JPS6212594B2 - - Google Patents
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- JPS6212594B2 JPS6212594B2 JP56165647A JP16564781A JPS6212594B2 JP S6212594 B2 JPS6212594 B2 JP S6212594B2 JP 56165647 A JP56165647 A JP 56165647A JP 16564781 A JP16564781 A JP 16564781A JP S6212594 B2 JPS6212594 B2 JP S6212594B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はブートループを有するメジヤーマイナ
ー構成の磁気バブルメモリデバイスの不良情報格
納方式に関し、特にそのフオーマツトに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a defect information storage method for a major-minor magnetic bubble memory device having a boot loop, and particularly to its format.
最近、磁気バブルを利用して情報の蓄積、論理
演算等を行なう磁気バブル利用装置は、不揮発
性、高記憶密度、低消費電力であり、また機械的
要素を全く含まない固体素子であることから非常
に高い信頼性を有している。このような磁気バブ
ルメモリの素子構成には第1図に示す如きバブル
伝播路1がエンドレスループであるシリアルルー
プ方式と第2図に示す如きメジヤーライン2と複
数個のマイナーループ3-1〜3-oとを有するメジ
ヤーマイナーループ方式とがある。そして大容量
メモリとしてはアクセスの早い点で有利なメジヤ
ーマイナーループ方式が用いられる。ところが磁
気バブルメモリの結晶基板はその製造上、結晶格
子の欠陥とか、伝播路に生ずる欠陥が避けられな
い。そのためメジヤーマイナーループ方式では始
めからある数の不良ループを許容し、この不良ル
ープは使用しないようにしている。そしてこの不
良ループの情報は各マイナーループの特定ページ
に記憶させ、これを読み出した後、必要情報の読
み出し又は書き込みを行なうようにしている。と
ころがメジヤーマイナーループ方式の読み出し方
法は、第2図の如く各マイナーループ3-1〜3-o
の同一位置にあるバブル4を一斉にメジヤーライ
ン2にトランスフアし、このメジヤーライン4上
に並んだバブルを順次検出器5で読み出し、この
ページを読み終つたら、次のページのバブルをメ
ジヤーラインにトランスフアし、順次このように
して読み出すのである。読み出しをこのようにし
て行なうと、不良ループ情報を格納したページが
マイナーループ上のどの位置にいるかによつて読
み出しに長時間を要する場合が生ずる。この対策
として第3図に示す如く不良ループ情報を格納す
るための特別のループとしてシリアルに書き込み
及び読み出しができるブートループ6を設けるこ
とがある。このブートループに不良ループ情報を
格納する場合、大きく別けて次の2つの方法があ
る。その1はブートループ内に1ブロツクだけ不
良ループ情報を格納する。その2はブートループ
内に複数ブロツクの不良ループ情報を格納するの
である。ところが1の場合は不良ループ情報を読
み出すのに最大1周しなければならず時間がかか
り、2の場合はヘツダマークが1個の場合は1と
同じであり、各ブロツクにヘツダを付加した場
合、従来のヘツダー(#$FE)のような情報で
はブロツク長が長くなり多くのブロツクを格納す
ることが困難になる。本発明はこのような欠点を
除き、ブートループ内に多くの不良ループ情報が
格納でき、アクセスが迅速にできるようにするた
めの不良ループ情報格納方式を得ることを目的と
するものである。 Recently, devices using magnetic bubbles that use magnetic bubbles to store information, perform logical operations, etc. are nonvolatile, have high storage density, have low power consumption, and are solid-state devices that do not contain any mechanical elements. It has extremely high reliability. The element configuration of such a magnetic bubble memory includes a serial loop system in which the bubble propagation path 1 is an endless loop as shown in FIG. 1, and a major line 2 and a plurality of minor loops 3 -1 to 3 - as shown in FIG. There is a major minor loop method with o . For large-capacity memory, the major-minor loop method is used, which is advantageous in terms of quick access. However, due to the manufacturing process of the crystal substrate of the magnetic bubble memory, defects in the crystal lattice and defects occurring in the propagation path cannot be avoided. Therefore, in the major minor loop method, a certain number of bad loops are allowed from the beginning, and these bad loops are not used. Information about this defective loop is stored in a specific page of each minor loop, and after reading this information, necessary information is read or written. However, the reading method of the major minor loop method is as shown in Figure 2, where each minor loop 3 -1 to 3 -o
The bubbles 4 at the same position on the page are transferred to the major line 2 all at once, and the bubbles lined up on the major line 4 are sequentially read out by the detector 5. When this page is finished reading, the bubbles on the next page are transferred to the major line. Then, they are read out sequentially in this manner. If reading is performed in this manner, reading may take a long time depending on where on the minor loop the page storing the defective loop information is located. As a countermeasure against this problem, as shown in FIG. 3, a boot loop 6 that can be serially written and read out is sometimes provided as a special loop for storing defective loop information. When storing defective loop information in this boot loop, there are two main methods: Part 1 stores only one block of defective loop information in the boot loop. The second method is to store multiple blocks of defective loop information in the boot loop. However, in the case of 1, it takes a maximum of one round to read the defective loop information, and in the case of 2, if there is only one header mark, it is the same as 1, and if a header is added to each block, With information such as the conventional header (#$FE), the block length becomes long, making it difficult to store many blocks. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to eliminate such drawbacks and provide a method for storing defective loop information in which a large amount of defective loop information can be stored in a boot loop and accessed quickly.
このため本発明においては、ブートループを備
えた磁気バブルメモリのブートループに不良ルー
プ情報を格納する不良ループ情報格納方式におい
て、不良ループ情報にはヘツダーマークを付し、
該ヘツダーマークのバイト数Nを、前記磁気バブ
ルメモリの許容不良マイナーループ数をnとし、
1バイト中に含まれる“0”の数をmとしたと
き、N>n/mとしたことを特徴とするものであ
る。 Therefore, in the present invention, in a defective loop information storage method for storing defective loop information in the boot loop of a magnetic bubble memory equipped with a boot loop, a header mark is attached to the defective loop information,
The number of bytes of the header mark is N, and the number of acceptable minor loops of the magnetic bubble memory is n,
It is characterized in that N>n/m, where m is the number of "0"s included in one byte.
以下、本発明の不良ループ情報格納方式につい
て詳細に説明する。 Hereinafter, the defective loop information storage method of the present invention will be explained in detail.
一般に不良ループ情報のフオーマツトはヘツダ
ーマークとアドレス情報を付けて|ヘツダーマー
ク|アドレス|不良ループ情報|の形としてい
る。 Generally, the format of defective loop information is in the form |header mark|address|defective loop information|, with a header mark and address information attached.
不良ループに“0”、良ループに“1”を与え
るような形式で不良ループ情報とする場合は、不
良マイナーループの許容数をn、1バイイトを8
ビツト、Nを整数としたときn/8<Nで示され
るN以上の#$00(#$00とは0,0,0,0,
0,0,0,0というフオーマツト)という情報
は不良ループ情報内には現われてこない。従つて
N以上の#$00をヘツダーマークとし他の部分に
#$00がN以上表われないフオーマツトにおいて
は#$00をN個ならべたヘツダーマークが最小で
ある。例えばn=60としたとき、最悪の場合は
“0”が60個連続することがある。これは60/8<
Nとなり、Nは8となるからヘツダーマークとし
ては“0”が8×8=64個連続したものとなる。
このようなヘツダーマークを用いれば不良情報と
の判別は可能となる。 If you want to provide bad loop information in a format that gives "0" to bad loops and "1" to good loops, set the allowable number of bad minor loops to n and 1 byte to 8.
Bit, N or more #$00 shown by n/8<N, where N is an integer (#$00 means 0, 0, 0, 0,
The information (in the format 0,0,0,0) does not appear in the bad loop information. Therefore, in a format in which N or more #$00s are used as header marks and no more than N #$00s appear in other parts, the minimum header mark is a line of N #$00s. For example, when n=60, in the worst case, there may be 60 consecutive "0"s. This is 60/8<
Since N is 8, the header mark has 8×8=64 consecutive “0”s.
If such a header mark is used, it becomes possible to distinguish it from defective information.
また上記において#$00というのは1例であり
#$00がヘツダとして使用できない数値、例えば
不良情報のあとに余りとして“0”が続く場合
は、#$01,#$02等の数値(#$01は
“00000001”,#$02は“00000010”でそれぞれ
“1”を含む)を用いると良い。この場合、ヘツ
ダーマークのバイト数は、不良情報が
“00000001”あるいは“00000010”が繰返して続
く並び方の“0”の数がn以上であれば良いので
n/7<M(整数)バイトあれば良いことにな
る。 In addition, #$00 in the above is just one example; if #$00 cannot be used as a header, for example, if "0" continues as a remainder after defective information, numbers such as #$01, #$02, etc. It is preferable to use "00000001" for #$01 and "00000010" for #$02, each containing "1"). In this case, the number of bytes of the header mark should be n/7<M (integer) bytes because the number of "0"s in which the defect information is "00000001" or "00000010" are repeated is n or more. It turns out.
また不良ループの位置を直接アドレス、例えば
0000,0001のように2バイトで記憶するような場
合には“0”の連続する場合は例の0000,0001の
ように4バイト未満であるので、さらに少ないバ
イト数でヘツダーマークを構成することができ
る。 You can also directly address the location of the bad loop, e.g.
When storing in 2 bytes like 0000, 0001, if there are consecutive 0's, it takes less than 4 bytes like 0000, 0001 in the example, so it is possible to configure the header mark with even fewer bytes. can.
以上説明した如く本発明の磁気バブルメモリ不
良ループ情報格納方式は、不良ループ許容数をn
としたときヘツダーマークのバイト数NをN>
n/m(阻しmは1バイト中に含まれる“0”の
数)とすることにより、短かいブロツク長で不良
情報との識別を可能としたものであり、そのため
1個のブートループに複数の不良ループ情報が格
納可能となり、不良ループ情報のアクセスの迅速
化が実現される。 As explained above, the magnetic bubble memory defective loop information storage method of the present invention allows the allowable number of defective loops to be n.
When the number of bytes of the header mark is N>
n/m (where m is the number of "0"s included in one byte), it is possible to identify defective information with a short block length. A plurality of pieces of bad loop information can be stored, and the bad loop information can be accessed quickly.
第1図は磁気バブルメモリのシリアルループ構
成の1例の説明図、第2図は磁気バブルメモリの
メジヤーマイナー構成の1例の説明図、第3図は
ブートループを有するメジヤーマイナ構成の磁気
バブルメモリの1例の説明図である。
2…メジヤーライン、3-1〜3-o…マイナール
ープ、4…バブル、5…検出器、6…ブートルー
プ。
Fig. 1 is an explanatory diagram of an example of a serial loop configuration of a magnetic bubble memory, Fig. 2 is an explanatory diagram of an example of a major-minor configuration of a magnetic bubble memory, and Fig. 3 is an explanatory diagram of an example of a major-minor configuration of a magnetic bubble memory with a boot loop. FIG. 2 is an explanatory diagram of an example of a memory. 2... Major line, 3 -1 to 3 -o ... Minor loop, 4... Bubble, 5... Detector, 6... Boot loop.
Claims (1)
ートループに不良ループ情報を格納する不良ルー
プ情報格納方式において、不良ループ情報にはヘ
ツダーマークを付し、該ヘツダーマークのバイト
数Nを、前記磁気バブルメモリの許容不良マイナ
ーループ数をnとし、1バイト中に含まれる
“0”の数をmとしたとき、Nn/mとしたこ
とを特徴とする磁気バブルメモリ不良ループ情報
格納方式。1. In a defective loop information storage method in which defective loop information is stored in the boot loop of a magnetic bubble memory equipped with a boot loop, a header mark is attached to the defective loop information, and the number of bytes N of the header mark is determined based on the allowable number of the magnetic bubble memory. A magnetic bubble memory defective loop information storage method characterized in that, where n is the number of defective minor loops and m is the number of "0"s included in one byte, Nn/m is set.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56165647A JPS5868291A (en) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | Storage system for defective loop information on magnetic bubble memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56165647A JPS5868291A (en) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | Storage system for defective loop information on magnetic bubble memory |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5868291A JPS5868291A (en) | 1983-04-23 |
JPS6212594B2 true JPS6212594B2 (en) | 1987-03-19 |
Family
ID=15816332
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56165647A Granted JPS5868291A (en) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | Storage system for defective loop information on magnetic bubble memory |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5868291A (en) |
-
1981
- 1981-10-19 JP JP56165647A patent/JPS5868291A/en active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5868291A (en) | 1983-04-23 |
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