JPS58167943A - 原子吸光分光測光用管状キユベツト - Google Patents
原子吸光分光測光用管状キユベツトInfo
- Publication number
- JPS58167943A JPS58167943A JP58036785A JP3678583A JPS58167943A JP S58167943 A JPS58167943 A JP S58167943A JP 58036785 A JP58036785 A JP 58036785A JP 3678583 A JP3678583 A JP 3678583A JP S58167943 A JPS58167943 A JP S58167943A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tubular
- tube
- cuvette
- lunge
- pyrolytic graphite
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/71—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited
- G01N21/74—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited using flameless atomising, e.g. graphite furnaces
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- Biochemistry (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
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- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、管の両端または両端付近に「7ランジ」また
は「接触環」と以下称する成形7ランジあるいは7ラン
ジの如き部分を備える原子吸光分光測光(AA8 )用
管状キュペツFに関するものである。
は「接触環」と以下称する成形7ランジあるいは7ラン
ジの如き部分を備える原子吸光分光測光(AA8 )用
管状キュペツFに関するものである。
電流加熱を用いるかかる環状キュペットは西独−公開特
許第11181184号明細書に開示されている。この
既知のキュベツトにおいては電流が外部から成形7ラン
ジまたは7ランジの如き部分を介してほぼ放射状に管の
末端に印加され、かかる成形7ランジまたは7ランジの
如き部分6マ、ここで着しく大きな熱エキルギーが発生
し、かつこれらの熱導伝率が管末端の冷却が十分に回避
されるように著しく小さくなるような厚さおよび厚さ分
布で特に構成されている。7ランジは、管と1個の組立
体を形成するほど1固に結合されるか、あるいは7ラン
ージと管は機械的に別個の部材であり、管*熾の接触面
で相互に接触する。
許第11181184号明細書に開示されている。この
既知のキュベツトにおいては電流が外部から成形7ラン
ジまたは7ランジの如き部分を介してほぼ放射状に管の
末端に印加され、かかる成形7ランジまたは7ランジの
如き部分6マ、ここで着しく大きな熱エキルギーが発生
し、かつこれらの熱導伝率が管末端の冷却が十分に回避
されるように著しく小さくなるような厚さおよび厚さ分
布で特に構成されている。7ランジは、管と1個の組立
体を形成するほど1固に結合されるか、あるいは7ラン
ージと管は機械的に別個の部材であり、管*熾の接触面
で相互に接触する。
本発明者等は、西独国特許出願第P8108g47.9
号において先に新規なタイプのキュベツトを提案した。
号において先に新規なタイプのキュベツトを提案した。
この新規なキュベツトは占有的に熱分解グラファイトか
ら成り、着しく薄い壁厚およびこれにより着しく小さな
「熱不活性」本体を特徴とするO かかる薄肉管(δz10〜800声−)の使用は、ム8
装置の電流供給源との接触に関しである間■をt&、含
している・良好な(緊縛)接触、即ちキュベツト管の層
全体に亘り均一である接触は再現可能な接触抵抗の場合
に実現できるという困−がある。然し、かかる最適再現
性は進行に著しく影響を及ぼし、従ってム8分析の結果
並びAA8装置内のキュベラFの取り扱いに多大な影響
を及ぼす。
ら成り、着しく薄い壁厚およびこれにより着しく小さな
「熱不活性」本体を特徴とするO かかる薄肉管(δz10〜800声−)の使用は、ム8
装置の電流供給源との接触に関しである間■をt&、含
している・良好な(緊縛)接触、即ちキュベツト管の層
全体に亘り均一である接触は再現可能な接触抵抗の場合
に実現できるという困−がある。然し、かかる最適再現
性は進行に著しく影響を及ぼし、従ってム8分析の結果
並びAA8装置内のキュベラFの取り扱いに多大な影響
を及ぼす。
着しく薄肉のキュベツトでは、端部面で接触する場合接
触部自体がほぼ円形の線である。このことはある利点を
有しており、その利点とは通常の冷えにおいて装置との
接触部におけるキュペラbからの熱の放散を極めて小さ
く維持できるので、これにより末端で急な温度勾配を有
するキュベツトの長さ全体に亘り極めて均一な温度分布
を達成できることである。然し他方で前記再現可能な接
触の1秦さにより、極めて正確に作動しかつAA8]1
1 装置に入れる際極めて注意深く取り扱われることがキュ
ペツシ自体に要求される。
触部自体がほぼ円形の線である。このことはある利点を
有しており、その利点とは通常の冷えにおいて装置との
接触部におけるキュペラbからの熱の放散を極めて小さ
く維持できるので、これにより末端で急な温度勾配を有
するキュベツトの長さ全体に亘り極めて均一な温度分布
を達成できることである。然し他方で前記再現可能な接
触の1秦さにより、極めて正確に作動しかつAA8]1
1 装置に入れる際極めて注意深く取り扱われることがキュ
ペツシ自体に要求される。
前記接触問題は、一層竪い接触部を使用する場合にiし
く減することができる。この後者は原向としT:s棚の
方法: a)管の壁を更に一層肉厚にすること、b)円−または
7ランジの如き接触部形態で肉厚にした端部を有する管
を使用すること、に・より達成することができる。
く減することができる。この後者は原向としT:s棚の
方法: a)管の壁を更に一層肉厚にすること、b)円−または
7ランジの如き接触部形態で肉厚にした端部を有する管
を使用すること、に・より達成することができる。
方法a) この方法は必然的により一層厚い壁の為、エ
レクトログラファイトのキュベツトに本来的に有用であ
り、また主として熱分解グラファイトにも有用である。
レクトログラファイトのキュベツトに本来的に有用であ
り、また主として熱分解グラファイトにも有用である。
然し、この材料の厚肉キュベツトは着しく高価であり(
現在人手し得るコーティングされたキュペラFの少なく
とも10倍は高価である)、更に、前記西独−・特許出
願において機業した「迅速な作用」および「低装置」の
利点は失なわれてしまう。
現在人手し得るコーティングされたキュペラFの少なく
とも10倍は高価である)、更に、前記西独−・特許出
願において機業した「迅速な作用」および「低装置」の
利点は失なわれてしまう。
方法b) この方法も既に「通常゛の」グラファイトの
キュベツト、例えば西独国公開特許第1181184号
公報に開示されている゛タイプのキュベツトに実際に用
いられている。゛7ランジの如き端部を有する熱分解グ
ラファイトのキュペラ)な、気相からの蒸着により適当
に形成されたコア上に直接に蒸着させることは理論上は
可能であるが、かかる方法もまた極めて高価である。こ
の理由は熱分解グラファイトの層を蒸着した後エンベロ
ープから取り出すことができる(lI製eiI能な)−
少なくとも−極めて複線な多成分支持体が必要であり、
更に高価な仕上げ処理が必賛であるからである。
キュベツト、例えば西独国公開特許第1181184号
公報に開示されている゛タイプのキュベツトに実際に用
いられている。゛7ランジの如き端部を有する熱分解グ
ラファイトのキュペラ)な、気相からの蒸着により適当
に形成されたコア上に直接に蒸着させることは理論上は
可能であるが、かかる方法もまた極めて高価である。こ
の理由は熱分解グラファイトの層を蒸着した後エンベロ
ープから取り出すことができる(lI製eiI能な)−
少なくとも−極めて複線な多成分支持体が必要であり、
更に高価な仕上げ処理が必賛であるからである。
本発明の目的は、上記間踵点の技術的に十分なかつ経済
的な解決嘗を提供することにある。
的な解決嘗を提供することにある。
本発明においては、管が熱分解グラファイトから成り、
かつ管および成形7ランジまたは7ランジの如を部分に
熱分解グラファイトのエンベロ=1を設けることにより
上記目的が達成される。
かつ管および成形7ランジまたは7ランジの如を部分に
熱分解グラファイトのエンベロ=1を設けることにより
上記目的が達成される。
次に本発明を図面により説明する。 ゛ ′各図に示す
管lは、その末端にエレクトログラファイトの接曽環を
備えた熱分解グラファイトの管である。この組立体は熱
分解グラファイトのエンベロープδで被aSれている◎ 第1WJに外環を有する管状キュベツトを、第2図に内
環を有する管状キュベツトを、および第8図に嵌込み環
を有する管状キュベツトを示す。第す図に示す管状中ユ
ベットでは、環が管熾部から環中合部へ移されている。
管lは、その末端にエレクトログラファイトの接曽環を
備えた熱分解グラファイトの管である。この組立体は熱
分解グラファイトのエンベロープδで被aSれている◎ 第1WJに外環を有する管状キュベツトを、第2図に内
環を有する管状キュベツトを、および第8図に嵌込み環
を有する管状キュベツトを示す。第す図に示す管状中ユ
ベットでは、環が管熾部から環中合部へ移されている。
補強環および接触環の形状および配置を檀々に変えるこ
とによりAA8装置の関連する接触装置に対して最も適
するようにすることができる。
とによりAA8装置の関連する接触装置に対して最も適
するようにすることができる。
IN明のキュベツトの製造においては、既知の方法に従
い第1工惺において熱分解グラファイトの管を製造し、
更にこの管を、前述の一西独国特許出願の明細書に開示
されている方法に従い薄肉命ユベットに加工Tる。別の
工I!(本方法の第″2工程)において、管を好ましく
はエレクトログラフ7()から製&Tる。他の材料とし
ては無心カーボン、例えばより一層県〈がっ一層多孔形
顧であ□るガラス質カーボン、並びに(例外的場合とし
て)MQ 、 W 、 Ta等の如き高融点金属がある
。2個の部材を1111図に示す知〈結合することがで
きるように、かつ硼かな緊締嵌合がamされるような方
法によって取り付けに対する特別な付加的処理が不要と
なるように、上記グラフ了イト環の寸法をキュベツトの
管の寸法と会わせなければならない。
い第1工惺において熱分解グラファイトの管を製造し、
更にこの管を、前述の一西独国特許出願の明細書に開示
されている方法に従い薄肉命ユベットに加工Tる。別の
工I!(本方法の第″2工程)において、管を好ましく
はエレクトログラフ7()から製&Tる。他の材料とし
ては無心カーボン、例えばより一層県〈がっ一層多孔形
顧であ□るガラス質カーボン、並びに(例外的場合とし
て)MQ 、 W 、 Ta等の如き高融点金属がある
。2個の部材を1111図に示す知〈結合することがで
きるように、かつ硼かな緊締嵌合がamされるような方
法によって取り付けに対する特別な付加的処理が不要と
なるように、上記グラフ了イト環の寸法をキュベツトの
管の寸法と会わせなければならない。
このことは3個の材料(グラファイト、熱分解グラファ
イト)の良好な加工性の結果として、極めて容易に行な
うことができることを確かめた。第6aおよび@bv!
Jにおいては、補強接触層をこれらの輪郭および形状に
関して夫々着しく変えることができることを示す。例え
ば、この補強接触層が点状ゆでまたは面智状轢で少数の
点4だけにおいて基本管lと接触するように成形するこ
とができる。開裂部Sにより阻害されるかかる接触は、
一定限度内で電流および熱の流れに影響を及ぼすことが
でき、従ってキュベツトgs部における一層急な1度勾
配によりキュベツトの長さ全体に亘る温度9分布の均一
化が可能となる。個々の部材を組立てた後、熱分解グラ
ファイトで少なくとも一回は更ニコーティングな行なう
(本方法の第8工髄)。
イト)の良好な加工性の結果として、極めて容易に行な
うことができることを確かめた。第6aおよび@bv!
Jにおいては、補強接触層をこれらの輪郭および形状に
関して夫々着しく変えることができることを示す。例え
ば、この補強接触層が点状ゆでまたは面智状轢で少数の
点4だけにおいて基本管lと接触するように成形するこ
とができる。開裂部Sにより阻害されるかかる接触は、
一定限度内で電流および熱の流れに影響を及ぼすことが
でき、従ってキュベツトgs部における一層急な1度勾
配によりキュベツトの長さ全体に亘る温度9分布の均一
化が可能となる。個々の部材を組立てた後、熱分解グラ
ファイトで少なくとも一回は更ニコーティングな行なう
(本方法の第8工髄)。
得られた層はすべての@部を覆い、各部分を一個の部材
、即ち固定接触7ランジを有するキュベツトに連結させ
、更にこの層は111m1全体を封止する効果を有する
。第2コーテイングに自動的に伴なわれる側部の!!面
封止は、西独国公開特許第1949175号に開示され
ている加工したキュベツトの不動態化の概念に対応する
。この不動−化は一譚に寿命を延ばす効果がある。然し
前記西とによって除宍すべきであるかμうかは、常に所
。
、即ち固定接触7ランジを有するキュベツトに連結させ
、更にこの層は111m1全体を封止する効果を有する
。第2コーテイングに自動的に伴なわれる側部の!!面
封止は、西独国公開特許第1949175号に開示され
ている加工したキュベツトの不動態化の概念に対応する
。この不動−化は一譚に寿命を延ばす効果がある。然し
前記西とによって除宍すべきであるかμうかは、常に所
。
望最小寿命(加熱回数)または反応性の増大に闘する間
龜を&含している。この場合、活性化した内部表面およ
び不動態化した外部表面を有する新規タイプの7ランジ
キユペツトを得ることができる。また、この様にして製
造したキュベツトはフンバウンドキュベツトと称し、こ
れを特鹸とする既知の方法で、熱分解グラファイト層を
、4.9■の直径を有するエレクトログラファイトの円
筒充実ロッド上に炭素含有ガスから蒸着させた。冷却し
OvD反応器から取り出した後、支持ロッドおよびエン
ベロープを相互に分−することができた6俵者は薄肉管
の形状を有し、内径5■および外径約5・b M s従
って壁厚は約g 60111mであった。これらの管【
切断し、研磨しかつ孔あけすることにより、長さ!8■
、外径6.4園、壁厚200μ廟を有するキュベラFに
加工した。別の工程におい7、内径、、4(+0.01
・〜0.(H!り 、、幅0.5.および−さ1.0■
の極めて純粋であるエレクトログラファイトの環を製造
した。これらの環を緊密嵌着状―でキュベツトの両港に
滑り込ませることができた。各部分の相互連結を第2コ
ーテイングエ■で行なった。10μ■の厚さを有する熱
分解グラファイトの祖囲連結層は、上記寸法のキュベツ
トに対して電気的および機械的に十分であった。長さ全
体に亘り測定した全電気抵抗は約0.1オームであった
。
龜を&含している。この場合、活性化した内部表面およ
び不動態化した外部表面を有する新規タイプの7ランジ
キユペツトを得ることができる。また、この様にして製
造したキュベツトはフンバウンドキュベツトと称し、こ
れを特鹸とする既知の方法で、熱分解グラファイト層を
、4.9■の直径を有するエレクトログラファイトの円
筒充実ロッド上に炭素含有ガスから蒸着させた。冷却し
OvD反応器から取り出した後、支持ロッドおよびエン
ベロープを相互に分−することができた6俵者は薄肉管
の形状を有し、内径5■および外径約5・b M s従
って壁厚は約g 60111mであった。これらの管【
切断し、研磨しかつ孔あけすることにより、長さ!8■
、外径6.4園、壁厚200μ廟を有するキュベラFに
加工した。別の工程におい7、内径、、4(+0.01
・〜0.(H!り 、、幅0.5.および−さ1.0■
の極めて純粋であるエレクトログラファイトの環を製造
した。これらの環を緊密嵌着状―でキュベツトの両港に
滑り込ませることができた。各部分の相互連結を第2コ
ーテイングエ■で行なった。10μ■の厚さを有する熱
分解グラファイトの祖囲連結層は、上記寸法のキュベツ
トに対して電気的および機械的に十分であった。長さ全
体に亘り測定した全電気抵抗は約0.1オームであった
。
これらの電気的lII能に加え、接触環は更に他の効果
を生ずる: 著しく薄い−のキュベツト管は、冷却の際異方性の熱分
解グラファイトに生ずる内部応力の結果としてしばしば
歪を生ずる。この管は円形ではなくなり、破損しまたは
裂けることさえあり得る。これら歪は接触環を設けるこ
とにより抑制され、キュベツトは力学的に安定化される
。然し、本発明の主なかつ本質的な効果は、接触環によ
り加熱電流の均一供給が確立され、これによりキュベツ
ト管の内肩、更に長さ全体に亘り均一温度分布が確立さ
れることである。
を生ずる: 著しく薄い−のキュベツト管は、冷却の際異方性の熱分
解グラファイトに生ずる内部応力の結果としてしばしば
歪を生ずる。この管は円形ではなくなり、破損しまたは
裂けることさえあり得る。これら歪は接触環を設けるこ
とにより抑制され、キュベツトは力学的に安定化される
。然し、本発明の主なかつ本質的な効果は、接触環によ
り加熱電流の均一供給が確立され、これによりキュベツ
ト管の内肩、更に長さ全体に亘り均一温度分布が確立さ
れることである。
外側の熱分解グラファイト屡の一部分を、例えば装瞳の
接*Sと接触する表面上のエンベロー1が中断するよう
に除去すると、一定制限内での接触抵抗および熱の流れ
を変える可能性がある。
接*Sと接触する表面上のエンベロー1が中断するよう
に除去すると、一定制限内での接触抵抗および熱の流れ
を変える可能性がある。
ついで、(例えば研削することにより)キュベツト内壁
の第8層を取り除くことにより、第8コーテイングによ
り生じた不動1化が迩択的に再度取り除かれ、これによ
り特に分析試料が供給される範囲において還元能力が増
大する。
の第8層を取り除くことにより、第8コーテイングによ
り生じた不動1化が迩択的に再度取り除かれ、これによ
り特に分析試料が供給される範囲において還元能力が増
大する。
要約Tると、本発明のキュベツトは熱分解グラファイト
の薄肉基本部材な有しており、この両端に環状グラファ
イト部分を備える。この環状部分を1LII熱分解グラ
ファイト層により連結してユニットを形成する0このよ
うに製造した7ランジ付きキュベツトは、!!111が
−l1i11簡皐であり、かつ力学的に安定化される。
の薄肉基本部材な有しており、この両端に環状グラファ
イト部分を備える。この環状部分を1LII熱分解グラ
ファイト層により連結してユニットを形成する0このよ
うに製造した7ランジ付きキュベツトは、!!111が
−l1i11簡皐であり、かつ力学的に安定化される。
また、この櫨のキュペ・ントにおいては「低質量」およ
び「6連な作用」の利点が可能な限り維持される。キュ
ベツトの製造は技術的に容易であり、コスト面において
も好ましいO
び「6連な作用」の利点が可能な限り維持される。キュ
ベツトの製造は技術的に容易であり、コスト面において
も好ましいO
$1−5図は夫々本発明の一例の管状キュペ゛ントの縦
断rj7n図、 第6aおよび6b図は特別なる形状の接触環を有する管
状キュベツトの断Ellll!!であるOl・・・基本
管
断rj7n図、 第6aおよび6b図は特別なる形状の接触環を有する管
状キュベツトの断Ellll!!であるOl・・・基本
管
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 L 成形7ランジまたは7ランジの如き部分を端部また
は海部付近に設けた原子吸光分光測光用キュベツトにお
いて、管(1)が熱分解グラファイトから成り、管(1
)および成形7ランジまたは7ランジの如き部分(1)
に熱分解グラファイトの共通なエンベロープ神)を設け
たことを特徴とする原子吸光分光測光用管状キュベツト
。 i′管(1)が50μ■〜1000μ■、好ましくは1
00μ謹〜800μmの壁厚を有Tる特許請求の範囲第
1項記戦の管状キュベツト。 龜 成形7ランジまたはフランジの如き部分jl)がエ
レクトログラファイト、ガラス質のカーボンまたは高融
点全開から成る特許請求の範1!1IIIlまたは第2
項記載の管状キュベツト。 也 成形7ランジまたは7ランジの如き部分(1)が、
管(1)と少数の虚偽)において点または面の形聯で係
合するように形成された特許請求の範囲SIX Sま
たは8項記載の管状午ユペツ)0 1 エンベロープが1μm〜100μm、好!L(は1
0ハの厚さである特許請求の範囲第1〜4項のいずれか
一つの項記載の管状キュペラ)O a エンベロープ(1)が中断部を有する特許請求の範
囲第1−6項のいずれか一つの項記載の管状キュベラF
0 t 管(13f) 内−上のエンベロー1(a)が取
り除かれた特許請求の範囲第1〜6項のいずれか−らの
項記載の管状今ユペット。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE32087446 | 1982-03-11 | ||
DE19823208744 DE3208744A1 (de) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | Rohrcuvette fuer die atomabsorptionsspektrometrie |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58167943A true JPS58167943A (ja) | 1983-10-04 |
Family
ID=6157897
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58036785A Pending JPS58167943A (ja) | 1982-03-11 | 1983-03-08 | 原子吸光分光測光用管状キユベツト |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4547069A (ja) |
EP (1) | EP0089079B1 (ja) |
JP (1) | JPS58167943A (ja) |
AT (1) | ATE30269T1 (ja) |
AU (1) | AU553985B2 (ja) |
DE (2) | DE3208744A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3239253A1 (de) * | 1982-10-23 | 1984-04-26 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Rohrcuvette fuer die atomabsorptionsspektrometrie |
DE8413711U1 (de) * | 1984-05-05 | 1985-08-29 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Probenträger für die flammenlose Atomabsorptions- und -emissionsspektroskopie |
GB2160397A (en) * | 1984-06-11 | 1985-12-18 | Philips Electronic Associated | Electrothermal atomiser |
GB2160673A (en) * | 1984-06-20 | 1985-12-24 | Philips Electronic Associated | Electrothermal atomiser |
DE3534417A1 (de) * | 1985-09-27 | 1987-04-02 | Ringsdorff Werke Gmbh | Kuevette fuer die flammenlose atomabsorptions-spektroskopie |
JPS63175745A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-20 | Mitsubishi Pencil Co Ltd | 原子吸光分析用炭素炉の製造方法 |
DE3720376A1 (de) * | 1987-06-19 | 1988-12-29 | Bodenseewerk Perkin Elmer Co | Ofen zur elektrothermischen atomisierung fuer die atomabsorptions-spektroskopie |
DE4240934A1 (de) * | 1992-12-04 | 1994-06-09 | Bodenseewerk Perkin Elmer Co | Graphitofen für die thermoelektrische Atomisierung von Proben für die Atomabsorptions-Spektroskopie |
US6895349B2 (en) | 2000-11-09 | 2005-05-17 | Tektronix, Inc. | Gate comparator |
CN107430061B (zh) | 2015-02-17 | 2020-11-06 | 埃克斯雷姆Ip英国有限责任公司 | 用于温度控制旋光仪样品室的技术 |
DE102015115355B3 (de) * | 2015-09-11 | 2017-01-19 | Schunk Kohlenstofftechnik Gmbh | Heizkammer zum Analysieren von Fremdstoffgehalten in Proben |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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