JPS58166608A - 複合誘電体 - Google Patents
複合誘電体Info
- Publication number
- JPS58166608A JPS58166608A JP57049448A JP4944882A JPS58166608A JP S58166608 A JPS58166608 A JP S58166608A JP 57049448 A JP57049448 A JP 57049448A JP 4944882 A JP4944882 A JP 4944882A JP S58166608 A JPS58166608 A JP S58166608A
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- Japan
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- dielectric
- composite dielectric
- composite
- microwave
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、複合複電体に関し、更に詳しくはＢ ａ Ｔ
ｌ ４０９ 系誘電体セラミック粉末と絶縁性高分
子材料とからなるマイクロ波用複合誘電体や微少容量コ
ンデンサー材料に用いることができる複合誘電体に関す
るものである。
ｌ ４０９ 系誘電体セラミック粉末と絶縁性高分
子材料とからなるマイクロ波用複合誘電体や微少容量コ
ンデンサー材料に用いることができる複合誘電体に関す
るものである。
近年、マイクロ波領域における通信の発達に伴ない、マ
イクロ波回路の集積化が図ら、れている。
イクロ波回路の集積化が図ら、れている。
従来、集積化用の基板、いわゆるマイクロ波用基板（Ｍ
ＩＣ基板）には、誘電体材料として四フッ化エチレン樹
脂、ポリスチレン樹脂などの両面に銅張りじたものが用
いられ、この銅板にエツチング加工などを行なって回路
を形成していた。そして回路構成の一部として樹脂の誘
電率を利用するケースがある。しかしながら本来樹脂の
誘電率が２〜３であるため、たとえば共振回路を形成す
るような場合、樹脂の誘電率が小さいと導電パターンの
形状を太きくしなければならず、小形化への障害となっ
ていた。したがって、さらに大きな誘電率を有するマイ
クロ波基板の出現が要求されていた。
ＩＣ基板）には、誘電体材料として四フッ化エチレン樹
脂、ポリスチレン樹脂などの両面に銅張りじたものが用
いられ、この銅板にエツチング加工などを行なって回路
を形成していた。そして回路構成の一部として樹脂の誘
電率を利用するケースがある。しかしながら本来樹脂の
誘電率が２〜３であるため、たとえば共振回路を形成す
るような場合、樹脂の誘電率が小さいと導電パターンの
形状を太きくしなければならず、小形化への障害となっ
ていた。したがって、さらに大きな誘電率を有するマイ
クロ波基板の出現が要求されていた。
一方、誘電体セラミックのマイクロ波通信機器への応用
展開が進み、マイクロ波帯で高いｑ値を持ち、かつ温度
安定性のすぐれた材料の開発が行われている。しかしな
がら、セラミックを穿孔したり、切断したりするような
加工を施こそうとすると、セラミックがもともと硬いた
め加工が難かしく、また欠けたり、割れたりするという
欠点がある。
展開が進み、マイクロ波帯で高いｑ値を持ち、かつ温度
安定性のすぐれた材料の開発が行われている。しかしな
がら、セラミックを穿孔したり、切断したりするような
加工を施こそうとすると、セラミックがもともと硬いた
め加工が難かしく、また欠けたり、割れたりするという
欠点がある。
したがって、本発明は樹脂が有する柔軟性とマイクロ波
誘電体セラミックのすぐれた電気特性を利用した複合誘
電体を提供せんとするものである。
誘電体セラミックのすぐれた電気特性を利用した複合誘
電体を提供せんとするものである。
また本発明は、マイクロ波領域で高いｑ値を持ち、比誘
電率の温度特性が安定で、比誘電率が一般の高分子材料
にくらべて大きい複合誘電体を提供昼んとするものであ
る。
電率の温度特性が安定で、比誘電率が一般の高分子材料
にくらべて大きい複合誘電体を提供昼んとするものであ
る。
さらに本発明は、マイクロ波誘電体セラミックにくらべ
て柔軟性にすぐれ、加工容易性を有する複合誘電体を提
供せんとするものである。
て柔軟性にすぐれ、加工容易性を有する複合誘電体を提
供せんとするものである。
すなわち、本発明の要旨とする・ところはＢ ａＴ １
４０９系誘電体セラミック１０〜７０容量チ、好ましく
は３０〜５０容量チ、絶縁性高分子材料９０〜３゜容量
チ、好ましくは７０〜５０容量チからなる複合誘電体で
ある。
４０９系誘電体セラミック１０〜７０容量チ、好ましく
は３０〜５０容量チ、絶縁性高分子材料９０〜３゜容量
チ、好ましくは７０〜５０容量チからなる複合誘電体で
ある。
本発明の複合誘電体を構成するもののうち、Ｂ ａＴ
１４０９ 系材料は、７ＧＨｚ におけるｑが５ｏｏ
ｎ。
１４０９ 系材料は、７ＧＨｚ におけるｑが５ｏｏ
ｎ。
比誘電率が３７、比誘電率の温度特性が−８０ＰＰ／’
Ｃのものである。
Ｃのものである。
また、絶縁性高分子材料としては、四フッ化エチレンの
単独または共重合体などの含フツ素系重合体が特に好ま
しいが、その他ポリエチレンあるいはポリオレフィン系
重合体のような誘電損の小さい重合体を用いることがで
きる。これらのうちでは、特に四フッ化エチレンの単独
重合体が好ましい。また使用できる共重合体としては、
四フッ化エチレンとエチレン、プロピレン、６フツ化プ
ロピレン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、３フツ化
エチレンなどとの共重合体を例示できる。
単独または共重合体などの含フツ素系重合体が特に好ま
しいが、その他ポリエチレンあるいはポリオレフィン系
重合体のような誘電損の小さい重合体を用いることがで
きる。これらのうちでは、特に四フッ化エチレンの単独
重合体が好ましい。また使用できる共重合体としては、
四フッ化エチレンとエチレン、プロピレン、６フツ化プ
ロピレン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、３フツ化
エチレンなどとの共重合体を例示できる。
誘電体セラミックと絶縁性高分子材料の混合比は、一般
に１０：９０〜７０：、３０の容量比の範囲から選択さ
れるが、かかる範囲が好ましい理由は次のとおりである
。つまり、誘電体セラミックが１０容蓋チ未満、絶縁性
高分子材料が９０容量チを越えると、比誘電率の増加が
見られず複合化した効果が得られなくなる。また誘電体
セラミックが７０容量チを越え、絶縁性高分子材料が３
０芥量−未満になると、誘電体セラミックの量が多くな
まため、絶縁性高分子材料と混合しても均質な複合誘電
体が得られなくなる。したがって柔軟性がなくなり、加
工性も悪くなる。
に１０：９０〜７０：、３０の容量比の範囲から選択さ
れるが、かかる範囲が好ましい理由は次のとおりである
。つまり、誘電体セラミックが１０容蓋チ未満、絶縁性
高分子材料が９０容量チを越えると、比誘電率の増加が
見られず複合化した効果が得られなくなる。また誘電体
セラミックが７０容量チを越え、絶縁性高分子材料が３
０芥量−未満になると、誘電体セラミックの量が多くな
まため、絶縁性高分子材料と混合しても均質な複合誘電
体が得られなくなる。したがって柔軟性がなくなり、加
工性も悪くなる。
本発明の複合誘電体を製造するには、前記絶縁性高分子
材料および誘電体セラミックをいずれも粉末状で均一に
混合した上、高分子材料の成形条件下で成形する。たと
えば、ポリ四フッ化エチレンの場合、混合粉末を約１０
０〜７００ Ｋ１１ｌ／ｄの圧力下に圧縮成形した後、
約３３０〜４２０’Ｃの温度で焼成して成形体とする。
材料および誘電体セラミックをいずれも粉末状で均一に
混合した上、高分子材料の成形条件下で成形する。たと
えば、ポリ四フッ化エチレンの場合、混合粉末を約１０
０〜７００ Ｋ１１ｌ／ｄの圧力下に圧縮成形した後、
約３３０〜４２０’Ｃの温度で焼成して成形体とする。
以下にこの発明を実施例に従って詳細に説明する。
実施例
ＢａＴｉ４Ｏ９からなる誘電体セラミック粉末（８０メ
ツシユパス〕と四フッ化エチレン樹脂粉末を第１表に示
す比率で均一に混合し、この混合原料を４００１Ｖｃ＋
＃の圧力下で圧縮成形後、３８００Ｃの温度で３時間加
熱焼成して、直径５６ｒｒｒ！ｎ、高さ８０＋ａ＋の円
柱状複合誘電体を得た。
ツシユパス〕と四フッ化エチレン樹脂粉末を第１表に示
す比率で均一に混合し、この混合原料を４００１Ｖｃ＋
＃の圧力下で圧縮成形後、３８００Ｃの温度で３時間加
熱焼成して、直径５６ｒｒｒ！ｎ、高さ８０＋ａ＋の円
柱状複合誘電体を得た。
得られた複合誘電体について、摂動法による誘電体共振
器法で８．５ＧＨｚ における比誘電率、Ｑ値を測定
し、また１ＭＨｚ で比誘電率の温度特性を測定した
。測定結果は第１表に合わせて示す。
器法で８．５ＧＨｚ における比誘電率、Ｑ値を測定
し、また１ＭＨｚ で比誘電率の温度特性を測定した
。測定結果は第１表に合わせて示す。
第 １ 表
第１表中、試料番号１はこの発明範囲外のものであり、
それ以外はすべてこの発明範囲内のものである。
それ以外はすべてこの発明範囲内のものである。
第１表から明らかなように、本発明による複合誘電体は
マイクロ波で大きな比誘電率婆有し、Ｑも高い値を示す
。また比誘電率の温度特性はＱｐｐｎ／’Ｃを中心とし
た特性を示し、温度変化に対して安定した特性を有して
いる。
マイクロ波で大きな比誘電率婆有し、Ｑも高い値を示す
。また比誘電率の温度特性はＱｐｐｎ／’Ｃを中心とし
た特性を示し、温度変化に対して安定した特性を有して
いる。
また、本発明にかかる複合誘電体は柔軟性を有しており
、穿孔加工、切削加工が簡単であり、たとえばマイクロ
波用基板として用いた場合表面と裏面との導通処理も簡
単に行えるという利点を有する。また、上記の特性を利
用して、本発明の複合誘電体は、微少容量コンデンサー
材料に用いることもできる。
、穿孔加工、切削加工が簡単であり、たとえばマイクロ
波用基板として用いた場合表面と裏面との導通処理も簡
単に行えるという利点を有する。また、上記の特性を利
用して、本発明の複合誘電体は、微少容量コンデンサー
材料に用いることもできる。
特許出願人 ダイキン工業株犬会社（ほか１名）代理人
升理士青山 葆 （ほか２名） ３３−
升理士青山 葆 （ほか２名） ３３−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 Ｂ ａ Ｔ １４０９ 系誘電体セラミック１
０〜７０容量チと絶縁性高分子材料９０〜３０容量チと
からなる複合誘電体。 ２、 ＢａＴ〜０９系誘電体セラミックの７ＧＨｚに
おけるｑが５０００．比誘電率が３７、比誘電率の温度
特性が−８０ｐｐｆ′１１／°Ｃである特許請求の範囲
第１項記載の複合誘電体。 ３、絶縁性高分子材料が四フッ化エチレンの単独または
共重合体である特許請求の範囲第１項記載の複合誘電体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57049448A JPS6019604B2 (ja) | 1982-03-27 | 1982-03-27 | 複合誘電体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57049448A JPS6019604B2 (ja) | 1982-03-27 | 1982-03-27 | 複合誘電体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58166608A true JPS58166608A (ja) | 1983-10-01 |
| JPS6019604B2 JPS6019604B2 (ja) | 1985-05-17 |
Family
ID=12831411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57049448A Expired JPS6019604B2 (ja) | 1982-03-27 | 1982-03-27 | 複合誘電体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6019604B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6569795B2 (en) | 2000-07-03 | 2003-05-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency dielectric ceramic compact, dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer, and communication apparatus |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0453378Y2 (ja) * | 1985-05-10 | 1992-12-15 | ||
| JPH042261Y2 (ja) * | 1985-09-30 | 1992-01-27 |
-
1982
- 1982-03-27 JP JP57049448A patent/JPS6019604B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6569795B2 (en) | 2000-07-03 | 2003-05-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency dielectric ceramic compact, dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer, and communication apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6019604B2 (ja) | 1985-05-17 |
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