JPS5817591A - 磁気バブルメモリ装置 - Google Patents
磁気バブルメモリ装置Info
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- JPS5817591A JPS5817591A JP56115101A JP11510181A JPS5817591A JP S5817591 A JPS5817591 A JP S5817591A JP 56115101 A JP56115101 A JP 56115101A JP 11510181 A JP11510181 A JP 11510181A JP S5817591 A JPS5817591 A JP S5817591A
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- Japan
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- magnetic
- wiring
- magnetic bubble
- bubble memory
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- Pending
Links
- 235000000722 Celosia argentea Nutrition 0.000 claims 1
- 240000008365 Celosia argentea Species 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 11
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 3
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- 241000208140 Acer Species 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本−―は磁気パブルメ峰ＩＩ装置、４１に力七ツシオ弐
〇ＩＩ気パプルメ場啼装置に関すゐものであ為。
〇ＩＩ気パプルメ場啼装置に関すゐものであ為。
−欽に磁気パプルメ峰曹装置は、ＩＮ−にプ冒ツタ■で
承したようにイノターフエース制御部１゜タイ電ＶＩＮ
ｙ）ｗａ−ル部！、パルス電流駆動關路部３．電源回路
部４．償奇検崗−路部Ｓおよび―気パブルメ４１デバイ
ス・から構成され、中央１［算Ｊｌ＆１ｌｌＩＩＩ （
ｏｔｕ） Ｉ Ｋ１１ｌｌｌｉＩｌｉｌれて柳威畜れて
いる・ 一般にとのように構成され九磁気バプルメ峰曽装置は、
近都Ｏ畿気パプルメ篭り装置の普及に伴なって記憶済み
メモ曹Ｏ交換性にシいて低価格でしかも持を這び中作業
性に訃いて有利な磁気パプルメ峰啼力竜ットＯ必要性が
増大している。ζＯ磁気パプルメ毫曽力竜ットは、メ％
啼を受は入れる装置側に、上記第１図で示し九磁気パプ
ルメ篭り装置Ｏ各構ｌ！要素Ｏうち磁気パブルメ篭りデ
バイス・を除（少なく七％１個の構成ｌ！旗を持えせて
か■、磁気バブルメモ蓼カセット側では少康（とも磁気
パプルメ暗啼デバイス・を構成ａｍとして持えせ、両者
で補完して磁気パプルメ篭り装置と同等０横能を有す為
ようにしえもＯであゐ・一方、上記磁気パプルメ％リカ
セットは、磁気パプルメ峰讐デバイ翼・内に第３図に賛
部平爾■て示しえよ５に基板−上に磁気パプルメ４１素
子＃が配設され、この磁気パブルメ毫蕾素子参には、ダ
ート唱・、ジェネレータ１１．フナイアレータ１１およ
びレプ響ケータ１ｓの各機能を備ええツｙ〆タタが形成
され、これらｏ：ｙｙダタタは、外部から駆動用パルス
電滝を供給することによって、磁気バブルの一過路切換
１発生、消去および分割が行なわれ為、壇た。これらの
コンダクタのバターｙは、磁気バブルメモリ索子Ｏ記憶
容量密度を大暑（すゐ丸め、通常では歌声−５ｔｏパタ
ー／幅て形Ｉｉｔされ、さらに、これらのコンダタＩは
、各ポｙディｙｌｆＡツ）１尋および各配線Ｉｓ、そ０
／シｙド配線１ｖを介してｌｌ！後部としてＯＭＩ！磁
気バブルメモ啼羨置接続用端子１・にそれぞれ＊＊＊さ
れて構成されてｂる。
承したようにイノターフエース制御部１゜タイ電ＶＩＮ
ｙ）ｗａ−ル部！、パルス電流駆動關路部３．電源回路
部４．償奇検崗−路部Ｓおよび―気パブルメ４１デバイ
ス・から構成され、中央１［算Ｊｌ＆１ｌｌＩＩＩ （
ｏｔｕ） Ｉ Ｋ１１ｌｌｌｉＩｌｉｌれて柳威畜れて
いる・ 一般にとのように構成され九磁気バプルメ峰曽装置は、
近都Ｏ畿気パプルメ篭り装置の普及に伴なって記憶済み
メモ曹Ｏ交換性にシいて低価格でしかも持を這び中作業
性に訃いて有利な磁気パプルメ峰啼力竜ットＯ必要性が
増大している。ζＯ磁気パプルメ毫曽力竜ットは、メ％
啼を受は入れる装置側に、上記第１図で示し九磁気パプ
ルメ篭り装置Ｏ各構ｌ！要素Ｏうち磁気パブルメ篭りデ
バイス・を除（少なく七％１個の構成ｌ！旗を持えせて
か■、磁気バブルメモ蓼カセット側では少康（とも磁気
パプルメ暗啼デバイス・を構成ａｍとして持えせ、両者
で補完して磁気パプルメ篭り装置と同等０横能を有す為
ようにしえもＯであゐ・一方、上記磁気パプルメ％リカ
セットは、磁気パプルメ峰讐デバイ翼・内に第３図に賛
部平爾■て示しえよ５に基板−上に磁気パプルメ４１素
子＃が配設され、この磁気パブルメ毫蕾素子参には、ダ
ート唱・、ジェネレータ１１．フナイアレータ１１およ
びレプ響ケータ１ｓの各機能を備ええツｙ〆タタが形成
され、これらｏ：ｙｙダタタは、外部から駆動用パルス
電滝を供給することによって、磁気バブルの一過路切換
１発生、消去および分割が行なわれ為、壇た。これらの
コンダクタのバターｙは、磁気バブルメモリ索子Ｏ記憶
容量密度を大暑（すゐ丸め、通常では歌声−５ｔｏパタ
ー／幅て形Ｉｉｔされ、さらに、これらのコンダタＩは
、各ポｙディｙｌｆＡツ）１尋および各配線Ｉｓ、そ０
／シｙド配線１ｖを介してｌｌ！後部としてＯＭＩ！磁
気バブルメモ啼羨置接続用端子１・にそれぞれ＊＊＊さ
れて構成されてｂる。
このように構成されえ磁気パプルメ４１１１ｍ−にット
ｋかいて、上記各コｙダクＪＫ倶給す為駆動用パル翼電
Ｓ！社、第３図に示し九ように磁気パプルメ峰響装置Ｏ
パルス電流厘動■路ａｌｌ（第１１参履）内に設けられ
九図示しないパルスジエネレーＪＩａＴｈ＆各配線１１
．グラノド配線１１′シよび＊−ｍｙトａｍ用端子１１
に出力１［れ為０”９ｂ ｔＯ力七ット接続用端子１０
と上ｌｉ！力竜ット儒の装置＊ａ用端子１・とを装着し
て電気的に接続するζされ墨。
ｋかいて、上記各コｙダクＪＫ倶給す為駆動用パル翼電
Ｓ！社、第３図に示し九ように磁気パプルメ峰響装置Ｏ
パルス電流厘動■路ａｌｌ（第１１参履）内に設けられ
九図示しないパルスジエネレーＪＩａＴｈ＆各配線１１
．グラノド配線１１′シよび＊−ｍｙトａｍ用端子１１
に出力１［れ為０”９ｂ ｔＯ力七ット接続用端子１０
と上ｌｉ！力竜ット儒の装置＊ａ用端子１・とを装着し
て電気的に接続するζされ墨。
しかしながら上記構成によゐカセット方式□磁気パプル
メ七１装置において、１ｇ２図で示しぇ磁気パプルメ篭
曽力七ツＦを取勤外していると自に各配線１１とそのダ
ラｙド配線１１２関０浮遊容量０（蓄積されえ電荷−一
磁気バブルメ峰曽力竜ツ卜を敗伽付けえとｔｉＫ磁気パ
プルメ篭り素子−〇ゲート１０．ジェネレータ１１．ア
ナイアレー１１［およびレプリケータｌ１ｌＯ各機能を
有す為コンダタタヘ流入し、コンダクタを破壊させ為と
一う欠点があった。
メ七１装置において、１ｇ２図で示しぇ磁気パプルメ篭
曽力七ツＦを取勤外していると自に各配線１１とそのダ
ラｙド配線１１２関０浮遊容量０（蓄積されえ電荷−一
磁気バブルメ峰曽力竜ツ卜を敗伽付けえとｔｉＫ磁気パ
プルメ篭り素子−〇ゲート１０．ジェネレータ１１．ア
ナイアレー１１［およびレプリケータｌ１ｌＯ各機能を
有す為コンダタタヘ流入し、コンダクタを破壊させ為と
一う欠点があった。
し良がって本発明は、磁気パプルメ峰曽力竜ットヘパル
ス電＃１１を供給するパルス電流駆動關路部のパルＸジ
ェネレータ配線とダ９ｙド関に高ｍ抗―を＊ａすゐこと
ｋよって、磁気パプルメ篭りカセットを取）扱うと自に
配線に１１積畜れ大電荷によゐコンダクタの破壊を防止
し大磁気パプルメ峰響装置を提供することを目的上して
−る・以下ｓＷＩを用いて零発１１ＨＤ実施例を詳細に
説明する・ 第４■ｌａ本＠＠によＡｔセット方式の磁気ノ（プルメ
篭１ｍｌ置〇−例を説明する丸めのコｙダター駆動部の
要部配線間を示しえものてあり、前述の−と岡記漫は同
一要素となるのでそ０１！嘴は省略する・第４ＷＪＫか
いて、）（ルスジエネレータ８ｍか＆カセツ）接続用端
子１＄に接続書れえ各配線１１とダツｙ ｐ配線１７’
ｌｌＫは抵抗値１を有する＃１抗畷１−が接続されて−
る。ζＯ場会、上記Ｉ（ルスジエネレータ８ｍはハイイ
ｙビーダｙス形のジェネレータで構成１れて−る。
ス電＃１１を供給するパルス電流駆動關路部のパルＸジ
ェネレータ配線とダ９ｙド関に高ｍ抗―を＊ａすゐこと
ｋよって、磁気パプルメ篭りカセットを取）扱うと自に
配線に１１積畜れ大電荷によゐコンダクタの破壊を防止
し大磁気パプルメ峰響装置を提供することを目的上して
−る・以下ｓＷＩを用いて零発１１ＨＤ実施例を詳細に
説明する・ 第４■ｌａ本＠＠によＡｔセット方式の磁気ノ（プルメ
篭１ｍｌ置〇−例を説明する丸めのコｙダター駆動部の
要部配線間を示しえものてあり、前述の−と岡記漫は同
一要素となるのでそ０１！嘴は省略する・第４ＷＪＫか
いて、）（ルスジエネレータ８ｍか＆カセツ）接続用端
子１＄に接続書れえ各配線１１とダツｙ ｐ配線１７’
ｌｌＫは抵抗値１を有する＃１抗畷１−が接続されて−
る。ζＯ場会、上記Ｉ（ルスジエネレータ８ｍはハイイ
ｙビーダｙス形のジェネレータで構成１れて−る。
ｔｏような構成によれば、館！■で示し九磁気パプルメ
篭啼カセツＦが取）外１れていると自、＋ｇ纏１１とダ
９ｙド配線１Ｙ関に浮遊容量ｏ。
篭啼カセツＦが取）外１れていると自、＋ｇ纏１１とダ
９ｙド配線１Ｙ関に浮遊容量ｏ。
電荷が蓄積１れふと、１／１１抗器１−によって放電さ
れる。ζｏｋＬそ０１１宵数マをα０１謝以下、浮遊容
量Ｃを１ｏｏｏννとすると、抵抗値１は１く丁１０ｍ
１・ＭＪＬ壜九抵抗器１−によ為コンメタタ電流Ｏ蜜化
を１−以下、コンダクタの抵抗値をＬ＊Ｋａとすると％
１）ＩＨＩＩＪ？となる・し＊カ’）？、１２０に＃（
１（ＩＯＭＪＯ抵抗１１１１を用いることで、磁気バル
ブメモリカセットを＊ｎ付けたときのコンダクタの破壊
を確実に防止す為ことがで１１え。
れる。ζｏｋＬそ０１１宵数マをα０１謝以下、浮遊容
量Ｃを１ｏｏｏννとすると、抵抗値１は１く丁１０ｍ
１・ＭＪＬ壜九抵抗器１−によ為コンメタタ電流Ｏ蜜化
を１−以下、コンダクタの抵抗値をＬ＊Ｋａとすると％
１）ＩＨＩＩＪ？となる・し＊カ’）？、１２０に＃（
１（ＩＯＭＪＯ抵抗１１１１を用いることで、磁気バル
ブメモリカセットを＊ｎ付けたときのコンダクタの破壊
を確実に防止す為ことがで１１え。
１に訃、上記実施例Ｉ／ｃおいては、磁気パプルメ峰り
素子をカーット内に収納し九力竜ット方式Ｏ磁気バブル
メモ讐装置に適用しえ場合に′）いて説明し九が、本発
明はこれに限定される％Ｏではな（、磁気パプルメ４１
素子の検査機に適用して％前述と金（同様の効果が得ら
れ為ことは＠らかである。
素子をカーット内に収納し九力竜ット方式Ｏ磁気バブル
メモ讐装置に適用しえ場合に′）いて説明し九が、本発
明はこれに限定される％Ｏではな（、磁気パプルメ４１
素子の検査機に適用して％前述と金（同様の効果が得ら
れ為ことは＠らかである。
以上説−し友ように本発明によゐカセット方式の磁気パ
プルメＪｔｌ装置くよれば、磁気パプルメ場響力七ット
を取ｐ付けるとＩＩＫ発生する、配線に蓄積電れえ電荷
によ為；ンメタタＯ破壊が確輿Ｋｗ！Ｉ止″ｅ１ｉるＯ
で、磁気バブルメモリカ竜ツ）の平均寿命が長（ｔｋヤ
、品質および信頼性を大＠に向上させＪｌことができる
という極めて優れえ効果が得られ為。
プルメＪｔｌ装置くよれば、磁気パプルメ場響力七ット
を取ｐ付けるとＩＩＫ発生する、配線に蓄積電れえ電荷
によ為；ンメタタＯ破壊が確輿Ｋｗ！Ｉ止″ｅ１ｉるＯ
で、磁気バブルメモリカ竜ツ）の平均寿命が長（ｔｋヤ
、品質および信頼性を大＠に向上させＪｌことができる
という極めて優れえ効果が得られ為。
第１閣は磁気パプルメ峰す羨置〇−例を示す要部關賂構
成図、第！１図は磁気パプルメ篭ダカセット〇−例を示
す要部囲路構成図、第３ＷＪは磁気パプルメ毫１鋏置Ｏ
コンダタタ駆動回路の一例を示す図、１１４図は本発明
による磁気パプルメ％す装置の一例を示すコｙダクＩ駆
動回路である。 ３・中・・パルス電流駆動回路部ｓａａ・・・・パルス
ジェネレータ、・・・・・磁気パプルメ篭νデバイス、
＄・・・・基板、―・・・・磁気パブルメー１１３１子
、１１）・・・・ゲート、１１・・・・ジェネレータ、
１！・・・・アナイアレータ、１ｓ＠Φ・・レプリケー
タ、１４・・・・ｙｙディｙダパツド、１ｓ・・・・配
線、１・・・・・装置接続用端子％１１，１７′・・・
・配線、１・・・・・カセット接続用端子、１９・・・
・ＩＩＩｋｖＬ器。 第１図
成図、第！１図は磁気パプルメ篭ダカセット〇−例を示
す要部囲路構成図、第３ＷＪは磁気パプルメ毫１鋏置Ｏ
コンダタタ駆動回路の一例を示す図、１１４図は本発明
による磁気パプルメ％す装置の一例を示すコｙダクＩ駆
動回路である。 ３・中・・パルス電流駆動回路部ｓａａ・・・・パルス
ジェネレータ、・・・・・磁気パプルメ篭νデバイス、
＄・・・・基板、―・・・・磁気パブルメー１１３１子
、１１）・・・・ゲート、１１・・・・ジェネレータ、
１！・・・・アナイアレータ、１ｓ＠Φ・・レプリケー
タ、１４・・・・ｙｙディｙダパツド、１ｓ・・・・配
線、１・・・・・装置接続用端子％１１，１７′・・・
・配線、１・・・・・カセット接続用端子、１９・・・
・ＩＩＩｋｖＬ器。 第１図
Claims (1)
- 複数ｏ’：ｘｙ〆Ｉりを備え九磁気パプルメ篭響嵩子と
、鍵１ｅ磁気パブルメ篭り素子と着脱可能１ｍ楡Ｓを介
して接続畜れえパルス電流駆動−路とを真値してなる磁
気パプルメ篭り義置＃！ｃシいて、鍵配謙気パプルメ％
曹素子ｏ’ｓｙダタタＫ１１ｍ！ｌｌｆれｓ１ｍ記パル
ス電流駆動−路Ｏ配線とダ９ｙド闘に高抵抗器１１１ｍ
！シえことを特徴とする磁気パプルメ峰［装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115101A JPS5817591A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 磁気バブルメモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115101A JPS5817591A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 磁気バブルメモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5817591A true JPS5817591A (ja) | 1983-02-01 |
Family
ID=14654239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56115101A Pending JPS5817591A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 磁気バブルメモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817591A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6135792A (ja) * | 1984-07-12 | 1986-02-20 | Takeda Chem Ind Ltd | Ｄ−リボ−スの製造法 |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP56115101A patent/JPS5817591A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6135792A (ja) * | 1984-07-12 | 1986-02-20 | Takeda Chem Ind Ltd | Ｄ−リボ−スの製造法 |
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