JPS58172922A - 断線検出回路 - Google Patents
断線検出回路Info
- Publication number
- JPS58172922A JPS58172922A JP57056246A JP5624682A JPS58172922A JP S58172922 A JPS58172922 A JP S58172922A JP 57056246 A JP57056246 A JP 57056246A JP 5624682 A JP5624682 A JP 5624682A JP S58172922 A JPS58172922 A JP S58172922A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- voltage
- circuit
- disconnection detection
- comparator
- Prior art date
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- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は主として、自動車等のランプの断線検出回路に
関するものであり、複数個のランプに直列に接続された
断線検出抵抗の電圧降下が、１個以上のランプが断線し
たとき小さくなることを利用する断線検出回路に関する
ものである・第１１％は、この樵の断線検出機構の基本
的原理を示す回路図で、１０１は電源、１０２は断線検
出抵抗Ｒ１ｍ １０３はランプである。
関するものであり、複数個のランプに直列に接続された
断線検出抵抗の電圧降下が、１個以上のランプが断線し
たとき小さくなることを利用する断線検出回路に関する
ものである・第１１％は、この樵の断線検出機構の基本
的原理を示す回路図で、１０１は電源、１０２は断線検
出抵抗Ｒ１ｍ １０３はランプである。
第２図は、第１図において電源電圧Ｖｃｃ ｆ変えた時
、断線検出抵抗１０２の電圧降下がどの様に変わるかを
示した図であり、ａは２個のランプが点灯している時、
ｂは１個が断線し次時の特性である。
、断線検出抵抗１０２の電圧降下がどの様に変わるかを
示した図であり、ａは２個のランプが点灯している時、
ｂは１個が断線し次時の特性である。
このように、電源電圧を変えると、断線検出抵抗１０２
の電圧降下は高い電圧で飽和した特性となる。
の電圧降下は高い電圧で飽和した特性となる。
この理由は、電源電圧を上げるとランプのフィラメント
温度が高くなシ、ランプ抵抗が高くなるためと考えられ
る。
温度が高くなシ、ランプ抵抗が高くなるためと考えられ
る。
又、周囲温度が変つ喪場合は上記の変化は小さい、この
理由は、ランプから発生したエネルギーはほぼ放射エネ
ルギーであり、放射エネルギーはランプのフィラメント
の絶対温度をＴＦ、周囲の絶対温度をＴａとした時ステ
エフアンボルツマンの法則に従がい＃ （ＴＦ’−Ｔａ
’ ）で表わされ、 Ｔｐ＞＞Ｔａであれば、はぼフィ
ラメント温度が支配的要因として効いてくるためである
◎ 自動車で通常動作が要求される電圧範囲は８〜１６Ｖで
Ｔｏす、この電源電圧範囲では第２図の特性はＣで示し
た様に次式で近似できる。
理由は、ランプから発生したエネルギーはほぼ放射エネ
ルギーであり、放射エネルギーはランプのフィラメント
の絶対温度をＴＦ、周囲の絶対温度をＴａとした時ステ
エフアンボルツマンの法則に従がい＃ （ＴＦ’−Ｔａ
’ ）で表わされ、 Ｔｐ＞＞Ｔａであれば、はぼフィ
ラメント温度が支配的要因として効いてくるためである
◎ 自動車で通常動作が要求される電圧範囲は８〜１６Ｖで
Ｔｏす、この電源電圧範囲では第２図の特性はＣで示し
た様に次式で近似できる。
Ｅ＝ＡｅＶＣＣ十Ｂ ・・・・・・・・・（１）（
１）式においてＡ、Ｂは定数である。
１）式においてＡ、Ｂは定数である。
したがって、（１）式で示される電圧を作シだして。
断線検出抵抗の電圧降下とを比較すれば、精度よく断線
状態を検出できることとなる。
状態を検出できることとなる。
第３図は・従来の（１）式の電圧を作夛出す回路でＺは
ツェナダイオード、馬〜Ｒ，は抵抗である・この回路で
はツェナ電圧なＶｚとすればＥｌは次式％式％ 第４図には、この回路を用いた従来の断線検出回路で、
１０４は比較器である。
ツェナダイオード、馬〜Ｒ，は抵抗である・この回路で
はツェナ電圧なＶｚとすればＥｌは次式％式％ 第４図には、この回路を用いた従来の断線検出回路で、
１０４は比較器である。
第３図、第４図に示す回路は、鳥、Ｒ４に割合大きな抵
抗を使用しなければ、消費電流を押さえることができな
い。（特に集積回路では、各種の機能を１つのパッケー
ジ内に組み込むため、個々の回路はできる限や押さえる
必要がある。）さらにツェナダイオード２に常に電流を
流すためには、抵抗島に流れる電流に比べ、抵抗島な流
れる電流を小さくしておかなければならないがそのため
には、抵抗島は大きな抵抗値に設定しなければならない
。
抗を使用しなければ、消費電流を押さえることができな
い。（特に集積回路では、各種の機能を１つのパッケー
ジ内に組み込むため、個々の回路はできる限や押さえる
必要がある。）さらにツェナダイオード２に常に電流を
流すためには、抵抗島に流れる電流に比べ、抵抗島な流
れる電流を小さくしておかなければならないがそのため
には、抵抗島は大きな抵抗値に設定しなければならない
。
本発明はかかる問題を解消するためになされたもので第
５図に、本発明による断線検出回路の一実施例を示す。
５図に、本発明による断線検出回路の一実施例を示す。
図において、 １０１は電源％１０２は抵抗Ｒ，，１０
３はランプ、１０５は抵抗島、１０６は抵抗Ｒ３，１０
７はこの発明の特徴とするオフセット付比較器である。
３はランプ、１０５は抵抗島、１０６は抵抗Ｒ３，１０
７はこの発明の特徴とするオフセット付比較器である。
７セツト電圧Ｖｏｆｆを持っているため、断線検出抵抗
ルの電圧降下、：Ｅｌが次の値となった時、反転する。
ルの電圧降下、：Ｅｌが次の値となった時、反転する。
（３）式は（１）式と同等の形をしている。
第６図に、オフセット付比較器１０４の具体的回路例を
示す。
示す。
図において、コレクタピンチ抵抗Ｑ１、トランジスタＱ
雪、Ｑｓｓ抵抗抵抗槽成される回路は、バイアス電圧を
作る回路で、Ｑｓのベース電圧を２ ＶＢＩにする。し
たがって、Ｑ・ｅ Ｑｓ６のコレクタにはそれツレＶｎ
ｉ／＆ 、 ＶＢｘ／Ｒｆ （Ｄ電ｆｌカＨ，レル。Ｒ
ｈ、にハＱ４．ｃａｓｏエミッタ電流を、比較器の反転
レベルで、抵抗の逆数に比例した電流に分配するための
回路である。したがって、比較器の反転レベルで−には
ＶＢＫに比例し＊１流が流れ、Ｑ４とＱｓの電流比はＲ
ｈ、＆の抵抗値で決定され、Ｑ４とＱ・のＶＢＩＥは差
を持ってくる。したがって、比較器の反転レベルにおい
て、反転入力端子Ｔ！と、非反転入力端子Ｔ１にバ一定
のレベル差をｔつことになる。このレベル差Ｖｏｆｆは
次式で４見られる＠ 一般にｖｎｇと絶縁温度Ｔに比例する電圧を適当な比で
加え合わせ、ＶＢ！＋αＴ＝１・２５Ｖとなるようにα
を選んだ時、温度係数を０となることが知られている。
雪、Ｑｓｓ抵抗抵抗槽成される回路は、バイアス電圧を
作る回路で、Ｑｓのベース電圧を２ ＶＢＩにする。し
たがって、Ｑ・ｅ Ｑｓ６のコレクタにはそれツレＶｎ
ｉ／＆ 、 ＶＢｘ／Ｒｆ （Ｄ電ｆｌカＨ，レル。Ｒ
ｈ、にハＱ４．ｃａｓｏエミッタ電流を、比較器の反転
レベルで、抵抗の逆数に比例した電流に分配するための
回路である。したがって、比較器の反転レベルで−には
ＶＢＫに比例し＊１流が流れ、Ｑ４とＱｓの電流比はＲ
ｈ、＆の抵抗値で決定され、Ｑ４とＱ・のＶＢＩＥは差
を持ってくる。したがって、比較器の反転レベルにおい
て、反転入力端子Ｔ！と、非反転入力端子Ｔ１にバ一定
のレベル差をｔつことになる。このレベル差Ｖｏｆｆは
次式で４見られる＠ 一般にｖｎｇと絶縁温度Ｔに比例する電圧を適当な比で
加え合わせ、ＶＢ！＋αＴ＝１・２５Ｖとなるようにα
を選んだ時、温度係数を０となることが知られている。
（４）式は第１項がＶＢＥに、第２項がＴに比例してい
る九め一、Ｒｈ 、Ｒｃ 、 Ｒｅを適当に選べは任意
の値の温度係数００電圧な作ヤ得る。又勿論任意の温度
係数の電圧も作シうることを示している。
る九め一、Ｒｈ 、Ｒｃ 、 Ｒｅを適当に選べは任意
の値の温度係数００電圧な作ヤ得る。又勿論任意の温度
係数の電圧も作シうることを示している。
以上のように本発明の断線検出回路によれば、オフセッ
ト付比較器を用いることにより、従来のように比較電圧
発用に高抵抗を用いる必要がなくなり、集積回路で構成
しやすい断線検出回路を得ることができる。
ト付比較器を用いることにより、従来のように比較電圧
発用に高抵抗を用いる必要がなくなり、集積回路で構成
しやすい断線検出回路を得ることができる。
第１図は、ランプの断線検出原理を示す図、第２図は電
源電圧と断線検出抵抗電圧降下の関係を示す図、第３図
は、従来のランプ特性を補償する九めの図、第４図は従
来の断線検出回路を示す回路図、第５図は本発明の断線
検出回路の一実施例な示す回路図、第６図は、本発明で
使用されているオフセット付比較器の具体例を示す回路
図である。 図中、１０１は電源、１０２は断線検出抵抗、１０３は
ランプ、１０７はオフセット付比較器である。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示を代理人
葛野信− 第１１ 第２図 第３図 ７ 第４図 ０ｊ 第５図 １０／ 第６図 し
源電圧と断線検出抵抗電圧降下の関係を示す図、第３図
は、従来のランプ特性を補償する九めの図、第４図は従
来の断線検出回路を示す回路図、第５図は本発明の断線
検出回路の一実施例な示す回路図、第６図は、本発明で
使用されているオフセット付比較器の具体例を示す回路
図である。 図中、１０１は電源、１０２は断線検出抵抗、１０３は
ランプ、１０７はオフセット付比較器である。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示を代理人
葛野信− 第１１ 第２図 第３図 ７ 第４図 ０ｊ 第５図 １０／ 第６図 し
Claims (1)
- 電源と、＃起電源に接続された第１の抵抗、この第１の
抵抗と接地間に接続されたラング、前記電源と接地間に
接続された第２．第３の抵抗、前記第１の抵抗と前記ラ
ンプの接続点及び、前記第２、第３の抵抗の接続点にそ
れぞれ入力端子を接続され、電源電圧に依存しない一定
のオフセット電圧を有するオフセット付比較器を備えた
ことを特徴とする断線検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57056246A JPS58172922A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | 断線検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57056246A JPS58172922A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | 断線検出回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58172922A true JPS58172922A (ja) | 1983-10-11 |
| JPH0152976B2 JPH0152976B2 (ja) | 1989-11-10 |
Family
ID=13021729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57056246A Granted JPS58172922A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | 断線検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58172922A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015149531A (ja) * | 2014-02-05 | 2015-08-20 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路装置及び電源システム |
-
1982
- 1982-04-02 JP JP57056246A patent/JPS58172922A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015149531A (ja) * | 2014-02-05 | 2015-08-20 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路装置及び電源システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0152976B2 (ja) | 1989-11-10 |
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