液温55℃)をノズルから1分噴射した。
A層は直ち忙膨潤し、小片状忙分散除去された、ついで
B層面を水スプレー忙より洗浄し、空気スプレーにより
乾燥し、ついで1,1.1− )リクロロエタンを用い
て現像した。解像力の大なる良好な画像がえられた。
実施例6 重合度1700、ケン化度99.1モル%の水溶性ポリ
ビニルアルコールを硫酸を触媒としてアセトアルデヒド
およびブチルアルデヒド(モル比1:1)の混合物でア
セタール化し、アセタール化率50モル%のアセタール
化ポリビニルアルコールをえた。これを水−イツブロバ
ノール混合液(混合比重量で7:6)に溶解して流派製
膜した。
厚さ18μのフィルムを得た。
実施例1のポリビニルアルコールフィルムKかえて該ア
セタール化ポリビニルアルコールフィルムを用いた以外
は同様忙して実験した。その結果け良好であった。
実施例7 実施例1のポリビニルアルコールフィルムをA層に用い
て、実施例1と同様にして感光性m%物を製造し、露光
機により露光した。その後、A層4を刺離することなく
積層物のA層表面に11度1.5%の炭酸ソーダ水病液
(液温53℃)を口径1.5鱈のノズルから吐出圧力1
.1製、ノズルからの距#i12薗で2分間噴射した。
A層は約50秒で膨潤除去され、液中に浮遊しこれは金
網でFMすること罠より容易に除去できたつ同時に8層
である感光層も現像され、解像力が高く何ら支障は認め
られなかった。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 水圧対して溶解することなく膨潤するポリビニルアルコ
    ール系樹脂層(8)と感光層(6)とを積層した積層物
    を(9)層が基板に接触するようK]li合密着し、(
    4)層を通して露光した後、(4)層を水と接触せしめ
    てこれを分散除去せしめ、ついで(6)層を現像するこ
    とを特徴とする画像形成方法。
JP57062200A 1982-04-13 1982-04-13 画像形成法 Granted JPS58178348A (ja)

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US06/484,269 US4528262A (en) 1982-04-13 1983-04-12 Process for forming photoresist images

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JPS58178348A true JPS58178348A (ja) 1983-10-19
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