JPS58171657A - 感湿抵抗体 - Google Patents

感湿抵抗体

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JPS58171657A
JPS58171657A JP57054569A JP5456982A JPS58171657A JP S58171657 A JPS58171657 A JP S58171657A JP 57054569 A JP57054569 A JP 57054569A JP 5456982 A JP5456982 A JP 5456982A JP S58171657 A JPS58171657 A JP S58171657A
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moisture
polymer resin
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humidity
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Mitsuhiro Murata
充弘 村田
Shoichi Kitao
北尾 昭一
Kazumi Okabe
岡部 参省
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G01N27/121Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid for determining moisture content, e.g. humidity, of the fluid

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は湿度変化を抵抗変化とし、′C検出する感湿
抵抗体に関し、特に寿命特性にすく°れた感湿抵抗体に
関するものである。
感湿抵抗体には、塩化リチウム(LLCI)  4−ど
の電解質を絶縁性基板の表面に塗布した、いわゆるダン
モア型のものや、有機の高分子電解*1111からなる
ものなどがある。
このうち前者のものは、塩化リチウムが吸湿して電離す
ることにより、検出電極間のインピーダンスが変化する
タイプのものである。
また、喚者のものは高分子電解xiが有する吸湿性とイ
オン導電性を利用したものCあり、これも検出IE他間
のインピーダンスが変化する特性を有するものである。
これらの感湿抵抗体はいずれも感湿材料が有する親水性
のために、高湿度状態や結電状態になると水分を含んで
溶解しCしまい、耐水性に乏しいことから、動作安定性
に欠けるというものであった0 かかる欠点を改善する目的で、親水性高分子または高分
子電解質−を架橋するという試みが考えられる。しかし
架橋構造を構成することVこよつ°C耐水性を持たせる
ことができるとし〔も、応答性が低下し、機能の低下を
招くことになり、好ましい解決策といえるものではない
したがつ゛〔、この発明は湿度の検出特性を偵うことな
く、安定な機走を有する感湿抵抗体を提供することを目
的とする。
この発明を要約すれば、絶縁性基板の上に形成された一
対の検出電極と、この検出電極を榎り゛C形成された感
湿膜とからなり、該感湿IIはポリビニルアルコール系
重合体と電解質とを含む第1層Ω高分子樹脂被験とその
表面を覆う吸湿性を有する第2層の高分子樹脂被験との
一体構造からなり、第2層の高分子樹脂被験が第1層の
高分子樹+11j被膜より吸湿による膨潤度が小さいこ
とを特徴とする感湿抵抗体である。
この発明の詳細とその他の目的、特徴Vよ以下(・こ行
う説明において明らかとならう。
第1図はこの発明にかかる感湿抵抗体の一例を示す概略
平面図、第2図は第1図A−A線析面図である。
図におい〔明らかなように、1はアルミナ、ジルコニア
などからなる絶縁性基板、2.3rd絶縁性基板1の上
に形成された検出電極であり、図示したものは電極指が
交互に交叉しているくし歯状になつCいる。4は感湿膜
を示し、検出成極2゜3を含む領域にこの検出電極2,
6を覆うように形成されている。この感fil$4は特
に第2図におい゛〔明らかにされているように、ポリビ
ニルアルコール系重合体と電解質とを含む第1層の高分
子樹脂液#5と、この被験5を覆う吸湿性を有する第2
層の高分子樹脂液#6との一体構造からなる−のであり
、112層の高分子樹脂液11116は第1層の高分子
樹脂液1I15より吸湿による膨潤度が小さいという特
徴を有する。このような特徴は後述するところから明ら
かなようにすぐれた効果をもたらすものである。なお、
7.8はリード線で検出電[2,3から導出されている
上記した構成において、ポリビニルアルコール系重合体
には次のようなものがある。
■酢酸ビニル、その他の各種ビニルエステル類の重合体
、およびこれらの共重合体を宅全ケン化を九は部分ケン
化して得られたもの。
■酢酸ビニル、その他の各種ビニルエステル類と各種不
飽和単量体、たとえば、α−オレフィン類、塩化ビニル
、アクリロニトリル、アクリルアミド、アクリル酸エス
テル類、メタクリル酸エステル類を共重合させた共重合
体のケン化物。
■こうしたポリビニルアルコール系重合体の環状酸無水
物でエステル化したポリビニルアルコール共重合体やカ
ルボキシル基変性されたポリビニルアルコール系重合体
また、電解質とは水分吸着によってイオン解離を生じ、
イオン伝導性を与える物質であり、無機、有機電解質の
ものを含む。これKはたとえば、塩化ナトリウム、酢酸
ナトリウム、ポリアクリル酸ソーダ、ポリグルタミン酸
ソーダなどがある。
さらに、第2層を構成する吸湿性を有する高分子樹脂被
膜としては、次のようなものがある。
■デアセチルセルロース、メチルセルロース、エチルセ
ルロース、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメ
チルロース、シアノエチルセルロースなどのセルロース
誘導体。
■ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリメチトン ルビニルケX斗、ポリビニルイノブチルエーテルなどの
各種ポリビニル重合体。
■ポリブチルアルコール、ポリメチルアリルfルコール
などのポリアルキルアルコール系高分子。
■ヒドロキシアルキルIクリレート、ポリアルキルアク
リル酸の部分エステル化物、ポリメチルメタクリレート
などのポリアクリル系重合体。
す ■アククロニトリル。
■エポキシ系高分′子。
との発明Kかかる感湿抵抗体を作成するには、まずアル
ミナなどの絶縁性基板の上に、検出電極を覆うように電
解質を含むポリビニルアルコール系重合体を一状に塗布
声刷などの手段で付与する。
次いでこれを自然乾燥または熱処理するこをによって乾
燥する。さらにこの上に吸湿性を有する高分子樹脂のペ
ーストを鱗状に塗布、印刷などの手段で付与し、このの
ち加熱することによって得られる。
上記した構成からなるこの発明の感湿抵抗体は次のよう
な効果をもたらすものである。
第1層の高分子樹脂被膜はポリビニルアルコール系重合
体と電解質とを含むものからなるが、構造的に見れば均
一ではなく、ポリビニルアルコール系重合体のうち部分
的に結晶化した微小の繊維粒状部が非晶質部分を介して
存在し°Cいる構造をとる。したがって、第1層におい
ては繊維粒状部の粒界に形成される非晶質部のマイクロ
チャンネルが形成されている。一方、電解質の多くはこ
の非晶質部に多く存在しており、吸湿に伴々うイオン伝
導はこのマイクロチャンネルを通しC行われていると推
定される。この第1層のみでも相対湿度によつ′C電極
間のインピーダンスは変化するが、表面に水滴が付着す
れば、ただちに電解質が溶解し、電極間インピーダンス
が増大することとなり、感湿抵抗体として使用できなく
なる。
ところが、この発明によれば、このような第1層の高分
子樹脂被膜の上に第2層の高分子樹脂被膜を形成して一
体構造とし、この第2層の高分子樹脂液−の吸湿による
膨潤度を第1層の高分子樹脂液−よシ小さくして、上記
した欠点を改善したものである。
つまり、第2層の高分子樹脂被膜は第1層の高分子樹脂
被膜の繊膿粒状部による表面の凹凸にもとづき、大きな
接合面−が得られ、強固な接合状癩が実現されている。
そしてかかる層状一体構造において、第1層の高分子樹
脂液−よりも第2層の高分子樹脂被膜の吸湿による膨潤
度を小さくすれば、第1層の高分子樹脂被膜に含まれて
いる電解質が水中へ溶出す、る量はほとんど無視できる
程度に押えることができ、電極間インピーダンスの変動
は全く生じ”ないことが判明した。
当然のことながら、感湿禮を構成する第1層の高分子樹
脂被膜および第2層の高分子樹脂液−のそれぞれの膜厚
によって応答性や感度が変わるため、所定の特性を得る
ためにその膜厚を制御する必要があることはいうまでも
ない。
また、この発明にかかる感湿抵抗体は、電解質濃度を変
えることによって、相対湿度−抵抗特性を変え本ことが
できる。ちなみ(、電解質濃度が少ない領域では、高湿
度で抵抗値が急激に変化する湿度スイッチング素子とし
・C有用な感湿抵抗体が得られ不。
さらに、ポリビニルアルコール系重合体のケン化度を変
、えることによって、膨潤度を変えることス転移点を変
えることができる。このガラス転移点を変えることによ
って、感湿抵抗体の温度特性を変えることができ、かか
る特徴を利用すれば、使用可能な温度範囲に調整するこ
とができるようになり、従来^り使用することがむつか
しいとされていたポリビニルアルコール系重合体を感湿
抵抗体に実用化することができる。
以上のように、感湿−を層状構造にすることによって、
従来親水性高分子樹脂を用いた感湿抵抗体では困難であ
らた耐水特性の大幅な改善を実現することができる。
以下にこの発明を具体的な実施例にもとづいて詳細に説
明する。
実施例 絶繊性基板としてアルミナ基板を準備し、このアルミナ
基板の上に検出電極として、電極の間−隅が500μ鳳
、対向電極長が4811fiの金からなるくし歯状の検
出電極を形成した。
次いで、$111!に示すように%#11層の高分子樹
脂被膜を構成する各ペーストを検出電極を覆うようにア
ルミナ基板の上にそれぞれ塗布し、この塗布−を乾燥し
た。
こののち、同じく第1表に示すように、第2層の高分子
樹脂被膜を構成する各ペー′ストを上記第1層の高分子
樹脂被膜を覆うように塗布し、150Cで加熱処理し九
。さらに検出電極[リード線を取り付けて各感湿抵抗体
を得た。
第5図〜第7図は上記した各実施例により得られ九感湿
抵抗体の相対湿度−抵抗特性図を示したものである。
第3図は試料1−1、試料1−2の特性図である。
第4図は試料2−1、試料2−2、試料2−3の特性図
である。
第5図は試料3−1、試料3−2の特性図である。
第6図は試料4−1、試料4−2、試料4−5の特性図
である。
第1図は試料5−1、試料5−2、試料5−5、試料5
−4の特性図である。
図中の番号はいずれも試料番号と一致する。
第3図から明らかなように、この実施例によれば高湿度
で急激に抵抗値が低下する特性を有し、特定の湿度でス
イッチング特性を有する感湿抵抗体として利用すること
ができる。
また、第4図からポリビニルアルコール系重合体の種類
を変えることによって、スイッチング特性を変えること
ができることがわかる。
また、第5図から唸電解質濃度を変えることによって、
特性を変化させることができると理解しうる。
また、第6図は第1層の高分子樹脂被膜を覆う第2層の
高分子樹脂被膜の種類を変えた感湿抵抗体の特性を示し
丸ものである。第1層の高分子樹騙被−が同じ種類のも
のであれば、異なる第2層の高分子樹脂被膜を用いても
特性に大幅な変化のないことがわかる。
ti、第7図によれば、電解質の種類を変えることによ
って特性を変えられることが伺える。
次に上記し九各実施例で得られた各感湿抵抗体について
、水中50秒、乾燥10分を1サイクルとしてこれを1
000サイクル繰り起えし、その後相対湿度90g6に
おける抵抗値を測定した。第2表はその結果を示したも
ので、相対湿度90チにおける初期抵抗値も併せて示し
た。
第   2  表 @2表からこの発明にかかる感湿抵抗体は抵抗値の変化
が小さく、耐水性にすぐれたものであることがわかる。
比較例とし“C1高分子*W−からなる表面層を形成し
〔いない感湿抵抗体について同様に試験を行つ九ところ
、1サイクルの試験ですでに抵抗値が1桁以上増大し、
特性の劣化ははなはだしいものであった。
また、試料番号2−2において、ガラス転移点が2Cと
Sat″のアクリル変性メ〆リビニルアルコールのもの
を用い、湿度−抵抗特性の温度効果についてそれぞれ測
定した結果、相対湿度−抵抗特性の温度変化率はそれぞ
れ1%RH/l”、  α51RH/l″であった。こ
のことからこの発明にかかる感湿抵抗体は温度変化に対
して相対湿度−抵抗特性の変化の小さいものと云える。
また、試料2−2の感湿抵抗体を用い、相対湿度60%
、7(1,80%、90 %〕各条件KJa湿抵抗体を
設置し、約5カ月間経1したのちの抵抗値を測定したと
ころ、第8図のような結果であつた。
図から明らかなように、一定条件の湿度状態下に設置し
ておいても、はとんど抵抗値の変化が見られず、安定し
た湿度検出特性を有しCいるものと云える。
以上この発明にかかる感湿抵抗体によれば、良好な耐水
性を有するとともに、経時変化も小さいという特徴を有
するものであ少、実用上有用なものであろう
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明にかかる感湿抵抗体の一例を示す概略
平面図、第2図は第1図のA−A線断面図、is5〜第
5〜は相対湿度−抵抗特性図、第8図は抵抗値の経時変
化特性を示す図である。31・・・・・・絶縁性基板、
2.5・・・・・・検出電極、4・・・・・・感湿膜、
°5・・・・・・第11i1の高分子樹脂被験、6・・
・・・・第2層の高分子樹脂被膜。 席1図 第21凹 第、3図 相対性(%) 熱40 相対−&(%) 単60 0   20   40   60   80  10
03.4                相対=vL
(%)相対5駐α〕 焼S口 天(!4〜門(日) 手続補正書(方式) %式%[( ) 1、事件の表示 昭和57年特許願 第54569  号2、発明の名称 3、補正をする者 5 補正により増加する発明の数 明細書の浄書(内容に変更なし)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 絶縁性基板の上に形成された一対の検出電極と、この検
    出電極を覆って形成された感湿−とからなり、該感湿硬
    はポリビニルアルコール系重合体と電解質とを含む第1
    #の高分子樹脂被膜とその表面を覆う吸湿性を有する第
    2層の高分子樹脂被験との一体構造からなり、第2層の
    高分子樹脂被験が第1層の高分子樹脂被膜より吸湿によ
    る膨潤度が小さいことを特徴とする感湿抵抗体。
JP57054569A 1982-03-31 1982-03-31 感湿抵抗体 Granted JPS58171657A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57054569A JPS58171657A (ja) 1982-03-31 1982-03-31 感湿抵抗体
US06/477,408 US4442422A (en) 1982-03-31 1983-03-21 Humidity sensitive resistor
GB08307942A GB2119099B (en) 1982-03-31 1983-03-23 Humidity sensitive resistor
DE19833311047 DE3311047A1 (de) 1982-03-31 1983-03-25 Feuchtigkeitsempfindlicher widerstand

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JP57054569A JPS58171657A (ja) 1982-03-31 1982-03-31 感湿抵抗体

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JPS6237339B2 JPS6237339B2 (ja) 1987-08-12

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015525361A (ja) * 2012-06-25 2015-09-03 ステリス コーポレイション 電流測定式ガスセンサー
JP2017514112A (ja) * 2014-03-25 2017-06-01 ザ プロクター アンド ギャンブル カンパニー 環境による湿度変化を感知するための装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5528505A (en) * 1978-08-16 1980-02-29 Tdk Corp Magnetic recording medium
JPS561579A (en) * 1979-06-18 1981-01-09 Shunpei Yamazaki Semiconductor device

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