JPS58167549A - ｏ−メチルアニリン類の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はその一つの観点としてＯ−７ミノベンジルスル
ホキシド類からのＯ−メチルアニリン類の製法に関する
。本発明の別の観点は新規な中間体たる第４級塩および
それら第４級塩の生成法に関する。

−ｆｆ　弐Ｒ８０Ｈのスルホキシド類は、全結果がスル
ホキシド基の還元および隣接炭素原子の酸化である散条
件下での転位を受けてα−置換スルフィド類を製造する
ことは既知である。この種の反応は一般にはプメラー（
Ｐｕｍｍｅｒｅｒ　）反応として知られている。酸ノ）
ライドが用いられる際のかかるプメラー反応の生成物は
通常α−置換ハロメチルスルフィドを包含するか、ある
いは加水分解により対応するアルデヒドを包含する。

Ｒｕ５ｓｅ１１氏およびＭｉｋｏ１氏によるｒＭｅｃｈ
ｏＭｏｌ。

Ｍｉｇｒ、Ｊ第１巻第１５７〜２０７頁（１９６Ｂ）を
参照されたい。

除草剤として有用なある種のアニリン誘導体の製造では
たとえば０−メチルチオメチルアニリン類または０−メ
チルスルフィニルメチルアニリン類の０−メチルアニリ
ン類への還元のような種々の方法が開発されてきた。一
つのかかる反応の例としてはたとえばラネーニッケルの
ような触媒の存在下でスルフィドを直接水素イヒする従
来技術の使用があげられる。しかしな力；ら、脱硫のた
めにラネーニッケルを使用することは相当量の触媒、特
別の装置および特別の操作を特徴とする 特にアニリンが他の環置換基を含有する場合にはアニリ
ン製造のために出発物質として〇−アミノベンジルスル
ホキシドを使用することは魅力的でありうるけれども、
出発物質中における硫黄の存在はたとえば貴金属触媒の
ような金属水素化触媒を用いる水素化を考慮する場合に
は有害である。

本発明の一目的は０−アミノにンジルスルホキシド類を
高収率で０−メチルアニリン類に変換するための方法を
提供することである。

本発明のさらに別の目的は硫黄副生成物を有効に分離す
ることを包含するＯ−アミノベンジルスルホキシド類の
Ｏ−メチルアニリン類への変換法を提供することである
。

本発明のさらに別の目的はいかなる危険な製造工程をも
包含しない０−アミノベンジルスルホキシド類のＯ−メ
チルアニリン類への変換法を提供することである。

本発明の別の目的は容易に入手しうる試薬のみを用いる
０−アミノベンジルスルホキシド類の０−メチルアニリ
ン類への変換法を提供することである。

また１本発明の別の目的はスルフィルイミン転位から誘
導されたアニリン類を０−メチルアニリン類に変換する
ための有用な方法を提供することである。

本発明のさらに別の目的は安定な第４級Ｏ−アミノベン
ジルアンモニウムハライド塩を提供することである。

本発明のさらに別の目的は０−アミノベンジルスルホキ
シド類の安定な第４級（）−アミノベンジルアンモニウ
ムノ・ライド塩への変換法を提供することである。

一つの観点において、本発明は下記すなわちａ）ｏ−７
ミノベンジルスルホキシドを不活性溶媒中において非酸
化性酸ノ・ライドと反応させて対応する０−アミノベン
ジルノ）ライドおよび硫黄副生成物の溶液を製造し、 ｂ）上記の０−アミノベンジルノ）ライドおよび硫黄副
生成物を含有する溶液に塩基性第３級アミンを加えて第
４級０−アミノベンジルアンモニウムノ・ライド塩を生
成させ。

Ｃ）硫黄化合物を溶液状態に保持しながら上記第４級塩
を沈殿させ、ついで ｄ）その第４級塩を接触水素添加により分裂させて０−
メチルアニリ／を生成する ことからなる０−メチルアニリン類の製法を提供する。

本発明の別の観点として、本発明は安定な第４級０−ア
ミノベンジルアンモニウムハライド塩ならびに前記のよ
うなそれらの製法を意〆１している。

本発明は容易に入手しうる反応成分を用いて高収率で０
−アミノベンジルスルホキシド類を０−メチルアニリン
類に変換するための容易な手段を提供する。安定な第４
級塩が生成され、このものは反応媒体から、そしてスル
ホキシド類を酸ハライドで処理する際に生ずる硫黄副生
成物から容易に分離できる。系から硫黄化合物を有効に
除去できないと、とりわけ水添触媒が硫黄により毒され
やすいだめにその後の水素化において効率が減少する仁
とになる。本発明により提供される実質的に硫黄を含有
しない第４級塩は安定であるのでそれらは特別な取り扱
い操作を必要とせずしかも分解せずに長期間貯蔵されう
る。

０−メチルアニリン類はたとえば除草剤などの製造にお
ける用途のような種々の既知の用途を有する。本発明の
第４級塩はこれより０−メチルアニリン類が製造されう
る価値ある物質である。

多、くの○−アミンベンジルスルホキシド類が本発明の
実施において用いられうる。重要なことには、０−アミ
ンベンジルスルホキシド類は酸ハライドで容易に０−ア
ミノベンジルハライドに変換されることはわかっており
、そしてかかる溶液がついで本発明のさらに別の特徴に
よって処理されて実質的に硫黄を含有しない安定な第４
級塩を提供しうる。多種類の他の置換基が本発明の反応
を妨害することなしにスルホキシド出発物質上に存在し
うる。

スルホキシド出発物質は所望ならばベンジルスルホキシ
ド置換基の外に任意の種類の環置換基を有する仁とがで
きる。かかる第２の核置換基の例としてはたとえばアル
キル、ハロアルキル、アルコキシ、ポリアルコキシまた
はアルコキシアルキル、アルケニル、アルケニルオキシ
、アルキニルまたはアルキニルオキシ、アリール、アリ
ールオキシ、アラルキルまたはアラルキルオキシ、アミ
ノ、ＮＯ２、ＣＮ、ハロゲンおよび０、Ｓおよび／また
はＮを含有する６個までの環原子をもつ飽和または不飽
和の複素環式基である１個またはそれ以上の置換基をあ
げることができる。好ましい第２の核置換基の例として
はたとえばＣＦ４のようなハロアルキル、たとえばメチ
ルまたはエチルのようなアルキル、たとえばメトキシま
たはエトキシのようなアルコキシ、たとえばｃｔ　ｔた
はＢｒのようなハロゲン、たとえばカルボメトキシのよ
うなカルボアルコキシおよびＣＮヲあげることができる
。アミノ基はベンジルカルボニウムイオンを安定化しそ
してベンジルスルホキシドが酸ハライドと接触する際に
はベンジルハライドを生成する電子供与基である。勿論
、アミノ基の活性化作用を減殺するのを回避するために
第２の電子求引基を選択するにあたっては注意しなけれ
ばならない。

アニリンＮは所望により多徨類の置換基のうち１ｆ１を
有することができる。かかる置換基の例としてはとりわ
けアルキル置換基またはアリール置換基があげられる。

「ベンジルスルホキシド置換基」なる用語はここでは−
ＣＨ２８０Ｒ置換基を意味するのに用いられている。Ｒ
置換基はたとえば前記のようなアルキル、アリールなど
のような多種類の有機置換基のうちのいずれかでありう
る。このＲ基は最終生成物から分裂されるのでたとえば
ＣＮ５のような簡単で安価なアルキル置換基がよυ好ま
しい。

ここで使用されている「アルキル」の用語は直鎖状およ
び分枝鎖状両方のアルキル基を意味し、好ましいのは１
〜６個の炭素原子を有するアルキル、たとえばメチル、
エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イ
ンブチル、第２級ブチル、第３級ブチル、ｎ−Ｊブチル
、インペンチル、ｎ−ヘキシル、第２級ヘキシルなどで
ある。「アリール」はたとえばフェニル、ベンジル、ト
リル、キシリルなどのような置換ないし未置換の芳香族
基を意味し、「アルコキシ」は前述の定義を有するアル
キル、アルケニルまたはア、ルキニルの基を含有する直
鎖状および分枝鎖状両方のアルコキシ基を意味し、「カ
ルボアルコキシ」は式Ｃ００Ｒｃ（式中、Ｂｏは前述の
定義を有するアルキルである）の基を意味しそして第２
の環置換基に適用される「アミノ」は弐ＮＲＲ’　（式
中、ＲおよびＲ′は水素、アルキル、アリールまたは前
述の定義を有するいずれか他の置換基であることができ
る）の基を意味する。「アルケニル」は−〇ｎＨ２ｎ−
１型の直鎖状および分枝鎖状のアルケニル基を意味し、
好ましいのは３〜５個の炭素原子を有するアルケニル基
である。「アルキニル」基は一〇ｎＨ２ｎ−５であり、
それけ直鎖状および分枝鎖状の両方の基を包含する。ア
ルキニル基は３〜５個の炭素原子を有するのが好ましい
。「アルコキシアルキル」は末端炭素上がアルコキシ基
により置換されたアルキル基を意味する。

「ハロアルキル」の用語（１１個またはそれ以トのハロ
ゲン化剤により置換されたアルギル基！ことえばクロロ
メチル、ブロモメチル、ジクロロエチル、トリクロロメ
チル、トリフルオロメチル、はンタフルオロエチル、ヨ
ードメチルなどを意味する。

（２−６ジ置換アニリンを製造するために）特に重要な
のは核置換されたＯ−アミノ（フリルスルホキシドから
なる出発物質である。３−置換−２−アミノベンジルス
ルホキシドが特に重要である。本発明の出発物質として
は３−トリフルオロメチル−２−アミノば／ジルスルホ
キシド類が特に好ましい。

本発明方法のためのスルホキシド出発物質はとりわけ対
応するアニリンからの既知のスルフィルイミン転位によ
り生成されうる。代表的反応においてアニリンは塩基お
よび酸化剤（たとえばＮ−クロロスクシンイミド）の存
在下でジメチルスルフィドと反応して−Ｎ＝Ｓ−Ｃ（Ｃ
Ｈ５）２基を含有する芳香族スルフィルイミンを提供す
る。

遊離スルフィルイミンは加熱されるかまたは触媒作用に
付されてスルフィルイミン転位をして０−メチルチオメ
チルアニリン（０−アミノベンジルスルフィド）を提供
することができ、これはついで酸化されて０−メチルス
ルフィニルメチルアニリン（すなわち０−ＣＨ２５ＯＣ
Ｊ置換基を含有するアニリン、０−アミノベンジルスル
ホキシド）を生成しうる。かかる反応は既知であり、と
りわけ［Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　Ｊ
第４９７頁（１９７２）、同第２４巻第２０５５〜２０
５８頁（１９７７）および同第６２４頁（１９７２）、
米国特許第４９６へ６７１号および第４，００６，１８
５号明細書およびｒＭｈ、　Ｃｈｅｍ、　Ｂｄ、　Ｊ第
１０２巻第１５７１〜１５８２頁（１９７１）に記載さ
れている。スルフィルイミン反応の変法においてたとえ
ば水酸化ナトリウムのような塩基が使用される場合、そ
の中和は副生成物スクシンイミドのスクシンイミドナト
リウム水溶液への変換を伴い、これは゛転位されてクロ
ロスクシンイミドになることができる。

スルフィルイミンは加熱ま九は触媒作用にょシ転位して
０−メチルチオメチルアニリン類を生じ、ついでこれら
はたとえば過酸化水素で酸化されてもとの。−メチルス
ルフィニルメチルアニリン類を生成しうる。後で詳記す
るが、〇−アミノベンジルスルフィド類は本発明の実施
に際して０−アミンベンジルスルホキシドｍＫ変換され
ついで反応系中において。−ベンジルハライドに変換さ
れつる。

０−７ミノベンジルスルフイド類を。−アミンベンジル
スルホキシド類に変換させるには二つの好ましい経路が
ある。０−アミノベンジルスルフィドは過酸化水素で酸
化されて対応するスルホキシドを生成しうる。あるいは
また、このスルフィドは無水条件下でたとえば塩素また
は塩化スルフリルのようなハロゲン化剤と接触して環状
スルフィルイミンを生成し、その後これは水と接触して
本発明の実施のための０−アミノベンジルスルホキシド
出発物質を生成しうる。

スルフィドを無水条件下（すなわち無水不活性有機溶媒
中）でハロケ゛ン化剤と接触させついで加水分解してス
ルホキシド出発物質を製造する場合にはそのスルホキシ
ドはもし充分な水（たとえば少なくともほぼ化学量論的
量）を加えるならば反応系中においてＯ−アミノベンジ
ルハライドに変換されうる。この態様では環状スルフィ
ルイミンの生成および加水分解で生成されるハロゲン化
水素が単一反応容器中でスルホキシドをＯ−７ミノベン
ジルハライドに変換するに必要な酸ハライドを供給しう
る。

○−アミンベンジルスルホキシド出発物質は不活性溶媒
中で非酸化型酸ハライドと接触せしめられて０−アミノ
ベンジルハライドを生成する。ここで使用される「酸ハ
ライド」なる用語は反応系中においてハロゲンイオン（
すなわちクロロ、フルオロ、ブロモまたはヨード）を遊
離しうる剤を意味する。本発明のための酸ハライドはた
とえばスルホン酸、りん酸、ホスホン酸、オヨヒアルキ
ル、ハロアルキル、フェニル、ベンジルまたはそれらの
置換誘導体でありうる有機部分を有するカルボン酸から
誘導されるような多種類の酸誘導体から選択されうる。

この糧の物質としてはたとえばアセチルクロライドのよ
うなアシルハライドおよびたとえばクロロアセチルクロ
ライドのようなハロアセチルハライドがあげられる。ま
た勿論、酸ハライドはハロゲン化水素も包含し、実際に
は塩化水素がより好ましい酸ハライドである。一般に、
正常なプメラー（Ｐｕｍｍｅｒｅｒ　）反応で使用され
る酸ハライドはここに記載の異常なプメラー反応でも用
イラレ’）る。０−アミンベンジルスルホキシドと酸ハ
ライドとの反応はたとえば炭化水素溶媒、塩素化炭化水
素溶媒、エーテル溶媒などのような多数の不活性溶媒の
いずれか中で実施されうる。、代表的な溶媒の例として
はたとえば四基化炭！、）ルエン、キシレン、クロロベ
ンゼン、クロロホルム、メチレンクロライド、エチレン
ジクロライド、トリクロロエチレンがあげられる。より
好ましい溶媒はエチレンジクロライドである。

前記方法の反応剤比は主として経済的考慮および望まし
くない副生成物の回避により決められる。したがって、
別の成分に比していずれか高価な成分の大過剰または人
不足は当然避けるべきであり、本質的には化学量論的量
の割合がしばしば好ましい。採用される反応成分の濃度
０１生成物収率に影響しうる。一般に、約０．１Ｍから
約１．５Ｍまでの反応成分濃度が用いられうるが、収量
は約０．５　Ｍ濃度またはその近辺で最適となる傾向が
ある。

この方法は０℃から周囲温度またはそれ以上のいずれか
好都合な温度で実施されうる。すなわち約０〜約２００
℃の反応温度が広く用いられうる。しかしながら、実際
には約４０〜約１２０℃の温度を用いるのが好ましく、
約５０〜約８５℃の温度がこの反応のためには最も好ま
しい。この方法は大気圧以上ま九は以下のいずれかの都
合のよい圧力下で実施されうる。しかしながら実際には
大気条件が好ましい。この反応は迅速に進行する。いず
れか特定な反応成分の組み合わせにかなうように温度、
圧力、装置などの選択をすることは当業者に周知である
。また、この方法はバッチ法または連続法のいずれでも
実施されうる。好ましい棟様ではスルホキシド反応成分
を混合しながら不活性溶媒中に溶解しそして気体状酸ハ
シイド反応成分をたとえば混合物中に泡立たせるように
して導入する。大抵の場合には反応生成物が本質的に無
水になるまで混合物を蒸留することにより反応中に生成
される水を除去することが望ましい。また、蒸留は未反
応酸ハライドを確実に除去するのに役立つ。

前記のよりな○−アミノベンジルスルホキシドの０−ア
ミノベンジルハライドへの変換は異常なプメラー反応と
して特徴づけられうる。この反応は正常なブメラー反応
の場合のようにアルデヒドになるよりもむしろ０−７ミ
ノベンジルハライドになる。

この異常なプメラー反応およびとシわけ０−アミノベン
ジルスルホキシド類のＯ−アミノベンジルハライド類へ
の変換におけるそれの適用１１丁能性ハペンフリスルフ
イド類のベンジルスルホキシド類への変換と共に［Ｍ換
（フリルハライド類の製法」と頌する１９８２年３月１
６日付米国特許出願第３５８９６６号明細書に詳記され
ている。

前記の異常なプメラー反応により得られた。

−アミノベンジルハライドを安定で容易に単離される実
質的に硫黄を含有しない第４級塩に変換することは本発
明の一つの重要な特徴である。

第４級アミン壇の沈殿は実質的にすべての硫黄含有副生
成物が第４級アニリン塩から分離され、ついでこれが水
素化により効率的に実質的に分裂されうろことが確実で
あるような方法で生成される。尚業者には周知のように
多くの金属水添触媒が硫黄の毒作用に非常に敏感である
。

Ｏ−アミノベンジルハライドおよび硫黄化合物を含有す
る反応混合物に塩基性第３級アミンを加えると０−アミ
ノはフリルハライドと反応して式ＡｒＣＨ２Ｎ（Ｒ）３
＋Ｘ−（式中、Ａｒ　＃ｉｏ−アミノアリール基であり
、Ｒは塩基性第３級アミンの有機部分でありそしてＸは
ハロゲンである）を有する第４級０−アミノベンジ〃ア
ンモニウムハライド塩を生成する。本発明の実施では強
塩基性第３級アミンが用いられる。好ましい塩基性第３
級アミンは高度に求核性である。かかるアミンとしては
たとえば１個またはそれ以上の置換基鎖中に約４個まで
の炭素原子を有する低級アルキル第３級アミンそしてま
た芳香族アミンがあげられる。本発明の実施のためには
トリメチルアミンが容易に入手でき、安価でしかも特に
好ましい塩基性且つ求核性（ｎｕｃｌｅｏｐｈｌｌｌｃ
　）の第６級アミンである。

一般に、０−アミノベンジルハライドは約り℃〜約６０
℃、好ましくは約り０℃〜約５０℃の温１建で第６級ア
ミンと反応する。この反応は発熱的であシ、有限の時間
しばしば少なくとも約１０分を必要とする。反応の温度
、時間などは当業者ならば容易にわかる。

驚ろくべきことに、イオン系第４級塩が優先的に沈殿さ
れて実質的に硫黄共生放物を吸蔵していない、容易に濾
過でき、安定な非吸湿性結晶を提供することが確認され
た。本発明の結晶は溶媒溶液の濃度および温度を調節す
ることにより沈殿させることができる。

別の方法では第４級塩のための共溶媒が反応混合物に加
えられる。反応終了後に共溶媒は蒸留により除去されう
る。溶媒中における第４級塩の溶解度は溶媒−共溶媒混
合物中におけるそれの溶解度よりも低くそして共溶媒を
除去すると第４級塩について限界溶解度を有する混合物
を生ずる。実質的にすべての共溶媒を除去するために蒸
留を続けることができるしそして所望される量の溶媒も
除去されう゛る。実際、塩の晶出は蒸留の後段に開始し
うる。しかしながら、蒸留後には硫黄化合物を溶液状態
に維持するに充分な溶媒が残っているべきである。その
稜の冷却と同時に第４級塩は沈殿し続けそして硫黄化合
物は溶液状態に留まる。

共溶媒および溶媒の両沸点は蒸留によシ共溶媒が除去さ
れうるように溶媒よりも低い沸点を有するように相関せ
しめられるべきである。選択する溶媒はイオン系第４級
化合物を溶解するための限られた能力を有するべきであ
るが、しかし第４級塩結晶温度において硫黄化合物を溶
液状態に保持する能力を有するべきである。反応成分の
いずれか一足の組み合わせに対して多くの入手しうるも
のから共溶媒および溶媒を選択しそしてそれらの適当な
量を決定することは簡単な溶解度試験を用いて容易にな
されうる。

アルコールが好ましい共溶媒である。アルコールはたと
えば約４個より多くない炭素原子を有するような低級ア
ルキルアルコールが望ましい。本発明の実ｍＫはメチル
アルコールが特に好ましい。アルコールはｆｊｌｃ５級
アミンの添加と同時かまたは添加後に加えることができ
そして一般に反応温度で第４級塩を溶液状態に維持する
に充分な量で加えられる。このアルコールは二つの作用
を４える。一方では共溶媒として作用し、そしてまた他
方ではベンジルハライドと第３級アミンとの反応を促進
する。

第４級塩の沈殿はその溶液に第４級塩結晶を接種するこ
とにより生成が開始されうる。実際、蒸留中に溶液が飽
和に近づいたら溶液に接種し。

ついでその後予備晶出が起るまで蒸留を続けるのが望ま
しい。その後、その液体を冷却して晶出を完了させる。

晶出を完全にするに溶液は通常周囲温度またはそれ以下
に冷却され、しばしば約１５℃以下に冷却される。

第４級塩は容易に濾過され、非吸湿性でありしか４無毒
性である。さらに、生成する第４級塩は重−合しないし
あるいはアルコールまたは水と反応しない。したがって
広範囲の溶媒および反応条件がその後の水素化工程で使
用されうる。

さらＫその塩は既知技術による精製によシ適している。

沈殿した状態で第４級塩は次の処理を可能にするに充分
な程度に硫黄汚染物を含有していないけれども、塩をさ
らに不純物のための溶媒で洗浄することによって精製す
ることは可能である。一般的には経済的に魅力的ではな
いけれども、第４級塩は勿論溶解されそして再沈殿もさ
れうる。

本発明の好ましい第４級塩は５−トリフルオロメチル−
２−アミノベンジルアンモニウムハライド、６−ジアツ
ー２−アミノベンジルアンモニウムハライド、６−メチ
ル−２−アミノベンジルアンモニウムハライド、６−エ
チル−２−アミノベンジルアンモニウムハラ（）’、３
−メトキシ−２−アミノベンジルアンモニウムハライド
、３−カルボメトキシ−２−アミノベンジルアンモニウ
ムハライドおよび４−クロロ−３−メトキシ−２−アミ
ノベンジルハライドである。特に好ましい塩はアミノ基
がＮＨ２であり、ハライドが塩素である塩であり、そし
て／ｌたはその塩はトリメチルアミン塩である、本発明
方法の最終工程において第４級塩は適当な溶媒中に溶解
されている間に金楓水素化触媒の存在下に水嵩で水素化
される。第４級アンモニウム塩の水素化は高められた温
度および圧力で実施するのが好ましい。

好ましい水素添加触媒はたとえば大抵多孔性支持体上で
利用しうるパラジウム、白金、ロジウム、ニッケルなど
のような金属触媒である。

最も好ましいのは１〜１０％パラジウムの濃度で商業上
入手しうる木炭上バラジクム触媒である。

支持触媒は一般に反応混合物の１０重量％以下の量で存
在する。温度は広く約り０℃〜約１５０℃であることが
できるが、代表的には約４０℃〜１００℃でありそして
圧力は約５０　ｐｓｉｇ〜約８００ｐｓｉｇであること
ができる。多くの溶媒が用いられるけれどもこの反応の
ために好ましい溶媒はアルコール類、アルコール／水の
混合物または水である。ある一定状況のための水素化条
件も捷た当業者ならば容易に決定できる。

水素化工程から生ずる０−メチルアニリンは６・過、洗
浄、乾燥などにより回収されうる。こｔ７＋Ｍ−終生放
物の精製バ一般には本発明方法の各反応から生ずる高い
純度状態のために必要ではない。

不発明の方法はしばしば原料０−アミノベンジルスルホ
キシドに基づいて８５チ以上の収率を提供することがで
きる。

次に、本発明の実施をさらによく説明するために実施例
を記載する。これらの実施例は略に説明のためであって
、本発明の範囲を限定するものではない。

実施例　１ 塩素（７４，０，Ｐ、１．０４モル）を１５〜２２℃で
３５分かけて２．０Ｂｔのエチレンジクロライド中にお
ける２２１．４１１（１００２モル）の２−メチルチオ
メチル−６−トリフルオロメチルアニリンの溶液中に通
した。つ□いでこの濁った溶液を２５−（１，５９モル
）のＨ２Ｏで処理しそして６３℃に加熱した。６３℃で
２０分経過抜、混合物は透明な淡ｈｔ色溶液に変わった
。過剰の水を共沸蒸留により除去（６５０−の溶媒が除
去された）しそして飯黄色溶液を１０℃に冷却した。新
しいエチレンジクロライド（１，０５１）を加えついで
１５０＋ｌｌ１０メタノール中における１０１　（１，
７モル）のトリメデルアミンを加えた。混合物を２０℃
に加温し、１５分後に４０℃に加熱し、１５分間保持し
ついで沸騰するまで加熱した。蒸留ヘッド温度が７０℃
に達したら、第４級塩の晶出を開始させるために溶液に
接種した。ヘッド温度が８１．５℃に達した時点で蒸留
を止め（ｔ０５１の溶媒が除去された）ついでスラリー
を５℃に冷却した。混合物を濾過しそして固体をＭｒ　
Ｌいエチレンジクロライドで洗浄しついで乾燥させて２
２０〜２２１℃の融点を有する２　２９．０９　（８５
，１午）の白色第４級アンモニウム塩を得た。この生成
物は２−アミノ−６−ドリフルオロメチルベンジルトリ
メチルアンモニウムクロライドである。

ＣＨＨ１６Ｎ２”１’Ｆ３としての元素分析結果は次の
とおシである。

ＣＨＮ　　　Ｃｌ 計算値：４９．２　５．９６　１０．４　　１３．２実
測値：　４９．１３　６．０１　　１０．３７　１３．
３１実施例　２ 塩素（１０，１９ｇ、０．１４３５モル）を２０〜２５
℃で１６０−のエチレンジクロライド中における３　０
．０３ｇ（０，１５５９モル）の２−メチルチオメチル
−６−トリフルオロメチルアニリンの溶液を通した。

水（５，８ｇｎｔ、０２１モル）を加え、その混合物（
濁った）を６１〜６６℃に加熱して２０分間維持した。

生成する透明溶液を加熱して沸騰させそして過剰の水を
共沸蒸留により除去した（６０ｗ／の溶媒が除去された
）。この溶液を８℃に冷却し、これに１４−のメチルア
ルコール中における２０献のトリメチルアミンを加えた
。混合物の温度は３５℃に上昇し、これに１００ｗ１ｌ
のエチレンジクロライドを加えそして１０分後に混合物
を加熱して沸騰させた。過剰のトリメチルアミンおよび
メチルアルコールを蒸留で除去した。

７０℃の蒸留ヘッド温度において晶出を開始させるため
に溶液に接種した。８１５℃のヘッド温度で蒸留を止め
そしてスラリーを８℃に冷却し、びｉ過しついで固体’
に１００ｔ／の新しいエチレンジクロライドで洗浄して
２８．１６．９（７７，２チ）の第４級アンモニウム塩
を得た、 実施例　３ 効率のよい攪拌機、ＨＣ７導入管、蒸留ヘッドおよび温
度計を備えた５００−“丸底フラスコに２５０ｗ／のエ
チレンジクロライド中における２００ソ（０，０８４４
モル）の２−メチルスルフィニルメチル−６−トリフル
オロメチルアニリンの溶液を加えた。この溶液を室温に
おいて初期の粘稠性沈殿がくずれて濁った混合物になる
まで（６〜５分）気体ＨＣ１で処理した。ついで混合物
を迅速に６０〜６３℃に加熱し、その間ＨＣｌを混合物
中に泡立たせた。加熱およびＨＣＩ処理の１０分後に１
−のＨ２Ｏを加えそして混合物が透明になるまで（一般
的にはＨ２０添加後１０〜１５分）加熱およびＨＣ７処
理を続けた（しばしばこの時点のフラスコの側面に非常
に少量の不溶性物質が観察される）。生成する透明な橙
色溶液は２−クロロメチル−６−トリフルオロメチルア
ニリンおよび反応の主たる硫黄副生成物ａＨ３ｓＦ（お
よびｃＨ５ｓｏ２ｓｃＨｓを含有した。水およびＨＣｊ
を共沸除去した後、この溶液を実施例１に記載のように
トリメチルアミンおよびメタノールで処理して実質的に
硫黄副生成物を含有しないアニリンの第４級アンモニウ
ム塩を製造することができる。

実施例　４ １００−のメタノールおよび５０−の水中における実施
例１または２によシ製造された１８．５５．９（０，０
６８３４モル）の第４級アンモニウム塩の溶液を１時間
５０　ｐｓｉｇ水素圧力下で４５℃において炭素上に支
持された５チノ々ラジウム（ＰＭＣ）触媒Ｏ１５＃（２
，７重量％）上で振盪した。ついで混合物を濾過し、１
００−の８２０で希釈しついで各１００一部分のメチレ
ンジクロライドで２回抽出した。有機層を乾燥させ（Ｍ
ｇ８０４で）ついで蒸発させて１ｔ１（９７，８チ）の
２−メチル−６−トリフルオロメチルアニリンを得た。

実施例　５ ５００−のメタノールおよび２５０−の水中における２
２９．ＯＩ！（０，８５２９モル）の実施例１または２
の第４級アンモニウム塩の溶液を７．０．Ｐ（３，０６
重量慢）　Ｏ５％ＰＷ’Ｃ触媒上で７００　ｐｓｉｇ水
素圧力下において攪拌した。混合物を１００℃に加熱し
くＨ２吸収は７５〜８０℃で始まった）、これを２．５
時間維持した。ついで溶液を濾過し、２１のＨ２Ｏで希
釈しそして３個の２５０ゴ部分のメチレンジクロライド
で抽出した。乾燥（Ｍｇ５ＯＪ上での）および蒸発を行
なった後に１４０．２．９（９５，９チ）の２−メチル
−６−トリフルオロメチルアニリンを得た。

実施例　６ １２５−のｈ２ｏ中における実施例１まだは２で製造さ
れた２５．０．９（０，０９３１モル）の第４級アンモ
ニウム塩の溶液を１７時間５０℃で４８＝５６ｐｓｉｇ
水素圧力下において０．７５Ｎ（３，０重賞チ）の５％
Ｐｄ／Ｃ触媒と共に振盪した。混合物（２層）を濾過し
、これに１００ゴのメチレンクロライドを加えそして有
機層を乾燥させ（Ｍｇ５ＯＪ上で）ついで蒸発させて１
５．４．９　（９４，５％　）の２−メチル−６−トリ
フルオロメチルアニリンを得た。

特許出願人　モンサンド・カンパニー

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）下記すなわち ａ）　　Ｏ−アミノベンジルスルホキシドを不活性溶媒
   中において非酸化性酸ハライドと反応させて対応する０
   −７ｔノペンジルハライドおよび硫黄副生成物の溶液を
   調製し。 ｂ）上記の０−アミノベンジルハライドおよび硫黄副生
   成物を含有する溶液に塩基性第３級アミンを加えて第４
   級０−アミノベンジルアンモニウムハライド塩を生成せ
   しめ、Ｃ）硫黄化合物を溶液状態に保持しつつ上記第４
   級塩を沈殿させ、ついで ｄ）　その第４級塩を接触水素添加により解裂させて０
   −メチルアニリンを生成する ことからなる、０−メチルアニリン類の製法。 ２）出発物質たるスルホキシドが０−メチルスルフィニ
   ルメチルアニリンである前記特許請求の範囲第１項に記
   載の方法。 ３）　出発物質たるスルホキシドが６−置換−２−アミ
   ノベンジルスルホキシドである前記特許請求の範囲第１
   項に記載の方法。 ４）　出発物質たるスルホキシドが５−トリフルオロメ
   チル−２−アミノベンジルスルホキシドである前記特許
   請求の範囲第１項に記載の方法。 ５）　出発物質たるスルホキシドが２−メチルスルフィ
   ニルメチル−６−）　リフルオロメチルアニリンである
   前記特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ６）　酸ハライドがアシルハライド、ハロアシルハライ
   ドおよび無機酸ハラ°イドからなる群より選択される前
   記特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ７）酸ハライドがハロゲン化水素である前記特許請求の
   範囲第６項に記載の方法。 ８）１１５級アミンがトリメチルアミンである前記特許
   請求の範囲第１項に記載の方法。 ９）　工程（由において溶媒−共溶媒混合物が用いられ
   る前記特許請求の範囲第１項に記載の方法。 １０）共溶媒が低級アルキルアルコールである前記％杵
   請求の範囲第９項に記載の方法。 １１）共溶媒がメタノールである前記特許請求の範囲第
   １０項に記載の方法。 １２）工程（ａ）において３−）リフルオロメチル−２
   −アミノベンジルスルホキシド管塩化水素と反応させそ
   して工程（ｂ）においてトリメチルアミンおよびメチル
   アルコールを用いる前記特許請求の範囲第１項に記載の
   方法。 １３）　晶出を助けるために第４級塩の溶液に接種する
   前記特許請求の範囲第１項に記載の方法。 １４）　反応系中において。−アミノペンジルスルフィ
   ドをハロゲン化剤と反応させて芳香族環状スルフィルイ
   ミン中間体を製造し、これを水の添加によＦ）ｏ−アミ
   ノベンジルスルホキシドに転位させて。−７ミノベンジ
   ルスルホキシドを製造する前記特許請求の範囲第１項に
   記載の方法。 １５）アニリンスルフィルイミン転位にょシ製造される
   ０−アミノペンジルスルフィドから。 −アミノベンジルスルホキシドが誘導される前記特許請
   求の範囲＃１１項に記載の方法。 １６）下記すなわち ａ）　　Ｏ−アミノベンジルスルホキシドを不活性溶媒
   中において非酸化性酸ハライドと反応させて対応する。 −７ミノベンジル／、Ｓライドおよび硫黄副生成物の溶
   液を調製し、ｂ）　　ｏ−７ミノベンジルハライドおよ
   び硫黄副生成物を含有する溶液に低級アルキルアルコー
   ルの存在下で塩基性第３級アンンを加えて第４級Ｏ−ア
   ミノベンジルアンモニウムハライド塩を生成させ、つい
   で Ｃ）溶液状態に硫黄化合物を保持しながら前記の第４級
   塩を沈殿させる ことからなる安定な第４級０−アミノベンジルアンモニ
   ウムハライド塩の製法。 １７）　出発物質九るスルホキシドが０−メチルスルフ
   ィニルメチルアニリンである前記特許請求の範囲第１６
   項に記載の方法。 １８）　出発物質たるスルホキシドが３−置換−２−ア
   ミノベンジルスルホキシドである前記特許請求の範囲第
   １６項に記載の方法。 １９）　出発物質九るスルホキシドが３−トリフルオ四
   メチルー２−７２ノベンジルスルホキシドである前記特
   許請求の範囲第１６項に記載の方法。 ２０）　出発物質九るスルホキシドが２−メチルスルフ
   ィニルメチル−４−）９フルオロメチルアニリンである
   前記特許請求の範囲第１６項に記載の方法。 ２１）　酸ハライドがアシルハライド、ハロアシルハラ
   イドおよび無機酸ハライドからなる群より選択される前
   記特許請求の範囲第１６項に記載の方法。 ２２）酸ハライドが塩化水素である前記特許請求の範囲
   第１６項に記載の方法。 ２３）第６級アミンがトリメチルアミンである前記特許
   請求の範囲第１６項に記載の方法。 ２４）溶媒−共溶媒混合物を工程（ｂ）において用いる
   前記特許請求の範囲第１６項に記載の方法。 ２５）　共溶媒が低級アルキルアルコールである前記特
   許請求の範囲第２４項に記載の方法。 ２６）低級アルキルアルコールがメタノールである前記
   特許請求の範囲第２４項に記載の方法。 ２７）工程（ａ）において３−）リフルオロメチル−２
   −アミノベンジルスルホキシドを塩化水素と反応させそ
   して工程（ｂ）　においてトリメチルアミンおよびメチ
   ルアルコールを用いる前記特許請求の範囲第１６項に記
   載の方法。 ２８）晶出を助けるために前記の第４級塩の溶液に接種
   する前記特許請求の範囲第１６項に記載の方法。 ２９）反応系中において０−アミノベンジルスルフィド
   をハロゲン化剤と反応させて芳香族環状スルフィルイミ
   ン中間体を製造し、これを水の添加によ［０−アミノベ
   ンジルスルホキシドに加水分解して０−アさノベンジル
   スルホキシドを得る前記特許請求の範囲第１６項に記載
   の方法。 ３０）アニリンスルフィルイオン転位によシ製造される
   ０−アミノベンジルスルフィドから〇−アミノベンジル
   スルホキシドが誘導される前記特許請求の範囲第１６項
   に記載の方法。 ３１）安定な結晶固体状の第４級０−アミノベンジルア
   ンモニウムハライド塩。 ３２）５−置換−２−アミノベンジルアンモニウムハラ
   イドである前記特許請求の範囲第３１項に記載の安定な
   結晶固体状の第４級塩。 ３５）３−トリフルオロメチル−２−アミノベンジルア
   ンモニウムハライド塩である前記特許請求の範囲第３１
   項に記載の安定な結晶固体状の第４級塩。 ３４）トリメチルアミン塩である前記特許請求の範囲第
   ３１〜３６の各項に記載の安定な結晶性固体状の第４級
   塩。 ３５）　クロライド塩である前記特許請求の範囲第３１
   〜Ｓ４の各項に記載の安定な結晶性固体状の第４級塩。 ５６）　　２−アミノ−６−ドリフルオ四メチルベンジ
   ルトリメチルアンモニウムクロライドである前記特許請
   求の範囲第３１項に記載の安定な結晶性固体状の第４級
   塩。