JPS58171782A - Magnetic bubble memory device - Google Patents
Magnetic bubble memory deviceInfo
- Publication number
- JPS58171782A JPS58171782A JP57053856A JP5385682A JPS58171782A JP S58171782 A JPS58171782 A JP S58171782A JP 57053856 A JP57053856 A JP 57053856A JP 5385682 A JP5385682 A JP 5385682A JP S58171782 A JPS58171782 A JP S58171782A
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- JP
- Japan
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- bubble memory
- loop
- magnetic bubble
- memory element
- constant
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気パズルメモリ装置、特に磁気バブルメモリ
素子内に核磁気バブルメモリ素子の構成を記憶させ、そ
の記憶内容を読出し制御回路内に予め設けた定数設定用
回路、例えばランダムアクセスメモリ内に読込むことに
より容量の異つ次磁気バブルメモリ素子を制御可能とし
た磁気バブルメモリ装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides a magnetic puzzle memory device, in particular a constant setting circuit which stores the configuration of a nuclear magnetic bubble memory element in a magnetic bubble memory element, reads out the stored contents, and is provided in a control circuit in advance. For example, the present invention relates to a magnetic bubble memory device in which magnetic bubble memory elements of different capacities can be controlled by reading data into a random access memory.
ナループ数、核マイナループ内のビット数、リードライ
ンのビット数およびライトラインのビット数等の制御に
必要な定数を予め制御回路内の所定の回路に記憶ま友は
設定しておくことにより、磁気バブルメモリ素子を制御
し、磁気パズルの読出し、書込みを実現していたため、
制御回路の制御可能な磁気バブルメモリ素子は特定の磁
気パズルメモリ素子の一品種にのみ限定されていた。一
方、磁気バブルメモリ素子には、一般的にマイナループ
内に欠陥ループを有し、この欠陥ループはマイナループ
内の特定ループ内に記憶しておく方法が用いられている
。すなわち第1図に示すように特定ループ1内に最初で
あることを示すインデックス1aおよびその直後に欠陥
ループの位置情報1bが記憶さtている。By storing constants necessary for controlling the number of null loops, the number of bits in the nuclear minor loop, the number of bits in the read line, the number of bits in the write line, etc. in advance in a predetermined circuit in the control circuit, the magnetic Because it controlled the bubble memory element and realized the reading and writing of magnetic puzzles,
The controllable magnetic bubble memory device of the control circuit has been limited to only one type of specific magnetic puzzle memory device. On the other hand, magnetic bubble memory elements generally have a defective loop within the minor loop, and a method is used in which this defective loop is stored within a specific loop within the minor loop. That is, as shown in FIG. 1, an index 1a indicating the first loop is stored in a specific loop 1, and position information 1b of the defective loop is stored immediately after the index 1a.
したがって本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、磁気バブルメ
モリ素子の構成、すなわちl*磁気バブルメモリ素子の
制御に必要とする定数を該磁気バブルメモリ素子のマイ
ナループ内の特定ループ内に記憶させておくことにより
、容量等の異なる磁気バブルメモリ素子を制御可能とし
た磁気パズルメモリ装置を提供することにある。Therefore, the present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and its purpose is to improve the configuration of a magnetic bubble memory element, that is, to change the constant required for controlling the l*magnetic bubble memory element to the magnetic bubble memory element. An object of the present invention is to provide a magnetic puzzle memory device that can control magnetic bubble memory elements having different capacities by storing data in a specific loop within a minor loop of the bubble memory element.
以下本発明の詳細な説明する。The present invention will be explained in detail below.
第2図は本発明による磁気パズルメモリ装置に係わる磁
気バブルメモリ素子マイナループ内の特定ループの一例
を示す図である。同図において、特定ループ1に記憶さ
れたインデックス1−および欠陥ループの位置情報1b
の直後には、引き続き1磁気バブルメモリ素子の定数で
あることを示すインデックス1@および制御に必要とす
る骸磁気バブルメモリ素子のバブルメモリ定数1dが順
次記憶されて特定ループ1が構成されている。この場合
、該バブルメモリ定数1dは、予め順序付けをしておく
必要があり、例えば最初にループ数、次にループ内のビ
ット数、リードラインビット数およびライトラインビッ
ト数等の順に順序付けされて記憶させることも一方法で
ある。ま次、インデックス1cの次に定まった定数を記
憶しておくことにより、ループ数であるか、ループ内ビ
ット数であるかを検出する方法も可能である。さらには
上記の変形としては、磁気バブルメモリ素子内には容量
の相異等のみを記憶する、すなわち1Mb砿気バブルメ
モリ素子は1.4Mbi気バブルメモリ素子4などの符
号を記憶させ、制御回路にt’;j1Mbi気バブルメ
モリ素子と4Mb 磁気バブルメモリ菓子との両方の定
数を設定しておき、磁気バブルメモリ素子から1を読み
出した場合はIMb用の定数を、4を読み出した場合に
はJMb用の定数を用いて制御する方法でも興産った容
量の磁気バブルメモリ素子を制御することが可能となる
。FIG. 2 is a diagram showing an example of a specific loop within the minor loop of the magnetic bubble memory element in the magnetic puzzle memory device according to the present invention. In the figure, index 1- stored in specific loop 1 and position information 1b of the defective loop.
Immediately after, an index 1@ indicating that it is a constant of one magnetic bubble memory element and a bubble memory constant 1d of a skeleton magnetic bubble memory element necessary for control are sequentially stored to form a specific loop 1. . In this case, the bubble memory constant 1d needs to be ordered in advance, for example, first the number of loops, then the number of bits in the loop, the number of read line bits, the number of write line bits, etc. One way is to let them do so. Next, it is also possible to detect whether it is the number of loops or the number of bits in the loop by storing a constant determined after the index 1c. Furthermore, as a modification of the above, only the difference in capacity is stored in the magnetic bubble memory element, that is, the 1Mb bubble memory element stores a code such as 1.4Mbi bubble memory element 4, and the control circuit Set constants for both the 1Mbi bubble memory element and the 4Mb magnetic bubble memory confectionery in t';j, and when reading 1 from the magnetic bubble memory element, set the constant for IMb, and when reading 4, It is also possible to control magnetic bubble memory elements with a newly developed capacity by using a control method using constants for JMb.
以上説明したように本発明によれば、磁気バブルメモリ
カセットなど容量の異なつ次磁気バブルメモリ素子を使
用する場合でも1個の磁気バブルメモリ素子制御回路で
制御可能となる極めて優れた効果が得られる。As explained above, according to the present invention, even when using magnetic bubble memory elements of different capacities, such as magnetic bubble memory cassettes, it is possible to control them with one magnetic bubble memory element control circuit, which is an extremely excellent effect. It will be done.
第1図はインデックスおよび欠陥ループ情報を記憶し次
従来の特定ループの一例を示す図、第2図は本発明によ
る磁気バブルメモリ装置に係わる磁気バブルメモリ素子
マイナループ内の特定ループの一例を示す図である。
1・・・・特定ループ、1&・・・・インデックス、1
b・・・・欠陥ループの位置情報、1c・Φ・・インデ
ックス、1d・・・−a気バブルメモリ定数。
第1図 第2図
−−シーJFIG. 1 is a diagram showing an example of a conventional specific loop that stores index and defective loop information, and FIG. 2 is a diagram showing an example of a specific loop in a magnetic bubble memory element minor loop related to the magnetic bubble memory device according to the present invention. It is. 1... Specific loop, 1 &... Index, 1
b...Position information of defective loop, 1c.Φ...Index, 1d...-a bubble memory constant. Figure 1 Figure 2--C J
Claims (1)
ループを設は次磁気バブルメモリ素子を使用する磁気バ
ブルメモリ装置において、前記特定ループ内に磁気バブ
ルメモリ素子を構成する定数を記憶させ、メモリ動作開
始直後に骸定数を読出し、制御回路内の定数設定回路に
入力することにより、異なった容量の磁気バブルメモリ
素子を同一制御回路で制御可能とし次ことを特徴とする
磁気パズルメモリ装置。 2、前記定数をループ数、ループ内ビット数、リードラ
インビット数、ライトラインビット数としたことを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の磁気バブルメモリ装
置。[Claims] 1.a1 In a magnetic bubble memory device using a magnetic bubble memory element, a specific loop is set in a minor loop for storing bubble information, and a constant forming the magnetic bubble memory element in the specific loop. The magnetic bubble memory element having different capacities can be controlled by the same control circuit by reading out the cell constant immediately after the start of memory operation and inputting it to the constant setting circuit in the control circuit. Puzzle memory device. 2. The magnetic bubble memory device according to claim 1, wherein the constants are the number of loops, the number of bits in the loop, the number of read line bits, and the number of write line bits.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57053856A JPS58171782A (en) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | Magnetic bubble memory device |
GB08308940A GB2117947A (en) | 1982-04-02 | 1983-03-31 | Magnetic bubble memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57053856A JPS58171782A (en) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | Magnetic bubble memory device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58171782A true JPS58171782A (en) | 1983-10-08 |
Family
ID=12954411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57053856A Pending JPS58171782A (en) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | Magnetic bubble memory device |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58171782A (en) |
GB (1) | GB2117947A (en) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4159412A (en) * | 1977-02-11 | 1979-06-26 | Texas Instruments Incorporated | Magnetic bubble memory chip synchronization and redundancy |
JPS5925307B2 (en) * | 1978-02-17 | 1984-06-16 | 株式会社日立製作所 | Storage device |
US4190900A (en) * | 1978-03-27 | 1980-02-26 | International Business Machines Corporation | Major/minor loop bubble memory with timing loop |
-
1982
- 1982-04-02 JP JP57053856A patent/JPS58171782A/en active Pending
-
1983
- 1983-03-31 GB GB08308940A patent/GB2117947A/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2117947A (en) | 1983-10-19 |
GB8308940D0 (en) | 1983-05-11 |
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